JPH079895B2 - ジョー式劈開装置 - Google Patents
ジョー式劈開装置Info
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- JPH079895B2 JPH079895B2 JP24774592A JP24774592A JPH079895B2 JP H079895 B2 JPH079895 B2 JP H079895B2 JP 24774592 A JP24774592 A JP 24774592A JP 24774592 A JP24774592 A JP 24774592A JP H079895 B2 JPH079895 B2 JP H079895B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 17
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000008832 photodamage Effects 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/0202—Cleaving
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- Y10T225/10—Methods
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- Y10T225/357—Relatively movable clamps
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的には、大きなガ
リウムひ素（ＧａＡｓ）セルからレーザ・バーを得るた
めのジョー式劈開装置に関し、具体的には、超高真空で
のセルからのＧａＡｓバーの劈開に関する。
リウムひ素（ＧａＡｓ）セルからレーザ・バーを得るた
めのジョー式劈開装置に関し、具体的には、超高真空で
のセルからのＧａＡｓバーの劈開に関する。
【０００２】
【従来の技術】セルからのＧａＡｓバーの劈開は、レー
ザ装置の製造の鍵となる操作である。ＧａＡｓは、非常
にもろく、立方体結晶構造を有する。図１は、ＧａＡｓ
バーが正確な結晶面に沿って劈開されない場合に、その
結果得られるレーザ・バー１１０が、強力な顕微鏡で見
える覆瓦形表面１１１を有することを示す図である。こ
の覆瓦形欠陥を有するレーザ・バー１１０は、その表面
に沿って異なる平面１１８、１２０、１２２から、それ
ぞれ光１１２、１１４、１１６を放出する。平面１２０
から放射する光の一部１２４は、レーザ・バー１１０の
一部分のより高い平面１１８の側壁１２６で反射する。
同様に、平面１２２から放射する光の一部１２８は、側
壁１３２で反射し、光の一部１３０は側壁１３４で反射
する。図１から判るように、覆瓦形表面１１１を有する
レーザ・バー１１０は、反射によって光を無駄にする傾
向があり、したがって、レーザから放射する有用な光の
総量が少なくなる。光出力の減少のほかに、光が側壁
（たとえば１２６、１３２または１３４）に衝突する
と、覆瓦形表面１１１で熱が発生し、レーザ・バー１１
０の表面の一部分が熱損傷のために破断するという回復
不可能な光損傷を生じる可能性がある。
ザ装置の製造の鍵となる操作である。ＧａＡｓは、非常
にもろく、立方体結晶構造を有する。図１は、ＧａＡｓ
バーが正確な結晶面に沿って劈開されない場合に、その
結果得られるレーザ・バー１１０が、強力な顕微鏡で見
える覆瓦形表面１１１を有することを示す図である。こ
の覆瓦形欠陥を有するレーザ・バー１１０は、その表面
に沿って異なる平面１１８、１２０、１２２から、それ
ぞれ光１１２、１１４、１１６を放出する。平面１２０
から放射する光の一部１２４は、レーザ・バー１１０の
一部分のより高い平面１１８の側壁１２６で反射する。
同様に、平面１２２から放射する光の一部１２８は、側
壁１３２で反射し、光の一部１３０は側壁１３４で反射
する。図１から判るように、覆瓦形表面１１１を有する
レーザ・バー１１０は、反射によって光を無駄にする傾
向があり、したがって、レーザから放射する有用な光の
総量が少なくなる。光出力の減少のほかに、光が側壁
（たとえば１２６、１３２または１３４）に衝突する
と、覆瓦形表面１１１で熱が発生し、レーザ・バー１１
０の表面の一部分が熱損傷のために破断するという回復
不可能な光損傷を生じる可能性がある。
【０００３】ＧａＡｓバーは、劈開の後に、出荷とその
後の使用のために実装しなければならない。図２は、劈
開の後に得られるＧａＡｓバー７５の露出した光学表面
７４が、周囲大気中のＯ2およびＨ2Ｏと反応して自動的
に酸化物層７７を形成することを示す。酸化物層７７
は、光エネルギーを吸収し、拡散７３を引き起こす。上
述したように、光エネルギーの吸収は、回復不可能な光
損傷をもたらす可能性がある。酸化物層７７の成長を防
ぐのに使用できる手段の１つが、自由なＯ2および自由
なＨ2Ｏのない超高真空環境でＧａＡｓバーを劈開する
ことである。ただし、超高真空環境内で劈開を行う場合
には、現在ＧａＡｓバーの劈開に一般に使用されている
