CN212421827U - 晶圆切割裂片装置 - Google Patents

晶圆切割裂片装置 Download PDF

Info

Publication number
CN212421827U
CN212421827U CN202020498218.5U CN202020498218U CN212421827U CN 212421827 U CN212421827 U CN 212421827U CN 202020498218 U CN202020498218 U CN 202020498218U CN 212421827 U CN212421827 U CN 212421827U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
cutting
stage
frame
top plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020498218.5U
Other languages
English (en)
Inventor
蒲以松
惠聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Original Assignee
Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd filed Critical Xian Eswin Silicon Wafer Technology Co Ltd
Priority to CN202020498218.5U priority Critical patent/CN212421827U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN212421827U publication Critical patent/CN212421827U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种晶圆切割裂片装置,包括:底座;设置于底座上的载物台,具有用于承载待裂片晶圆的承载面;限位结构,设置于承载面上、用于限定待裂片晶圆的裂片位置;切割组件,包括对称设置于载物台相对的两侧的两个支架,两个支架之间设置有悬置于载物台上方的滑杆,具有第一滑槽的滑块,滑块通过第一滑槽套设在滑杆上、并可沿着滑杆滑动,滑块面向载物台的一侧设置有对待裂片晶圆的裂片位置进行划痕、以形成预设裂纹的切割刀,以及对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施压的下压部;顶板组件,位于承载面边缘的固定槽内,包括对待裂片晶圆的预设裂纹施压、以与下压部相配合以对待裂片晶圆裂片的上压部。

Description

晶圆切割裂片装置
技术领域
本实用新型涉及晶圆裂片技术领域,尤其涉及一种晶圆切割裂片装置。
背景技术
氧杂质是在晶体生长过程中被引入的,它来源于石英坩埚内壁和底部,属于直拉单晶中不可避免的轻杂质元素,每次引入的氧含量相对固定,约在 1017~1018/cm3范围内,晶体冷却和器件制造工艺过程中一直处于过饱和状态,由于硅晶体经历了各种温度的热处理,过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀,形成氧施主、氧沉淀等缺陷。这些和氧沉淀相关的缺陷对硅片和器件来说是一把“双刃剑”。一方面,氧杂质能钉扎位错,提高硅片的机械强度,通过三步退火法利用硅片中的氧在硅片体内形成高密度的氧沉淀——体微缺陷(Bulk Micro Defect,BMD),体微缺陷及其诱生缺陷形成内吸杂,能够吸除金属杂质,而在硅片表面形成一层洁净区(Denuded Zone,DZ),提升硅片质量,提高集成电路的成品率;另一方面,当氧沉淀过大时,又会导致硅片翘曲,诱生层错、位错等缺陷,抵消掉本征吸杂的优点,氧沉淀还能引入大量的二次缺陷,对硅片和器件的电学性能有破坏作用,如果BMD出现在硅片近表面的器件有源区域,则可能导致PN结漏电,造成器件失效。因此,为了保证硅片的品质,提高集成电路产品成品率,必须对拉制的每一根单晶硅棒的不同部位进行BMD检测,研究BMD的形成规律以及控制氧沉淀及其诱生缺陷的分布情况,实现对直拉单晶硅中的氧进行有控制的利用,充分发挥其有利的一方面。
晶圆切割裂片是检测BMD过程中的重要工序,相关技术中,在检测BMD 过程中进行切割裂片时,通常采用金刚石硅片刀、手动沿着待裂片位置划出一定深度的划痕,然后采用机械力将其沿划线部位掰断。这种在晶圆表面划出刻痕形成预制裂纹、扩展进而达到裂片的目的,裂纹预制的方式和裂片作用力的大小、均匀性决定了晶圆切割裂片的质量。
但是,由于晶圆的脆硬特性,手动切割裂片过程中容易产生刻痕弯曲、切口崩边、破碎、裂片轨迹偏移等缺陷,造成切割裂片质量不高,裂片后的晶圆样品完整性受到限制,损耗大幅增加且制样效率较低,难以确保晶圆切割裂片的精度和稳定性,进而影响检测BMD结果的准确性。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种晶圆切割裂片装置,解决手动裂片造成的裂片质量低、难以确保晶圆切割裂片的精度和稳定性,进而影响检测BMD结果的准确性的问题。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种晶圆切割裂片装置,包括:
底座;
设置于所述底座上的载物台,具有用于承载待裂片晶圆的承载面;
限位结构,设置于所述承载面上、用于限定待裂片晶圆的裂片位置;
切割组件,包括对称设置于所述载物台相对的两侧的两个支架,两个所述支架固定于所述底座上,两个所述支架之间设置有悬置于所述载物台上方的滑杆,还包括具有第一滑槽的滑块,所述滑块通过所述第一滑槽套设在所述滑杆上、并可沿着所述滑杆滑动,所述滑块面向所述载物台的一侧设置有对待裂片晶圆的裂片位置进行划痕、以形成预设裂纹的切割刀,以及对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施压的下压部;
顶板组件,位于所述承载面边缘的固定槽内,包括对待裂片晶圆的预设裂纹施压的上压部,所述上压部与所述下压部相配合以将待裂片晶圆进行裂片。
可选的,所述限位结构包括直角限位板,所述直角限位板包括相对垂直的第一边框和第二边框,所述第一边框上设置有用于卡入待裂片晶圆上的凹槽以对待裂片晶圆进行对位的对位柱,所述第一边框与所述滑杆平行设置,所述第二边框与待裂片晶圆接触的位置为裂片位置。
可选的,所述第一边框上设置有弧形凹槽,所述对位柱容纳于所述弧形凹槽内以使得所述对位柱卡入待裂片晶圆的凹槽后,所述第一边框面向所述第二边框的第一内侧边与所述第二边框面向所述第一边框的第二内侧边均与待裂片晶圆的外侧边缘相切。
