JPH01152786A - 半導体レーザウェハの劈開装置 - Google Patents
半導体レーザウェハの劈開装置Info
- Publication number
- JPH01152786A JPH01152786A JP62312981A JP31298187A JPH01152786A JP H01152786 A JPH01152786 A JP H01152786A JP 62312981 A JP62312981 A JP 62312981A JP 31298187 A JP31298187 A JP 31298187A JP H01152786 A JPH01152786 A JP H01152786A
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- JP
- Japan
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- wafer
- stage
- semiconductor laser
- cleavage
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ素子の製造装置に関し、特に半導
体レーザウェハの劈開装置に関する。
体レーザウェハの劈開装置に関する。
従来、半導体レーザウェハの襞間は第6図に示すように
、ウェハ1の一端縁表面に劈開起点用のケガキ傷2を所
定ピッチで形成し、ケガキ傷2を上面にしてウェハ1を
薄い金属板16に接着剤17により接着固定し、第7図
に示すようにローラ18を用いて金属板16を凸曲湾曲
させ、この形状に金属板16に固定されたウェハ1を倣
わせケガキ傷2を起点としてウェハ1を細長形状小片1
9に劈開分割を行っていた。
、ウェハ1の一端縁表面に劈開起点用のケガキ傷2を所
定ピッチで形成し、ケガキ傷2を上面にしてウェハ1を
薄い金属板16に接着剤17により接着固定し、第7図
に示すようにローラ18を用いて金属板16を凸曲湾曲
させ、この形状に金属板16に固定されたウェハ1を倣
わせケガキ傷2を起点としてウェハ1を細長形状小片1
9に劈開分割を行っていた。
上述した従来の襞間方法によれば、劈開分割後も薄い金
属板16に接着固定されているので、劈開面にある共振
器端面の衝突、接触による損傷が起こるという欠点があ
る。
属板16に接着固定されているので、劈開面にある共振
器端面の衝突、接触による損傷が起こるという欠点があ
る。
また、接着固定するための接着剤は強力な接着力を有す
るものが選択されているため、臂開分割後に接着剤を溶
かし、洗浄除去してもきれいな面が得られないという欠
点がある。
るものが選択されているため、臂開分割後に接着剤を溶
かし、洗浄除去してもきれいな面が得られないという欠
点がある。
本発明の目的は上記欠点を解消した半導体レーザウェハ
の劈開装置を提供することにある。
の劈開装置を提供することにある。
上述した従来の襞間方法に対し、本発明はウェハの固定
に接着剤を用いず、劈開分割した細長形状小片を1本ず
つ分離することにより、劈開面にある共振器端面の衝突
、接触による損傷を生じさせないという相違点を有する
。
に接着剤を用いず、劈開分割した細長形状小片を1本ず
つ分離することにより、劈開面にある共振器端面の衝突
、接触による損傷を生じさせないという相違点を有する
。
本発明は半導体レーザウェハを劈開面に沿って細長形状
に劈開分割する半導体レーザの端面形成用劈開装置にお
いて、載置されたウェハを吸着する真空チャックを備え
た試料ステージと、試料ステージ上のウェハを順次移送
するウェハ移送機構と、ウェハ移送方向のステージ端部
上方に配置され、上下動して劈開分割する際のステージ
上のウェハをクランプするウェハクランプ機構と、ステ
ージ端面より突き出された劈開起点用のケガキ傷より外
側の、細長形状に劈開分割するウェハ端部をクランプす
るウェハ端部クランプ機構と、劈開分割されるケガキ傷
を回転中心として、ケガキ傷が開く方向にウェハ端部ク
ランプ機構を回転させる端部クランプ回転機構とを有す
ることを特徴とする半導体レーザウェハの劈開装置であ
る。
に劈開分割する半導体レーザの端面形成用劈開装置にお
いて、載置されたウェハを吸着する真空チャックを備え
た試料ステージと、試料ステージ上のウェハを順次移送
するウェハ移送機構と、ウェハ移送方向のステージ端部
上方に配置され、上下動して劈開分割する際のステージ
上のウェハをクランプするウェハクランプ機構と、ステ
ージ端面より突き出された劈開起点用のケガキ傷より外
側の、細長形状に劈開分割するウェハ端部をクランプす
るウェハ端部クランプ機構と、劈開分割されるケガキ傷
を回転中心として、ケガキ傷が開く方向にウェハ端部ク
ランプ機構を回転させる端部クランプ回転機構とを有す
ることを特徴とする半導体レーザウェハの劈開装置であ