真空吸引装置が使用できない。というのは、これらの装
置は、超高真空環境では吸引圧力を有さないからであ
る。さらに、接着剤等は、超高真空圧力の下で気体を放
出するので、劈開装置中で使用できない。
後の使用のために実装しなければならない。図２は、劈
開の後に得られるＧａＡｓバー７５の露出した光学表面
７４が、周囲大気中のＯ2およびＨ2Ｏと反応して自動的
に酸化物層７７を形成することを示す。酸化物層７７
は、光エネルギーを吸収し、拡散７３を引き起こす。上
述したように、光エネルギーの吸収は、回復不可能な光
損傷をもたらす可能性がある。酸化物層７７の成長を防
ぐのに使用できる手段の１つが、自由なＯ2および自由
なＨ2Ｏのない超高真空環境でＧａＡｓバーを劈開する
ことである。ただし、超高真空環境内で劈開を行う場合
には、現在ＧａＡｓバーの劈開に一般に使用されている
真空吸引装置が使用できない。というのは、これらの装
置は、超高真空環境では吸引圧力を有さないからであ
る。さらに、接着剤等は、超高真空圧力の下で気体を放
出するので、劈開装置中で使用できない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、超高
真空環境で利用できる、セルからＧａＡｓバーを劈開す
るための装置を提供することである。
真空環境で利用できる、セルからＧａＡｓバーを劈開す
るための装置を提供することである。
【０００５】本発明の他の目的は、切子面に対する損傷
がなく、剥落や覆瓦形成がなく、頂面の重要な区域即ち
中心部となる区域に決して接触しない、ＧａＡｓバーを
製造するための装置を提供することである。
がなく、剥落や覆瓦形成がなく、頂面の重要な区域即ち
中心部となる区域に決して接触しない、ＧａＡｓバーを
製造するための装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＧａＡ
ｓセルに、縁部区域を設け、これをつかむことができる
ので、頂面の中心部となる区域と切子面は、触れられ
ず、損傷を受けない。セルの１つの縁部に沿ってけがき
線を描いて、個々のバーを画定する。その後、セルを、
超高真空環境で使用するように構成された装置に置く。
モータ駆動式マイクロメータを使って、個々のＧａＡｓ
バーを劈開するためにセルを位置決めする。制御された
荷重を、個々のＧａＡｓバーの、けがき線のある縁部区
域に加える。回転力を加えて、劈開を伝播させる。劈開
が反対側の縁部に向かって進行するにつれて、第２の荷
重をバーにかけて、結晶面に沿った劈開を完了させ、早
期の破壊または覆瓦形成を防ぐ。バーが劈開したなら
ば、そのバーを、キャリア装置内に正しく配置し、酸化
防止保護層を付着する。
ｓセルに、縁部区域を設け、これをつかむことができる
ので、頂面の中心部となる区域と切子面は、触れられ
ず、損傷を受けない。セルの１つの縁部に沿ってけがき
線を描いて、個々のバーを画定する。その後、セルを、
超高真空環境で使用するように構成された装置に置く。
モータ駆動式マイクロメータを使って、個々のＧａＡｓ
バーを劈開するためにセルを位置決めする。制御された
荷重を、個々のＧａＡｓバーの、けがき線のある縁部区
域に加える。回転力を加えて、劈開を伝播させる。劈開
が反対側の縁部に向かって進行するにつれて、第２の荷
重をバーにかけて、結晶面に沿った劈開を完了させ、早
期の破壊または覆瓦形成を防ぐ。バーが劈開したなら
ば、そのバーを、キャリア装置内に正しく配置し、酸化
防止保護層を付着する。
【０００７】
【実施例】ここで図面、具体的には図３を参照すると、
劈開の準備ができたＧａＡｓセル１が示されている。頂
面７や前面９の切子面など、劈開しようとするレーザ・
バー中心部となる区域に接触せずに、セル１をつかみ、
位置決めできるように、セル１の両側に沿って縁部区域
３および５を設ける。複数の導波管１５を、縁部区域３
および５に平行に置く。セル１に、１つの縁部区域５内
で導波管１５に垂直にけがき線１７を描く。縁部区域３
および５の両方でセル１にけがきを行ってはならない。
というのは、両方の区域のけがき線の間を延びる劈開が
単一の原子平面上で発生することは、まずありえないか
らである。けがき線１７は、縁部区域３と５の間の長さ
の６４分の１だけ延びることが好ましい。
劈開の準備ができたＧａＡｓセル１が示されている。頂
面７や前面９の切子面など、劈開しようとするレーザ・
バー中心部となる区域に接触せずに、セル１をつかみ、
位置決めできるように、セル１の両側に沿って縁部区域
３および５を設ける。複数の導波管１５を、縁部区域３
および５に平行に置く。セル１に、１つの縁部区域５内
で導波管１５に垂直にけがき線１７を描く。縁部区域３
および５の両方でセル１にけがきを行ってはならない。
というのは、両方の区域のけがき線の間を延びる劈開が
単一の原子平面上で発生することは、まずありえないか
らである。けがき線１７は、縁部区域３と５の間の長さ
の６４分の１だけ延びることが好ましい。
【０００８】図４は、本発明のジョー式劈開装置を示す
図である。セル１は、ガイド２７内に置く。重り３３
を、プレート３４の上に置く。プレート３４は、セル１