可选的,所述载物台为矩形结构,所述载物台与所述第二边框平行的一侧设置有沿其延伸方向设置的滑轨,所述直角限位板的所述第二边框可移动的连接于所述滑轨上;
所述滑轨沿所述载物台的厚度方向的相对的两侧分别设置有凸起,所述第二边框远离所述第一边框的外侧边向外延伸并向靠近所述载物台的方向多次弯折以形成包覆所述滑轨的第二滑槽,所述第二滑槽相对的两个侧壁上分别设置有与所述凸起一一对应卡合的凹槽。
可选的,还包括用于锁定所述直角限位板的锁定结构,所述锁定结构包括锁紧螺钉,以及设置于所述第二滑槽的侧壁上的锁定孔,所述锁紧螺钉穿过所述锁定孔抵接于所述滑轨的侧壁上以将所述直角限位板锁定于所述载物台上。
可选的,所述限位结构还包括设置于所述承载面的第一边缘的标尺,所述标尺为沿着所述第一边缘的延伸方向设置的刻度值,所述第一边缘与所述滑杆的延伸方向相垂直。
可选的,所述第一滑槽远离所述载物台的内侧壁上设置有滑轮,所述第一滑槽位于所述滑杆的相对的两侧的两侧壁上设置有供滚动轴穿过的通孔,所述滑轮设置于所述滚动轴上;
所述第一滑槽沿着所述滑杆的延伸方向包括第一端和第二端,所述滑轮设置于所述第一端,所述切割刀设置于所述第二端,所述下压部设置于所述第一端。
可选的,所述第一滑槽靠近所述载物台的一侧的内侧壁上设置有档杆,所述档杆设置于所述第一端,且所述档杆的延伸方向与所述滚动轴的延伸方向相同,所述滑块的所述第一端和所述第二端可绕所述档杆进行摆动。
可选的,所述档杆位于所述滚动轴靠近所述载物台的一侧,且所述滚动轴的轴向中心线在所述载物台上的正投影与所述档杆延其延伸方向的中心线在所述载物台上的正投影重合。
可选的,所述下压部包括设置于所述滑块面向所述载物台的一侧的第一连接件,所述第一连接件远离所述滑块的一侧设置有用于对预设裂纹的两侧施压的两个下压头,两个下压头的连线的中点与所述切割刀的刀刃的连线与所述两个下压头的连线垂直;
所述顶板组件包括位于所述固定槽内用于对待裂片晶圆的预设裂纹处施压的顶板,所述顶板在所述承载面上的正投影位于两个所述下压头在所述承载面上的正投影之间。
可选的,所述切割组件还包括连接于所述第一连接件上的第二连接件,所述第二连接件位于所述切割刀和所述第一连接件之间,且所述第二连接件远离所述第一连接件的一端设置有下压板,所述下压板包括面向所述载物台设置的下压面;
所述固定槽包括沿所述滑杆的延伸方向设置的第一固定槽和穿过所述第一固定槽的相对的两个侧壁且垂直于所述第一固定槽设置的第二固定槽,所述第一固定槽沿着所述载物台的厚度方向贯穿所述载物台设置,所述第二固定槽在所述载物台的厚度方向上的深度小于所述载物台的厚度;
所述顶板容纳于所述第一固定槽内,所述顶板相对的两侧对称设置有固定于所述第二固定槽内的支撑轴,两个所述下压头在所述载物台上的正投影位于所述顶板的相对的两侧;
所述上压部包括上压板和一L形连接杆,所述上压板通过所述L形连接杆连接于所述顶板远离所述承载面的一侧,所述上压板与所述L形连接杆连接呈U形结构,所述上压板包括能够与所述下压面抵接的上压面,所述上压板在所述下压板的压力下推动所述顶板向靠近所述滑杆的方向移动以抵接待裂片晶圆。
可选的,所述顶板沿所述载物台的厚度方向包括长方体结构和三棱柱结构,所述三棱柱结构靠近所述滑杆设置,两个所述下压头在所述载物台上的正投影的连线的中点位于所述三棱柱结构的棱边上。
可选的,所述顶板靠近所述滑杆的一侧与所述承载面之间的距离为0,或者所述顶板靠近所述滑杆的一侧与所述承载面之间的距离小于预设值。
可选的,所述第一滑槽包括位于所述第一端的第一部分和位于所述第二端的第二部分,所述第一部分向靠近所述载物台的方向延伸形成所述第一连接件,所述第二部分向靠近所述载物台的方向延伸形成第三连接件,所述切割刀设置于所述第三连接件面向所述载物台的一侧。
可选的,所述切割刀为笔状,所述切割刀的刀尖采用金刚石制成。
可选的,所述切割刀上设置有激光发射结构,所述激光发射结构用于发射在待裂片位置形成预设裂纹的激光。
可选的,所述滑块远离所述载物台的一侧设置有手柄,用于控制所述滑块沿着所述滑杆滑动并控制所述下压板向靠近所述上压板的方向移动。
可选的,所述手柄的外部套设有防滑套。
可选的,所述底座靠近所述载物台的第一表面到所述载物台的承载面之间的距离大于在所述载物台的厚度方向上所述切割刀的长度和所述滑块的厚度的和。
可选的,所述载物台通过转轴可转动的连接于所述底座上。
本实用新型的有益效果是:将晶圆的切割裂片集成一体化,减少切割裂片产生的缺陷和破损,降低对操作人员的熟悉程度要求,提高裂片后的晶圆样品完整性和制样效率,确保切割裂片的稳定性和精确性,提升检测样品的质量,保证BMD检测结果的准确性。
附图说明
图1表示本实用新型实施例中晶圆切割裂片装置的结构示意图一;
图2表示本实用新型实施例中晶圆切割裂片装置的结构示意图二;
图3表示本实用新型实施例中晶圆切割裂片装置的结构示意图三;
图4表示图2中的晶圆切割裂片装置的局部放大示意图;
图5表示图3中的晶圆切割裂片装置的局部放大示意图;
图6表示本实用新型实施例中通过直角限位板对晶圆进行限位的状态示意图;
图7表示本实用新型实施例中晶圆裂片为两半的裂片位置示意图;
图8表示本实用新型实施例中顶板组件结构示意图;
图9表示本实用新型实施例中切割组件结构示意图一;
图10表示本实用新型实施例中切割组件结构示意图二;
图11表示本实用新型实施例中体微缺陷检测方法流程示意图;
图12表示本实用新型实施例中在半片晶圆上划痕以获得样品条带的状态示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
相关技术中,在检测BMD过程中进行切割裂片时,通常采用金刚石硅片刀手动沿着待裂片位置划出一定深度的划痕,然后采用机械力将其沿划线部位掰断。这种在晶圆表面划出刻痕形成预制裂纹扩展进而达到裂片的目的,裂纹预制的方式和裂片作用力的大小均匀性决定了晶圆切割裂片的质量。但是,由于晶圆的脆硬特性,手动切割裂片过程中容易产生刻痕弯曲、切口崩边、破碎、裂片轨迹偏移等缺陷,造成切割裂片质量不高,裂片后的晶圆样品完整性受到限制,损耗大幅增加且制样效率较低,难以确保晶圆切割裂片的精度和稳定性,进而影响检测BMD结果的准确性。
针对上述技术问题,参考图1-图3,本实施例提供一种晶圆切割裂片装置,包括:
底座1;
设置于所述底座1上的载物台5,具有用于承载待裂片晶圆的承载面;
限位结构,设置于所述承载面上,用于限定待裂片晶圆的裂片位置;