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の斜視図であり、第2図〜第
5図は動作説明図である。図において、本発明装置はウ
ェハ1の一端縁表面に襞開起点用のケガキ傷2を所定の
ピッチで形成し、ケガキ傷2を上面にしてウェハ1を載
置し、ウェハ1を吸着する真空チャック3を備えた試料
ステージ4と、試料ステージ4上に載置されたウェハ1
をウェハ移送方向5のステージ端面6とすでに襞間され
たウェハ端面7との平行を保ちながら順次移送するウェ
ハ移送機構8と、ウェハ移送方向5のステージ端面6の
上方に配置され、9の方向に上下動して襞間分解する際
のステージ4上のウェハ1をクランプするウェハクラン
プ機構10と、ステージより突き出させた劈開起点用ケ
ガキ4s2′より外側の細長形状に劈開分割するウェハ
端部11(第2図)をクランプするウェハ端部クランプ
機構12と、劈開分割される最先のケガキ傷2′を回転
中心13とし、ケガキ傷が開く方向14にウェハ端部ク
ランプ機構12を回転させる端部クランプ回転機構15
とから構成されている。
5図は動作説明図である。図において、本発明装置はウ
ェハ1の一端縁表面に襞開起点用のケガキ傷2を所定の
ピッチで形成し、ケガキ傷2を上面にしてウェハ1を載
置し、ウェハ1を吸着する真空チャック3を備えた試料
ステージ4と、試料ステージ4上に載置されたウェハ1
をウェハ移送方向5のステージ端面6とすでに襞間され
たウェハ端面7との平行を保ちながら順次移送するウェ
ハ移送機構8と、ウェハ移送方向5のステージ端面6の
上方に配置され、9の方向に上下動して襞間分解する際
のステージ4上のウェハ1をクランプするウェハクラン
プ機構10と、ステージより突き出させた劈開起点用ケ
ガキ4s2′より外側の細長形状に劈開分割するウェハ
端部11(第2図)をクランプするウェハ端部クランプ
機構12と、劈開分割される最先のケガキ傷2′を回転
中心13とし、ケガキ傷が開く方向14にウェハ端部ク
ランプ機構12を回転させる端部クランプ回転機構15
とから構成されている。
以上の構成によりウェハを細長形状小片に劈開分割する
一連の動作を以下に説明する。
一連の動作を以下に説明する。
まず、第2図に示すようにウェハクランプ機構IO及び
ウェハ端部クランプ機構12を開き、ケガキ傷2′を上
面にして試料ステージ4上に載置したウェハ1をウェハ
移送機構を動作させて移送し、第3図に示すようにステ
ージ端面6と平行に、ウェハ端部がケガキ傷2′の1ピ
ッチ分ステージ端面6より突き出るようにウェハ移送機
構8で押し出す。
ウェハ端部クランプ機構12を開き、ケガキ傷2′を上
面にして試料ステージ4上に載置したウェハ1をウェハ
移送機構を動作させて移送し、第3図に示すようにステ
ージ端面6と平行に、ウェハ端部がケガキ傷2′の1ピ
ッチ分ステージ端面6より突き出るようにウェハ移送機
構8で押し出す。
そして第4図に示すようにウェハクランプ機構10が下
がり、ウェハ1をクランプしてステージ4上に固定する
が、真空チャック3はウェハ移送時の送すズレを防ぐた
めにウェハクランプ機構10が閉じてウェハ1を固定し
ている時以外は吸着状態としておく。
がり、ウェハ1をクランプしてステージ4上に固定する
が、真空チャック3はウェハ移送時の送すズレを防ぐた
めにウェハクランプ機構10が閉じてウェハ1を固定し
ている時以外は吸着状態としておく。
次にケガキ傷2′より外側の細長形状に劈開分割するウ
ェハ端部11をウェハ端部クランプ機構12によりクラ
ンプし、第5図に示すように劈開分割されるケガキ傷2
′を回転中心としてウェハ端部クランプ機構12をケガ
キ傷2′が開く方向に回転させることによりウェハ1を
細長形状小片に劈開分割する。
ェハ端部11をウェハ端部クランプ機構12によりクラ
ンプし、第5図に示すように劈開分割されるケガキ傷2
′を回転中心としてウェハ端部クランプ機構12をケガ
キ傷2′が開く方向に回転させることによりウェハ1を
細長形状小片に劈開分割する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ウェハを接着剤を
用いて固定することがないので洗浄処理が不要となり、
接着剤の付着がない美麗な襞間端面が得られ、品質向上
化ができ、しかも、劈開分割した細長形状小片を1本ず
つ分離することにより、襞開面にある共振器端面の衝突
、接触による損傷をなくすことができる効果がある。
用いて固定することがないので洗浄処理が不要となり、
接着剤の付着がない美麗な襞間端面が得られ、品質向上
化ができ、しかも、劈開分割した細長形状小片を1本ず
つ分離することにより、襞開面にある共振器端面の衝突
、接触による損傷をなくすことができる効果がある。
第1図は本発明装置の一実施例を示す斜視図、第2図〜
第5図は動作説明図、第6図、第7図は従来の襞間方法
を示す斜視図である。
第5図は動作説明図、第6図、第7図は従来の襞間方法
を示す斜視図である。
Claims (1)
- (1)半導体レーザウェハを劈開面に沿って細長形状に
劈開分割する半導体レーザの端面形成用劈開装置におい
て、載置されたウェハを吸着する真空チャックを備えた
試料ステージと、試料ステージ上のウェハを順次移送す
るウェハ移送機構と、ウェハ移送方向のステージ端部上
方に配置され、上下動して劈開分割する際のステージ上
のウェハをクランプするウェハクランプ機構と、ステー
ジ端面より突き出された劈開起点用のケガキ傷より外側
の、細長形状に劈開分割するウェハ端部をクランプする
ウェハ端部クランプ機構と、劈開分割されるケガキ傷を
回転中心として、ケガキ傷が開く方向にウェハ端部クラ
ンプ機構を回転させる端部クランプ回転機構とを有する
ことを特徴とする半導体レーザウェハの劈開装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62312981A JPH01152786A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体レーザウェハの劈開装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62312981A JPH01152786A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体レーザウェハの劈開装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01152786A true JPH01152786A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18035802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62312981A Pending JPH01152786A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体レーザウェハの劈開装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01152786A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217970A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ジョー式劈開装置 |
EP0771628A3 (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-22 | AT&T Corp. | A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
JP4778075B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-09-21 | イーツーエスティー インコーポレイション | 配管スケール除去器用のフレキシブルワイヤ |
JP4897925B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2012-03-14 | イ,グァンホ | 配管のスケール除去機用フレキシブルワイヤ |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62312981A patent/JPH01152786A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217970A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-08-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ジョー式劈開装置 |
EP0771628A3 (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-22 | AT&T Corp. | A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
JP4778075B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-09-21 | イーツーエスティー インコーポレイション | 配管スケール除去器用のフレキシブルワイヤ |
JP4897925B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2012-03-14 | イ,グァンホ | 配管のスケール除去機用フレキシブルワイヤ |
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