の上にぴたりとはまり、これを定位置に保持する。プレ
ート３４は、様々な荷重の重りを受けられるように設計
されている。重り３３およびプレート３４は、セル１の
頂面７との接触を避け、縁部区域３および５でのみセル
１に接触するための、上部開口３５および３６を備え
る。セル１は、モータ駆動式マイクロメータ２９によっ
て、ピボット点３１を１バー長分越えたところにある劈
開位置へ進められる。
図である。セル１は、ガイド２７内に置く。重り３３
を、プレート３４の上に置く。プレート３４は、セル１
の上にぴたりとはまり、これを定位置に保持する。プレ
ート３４は、様々な荷重の重りを受けられるように設計
されている。重り３３およびプレート３４は、セル１の
頂面７との接触を避け、縁部区域３および５でのみセル
１に接触するための、上部開口３５および３６を備え
る。セル１は、モータ駆動式マイクロメータ２９によっ
て、ピボット点３１を１バー長分越えたところにある劈
開位置へ進められる。
【０００９】図３ないし図７を参照すると、微小位置決
めステージ４５は、円柱形のジョー３７をセル１の縁部
区域３の１区域１９へ下げ、円柱形のジョー３９をセル
１の縁部区域３の１区域２１へ下げるのに使用される。
ジョー３７は、プレート４９にしっかり固定され、セル
１からバー２３を劈開する間に使用される主な力成分を
提供する。ジョー３９は、プレート４９内の穴をすべる
ことができ、非劈開端に位置する重り４３を含む。ジョ
ー３９は、ジョー３７よりわずかに長く、その結果、ジ
ョー３９は、ジョー３７が区域１９に接触するより前に
バー２３上の区域２１に接触し、これによって、重り４
３をプレート４９の上方にわずかに持ち上げる。ジョー
３７および３９はそれぞれ、プレート４８内の穴を通っ
て突き出す。プレート４８は、プレート４９から下方に
隔置されている。プレート４８は、ジョー３７および３
９の横移動を防ぎ、その結果、ジョー３７および３９
は、常にバー２３上の区域１９および２１と正しく位置
合せされる。ジョー３９と重り４３の機能は、劈開２４
がセル１の一方の側から他方の側へ進行する際に、バー
２３に下向きの力を与え、これによって、バー２３の早
期の破壊と覆瓦形成を防止することである。
めステージ４５は、円柱形のジョー３７をセル１の縁部
区域３の１区域１９へ下げ、円柱形のジョー３９をセル
１の縁部区域３の１区域２１へ下げるのに使用される。
ジョー３７は、プレート４９にしっかり固定され、セル
１からバー２３を劈開する間に使用される主な力成分を
提供する。ジョー３９は、プレート４９内の穴をすべる
ことができ、非劈開端に位置する重り４３を含む。ジョ
ー３９は、ジョー３７よりわずかに長く、その結果、ジ
ョー３９は、ジョー３７が区域１９に接触するより前に
バー２３上の区域２１に接触し、これによって、重り４
３をプレート４９の上方にわずかに持ち上げる。ジョー
３７および３９はそれぞれ、プレート４８内の穴を通っ
て突き出す。プレート４８は、プレート４９から下方に
隔置されている。プレート４８は、ジョー３７および３
９の横移動を防ぎ、その結果、ジョー３７および３９
は、常にバー２３上の区域１９および２１と正しく位置
合せされる。ジョー３９と重り４３の機能は、劈開２４
がセル１の一方の側から他方の側へ進行する際に、バー
２３に下向きの力を与え、これによって、バー２３の早
期の破壊と覆瓦形成を防止することである。
【００１０】動作に当っては、セル位置決め手段、具体
的にはマイクロメータ２９を使用して、セル１を劈開位
置に進める。また、マイクロメータ４２を使用して、微
小位置決めステージ４５を定位置に進める。マイクロメ
ータ４２と微少位置決めステージ４５はジョウ配置手段
を構成する。微小位置決めステージ４５は、バー支持手
段であるプレート４６をセル１のバー２３の下に置い
て、劈開動作の後、キャリアが定位置にきて、バーが追
加処理のため搬送できるようになるまで、プレート４６
を定位置に保持する。ジョー３７および３９は、マイク
ロメータ４２を使用してバー２３の区域１９および２１
まで降下されるが、このとき、ジョー３９がまず区域２
１に接触し、ジョー３７および３９がバー２３にしっか
り接触すると、重り４３がプレート４９の上方にわずか
に持ち上げられる。バー２３が劈開のための正しい位置
に位置決めされ、ジョー３７および３９が下げられる
と、マイクロメータ２９と位置決め用ガイド２７アセン
ブリが取り付けられたプレート２８を、ピン２４'およ
び２６の周りで矢印３２の回転方向にピボット回転させ
て、セル１からバー２３を劈開する。
的にはマイクロメータ２９を使用して、セル１を劈開位
置に進める。また、マイクロメータ４２を使用して、微
小位置決めステージ４５を定位置に進める。マイクロメ
ータ４２と微少位置決めステージ４５はジョウ配置手段
を構成する。微小位置決めステージ４５は、バー支持手
段であるプレート４６をセル１のバー２３の下に置い
て、劈開動作の後、キャリアが定位置にきて、バーが追
加処理のため搬送できるようになるまで、プレート４６
を定位置に保持する。ジョー３７および３９は、マイク
ロメータ４２を使用してバー２３の区域１９および２１