切割组件6,包括对称设置于所述载物台5相对的两侧的两个支架4,两个所述支架4固定于所述底座1上,两个所述支架4之间设置有悬置于所述载物台5上方的滑杆7,所述滑杆7与所述载物台5的承载面平行设置,还包括具有第一滑槽67的滑块61,所述滑块61通过所述第一滑槽67套设在所述滑杆7上并可沿着所述滑杆7滑动,所述滑块61面向所述载物台5的一侧设置有对待裂片晶圆的裂片位置进行划痕以形成预设裂纹的切割刀66,以及对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施压的下压部;
顶板组件,位于所述承载面边缘的固定槽内,包括对待裂片晶圆的预设裂纹施压的上压部、所述上压部与所述下压部相配合以将待裂片晶圆进行裂片。
本实施例中,通过切割组件6在待裂片晶圆的裂片位置划痕形成预设裂纹,然后在切割组件6和顶板组件的配合下,对预设裂纹扩展进而裂片,将晶圆切割划痕、裂片集成一体化,降低对操作人员的熟悉程度要求和劳动强度,确保切割裂片的稳定性和精确性,避免产生划痕弯曲、切口崩边、破碎、裂片轨迹偏移等缺陷的产生,方便控制裂片力度,减少晶圆碎片率,防止手动裂片时晶圆碎片划伤皮肤和用力过大裂片轨迹发生偏移,保证检测样品条带宽度均匀和裂解截面光滑度。
本实施例中,所述限位结构包括直角限位板3,所述直角限位板3包括相对垂直的第一边框31和第二边框32,所述第一边框31上设置有用于卡入待裂片晶圆上的凹槽以对待裂片晶圆进行对位的对位柱13,所述第一边框31与所述滑杆7平行设置,所述第二边框32与待裂片晶圆接触的位置为裂片位置,参考图6。
图6表示出了通过直角限位板3对晶圆进行限位的状态示意图,图7表示出了晶圆裂片为两半的裂片位置示意图,待裂片晶圆为圆形结构,将待裂片晶圆裂片为两半,根据几何原理可知,只要将待裂片晶圆卡入所述直角限位板3,使得直角限位板3的第一边框31和第二边框32均与待裂片晶圆相切,与所述直角限位板3的第一边框31平行,并与所述直角限位板3的第二边框32垂直并经过所述第二边框32与待裂片晶圆的切点(即所述第二边框与待裂片晶圆接触的位置)的所述滑杆7,在待裂片晶圆上的正投影经过待裂片晶圆的圆心,即所述滑杆7在待裂片晶圆上的正投影与待裂片晶圆的中心线重合,所述滑杆7上的切割刀66与所述滑杆7的延伸方向垂直设置,即所述滑块61沿着所述滑杆7移动,所述切割刀66随之移动,在待裂片晶圆上切割、划痕形成的预设裂纹与待裂片晶圆上的中心线重合,沿预设裂纹对待裂片晶圆裂片,即可将待裂片晶圆裂片为两半。
需要说明的是,图6中,第二边框32与待裂片晶圆相切(相接触),但是在实际应用中,只要可以确定裂片位置102即可,所述第二边框32可以与待裂片晶圆接触,也可以不与待裂片晶圆接触。
由于所述切割刀66通过所述第三连接件612固定于所述滑块61上,所述切割刀66垂直于所述滑杆7的延伸方向设置,且所述滑块61可移动的设置于所述滑杆7上,所述滑杆7的延伸方向与所述直角限位板3的第一边框31平行设置,所以,所述切割刀66随着所述滑块61的移动,在待裂片晶圆上划痕形成的预设裂纹精确度较高,避免了手工划痕易产生弯曲的问题,操作简便。
需要说明的是,为了提高裂片的精确度,以及使得本实施例的晶圆切割裂片装置适用于多种尺寸的晶圆,所述支架4可移动的设置于所述底座1上,以便于所述滑杆的位置与晶圆上的预设切割划痕位置对应,即便于将滑块上的切割刀移动至晶圆的预设切割划痕位置。
为了在待裂片晶圆的预设位置进行裂片,提高裂片的精度,本实施例中,所述第一边框31上设置有弧形凹槽12,所述对位柱13容纳于所述弧形凹槽 12内以使得所述对位柱13卡入待裂片晶圆的凹槽(参照图7中的凹槽103) 后,所述第一边框面向所述第二边框的第一内侧边与所述第二边框面向所述第一边框的第二内侧边均与待裂片晶圆的外侧边缘相切,参考图2和图4。
对位柱13的设置实现了待裂片晶圆的快速对位,参考图2、图4、图6 和图7,待裂片晶圆的边缘设置有V形槽(参照图7中的凹槽103),V形槽的深度方向的中心线(图6中的虚线101)经过待裂片晶圆的中心,对位柱13 的径向截面为圆形,通过对位柱13与V形槽卡合对位,即可快速确认所述直角限位板3的第二边框32与待裂片晶圆的切点,即快速确认裂片位置,裂片位置即为经过所述直角限位板3的第二边框32与待裂片晶圆的切点与待裂片晶圆的中心的直线,只要所述滑杆7位于该直线的正上方即可通过所述切割刀 66对裂片位置进行切割划痕。
参考图4和图6,为了便于待裂片晶圆与对位柱13的卡合,待裂片晶圆的V形槽的开口小于或等于所述对位柱13的径向截面的直径,所述对位柱13 外露于所述弧形凹槽12,或者所述对位柱13的外周面与所述第一边框31的靠近所述第二边框32的内侧边缘相切。
所述弧形凹槽12的设置,在通过对位柱13实现待裂片晶圆的快速对位的同时,缩短了待裂片晶圆与第一边框31之间的距离,提高了确定裂片位置的精度,在本实施例的一优选实施方式中,待裂片晶圆通过所述对位柱13进行卡合对位后,待裂片晶圆与所述第一边框31之间的距离为零,即所述第一边框31正好与待裂片晶圆相切,易于获得待裂片晶圆的切割位置,尤其是切割线平行于所述第一边框31,但是并不经过晶圆的圆心时的切割位置的确定。
本实施例中,所述弧形凹槽12位于所述第一边框31的中间区域,便于待裂片晶圆的放置,但并不以此为限。
本实施例中,所述载物台5为矩形结构,所述载物台5与所述第二边框 32平行的一侧设置有沿其延伸方向设置的滑轨14,所述直角限位板3的所述第二边框32可移动的连接于所述滑轨14上;
所述滑轨14沿所述载物台5的厚度方向的相对的两侧分别设置有凸起19,参照图5,所述第二边框32远离所述第一边框31的外侧边向外延伸并向靠近所述载物台5的方向多次弯折以形成包覆所述滑轨14的第二滑槽,所述第二滑槽相对的两个侧壁上分别设置有与所述凸起一一对应卡合的凹槽(与凸起 19对应的位置)。
参考图3和图5,所述第二边框32通过所述滑轨14可移动的设置于所述载物台5上,所述直角限位板3在所述载物台5上沿着第一方向(所述第二边框32的延伸方向)移动,以满足不同条件的晶圆切割需求。
为了适用于多种尺寸的待裂片晶圆,所述第二边框32可沿着所述第一边框31的延伸方向移动,即所述第一边框31和所述第二边框32活动连接,例如,可在所述第一边框31靠近所述第二边框32的内侧面,延其延伸方向设置滑槽,所述第二边框32与所述第一边框31的一端设置有嵌合入所述第一边框 31上的滑槽的凸起。
需要说明的是,为了适用于多种尺寸的待裂片晶圆,只要实现所述第一边框31、所述第二边框32、所述支架4中的至少一个移动,使得待裂片晶圆与所述直角限位板3的第一边框31、第二边框32相切时,所述滑杆7可位于裂片位置的正上方,即所述切割刀66随着所述滑块61沿着所述滑杆7移动在晶圆上划痕的轨迹符合预设裂纹,本实施例的一具体实施方式中,还可使得所述支架4可移动的设置于所述底座1上,所述支架4上设置有与滑杆7垂直设置的内嵌式滑槽,所述支架4嵌入所述内嵌式滑槽内,使得所述支架4可沿着所述第二边框32的延伸方向移动。