まで降下されるが、このとき、ジョー３９がまず区域２
１に接触し、ジョー３７および３９がバー２３にしっか
り接触すると、重り４３がプレート４９の上方にわずか
に持ち上げられる。バー２３が劈開のための正しい位置
に位置決めされ、ジョー３７および３９が下げられる
と、マイクロメータ２９と位置決め用ガイド２７アセン
ブリが取り付けられたプレート２８を、ピン２４'およ
び２６の周りで矢印３２の回転方向にピボット回転させ
て、セル１からバー２３を劈開する。
【００１１】図５は、プレート２８による劈開移動（図
４）の前の、ジョー３７および３９がそれぞれ区域１９
および２１に接触している状態を示す。この位置では、
ジョー３７は固定されており、ジョー３９は、重り４３
のために生じる下向きの力をセルのほぼ全体に亘って及
ぼす。図６は、プレート２８をピボット回転する際に、
劈開２４が、セル１の一方の側から他方の側へ進行する
状態を示す。プレート２８をピボット回転すると、セル
１が、ジョー３７および３９に対して上向きに回転す
る。ジョー３７は固定しているので、セル１は、ピボッ
ト回転移動の間ジョー３７に対する力の下で、けがき線
１７から劈開を始める。劈開２４がセル１を横切って進
行する際に、ジョー３７が外側縁部に置かれているの
で、セル１が早期に破壊する（劈開が単一の結晶面上で
セル１を横切る真っ直ぐな横断ではなく）傾向がある。
ここで、劈開２４がセル１を横切ってまっすぐに進行し
続けることを保証する上で、ジョー３９が非常に重要な
役割を演じる。特に図６を参照すると、重り４３がジョ
ー３９にかける単位面積あたりの力は、劈開２４がセル
１を横切って進行するにつれてますます大きくなること
が判る。これは、ジョー３９の下向きの圧力がかかる面
積がますます小さくなるからである。劈開２４がセル１
を横断し終えようとする時、ジョー３９は、それが最初
に接触した区域２１にのみ（セル１全体ではなく）下向
きの圧力をかける。重り４３の荷重は、セル１の厚さに
応じて変化させなければならない。たとえば、厚さが約
１５０μｍのセルには、約３３ｇの重りが必要であるこ
とが判っている。図７は、セル１から劈開されたバー２
３を示す。結果として得られる後面の切子１０は、剥落
や覆瓦形成などの欠陥がない。
４）の前の、ジョー３７および３９がそれぞれ区域１９
および２１に接触している状態を示す。この位置では、
ジョー３７は固定されており、ジョー３９は、重り４３
のために生じる下向きの力をセルのほぼ全体に亘って及
ぼす。図６は、プレート２８をピボット回転する際に、
劈開２４が、セル１の一方の側から他方の側へ進行する
状態を示す。プレート２８をピボット回転すると、セル
１が、ジョー３７および３９に対して上向きに回転す
る。ジョー３７は固定しているので、セル１は、ピボッ
ト回転移動の間ジョー３７に対する力の下で、けがき線
１７から劈開を始める。劈開２４がセル１を横切って進
行する際に、ジョー３７が外側縁部に置かれているの
で、セル１が早期に破壊する（劈開が単一の結晶面上で
セル１を横切る真っ直ぐな横断ではなく）傾向がある。
ここで、劈開２４がセル１を横切ってまっすぐに進行し
続けることを保証する上で、ジョー３９が非常に重要な
役割を演じる。特に図６を参照すると、重り４３がジョ
ー３９にかける単位面積あたりの力は、劈開２４がセル
１を横切って進行するにつれてますます大きくなること
が判る。これは、ジョー３９の下向きの圧力がかかる面
積がますます小さくなるからである。劈開２４がセル１
を横断し終えようとする時、ジョー３９は、それが最初
に接触した区域２１にのみ（セル１全体ではなく）下向
きの圧力をかける。重り４３の荷重は、セル１の厚さに
応じて変化させなければならない。たとえば、厚さが約
１５０μｍのセルには、約３３ｇの重りが必要であるこ
とが判っている。図７は、セル１から劈開されたバー２
３を示す。結果として得られる後面の切子１０は、剥落
や覆瓦形成などの欠陥がない。
【００１２】最初のバー２３が分離された後に、ピボッ
ト点３１を１バー分越えたところにセル１を位置合わせ
することによって、再度セル１を劈開位置に進め、この
処理を繰り返す。本発明の具体的な長所は、劈開の後に
全てのバーが正確に位置決めされ、したがって、不動態
化層の塗布など次の処理のためにバーをロボットで操作
できることである。バー２３の正確な位置は、劈開後に
バー２３をプレート４６上の定位置に保持することによ
って、マイクロメータ２９によって制御されるセル１の
位置から判る。バー２３は、劈開の後にビンに落とされ
ないので、プレート４６上のバー２３の正確な位置が判
り、その位置情報が次の処理ステップに使用できる。縁
部区域３および５を用いると、レーザ表面に損傷を与え
ることなく劈開後のバーを定位置に保持することができ
る。すべてのバーをセルから劈開し終えた時、それらは
キャリア内で正確に位置決めされている。その後、バー
は、その表面上に厚さ約２０Åの、シリコンまたは他の
適当な酸化防止保護層の保護被覆を均等に分配すること
によって、不動態化される。
ト点３１を１バー分越えたところにセル１を位置合わせ
することによって、再度セル１を劈開位置に進め、この