考虑到设置有切割刀66的所述滑块61设置于所述滑杆7上,为了防止切割时,所述支架4移动,从而导致切割偏移,本实施例的一具体实施方式中,所述支架4固定设置于所述底座1上,通过所述直角限位板3的第一边框31 和所述第二边框32中的至少一个边框延其延伸方向的移动来增大晶圆的适用范围,第一边框31和所述第二边框32对晶圆进行限位固定,保证晶圆的连接稳定性,防止在切割划痕、裂片的过程中晶圆发生偏移。
本实施例中,晶圆切割裂片装置还包括用于锁定所述直角限位板3的锁定结构,所述锁定结构包括锁紧螺钉2,以及设置于所述第二滑槽的侧壁上的锁定孔,所述锁紧螺钉2穿过所述锁定孔抵接于所述滑轨14的侧壁上以将所述直角限位板3锁定于所述载物台5上。
采用上述技术方案,所述直角限位板3沿着所述滑轨14移动,使得所述第二边框32与晶圆的切点(或者其他满足其他需求的切割位置)位于所述滑杆7的正下方,即使得所述第二边框32与晶圆的切点(或者其他满足其他需求的切割位置)位于所述切割刀66的移动轨迹上,也就是说,使得晶圆上的预设切割位置(预设划痕)与所述切割刀66的移动轨迹重合,这时,旋转所述锁紧螺钉2,使得所述锁紧螺钉2抵顶于所述滑轨14的侧壁上,使得所述直角限位板3处于锁止状态,所述锁定结构的设置,避免切割刀66在对晶圆的切割过程中,直角限位板3沿着滑轨14移动,从而带动晶圆移动,而导致的切割偏移。需要移动所述直角限位板3时,反向旋转所述锁紧螺钉2,所述锁紧螺钉2远离所述滑轨14,所述直角限位板3即可沿着所述滑轨14移动。
本实施例中,为了实现所述直角限位板3的锁止,所述第二滑槽是具有一定的厚度的,即所述锁定孔具有预设深度,所述锁定孔的内侧壁设置有与所述锁紧螺钉2上的外螺纹相匹配的内螺纹,保证在实现所述直角限位板3的锁止时的稳定性。
本实施例中,所述限位结构还包括设置于所述承载面的第一边缘的标尺 11,所述标尺11为沿着所述第一边缘的延伸方向设置的刻度值,所述第一边缘与所述滑杆7的延伸方向相垂直。
所述标尺11的设置可直观的观察切割划痕的位置,尤其是制作用于体微缺陷检测实验的样品条带时,利于更快速的确定切割位置。
所述标尺11为沿着所述第一边缘的延伸方向设置的刻度值,使得设置了标尺11的所述承载面为一平面结构,不影响晶圆的承载。
需要说明的是,所述标尺11的设置位置以及设置形式并不以上述为限,例如,所述标尺11可以设置在所述载物台5的侧壁上。
本实施例中,所述第一滑槽67远离所述载物台5的内侧壁上设置有滑轮 610,所述第一滑槽67位于所述滑杆7的相对的两侧的两侧壁上设置有供滚动轴69穿过的通孔,所述滑轮610设置于所述滚动轴69上;
所述第一滑槽67沿着所述滑杆7的延伸方向包括第一端和第二端,所述滑轮610设置于所述第一端,所述切割刀66设置于所述第二端,所述下压部设置于所述第一端。
所述滑轮610设置于所述第一滑槽67的所述第一端,那么在所述第一滑槽67的所述第二端,所述第一滑槽67的顶部与所述滑杆7之间具有间隙,而利用此间隙,向靠近所述载物台5的方向按压所述第一滑槽67的第二端,则可以使得位于所述第一滑槽67的底部的第二端的所述切割刀66向靠近所述载物台5的方向移动(此时滑轮610下表面与滑杆7上表面才接触)以接触位于所述载物台5的承载面上的待裂片晶圆,进而在所述切割刀66随着所述滑块 61在所述滑杆7上移动的过程中,在待裂片晶圆上划痕,参考图9和图10。
本实施例中,所述第一滑槽67的顶壁对应于滑轮610的位置开口以将滑轮610外露,便于滑轮610的安装,避免在所述切割刀66下压过程中,所述滑轮610的上表面(远离所述载物台的一面)与所述第一滑槽67的上表面(远离所述载物台的一面)接触,阻碍所述切割刀66下压,影响所述切割刀66 在晶圆上的切割划痕。
本实施例中,所述第一滑槽67靠近所述载物台5的一侧的内侧壁上设置有档杆611,所述档杆611设置于所述第一端,且所述档杆611的延伸方向与所述滚动轴69的延伸方向相同,所述滑块61的所述第一端和所述第二端可绕所述档杆611进行摆动(利用了杠杆原理,所述档杆611相当于一支点),所述档杆611的下表面与所述滑块61的下表面在同一平面,即所述档杆611与所述滑块61对的内侧壁之间没有间隙。
需要说明的是,非工作状态时,所述滑轮610下表面与滑杆7上表面间隔一定距离,当切割刀66在待裂片晶圆的裂片位置划痕形成预设裂纹和对预设裂纹进行裂片时,所述滑轮610下表面与滑杆7上表面才接触。
本实施例中,所述档杆611位于所述滚动轴69靠近所述载物台5的一侧,也就是说,所述档杆611位于所述滚动轴69正下方,且所述滚动轴69的轴向中心线在所述载物台5上的正投影与所述档杆611延其延伸方向的中心线在所述载物台5上的正投影重合。
所述第二端下压,使得所述切割刀在待裂片晶圆上形成预设裂纹,此时,所述滑杆7与所述档杆611接触,滑块61的运动以所述档杆611为支点移动,所述第二端下压的同时所述第一端抬起,当所述第一端下压,使得所述下压部对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施压进行裂片,此时,所述滑杆7与所述滑轮 610接触,所述滑块61的运动以所述档杆611为支点移动,所述档杆611和所述滑轮610的采用上述相对位置关系设置,利于控制所述切割刀,所述下压部与待裂片晶圆的接触位置,提高裂片的质量。
本实施例中,下压部包括设置于所述滑块61面向所述载物台5的一侧的第一连接件62,所述第一连接件62远离所述滑块61的一侧设置有用于对预设裂纹的两侧施压的两个下压头63,两个下压头63的连线的中点与所述切割刀66的刀刃的连线与所述两个下压头63的连线垂直;
所述顶板组件包括位于所述固定槽内用于对待裂片晶圆的预设裂纹处施压的顶板84,所述顶板84在所述承载面上的正投影位于两个所述下压头63 在所述承载面上的正投影之间。
待裂片晶圆位于两个所述下压头63和所述顶板84之间,两个所述下压头 63对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施加向下的力(参考图示方向,即从两个所述下压头63到所述载物台5的方向的力),所述的顶板84对待裂片晶圆的预设裂纹处施加向上的力(参考图示方向,即从所述顶板84到所述滑杆7方向的力),两个所述下压头63对待裂片晶圆施加力的方向与所述顶板84对待裂片晶圆施加的力的方向相反,通过所述两个所述下压头63和所述顶板84 配合,使得晶圆的预设裂纹扩展以实现晶圆裂片。
两个所述下压头63需要位于预设裂纹的两侧,且两个所述下压头63与所述预设裂纹的距离在预设范围内,以保证裂片效果,那么就需要保证两个下压头63之间的距离在预设范围内,那么设置两个所述下压头63的所述第一连接件62在平行于两个所述下压头63的连线的方向(即垂直于所述滑杆7的延伸方向的方向)保证足够的长度,则,所述滑块61的底部在平行于两个所述下压头63的连线的方向保证足够的长度,从而保证两个所述下压头63的设置空间。
本实施例中,所述下压头63采用尼龙等弹性材料制成,或者所述下压头 63的外部包覆弹性材料,避免损伤晶圆。
本实施例中,所述切割组件6还包括连接于所述第一连接件62上的第二连接件64,所述第二连接件64位于所述切割刀66和所述第一连接件62之间,且所述第二连接件64远离所述第一连接件62的一端设置有下压板65,所述下压板65包括面向所述载物台5设置的下压面;
所述固定槽包括沿所述滑杆7的延伸方向设置的第一固定槽9和穿过所述第一固定槽9的相对的两个侧壁且垂直于所述第一固定槽9设置的第二固定槽10,所述第一固定槽9沿着所述载物台5的厚度方向贯穿所述载物台5设置,所述第二固定槽10在所述载物台5的厚度方向上的深度小于所述载物台5的厚度;
所述顶板84容纳于所述第一固定槽9内,所述顶板84相对的两侧对称设置有固定于所述第二固定槽10内的支撑轴83,两个所述下压头在所述载物台 5上的正投影位于所述顶板84的相对的两侧;
所述上压部包括上压板81和一L形连接杆82,所述上压板81通过所述 L形连接杆82连接于所述顶板84远离所述承载面的一侧,所述上压板81与所述L形连接杆82连接呈U形结构,所述上压板81包括能够与所述下压面抵接的上压面,所述上压板81在所述下压板65的压力下,推动所述顶板84 向靠近所述滑杆7的方向移动以抵接待裂片晶圆,参考图8。
所述上压板81位于所述载物台5的一侧,在对已经划痕形成预设裂纹的晶圆进行裂片时,使得所述滑块61沿着所述滑杆7移动,使得所述下压板65 的下压面与所述上压板81的上压面接触,此时,所述切割刀66移动到所述载物台5的所述承载面的外部,然后,所述滑块61的第二端向上移动,所述第一连接件62向下移动,带动所述下压板65抵压所述上压板81,从而使得所述连接杆82连接所述顶板84的一端将所述顶板84顶起,使得所述顶板84对待裂片晶圆施压以利于裂片。
本实施例中,所述下压板65的中部具有开口,减轻重量,且所述下压板 65的下压面的面积大于所述下压板65与第二连接件62的面积,即所述下压板65的截面为梯形,减轻重量,结构美观。
本实施例中,所述顶板84沿所述载物台5的厚度方向包括长方体结构851 和三棱柱结构852,所述三棱柱结构852靠近所述滑杆7设置,两个所述下压头63在所述载物台5上的正投影的连线的中点位于所述三棱柱结构852的棱边上。
所述顶板84是一体成型的,所述三棱柱结构852的设置,使得所述三棱柱结构852的一个棱边853对应于晶圆的预设裂纹处,即在裂片时,所述三棱柱结构852的棱边853对应抵接于晶圆的预设裂纹处,减小了所述顶板84与晶圆的接触面积,使得所述顶板84对晶圆施加的力更集中,利于裂片。
本实施例中,所述顶板84靠近所述滑杆7的一侧与所述承载面之间的距离为0,或者所述顶板84靠近所述滑杆7的一侧与所述承载面之间的距离小于预设值。
为了使得所述载物台5的所述承载面为平面结构,所述顶板84不能超出所述承载面,避免对晶圆造成损伤,本实施例的一具体实施方式中,所述顶板 84的顶部与所述承载面所在的平面平齐,即所述顶板84靠近所述滑杆7的一侧与所述承载面之间的距离为0;所述顶板84完全容纳于所述固定槽内,即所述顶板84的顶部低于所述承载面,但是,在所述载物台5的厚度方向上,所述顶板84与所述承载面之间的距离不能过大,避免所述顶板84被顶起时,所述顶板84无法对晶圆施压,甚至无法与晶圆接触,所以,本实施例的一具体实施方式中,所述顶板84靠近所述滑杆7的一侧与所述承载面之间的距离小于预设值,该预设值可根据实际需要设定。
本实施例中,所述第一滑槽67包括位于所述第一端的第一部分和位于所述第二端的第二部分,所述第一部分向靠近所述载物台5的方向延伸形成所述第一连接件62,所述第二部分向靠近所述载物台5的方向延伸形成第三连接件612,所述切割刀66设置于所述第三连接件612面向所述载物台5的一侧。
所述第一连接件62的设置在所述下压部下压(所述第一端下压)时为所述滑块61的移动提供了移动空间,所述第三连接件612的设置在所述第二端下压时,为所述滑块61的移动提供了移动空间,参考图9和图10。
通过所述切割刀66在待裂片晶圆上形成预设裂纹的具体形成方式有多种,对应的所述切割刀的具体结构形式可以有多种,以下介绍本实施例中切割刀的两种具体结构形式。
本实施例的一实施方式中,所述切割刀66为笔状,所述切割刀66的刀尖采用金刚石制成。
通过所述切割刀66的刀尖与待裂片晶圆接触,并沿着所述滑杆7移动以在待裂片晶圆上形成预设裂纹。
本实施例的一实施方式中,所述切割刀上设置有激光发射结构,所述激光发射结构用于发射在待裂片位置形成预设裂纹的激光。
通过所述激光发射结构向待裂片晶圆的预设位置发射激光,在所述切割刀沿着所述滑杆7移动的同时,通过激光烧结在待裂片晶圆上形成预设裂纹。
所述激光发射结构发射的激光束的方向与所述滑杆7的方向相垂直,以精确的控制激光烧结的位置。
采用激光在待裂片晶圆上形成预设裂纹,可以减少在待裂片晶圆的表面划出刻痕时产生碎屑,使裂解界面边缘更光滑。
所述切割刀66对晶圆的切割划痕,以及所述下压板65对所述上压板81 的施压可以是自动的,也可以是手动的。
本实施例中,所述滑块61远离所述载物台5的一侧设置有手柄68,用于控制所述滑块61沿着所述滑杆7滑动并控制所述下压板65和切割刀66向靠近所述上压板81的方向移动。
如图1-图3、图8-图10所示,所述手柄68的一端为固定端,连接于所述滑块61远离所述载物台5的顶部,即所述第一滑槽67远离所述载物台5的一端的顶壁上,且所述手柄68连接于所述第一滑槽67在平行于所述滑杆7的延伸方向上的第二端,所述手柄68的另一端为自由端,且所述手柄68从所述固定端到所述自由端向远离所述第一滑槽67的一端的方向延伸,便于按下手柄 68实现所述切割刀66,所述下压板65的移动。
本实施例中,所述手柄68的外部套设有防滑套。
需要说明的是,所述滑杆7、所述切割组件6以及所述顶板组件的设置,决定了所述切割刀66的切割轨迹、所述下压头63的下压位置、所述顶板84 的施压位置,所以即使手动也不会造成划痕弯曲,所述第一滑槽67在所述载物台5的厚度方向上的长度和所述下压头63与所述承载面之间的距离限制了所述下压头63对晶圆的施压力度,所述第一滑槽67在所述载物台5的厚度方向上的长度和所述下压板65与所述上压板81之间的距离限制了所述顶板84 对晶圆施压的力度,所以即使采用手动的方式也不会降低裂片精度。
本实施例中,所述底座1靠近所述载物台5的第一表面到所述载物台5 的承载面之间的距离大于在所述载物台5的厚度方向上所述切割刀66的长度和所述滑块61的厚度的和。