処理を繰り返す。本発明の具体的な長所は、劈開の後に
全てのバーが正確に位置決めされ、したがって、不動態
化層の塗布など次の処理のためにバーをロボットで操作
できることである。バー２３の正確な位置は、劈開後に
バー２３をプレート４６上の定位置に保持することによ
って、マイクロメータ２９によって制御されるセル１の
位置から判る。バー２３は、劈開の後にビンに落とされ
ないので、プレート４６上のバー２３の正確な位置が判
り、その位置情報が次の処理ステップに使用できる。縁
部区域３および５を用いると、レーザ表面に損傷を与え
ることなく劈開後のバーを定位置に保持することができ
る。すべてのバーをセルから劈開し終えた時、それらは
キャリア内で正確に位置決めされている。その後、バー
は、その表面上に厚さ約２０Åの、シリコンまたは他の
適当な酸化防止保護層の保護被覆を均等に分配すること
によって、不動態化される。
【００１３】１つの好ましい実施例に関して本発明のジ
ョー式劈開装置を記述したが、特許請求の範囲の精神と
範囲を逸脱せずに変更を加えて本発明を実施できること
を、当業者は理解されよう。
ョー式劈開装置を記述したが、特許請求の範囲の精神と
範囲を逸脱せずに変更を加えて本発明を実施できること
を、当業者は理解されよう。
【００１４】
【発明の効果】本発明のジョー式劈開装置を用いると、
装置の変更なしで、異なる様々な空洞長、および厚さ
０．２５〜０．７５ｍｍの範囲のセル・サイズに劈開を
行うことができる。この装置は、超高真空環境で操作し
て、レーザ・バーの劈開面上で成長する可能性のある酸
化物層を除去することができる。さらにＧａＡｓレーザ
・バーを、結晶面に沿った剥落や覆瓦形成なしにセルか
ら劈開することができる。
装置の変更なしで、異なる様々な空洞長、および厚さ
０．２５〜０．７５ｍｍの範囲のセル・サイズに劈開を
行うことができる。この装置は、超高真空環境で操作し
て、レーザ・バーの劈開面上で成長する可能性のある酸
化物層を除去することができる。さらにＧａＡｓレーザ
・バーを、結晶面に沿った剥落や覆瓦形成なしにセルか
ら劈開することができる。
【図１】覆瓦形切子面を有するＧａＡｓレーザ・バーの
平面図である。
平面図である。
【図２】劈開面上に酸化物層が形成されているＧａＡｓ
レーザ・バーの平面図である。
レーザ・バーの平面図である。
【図３】劈開操作の準備ができたＧａＡｓセルの等角図
である。
である。
【図４】本発明によるジョー式劈開装置の斜視図であ
る。
る。
【図５】ＧａＡｓレーザ・バーがセルから分離される様
子を示す一連の斜視図の１つである。
子を示す一連の斜視図の１つである。
【図６】ＧａＡｓレーザ・バーがセルから分離される様
子を示す一連の斜視図の１つである。
子を示す一連の斜視図の１つである。
【図７】ＧａＡｓレーザ・バーがセルから分離される様
子を示す一連の斜視図の１つである。
子を示す一連の斜視図の１つである。
１ セル １３ バー長 １７ けがき線 ２３ バー ２４ 劈開 ２４' ，２６ ピン ２９，４２， マイクロメータ ３１ ピボット点 ３３，４３ 重り ３７，３９ ジョー ４５ 微小位置決めステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム・アルバート・キャヴァリエー ル アメリカ合衆国12585、ニューヨーク州ヴ ァーバンク、アール・アール２、ボックス 15 (72)発明者 デーヴィド・クライド・リネル アメリカ合衆国12601、ニューヨーク州ポ ーキープシー、ロッチデール・ロード 172番地 (72)発明者 レイモンド・ロバート・ラッケル アメリカ合衆国10524、ニューヨーク州ガ リソン、インディアン・ブルック・ロード (56)参考文献 特開 平１−152786（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】セルの第１面上の中心部でない接触区域内
で前記セルと接触するように間隔を置いて配置された１
対のジョーの下方に前記セルを位置決めするためのセル
位置決め手段と、前記セルから劈開されたバー部分を前
記ジョー対と整列して且つ前記ジョウ対から所定距離離
して支持するためのバー支持手段と、前記ジョー対を前
記中心部でない接触区域に接触して置くジョー配置手段
と、前記ジョー対が前記バー部分と接触している時に、
前記セルの残りの部分を前記セルのバー部分に対して相
対的にピボット回転させるためのピボット手段とよりな
り、前記ジョー対の第１ジョーは前記ジョー配置手段に
対して相対的に固定され、前記ジョー対の第２ジョーは
前記ジョー配置手段に対して相対的に移動可能であり且
つ重りによってバイアスされていることを特徴とする、
セルから半導体バーを劈開するための装置。 - 【請求項２】前記セルを定位置に保持するための重りを
有し、前記重りが、前記セルの第２面上の中心部接触区
域との接触を防ぐ開口部を有する、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項３】前記ジョー対の横移動を防ぐための手段を
有する、請求項１に記載の装置。 - 【請求項４】前記ジョー対の前記第２ジョーが前記第１
ジョーより長いことを特徴とする、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項５】前記セル位置決め手段が前記ピボット手段
に接続されたプラットホーム上で動作することを特徴と
する、請求項１に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/784,702 US5154333A (en) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | Jaw cleaving device |
| US784702 | 1997-01-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217970A JPH05217970A (ja) | 1993-08-27 |
| JPH079895B2 true JPH079895B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=25133278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24774592A Expired - Lifetime JPH079895B2 (ja) | 1991-10-30 | 1992-09-17 | ジョー式劈開装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5154333A (ja) |
| JP (1) | JPH079895B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391036A (en) * | 1993-03-15 | 1995-02-21 | International Business Machines Corporation | Magnetic transfer device |
| US5454002A (en) * | 1994-04-28 | 1995-09-26 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | High temperature semiconductor diode laser |
| IT1274540B (it) * | 1995-05-22 | 1997-07-17 | Alcatel Italia | Metodo e dispositivo per eseguire la sfaldatura in ultra-vuoto di porzioni di wafer di semiconduttore processato |
| US5719077A (en) * | 1995-10-30 | 1998-02-17 | Lucent Technologies Inc. | Fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
| JP2914430B2 (ja) * | 1996-01-05 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US5911830A (en) * | 1996-05-09 | 1999-06-15 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
| JP3326384B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2002-09-24 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウエハーの劈開方法およびその装置 |
| US6386533B1 (en) | 1998-05-01 | 2002-05-14 | Agere Systems Guardian Corp. | Laser processing fixture |
| US6048747A (en) * | 1998-05-01 | 2000-04-11 | Lucent Technologies, Inc. | Laser bar cleaving apparatus |
| US6247625B1 (en) | 1998-05-18 | 2001-06-19 | Lucent Technologies, Inc. | Anvil pad configuration for laser cleaving |
| US6098862A (en) * | 1998-05-18 | 2000-08-08 | Lucent Technologies Inc. | Incrementally continuous laser cleaving process |
| US5989932A (en) * | 1998-07-28 | 1999-11-23 | Lucent Technologies, Inc. | Method and apparatus for retaining and releasing laser bars during a facet coating operation |