在所述下压板65与所述上压板81抵压,使得所述顶板84对晶圆施压进行裂片时,所述手柄68向上抬起,所述第一滑槽67的第二端向上移动,所述第一滑槽67的第一端向下移动,即所述切割刀66向上移动,所述下压板65 向下移动,所述切割刀66是随着所述下压板65的移动,会向远离所述底座1 的方向移动,所述载物台5在所述底座1上的正投影的面积小于所述底座1 的承载区域的面积时,为了避免所述切割刀66的刀尖与所述底座1接触。以致于损坏所述切割刀66,所述底座1靠近所述载物台5的第一表面到所述载物台5的承载面之间的距离大于在所述载物台5的厚度方向上所述切割刀66 的长度和所述滑块61的厚度的和。
本实施例中,所述载物台5通过转轴15可转动的连接于所述底座1上。
参考图3,所述载物台5通过转轴15与所述底座1中心处的法兰17连接,所述法兰17内部装有轴承(未画出),所述载物台5可绕转轴15做360°旋转,便于在晶圆上形成不同的预设裂纹。
本实施例中,所述法兰17上设置有锁定螺钉16,用于所述载物台5旋转到预设位置时,锁定所述载物台5。
本实施例的一具体实施方式中,所述底座1为矩形,所述载物台5为正方形,所述底座1的尺寸大于所述载物台5的尺寸,所述载物台5的所述承载面采用摩擦力较大、耐酸碱腐蚀的聚丙烯等材质制作,避免晶圆在切割划痕或裂片过程中晃动以影响裂片质量。
在本实施例的一具体实施方式中,所述承载面采用摩擦力较大的聚丙烯等材质制作,通过承载面与晶圆之间的摩擦力固定晶圆可防止晶圆偏移的情况下,所述直角限位板3的第一边框31和第二边框32可一体成型,相对固定,但为了进一步增强晶圆的连接稳定性,并且可以更精确的确定裂片位置,即经过晶圆的圆心且垂直于第二边框的直线,可以使得第一边框31和第二边框32活动连接,使得第一边框31和第二边框32可相对移动,对应于不同尺寸的晶圆,第二边框32与晶圆相切。
本实施的一具体实施方式中,所述载物台5的边的长度大于300mm,以满足市面上主流的晶圆的尺寸要求,但并不以此为限。
本实施例的一实施方式中,所述切割刀66为笔状,所述切割刀66的刀尖采用金刚石制成。
本实施例中,还提供一种体微缺陷检测方法,参考图11,包括:
对晶圆进行低温线性升温退火热处理;
采用上述的晶圆切割裂片装置对晶圆进行裂片,将晶圆裂成两半;
对裂片后获得的半片晶圆进行刻蚀,具体包括:
将半片晶圆放入质量百分数为5%~10%稀释的氢氟酸(HF)刻蚀液中,刻蚀时间为1~2min,去除半片晶圆表面的氧化层;
在Secco腐蚀液中刻蚀4~5min,然后用去离子水清洗干净并烘干,其中, Secco腐蚀液包括质量百分数分别为1.3%和34%的重铬酸钾(K2Cr2O7)和氢氟酸(HF);
制备检测样品条带,采用上述的晶圆切割裂片装置,将刻蚀过的半片晶圆切割,获得5~13mm的晶圆条带;
体微缺陷观察,通过显微镜对晶圆条带的刻蚀解理截面进行观察,在相同放大倍数下测量晶圆条带上洁净区长度、体微缺陷的数量、密度及大小,并对体微缺陷的数量、密度及大小进行评估分析。
本实施中,对晶圆进行低温线性升温退火热处理,具体包括:
1)在氧气气氛下,将晶圆在低温中保持第一预设时间,以在晶圆体内形成高密度的氧沉淀核心,其中,低温为750~800℃,第一预设时间为3~4小时;
2)以预设速率从所述低温线性升温至高温,其中,预设速率为5℃/min,高温为1000℃;
3)在氧气和氮气气氛下(氧气的流量大于氮气的流量),经过高温退火处理(在预设温度条件下保温第二预设时间)促使氧沉淀长大,以使晶圆体内生成高密度的BMD,在晶圆近表面由于氧沉淀溶解扩散而出现一定宽度的DZ 区,其中,预设温度为1000℃,第二预设时间为16h。
本实施例中,采用上述的晶圆切割裂片装置对晶圆进行裂片,将晶圆裂成两半,具体包括:
1)沿着滑轨14滑动直角限位板3至预设位置(使得滑杆7位于裂片位置的正上方)并通过锁定结构固定;
2)将晶圆放在载物台5的承载面上,使得晶圆的V形槽与直角限位板3 的第一边框上的弧形凹槽12内的对位柱13对准接触(承载面采用橡胶等摩擦力较大的材质制成,增强了晶圆与承载面的连接稳定性,防止晶圆的晃动、偏移;在本实施例的一具体实施方式中,可以移动直角限位板3的第一边框或第二边框,通过第一边框、对位柱13和第二边框对晶圆进行限位固定,使得第二边框与晶圆接触以防止晶圆发生偏移、晃动);
3)握住手柄68沿着滑杆7滑动滑块61,同时轻微下压手柄68,在垂直于晶圆v形槽的深度方向(平行于滑杆7的延伸方向)上,通过切割刀66在晶圆边缘处划出2~5mm的划痕,在晶圆上形成预设裂纹(本实施中,预设裂纹为直线),划痕延长线过圆心,且划痕在承载面上的正投影位于固定槽所在的区域内;
4)向滑杆7对应于承载面上的固定槽的位置滑动滑块61,直至切割组件6的下压板65对准顶板组件的上压板81,此时切割刀66悬空设置,轻微向上抬起手柄68使得两个下压头63与晶圆上表面接触(此时两个下压头63对称接触于预设裂纹的两侧)、且下压板65下压面与上压板81上压面接触,在压力作用下顶板84沿着第二固定槽10向上移动,直至顶板84与晶圆的预设裂纹处接触,继续向上抬起手柄68,同时在下压头63和顶板84的夹压下,使预设裂纹扩展进而达到裂片的目的,将晶圆裂成两半。
本实施例中,制备检测样品条带,采用上述的晶圆切割裂片装置,将刻蚀过的半片晶圆切割,获得5~13mm的晶圆条带;具体包括:
调整滑动直角限位板3到预设位置固定,将刻蚀过的半片晶圆放在载物台 5的承载面上,在远离晶圆中心线的一侧重复“采用上述的晶圆切割裂片装置对晶圆进行裂片,将晶圆裂成两半”中晶圆切割划痕、裂片的步骤,得到 5~13mm的晶圆条带(图12中的虚线为裂片位置)。
以上所述为本实用新型较佳实施例,需要说明的是,对于本领域普通技术人员来说,在不脱离本实用新型所述原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型保护范围。

Claims (20)

1.一种晶圆切割裂片装置,其特征在于,包括:
底座;
设置于所述底座上的载物台,具有用于承载待裂片晶圆的承载面;
限位结构,设置于所述承载面上,用于限定待裂片晶圆的裂片位置;
切割组件,包括对称设置于所述载物台相对的两侧的两个支架,两个所述支架固定于所述底座上,两个所述支架之间设置有悬置于所述载物台上方的滑杆,还包括具有第一滑槽的滑块,所述滑块通过所述第一滑槽套设在所述滑杆上并可沿着所述滑杆滑动,所述滑块面向所述载物台的一侧设置有对待裂片晶圆的裂片位置进行划痕以形成预设裂纹的切割刀,以及对待裂片晶圆上预设裂纹的两侧施压的下压部;
顶板组件,位于所述承载面边缘的固定槽内,包括对待裂片晶圆的预设裂纹施压的上压部,所述上压部与所述下压部相配合以将待裂片晶圆进行裂片。
2.根据权利要求1所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述限位结构包括直角限位板,所述直角限位板包括相对垂直的第一边框和第二边框,所述第一边框上设置有用于卡入待裂片晶圆上的凹槽以对待裂片晶圆进行对位的对位柱,所述第一边框与所述滑杆平行设置,所述第二边框与待裂片晶圆接触的位置为裂片位置。
3.根据权利要求2所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述第一边框上设置有弧形凹槽,所述对位柱容纳于所述弧形凹槽内以使得所述对位柱卡入待裂片晶圆的凹槽后,所述第一边框面向所述第二边框的第一内侧边与所述第二边框面向所述第一边框的第二内侧边均与待裂片晶圆的外侧边缘相切。
4.根据权利要求2所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述载物台为矩形结构,所述载物台与所述第二边框平行的一侧设置有沿其延伸方向设置的滑轨,所述直角限位板的所述第二边框可移动的连接于所述滑轨上;
所述滑轨沿所述载物台的厚度方向的相对的两侧分别设置有凸起,所述第二边框远离所述第一边框的外侧边向外延伸并向靠近所述载物台的方向多次弯折以形成包覆所述滑轨的第二滑槽,所述第二滑槽相对的两个侧壁上分别设置有与所述凸起一一对应卡合的凹槽。
5.根据权利要求4所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,还包括用于锁定所述直角限位板的锁定结构,所述锁定结构包括锁紧螺钉,以及设置于所述第二滑槽的侧壁上的锁定孔,所述锁紧螺钉穿过所述锁定孔抵接于所述滑轨的侧壁上以将所述直角限位板锁定于所述载物台上。
6.根据权利要求1所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述限位结构还包括设置于所述承载面的第一边缘的标尺,所述标尺为沿着所述第一边缘的延伸方向设置的刻度值,所述第一边缘与所述滑杆的延伸方向相垂直。
7.根据权利要求1所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述第一滑槽远离所述载物台的内侧壁上设置有滑轮,所述第一滑槽位于所述滑杆的相对的两侧的两侧壁上设置有供滚动轴穿过的通孔,所述滑轮设置于所述滚动轴上;
所述第一滑槽沿着所述滑杆的延伸方向包括第一端和第二端,所述滑轮设置于所述第一端,所述切割刀设置于所述第二端,所述下压部设置于所述第一端。
8.根据权利要求7所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述第一滑槽靠近所述载物台的一侧的内侧壁上设置有档杆,所述档杆设置于所述第一端,且所述档杆的延伸方向与所述滚动轴的延伸方向相同,所述滑块的所述第一端和所述第二端可绕所述档杆进行摆动。
9.根据权利要求8所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述档杆位于所述滚动轴靠近所述载物台的一侧,且所述滚动轴的轴向中心线在所述载物台上的正投影与所述档杆延其延伸方向的中心线在所述载物台上的正投影重合。
10.根据权利要求7所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述下压部包括设置于所述滑块面向所述载物台的一侧的第一连接件,所述第一连接件远离所述滑块的一侧设置有用于对预设裂纹的两侧施压的两个下压头,两个下压头的连线的中点与所述切割刀的刀刃的连线与所述两个下压头的连线垂直;
所述顶板组件包括位于所述固定槽内用于对待裂片晶圆的预设裂纹处施压的顶板,所述顶板在所述承载面上的正投影位于两个所述下压头在所述承载面上的正投影之间。
11.根据权利要求10所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述切割组件还包括连接于所述第一连接件上的第二连接件,所述第二连接件位于所述切割刀和所述第一连接件之间,且所述第二连接件远离所述第一连接件的一端设置有下压板,所述下压板包括面向所述载物台设置的下压面;
所述固定槽包括沿所述滑杆的延伸方向设置的第一固定槽和穿过所述第一固定槽的相对的两个侧壁且垂直于所述第一固定槽设置的第二固定槽,所述第一固定槽沿着所述载物台的厚度方向贯穿所述载物台设置,所述第二固定槽在所述载物台的厚度方向上的深度小于所述载物台的厚度;
所述顶板容纳于所述第一固定槽内,所述顶板相对的两侧对称设置有固定于所述第二固定槽内的支撑轴,两个所述下压头在所述载物台上的正投影位于所述顶板的相对的两侧;
所述上压部包括上压板和一L形连接杆,所述上压板通过所述L形连接杆连接于所述顶板远离所述承载面的一侧,所述上压板与所述L形连接杆连接呈U形结构,所述上压板包括能够与所述下压面抵接的上压面,所述上压板在所述下压板的压力下,推动所述顶板向靠近所述滑杆的方向移动以抵接待裂片晶圆。
12.根据权利要求11所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述顶板沿所述载物台的厚度方向包括长方体结构和三棱柱结构,所述三棱柱结构靠近所述滑杆设置,两个所述下压头在所述载物台上的正投影的连线的中点位于所述三棱柱结构的棱边上。
13.根据权利要求12所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述顶板靠近所述滑杆的一侧与所述承载面之间的距离为0,或者所述顶板靠近所述滑杆的一侧与所述承载面之间的距离小于预设值。
14.根据权利要求10所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述第一滑槽包括位于所述第一端的第一部分和位于所述第二端的第二部分,所述第一部分向靠近所述载物台的方向延伸形成所述第一连接件,所述第二部分向靠近所述载物台的方向延伸形成第三连接件,所述切割刀设置于所述第三连接件面向所述载物台的一侧。
15.根据权利要求1所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述切割刀为笔状,所述切割刀的刀尖采用金刚石制成。
16.根据权利要求1所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述切割刀上设置有激光发射结构,所述激光发射结构用于发射在待裂片位置形成预设裂纹的激光。
17.根据权利要求11所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述滑块远离所述载物台的一侧设置有手柄,用于控制所述滑块沿着所述滑杆滑动并控制所述下压板向靠近所述上压板的方向移动。