| US6102267A (en) * | 1998-12-10 | 2000-08-15 | Lucent Technologies, Inc. | Method and apparatus for non-contact pulsating jet cleaving of a semiconductor material |
| US6274458B1 (en) | 1999-07-07 | 2001-08-14 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Method of gas cleaving a semiconductor product |
| IT1310716B1 (it) * | 1999-09-14 | 2002-02-22 | Vigel Spa | Apparato per la separazione del cappello di testa di biella medianterottura |
| US6451120B1 (en) | 2000-09-21 | 2002-09-17 | Adc Telecommunications, Inc. | Apparatus and method for batch processing semiconductor substrates in making semiconductor lasers |
| EP1416597B1 (en) * | 2002-10-31 | 2009-02-18 | Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. | A method and a carrier for treating end facets of photonic devices |
| US7669744B2 (en) * | 2003-08-04 | 2010-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Device and method for cleaving optical fibers |
| US7262115B2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-08-28 | Dynatex International | Method and apparatus for breaking semiconductor wafers |
| EP2212730B1 (en) * | 2007-10-19 | 2013-12-11 | 3M Innovative Properties Company | Bladeless optical fiber cleaver and method |
| DE102007056115A1 (de) * | 2007-11-15 | 2009-05-20 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zum Trennen von Einkristallen |
| DE102008018928A1 (de) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| US8342374B2 (en) * | 2009-02-11 | 2013-01-01 | Insight Promotions, Llc | Fragile premium separator |
| US9457401B2 (en) * | 2012-05-24 | 2016-10-04 | LGT Manufacturing Co., Inc. | Riser breaker assembly |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3687345A (en) * | 1970-11-23 | 1972-08-29 | Signetics Corp | Method and apparatus for aligning and breaking wafers |
| JPH01152786A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Nec Corp | 半導体レーザウェハの劈開装置 |
-
1991
- 1991-10-30 US US07/784,702 patent/US5154333A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24774592A patent/JPH079895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217970A (ja) | 1993-08-27 |
| US5154333A (en) | 1992-10-13 |
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