18.根据权利要求17所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述手柄的外部套设有防滑套。
19.根据权利要求1所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述底座靠近所述载物台的第一表面到所述载物台的承载面之间的距离大于在所述载物台的厚度方向上所述切割刀的长度和所述滑块的厚度的和。
20.根据权利要求19所述的晶圆切割裂片装置,其特征在于,所述载物台通过转轴可转动的连接于所述底座上。
CN202020498218.5U 2020-04-08 2020-04-08 晶圆切割裂片装置 Active CN212421827U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020498218.5U CN212421827U (zh) 2020-04-08 2020-04-08 晶圆切割裂片装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020498218.5U CN212421827U (zh) 2020-04-08 2020-04-08 晶圆切割裂片装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN212421827U true CN212421827U (zh) 2021-01-29

Family

ID=74298799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020498218.5U Active CN212421827U (zh) 2020-04-08 2020-04-08 晶圆切割裂片装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN212421827U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114227956A (zh) * 2021-12-09 2022-03-25 潘珍珍 一种硅片的高效裂片装置
CN114454360A (zh) * 2021-08-19 2022-05-10 青岛高测科技股份有限公司 硅棒切割方法、设备及系统
CN114498289A (zh) * 2022-04-01 2022-05-13 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法
CN117341076A (zh) * 2023-12-05 2024-01-05 江苏宁美新能源有限公司 一种光伏组件加工用边缘切割设备及其工作方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114454360A (zh) * 2021-08-19 2022-05-10 青岛高测科技股份有限公司 硅棒切割方法、设备及系统
CN114227956A (zh) * 2021-12-09 2022-03-25 潘珍珍 一种硅片的高效裂片装置
CN114227956B (zh) * 2021-12-09 2024-04-19 潘珍珍 一种硅片的高效裂片装置
CN114498289A (zh) * 2022-04-01 2022-05-13 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法
CN114498289B (zh) * 2022-04-01 2022-07-01 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法
CN117341076A (zh) * 2023-12-05 2024-01-05 江苏宁美新能源有限公司 一种光伏组件加工用边缘切割设备及其工作方法
CN117341076B (zh) * 2023-12-05 2024-02-23 江苏宁美新能源有限公司 一种光伏组件加工用边缘切割设备及其工作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN212421827U (zh) 晶圆切割裂片装置
KR101250312B1 (ko) 커터휠과 그 제조방법, 수동 스크라이브 공구 및스크라이브 장치
JP5314674B2 (ja) 脆性材料基板の加工方法
US20020170896A1 (en) Method and apparatus for cutting a non-metallic substrate using a laser beam
CN110065171B (zh) 一种切割装置和晶棒的切割方法
JP5325209B2 (ja) 脆性材料基板の加工方法
US20210114925A1 (en) Crack-free glass substrate cutting and thinning method
JPH05217970A (ja) ジョー式劈開装置
TWI644873B (zh) 刻劃用刀輪及刻劃裝置
CN102373509A (zh) 硅片及其生产方法
JP5287571B2 (ja) シリコンウェーハの機械的強度測定装置および測定方法
TW407329B (en) Manual precision micro-cleavage method
Perrottet et al. Heat damage-free laser-microjet cutting achieves highest die fracture strength
JP5102557B2 (ja) サファイア基板の分断方法
CN214894406U (zh) 一种晶圆制样装置
JP7311584B2 (ja) 半導体チップの製造方法
CN111438442A (zh) SiC基板的分割方法以及分割装置
JP3896919B2 (ja) シリコンウエーハのNi汚染の評価方法
CN116690814A (zh) GaN基板的切断方法
CN218193173U (zh) 一种晶圆解理装置
TWI837150B (zh) GaN基板之分斷方法
JP2005101120A (ja) 化合物半導体ウェハ及びその劈開方法
JP2022056887A (ja) 脆性材料基板の加工方法
Tsai et al. Laser cutting of silica glasses by using the controlled fracture technique
CN116601341A (zh) 氧化镓基板的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant