CN114498289A - 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法 - Google Patents

一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法 Download PDF

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Abstract

一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。

Description

一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法。
背景技术
大功率半导体激光器广泛应用于泵浦固体激光器、材料加工和激光医疗等领域，而提高光输出功率、寿命与可靠性一直是半导体激光器领域的研究重点，其中灾变性光学镜面损伤(Catastrophic Optical Mirror Degradation，简称COMD)是影响半导体激光器光输出功率和可靠性的重要因素。COMD是激光器腔面区域吸收谐振腔内部较高的光辐射后，导致该处温度超过其熔点，从而发生腔面熔化的一种灾变性破坏。为了解决这个问题，现有技术采用的方法有在超高真空环境下进行腔面解理，然后钝化一层保护膜进行腔面保护。
然而，现有技术中超高真空解理镀膜装置的工作效率低且难以长时间维持超高的真空环境。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于现有技术中超高真空解理镀膜装置的工作效率低且难以长时间维持较高的真空环境，从而提供一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法。
本发明提供一种超高真空解理镀膜装置，包括：解理腔体；位于所述解理腔体中的解理平台；半导体发光器件载具；所述半导体发光器件载具包括：第一承载平台，所述第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于所述第一定位槽中的第一定位销；分别位于所述第二定位槽中的第二定位销；所述第一定位销适于沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动；所述第二定位销适于沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动；所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述第一承载平台的承载面，所述第一定位销和所述第二定位销适于对从所述解理平台掉落至所述第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。
可选的，所述半导体发光器件载具还包括：位于所述第一定位销和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件，所述第一弹性件的一端与所述第一定位销连接，所述第一弹性件的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件，所述第二弹性件的一端与所述第二定位销连接，所述第二弹性件的另一端与所述第二定位槽的内壁连接。
可选的，还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元适于驱动所述第一定位销沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动，所述载具驱动单元还适于驱动所述第二定位销沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动。
可选的，第一方向上相对设置的第一定位槽包括：在所述第一方向上相对设置的第一个第一定位槽和第二个第一定位槽；第二方向上相对设置的第二定位槽包括：在所述第二方向上相对设置的第一个第二定位槽和第二个第二定位槽、以及在所述第二方向上相对设置的第三个第二定位槽和第四个第二定位槽；所述第一个第二定位槽和所述第三个第二定位槽在所述第一方向上相对设置，所述第二个第二定位槽和所述第四个第二定位槽在所述第一方向上相对设置；所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元包括：位于所述第一承载平台底部的主动旋转齿轮、第一从动旋转齿轮和第二从动旋转齿轮，所述主动旋转齿轮的中心轴、第一从动旋转齿轮的中心轴和第二从动旋转齿轮的中心轴均垂直于所述第一承载平台，所述第一从动旋转齿轮和所述第二从动旋转齿轮在所述第一方向上位于所述主动旋转齿轮的两侧；所述第一从动旋转齿轮适于驱动所述第一个第二定位槽中的第二定位销和所述第二个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第一个第一定位槽中的第一定位销在第一方向上远离所述主动旋转齿轮；所述第二从动旋转齿轮适于驱动所述第三个第二定位槽中的第二定位销和所述第四个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第二个第一定位槽中的第一定位销在所述第一方向上远离所述主动旋转齿轮。
可选的，所述第一从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第一从动旋转齿轮的周向依次排布的第一齿、第二齿、第三齿和第一咬合齿组；所述第二从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第二从动旋转齿轮的周向依次排布的第五齿、第六齿、第七齿和第二咬合齿组；所述第一个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第一齿和所述第二齿之间且与所述第一齿的侧壁接触，所述第一个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第二齿和所述第三齿之间且与所述第二齿的侧壁接触，所述第二个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第三齿和所述第一咬合齿组之间且与所述第三齿的侧壁接触，所述第一咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合；所述第三个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第五齿和所述第二咬合齿组之间且与所述第五齿的侧壁接触，所述第二个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第五齿和所述第六齿之间且与所述第六齿的侧壁接触，所述第四个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第六齿和所述第七齿之间且与所述第七齿的侧壁接触，所述第二咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合。
可选的，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度；所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度。
可选的，所述解理腔体的顶壁设置有观察窗口，所述观察窗口的上方设置有图像传感器，所述图像传感器与所述解理平台相对设置。
可选的，还包括：位于所述解理腔体中的解理刀具；微型机械移动装置；所述微型机械移动装置包括：位于所述解理腔体内部的晶圆抓取机械手和位于解理腔体外部的第一电机，第一电机用于驱动所述晶圆抓取机械手抓取半导体切片晶圆至所述解理平台上，所述第一电机用于在解理过程中移动所述半导体切片晶圆在所述解理平台上的位置。
可选的，还包括：镀膜腔体，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部。
可选的，所述镀膜腔体与所述解理腔体之间设置有第一阀门；超高真空解理镀膜装置还包括：第一竖直传送单元，所述第一竖直传送单元适于通过所述第一阀门在所述解理腔体和所述镀膜腔体之间传送所述半导体发光器件载具。
可选的，还包括：位于所述解理腔体侧部的出样腔体，所述出样腔体与所述解理腔体之间设置有第二阀门；载具架，所述载具架适于承载水平排布的若干半导体发光器件载具；第一水平传送单元，所述第一水平传送单元适于通过所述第二阀门在所述出样腔体和所述解理腔体之间传送载具架。
可选的，还包括：缓冲腔体，所述缓冲腔体位于所述解理腔体的侧部，且所述缓冲腔体位于所述出样腔体的顶部。
可选的，还包括：第一进样腔体和第二进样腔体；所述第一进样腔体和所述第二进样腔体位于所述缓冲腔体的侧部，所述第一进样腔体位于所述第二进样腔体的顶部。
可选的，还包括：第一半导体切片晶圆载具；第二半导体切片晶圆载具；第二水平传送单元，所述第二水平传送单元适于在所述第一进样腔体和所述缓冲腔体之间传送第一半导体切片晶圆载具；第三水平传送单元，所述第三水平传送单元适于通过所述缓冲腔体在所述第二进样腔体和所述解理腔体之间传送第二半导体切片晶圆载具；第二竖直传送单元，所述第二竖直传送单元适于在所述缓冲腔体中上下传送所述第一半导体切片晶圆载具；所述第三水平传送单元还适于在所述缓冲腔体和所述解理腔体之间传送所述第一半导体切片晶圆载具。根据以上所述的超高真空解理镀膜装置本发明还提供一种解理镀膜装置的工作方法，包括：将半导体切片晶圆放置在解理平台上，并对所述半导体切片晶圆进行解理得到若干半导体发光器件；解理后的若干半导体发光器件依次掉落在所述半导体发光器件载具的承载面上，若干半导体发光器件垂直排布；采用所述第一定位销和所述第二定位销调节若干所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐。
可选的，所述半导体发光器件载具还包括：位于所述第一定位销和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件，所述第一弹性件的一端与所述第一定位销连接，所述第一弹性件的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件，所述第二弹性件的一端与所述第二定位销连接，所述第二弹性件的另一端与所述第二定位槽的内壁连接；所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：解理后的半导体发光器件掉落在所述半导体发光器件载具的承载面上之前，驱动所述第一定位销以使所述第一弹性件在所述第一方向上拉伸，驱动所述第二定位销以使所述第二弹性件在所述第二方向上拉伸；采用第一定位销和所述第二定位销调节所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐的步骤为：所述第一弹性件在所述第一方向上收缩且所述第二弹性件在所述第二方向上收缩，使若干半导体发光器件的边缘对齐。
可选的，所述超高真空解理镀膜装置还包括：所述镀膜腔体，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部，所述镀膜腔体和所述解理腔体之间设置有第一阀门；第一竖直传送单元；所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：采用所述第一定位销和所述第二定位销调节若干所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐之后，所述第一竖直传送单元通过所述第一阀门将承载有解理后的若干半导体发光器件的半导体发光器件载具传送至所述镀膜腔体中；在若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜。
可选的，所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体侧部的出样腔体；所述出样腔体与所述解理腔体之间设置有第二阀门；第一水平传送单元；载具架；所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：在若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜之后，所述第一竖直传送单元将所述半导体发光器件载具从镀膜腔体传送至所述解理腔体；所述第一竖直传送单元将所述半导体发光器件载具镀膜腔体传送至所述解理腔体之后，所述第一水平传送单元将所述半导体发光器件载具放置在载具架直至所述载具架中水平排布的若干个半导体发光器件载具上均承载有若干个垂直排布的半导体发光器件；所述第一水平传送单元将承载若干半导体发光器件载具的载具架从解理腔体传送至所述出样腔体。
可选的，所述超高真空解理镀膜装置还包括：第一进样腔体、第二进样腔体和缓冲腔体，所述第一进样腔体位于所述第二进样腔体的顶部，所述第一进样腔体和所述第二进样腔体位于所述缓冲腔体的侧部，所述解理腔体位于所述缓冲腔体的侧部；第二水平传送单元；第三水平传送单元；第二竖直传送单元；在所述半导体切片晶圆放置在解理平台上之前，工作方法还包括：所述第二水平传送单元将第一半导体切片晶圆载具从所述第一进样腔体传送至所述缓冲腔体，所述第一半导体切片晶圆载具承载若干间隔的半导体切片晶圆；所述第二竖直传送单元将所述第一半导体切片晶圆载具在所述缓冲腔体中从上向下传送；所述第二竖直传送单元将所述第一半导体切片晶圆载具在所述缓冲腔体中从上向下传送之后，所述第三水平传送单元将所述第一半导体切片晶圆载具从所述缓冲腔体传送至所述解理腔体；在所述半导体切片晶圆放置在解理平台上之前，工作方法还包括：所述第三水平传送单元将第二半导体切片晶圆载具从所述第二进样腔体传送至所述缓冲腔体，所述第二半导体切片晶圆载具承载若干间隔的半导体切片晶圆；第三水平传送单元将所述第二半导体切片晶圆载具从所述缓冲腔体传送至所述解理腔体。
本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案中的超高真空解理镀膜装置，所述半导体发光器件载具包括：第一承载平台，所述第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于所述第一定位槽中的第一定位销；分别位于所述第二定位槽中的第二定位销；所述第一定位销适于沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动；所述第二定位销适于沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动；所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述第一承载平台的承载面，所述第一定位销和所述第二定位销适于对从所述解理平台掉落至所述第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位，从而保证若干所述半导体发光器件排列的整齐度，便于对若干所述半导体发光器件同时镀膜，所述半导体发光器件载具可以放置多个半导体发光器件提高了所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。也可以避免频繁取放半导体切片晶圆而破坏所述超高真空解理镀膜装置中的真空环境，有利于长时间维持较高的真空环境。因此，所述超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
进一步的，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度；所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度，这样有利于所述半导体发光器件载具所述承载更多数量的半导体发光器件，从而提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。
进一步的，所述解理腔体的顶壁设置有观察窗口，所述观察窗口的上方设置有图像传感器，所述图像传感器与所述解理平台相对设置；所述观察窗口有利于观察所述解理腔体的内部情况，通过所述观察窗口便于控制操作细节，提高了操作的精度。
进一步的，所述第一进样腔体位于所述第二进样腔体的顶部，这样有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积，所述第一进样腔体和所述第二进样腔体可以连续交替供应半导体切片晶圆，有利于提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。
进一步的，所述载具架适于承载水平排布的若干半导体发光器件载具，可以避免频繁取放所述半导体发光器件载具而破坏所述超高真空解理镀膜装置中的真空环境，有利于长时间维持较高的真空环境。
进一步的，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部，所述镀膜腔体和所述解理腔体在竖直方向上排布，有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的超高真空解理镀膜装置的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的超高真空解理镀膜装置中解理腔体内部的结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的半导体发光器件载具的结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的半导体发光器件载具与载具驱动单元的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本实施例提供一种解理镀膜装置，结合参考图1、图2、图3和图4，包括：
解理腔体1；
位于所述解理腔体1中的解理平台11；
半导体发光器件载具100；
所述半导体发光器件载具100包括：第一承载平台101，所述第一承载平台101中具有在第一方向X上相对设置的第一定位槽、以及第二方向Y上相对设置的第二定位槽；分别位于所述第一定位槽中的第一定位销X1；分别位于所述第二定位槽中的第二定位销X2；所述第一定位销X1适于沿着所述第一定位槽在所述第一方向X上移动；所述第二定位销X2适于沿着所述第二定位槽在所述第二方向Y上移动；所述第一方向X垂直于所述第二方向Y，所述第一方向X和所述第二方向Y均平行于所述第一承载平台101的承载面，所述第一定位销X1和所述第二定位销X2适于对从所述解理平台11掉落至所述第一承载平台101的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。
本实施例中的超高真空解理镀膜装置，所述第一定位销和所述第二定位销适于对从所述解理平台11掉落至所述第一承载平台101的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位，从而保证若干所述半导体发光器件排列的整齐度，便于对若干所述半导体发光器件同时镀膜，所述半导体发光器件载具可以放置多个半导体发光器件提高了所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。也可以避免频繁取放半导体切片晶圆而破坏所述超高真空解理镀膜装置中的真空环境，有利于长时间维持较高的真空环境。因此，所述超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
在一个实施例中，继续参考图3，所述第一承载平台101在所述第二方向Y的部分边缘沿着所述第一方向X向所述第一承载平台101内凹陷形成所述第一定位槽；所述第一承载平台101在所述第一方向X的部分边缘沿着所述第二方向Y向所述第一承载平台101内凹陷形成所述第二定位槽。
在一个实施例中，继续参考图3，所述半导体发光器件载具100还包括：位于所述第一定位销X1和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件T1，所述第一弹性件T1的一端与所述第一定位销X1连接，所述第一弹性件T1的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销X2和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件T2，所述第二弹性件T2的一端与所述第二定位销X2连接，所述第二弹性件T2的另一端与所述第二定位槽的内壁连接。
所述第一弹性件T1的收缩和拉伸的方向平行于所述第一方向X，所述第二弹性件T2的收缩和拉伸的方向平行于所述第二方向Y。
在一个实施例中，所述第一弹性件T1和所述第二弹性件T2包括弹簧；在其他实施例中，所述第一弹性件和所述第二弹性件还可以包括其他可伸缩的连接件。
在一个实施例中，参考图4，所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体1内的载具驱动单元，所述载具驱动单元适于驱动所述第一定位销X1沿着所述第一定位槽在所述第一方向X上移动，所述载具驱动单元还适于驱动所述第二定位销X2沿着所述第二定位槽在所述第二方向Y上移动。
在一个实施例中，第一方向上相对设置的第一定位槽包括：在所述第一方向X上相对设置的第一个第一定位槽D11和第二个第一定位槽D12；第二方向上相对设置的第二定位槽包括：在所述第二方向Y上相对设置的第一个第二定位槽D21和第二个第二定位槽D22、以及在所述第二方向Y上相对设置的第三个第二定位槽D23和第四个第二定位槽D24；所述第一个第二定位槽D21和所述第三个第二定位槽D23在所述第一方向上相对设置，所述第二个第二定位槽D22和所述第四个第二定位槽D24在所述第一方向上相对设置。
在一个实施例中，所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体1内的载具驱动单元，所述载具驱动单元包括：位于所述第一承载平台101底部的主动旋转齿轮A1、第一从动旋转齿轮A2和第二从动旋转齿轮A3，所述主动旋转齿轮A1的中心轴、第一从动旋转齿轮A2的中心轴和第二从动旋转齿轮A3的中心轴均垂直于所述第一承载平台101，所述第一从动旋转齿轮A2和所述第二从动旋转齿轮A3在所述第一方向X上位于所述主动旋转齿轮A1的两侧；所述第一从动旋转齿轮A2适于驱动所述第一个第二定位槽D21中的第二定位销和所述第二个第二定位槽D22中的第二定位销在所述第一方向X上相互远离的同时使所述第一个第一定位槽D11中的第一定位销在所述第二方向Y上远离所述主动旋转齿轮A1；所述第二从动旋转齿轮A3适于驱动所述第三个第二定位槽D23中的第二定位销和所述第四个第二定位槽D24中的第二定位销在所述第二方向Y上相互远离的同时使所述第二个第一定位槽D12中的第一定位销在所述第一方向X上远离所述主动旋转齿轮A1。
所述载具驱动单元位于所述第一承载平台101的下方，所述载具驱动单元中的主动旋转齿轮A1、第一从动旋转齿轮A2和第二从动旋转齿轮A3均为扁平形，有利于减小占用所述解理腔体1的空间。
所述第一定位销X1的底端低于所述第一承载平台101，所述第二定位销X2的底端低于所述第一承载平台101。这样有利于所述载具驱动单元驱动所述第一定位销X1沿着所述第一定位槽在所述第一方向X上移动，有利于所述载具驱动单元驱动所述第二定位销X2沿着所述第二定位槽在所述第二方向Y上移动。
在一个实施例中，继续参考图4，所述第一从动旋转齿轮A2的边缘具有相互间隔且在所述第一从动旋转齿轮A2的周向依次排布的第一齿C1、第二齿C2、第三齿C3和第一咬合齿组C4；所述第二从动旋转齿轮A3的边缘具有相互间隔且在所述第二从动旋转齿轮A3的周向依次排布的第五齿C5、第六齿C6、第七齿C7和第二咬合齿组C8；所述第一个第二定位槽D21中的第二定位销延伸至所述第一齿C1和所述第二齿C2之间且与所述第一齿C1的侧壁接触，所述第一个第一定位槽D11中的第一定位销延伸至所述第二齿C2和所述第三齿C3之间且与所述第二齿C2的侧壁接触，所述第二个第二定位槽D22中的第二定位销延伸至所述第三齿C3和所述第一咬合齿组C4之间且与所述第三齿C3的侧壁接触，所述第一咬合齿组C4与所述主动旋转齿轮A1的齿咬合；所述第三个第二定位槽D23中的第二定位销延伸至所述第五齿C5和所述第二咬合齿组C8之间且与所述第五齿C5的侧壁接触，所述第二个第一定位槽D12中的第一定位销延伸至所述第五齿C5和所述第六齿C6之间且与所述第六齿C6的侧壁接触，所述第四个第二定位槽D24中的第二定位销延伸至所述第六齿C6和所述第七齿C7之间且与所述第七齿C7的侧壁接触，所述第二咬合齿组C8与所述主动旋转齿轮A1的齿咬合。
第一咬合齿组C4包括若干个间隔的第一咬合齿。第二咬合齿组C8包括若干个间隔的第二咬合齿。第一咬合齿组C4与主动旋转齿轮A1的部分齿咬合，第二咬合齿组C8与主动旋转齿轮A1的部分齿咬合。
所述第一从动旋转齿轮A2的旋转方向和所述第二从动旋转齿轮A3的旋转方向相同。当所述主动旋转齿轮A1的旋转方向为顺时针时方向时，所述第一从动旋转齿轮A2的旋转方向和所述第二从动旋转齿轮A3的旋转方向均为逆时针方向；当所述主动旋转齿轮A1的旋转方向为逆时针方向时，所述第一从动旋转齿轮A2的旋转方向和所述第二从动旋转齿轮A3的旋转方向均为顺时针时方向。
在一个实施例中，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台101的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度，所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台101的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度。这样有利于所述半导体发光器件载具100所述承载更多数量的半导体发光器件，从而提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台101的承载面之间的距离为400倍的所述半导体发光器件的厚度~500倍的所述半导体发光器件的厚度。具体的，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台101的承载面之间的距离为75mm-85mm，例如80mm；所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台101的承载面之间的距离为75mm-85mm，例如80mm。
在一个实施例中，继续参考图2，所述解理腔体1的顶壁设置有观察窗口12，所述观察窗口12的上方设置有图像传感器13，所述图像传感器13与所述解理平台11相对设置。所述观察窗口12有利于观察所述解理腔体1的内部情况，通过所述观察窗口12便于控制操作细节，提高了操作的精度。
在一个实施例中，继续参考图2，所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体中的解理刀具（未图示）；微型机械移动装置；所述微型机械移动装置包括：位于所述解理腔体1内部的晶圆抓取机械手B1和位于解理腔体1外部的第一电机B2，所述第一电机B2用于驱动所述晶圆抓取机械手B1抓取半导体切片晶圆14至所述解理平台11上，所述第一电机B2用于在解理过程中移动所述半导体切片晶圆14在所述解理平台11上的位置。
在一个实施例中，继续参考图1，所述超高真空解理镀膜装置还包括：镀膜腔体2，所述镀膜腔体2位于所述解理腔体1的底部。所述镀膜腔体2和所述解理腔体1在竖直方向上排布，有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积。
在一个实施例中，继续参考图1，所述镀膜腔体2与所述解理腔体1之间设置有第一阀门41；超高真空解理镀膜装置还包括：第一竖直传送单元31，所述第一竖直传送单元31适于通过所述第一阀门41在所述解理腔体1和所述镀膜腔体2之间传送所述半导体发光器件载具。
在一个实施例中，继续参考图1，所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体1侧部的出样腔体3，所述出样腔体3与所述解理腔体1之间设置有第二阀门42；载具架，所述载具架适于承载水平排布的若干半导体发光器件载具；第一水平传送单元21，所述第一水平传送单元21适于通过所述第二阀门42在所述出样腔体3和所述解理腔体1之间传送载具架。
在一个实施例中，继续参考图1，所述超高真空解理镀膜装置还包括：缓冲腔体4，所述缓冲腔体4位于所述解理腔体1的侧部，且所述缓冲腔体4位于所述出样腔体3的顶部，这样有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积。
在一个实施例中，继续参考图1，所述超高真空解理镀膜装置还包括：第一进样腔体5和第二进样腔体6；所述第一进样腔体5和所述第二进样腔体6位于所述缓冲腔体4的侧部，所述第一进样腔体5位于所述第二进样腔体6的顶部。这样有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积，所述第一进样腔体5和所述第二进样腔体6可以连续交替供应半导体切片晶圆，有利于提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。
在一个实施例中，所述超高真空解理镀膜装置还包括：第一半导体切片晶圆载具；第二半导体切片晶圆载具；第二水平传送单元22，所述第二水平传送单元22适于在所述第一进样腔体5和所述缓冲腔体4之间传送第一半导体切片晶圆载具；第三水平传送单元23，所述第三水平传送单元23适于通过所述缓冲腔体4在所述第二进样腔体6和所述解理腔体1之间传送第二半导体切片晶圆载具；第二竖直传送单元32，所述第二竖直传送单元32适于在所述缓冲腔体4中上下传送所述第一半导体切片晶圆载具；所述第三水平传送单元23还适于在所述缓冲腔体4和所述解理腔体1之间传送所述第一半导体切片晶圆载具。
在一个实施例中，继续参考图1，所述第一进样腔体5与所述缓冲腔体4之间设置有第三阀门43；所述第二水平传送单元22适于在所述第一进样腔体5与所述缓冲腔体4之间通过所述第三阀门43传送第一半导体切片晶圆载具。
在一个实施例中，继续参考图1，所述第二进样腔体6与所述缓冲腔体4之间设置有第四阀门44；所述第三水平传送单元23适于在所述第二进样腔体6与所述缓冲腔体4之间通过所述第四阀门44传送第二半导体切片晶圆载具。
在一个实施例中，继续参考图1，所述缓冲腔体4与所述解理腔体1之间设置有第五阀门45；所述第三水平传送单元23适于在所述缓冲腔体4与所述解理腔体1之间通过所述第五阀门45传送第一半导体切片晶圆载具或第二半导体切片晶圆载具。
所述缓冲腔体4用于使半导体切片晶圆在所述第一进样腔体5与所述解理腔体1之间的过渡，可以降低因从所述第一进样腔体5中频繁放置半导体切片晶圆使所述第一进样腔体5暴露在空气而导致所述超高真空解理镀膜装置的真空环境受到破坏。
所述缓冲腔体用于使半导体切片晶圆在所述第二进样腔体6与所述解理腔体1之间的过渡，可以降低因从所述第二进样腔体6中频繁放置半导体切片晶圆使所述第二进样腔体6暴露在空气而导致所述超高真空解理镀膜装置的真空环境受到破坏。
在一个实施例中，所述第一进样腔体5位于所述第二进样腔体6的顶部。这样有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积，所述第一进样腔体5和所述第二进样腔体6可以交替连续供应半导体切片晶圆，有利于提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。
所述缓冲腔体4的中心高度大于所述解理腔体1的中心高度。
在一个实施例中，所述第一半导体切片晶圆载具包括若干在竖直方向上间隔排布的第一承载架，这样有利于第一半导体切片晶圆载具一次性放置多个半导体切片晶圆，第一半导体切片晶圆载具承载多个半导体切片晶圆进入缓冲腔体。
在一个实施例中，所述第二半导体切片晶圆载具包括若干在竖直方向上间隔排布的第二承载架，这样有利于第二半导体切片晶圆载具一次性放置多个半导体切片晶圆，第二半导体切片晶圆载具承载多个半导体切片晶圆进入缓冲腔体。
所述载具架适于承载水平排布的若干半导体发光器件载具，每一个半导体发光器件载具可以竖直堆叠不少于400个半导体发光器件，所述超高真空解理镀膜装置一天实际产出可超过6000个半导体发光器件，可以避免频繁取放所述半导体发光器件载具而破坏所述超高真空解理镀膜装置中的真空环境，有利于长时间维持较高的真空环境。
所述第一进样腔体5、第二进样腔体6和所述出样腔体3中均各自配置分子泵、干泵及烘烤装置，所述分子泵和干泵可以快速的对所述第一进样腔体5、第二进样腔体6和所述出样腔体3进行抽真空，所述烘烤装置可以快速的对若干所述半导体切片晶圆、第一半导体切片晶圆载具、第二半导体切片晶圆载具及载具架烘烤，加快获得真空环境，从而提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。
所述第一水平传送单元21、第二水平传送单元22、第三水平传送单元23、第一竖直传送单元31和所述第二竖直传送单元32均采用磁力耦合自动传送。
所述第一水平传送单元21包括位于所述解理腔体1内部的第一水平操作杆和位于所述解理腔体1外部的第一水平控制件，所述第一水平控制件利用磁力的作用控制所述第一水平操作杆的水平移动。所述第二水平传送单元22包括位于所述缓冲腔体4内部的第二水平操作杆和位于所述缓冲腔体4外部的第二水平控制件，所述第二水平控制件利用磁力的作用控制所述第二水平操作杆的移动。所述第三水平传送单元23包括位于所述解理腔体1内部的第三水平操作杆和位于所述解理腔体1外部的第三水平控制件，所述第三水平控制件利用磁力的作用控制所述第三水平操作杆的移动，所述第一竖直传送单元31包括位于所述镀膜腔体2内部的第一竖直操作杆和位于所述镀膜腔体2外部的第一竖直控制件，所述第一竖直控制件利用磁力的作用控制所述第一竖直操作杆的移动，所述第二竖直传送单元32包括位于所述缓冲腔体4内部的第二竖直操作杆和位于所述缓冲腔体4外部的第二竖直控制件，所述第二竖直控制件利用磁力的作用控制所述第二竖直操作杆的移动。这样有利于维护所述超高真空解理镀膜装置中的真空环境。
解理腔体的体积小于镀膜腔体的体积的0.35倍~0.4倍，例如0.36倍。本实施例中，由于所述半导体发光器件载具适于在所述解理腔体中承载从所述解理平台掉落的解理后的若干垂直堆叠的半导体发光器件，所述半导体发光器件载具的第一承载平台无需放置多个水平排布的半导体发光器件，因此本实施例中能设置第一承载平台的承载面的面积较小，这样第一承载平台占用解理腔体的空间变小。在一个实施例中，解理腔体的体积为1.5
Figure 834881DEST_PATH_IMAGE002
10-2m3~2.0
Figure 283180DEST_PATH_IMAGE002
10-2m3，例如1.6
Figure 344808DEST_PATH_IMAGE002
10-2m3。
在一个实施例中，所述第一承载平台的上表面的面积范围为1.2
Figure 271176DEST_PATH_IMAGE002
10-2m2~1.5
Figure 351127DEST_PATH_IMAGE002
10-2m2，例如1.3
Figure 704748DEST_PATH_IMAGE002
10-2m2。
在一个实施例中，镀膜腔体的体积为2.5
Figure 237361DEST_PATH_IMAGE002
10-2m3~2.7
Figure 216687DEST_PATH_IMAGE002
10-2m3，例如2.6
Figure 151145DEST_PATH_IMAGE002
10-2m3。
本实施例中，单个的超高真空解理镀膜装置仅包括一个缓冲腔体，这样无需设置多个缓冲腔体，降低了所述超高真空解理镀膜装置的体积。
本实施例中，第一半导体切片晶圆载具和第二半导体切片晶圆载具承载的半导体切片晶圆的正面面积均较小，这是由于半导体切片晶圆在放置在第一半导体切片晶圆载具和第二半导体切片晶圆载具上之前，进行了切割处理，切割处理使得半导体切片晶圆的面积缩小，半导体切片晶圆由半导体晶圆进行切割处理之后得到。半导体切片晶圆并没有达到解理的最小的单元，例如半导体切片晶圆的面积为18倍的半导体发光器件的面积~22倍的半导体发光器件的面积。因此能设置较小体积的第一半导体切片晶圆载具和较小体积的第二半导体切片晶圆载具，进而能设置较小体积的第一进样腔体和较小体积的第二进样腔体，第一进样腔体的底面积较小，第二进样腔体的底面积较小。在一个实施例中，第一进样腔体5的体积为7
Figure 410088DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3~7.5
Figure 961155DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3，例如7.5
Figure 229325DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3。第二进样腔体6的体积为7
Figure 34601DEST_PATH_IMAGE002
10- 4m3~7.5
Figure 261183DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3，例如7.5
Figure 33967DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3。第一进样腔体5的底面积为3.5
Figure 92446DEST_PATH_IMAGE002
10-4m2~4
Figure 267076DEST_PATH_IMAGE002
10-4m2，例如3.6
Figure 867821DEST_PATH_IMAGE002
10-4m2，第二进样腔体6的底面积为3.5
Figure 862322DEST_PATH_IMAGE002
10-4m2~4
Figure 472295DEST_PATH_IMAGE002
10-4m2，例如3.6
Figure 235852DEST_PATH_IMAGE002
10-4m2。
在一个实施例中，出样腔体3的体积为1.2
Figure 554969DEST_PATH_IMAGE002
10-3m3~1.5
Figure 302345DEST_PATH_IMAGE002
10-3m3，例如1.3
Figure 716009DEST_PATH_IMAGE002
10- 3m3。
在一个实施例中，缓冲腔体4的体积为8.5
Figure 848919DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3~9.5
Figure 322625DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3，例如9
Figure 26139DEST_PATH_IMAGE002
10-4m3。
第一进样腔体5的体积小于解理腔体的体积的0. 94倍~0.96倍且小于缓冲腔体的体积的0.96倍~0.97倍。第二进样腔体6的体积小于解理腔体的体积的0. 94倍~0.96倍且小于缓冲腔体的体积的0.96倍~0.97倍。由于第一半导体切片晶圆载具和第二半导体切片晶圆载具的底面积较小，因此缓冲腔体的底面积较也较小，通过缓冲腔体的底面积较减小所述缓冲腔体的体积。
由于出样腔体3只需要容纳所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架，因此出样腔体3的体积小于解理腔体的体积且小于缓冲腔体的体积。
由于在解理腔体中的载具架需所述载具架中水平排布的若干个半导体发光器件载具均承载有若干个垂直排布的半导体发光器件之后，所述第一水平传送单元才将承载有若干个垂直排布的半导体发光器件载具的载具架从解理腔体传送至所述出样腔体，不需要频繁的打开所述出样腔体，因此所述出样腔体与所述解理腔体中不需要设置缓冲腔体。
在缩小所述解理腔体、第一进样腔体、第二进样腔体、缓冲腔体体积的同时提高了所述解理腔体、第一进样腔体、第二进样腔体、缓冲腔体的空间利用率。
在一个实施例中，所述超高真空解理镀膜装置还包括：所述第一进样腔体5与所述缓冲腔体4之间具有连通所述第一进样腔体5与所述缓冲腔体4的第一通道，所述第三阀门43位于所述第一通道中；所述第二进样腔体6与所述缓冲腔体4之间具有连通所述第二进样腔体6与所述缓冲腔体4的第二通道，所述第四阀门44位于所述第二通道中；所述缓冲腔体4与所述解理腔体1之间具有连通所述缓冲腔体4与所述解理腔体1的第三通道，所述第五阀门45位于所述第三通道中；所述出样腔体3与所述解理腔体1之间具有连通所述出样腔体3与所述解理腔体1的第四通道，所述第二阀门42位于所述第四通道中；所述镀膜腔体2与所述解理腔体1之间具有连通所述镀膜腔体2与所述解理腔体1的第五通道，所述第一阀门41位于所述第五通道中。
由于半导体切片晶圆在放置在第一半导体切片晶圆载具和第二半导体切片晶圆载具上之前，进行了切割处理，切割处理使得半导体切片晶圆的面积缩小，半导体切片晶圆由半导体晶圆进行切割处理之后得到，半导体切片晶圆的长度变小，因此缩小了所述第一通道、第二通道和第三通道的长度，所述第一进样腔体与缓冲腔体之间、第二进样腔体与缓冲腔体、缓冲腔体与解理腔体之间的传送距离缩短有利于提高操作精度，也有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的整体体积。
由于所述半导体发光器件载具适于在所述解理腔体中承载从所述解理平台掉落的解理后的若干垂直堆叠的半导体发光器件，所述半导体发光器件载具的第一承载平台的面积只需要足够承载单个半导体发光器件的面积，因此本实施例中能设置第一承载平台的承载面的长度也较小，因此缩小了所述第四通道和第五通道的长度，所述出进样腔体与解理腔体之间、解理腔体与镀膜腔体之间的传送距离缩短有利于提高操作精度，也有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的整体体积。
在一个实施例中，所述超高真空解理镀膜装置还包括主支撑架与副支撑杆，所述主支撑架与所述副支撑杆对所述超高真空解理镀膜装置起支撑的作用。所述主支撑架位于所述镀膜腔体的底部，所述主支撑架支撑镀膜腔体。所述副支撑杆的一端与所述主支撑架固定连接，所述副支撑杆的另一端与所述第二通道底部连接，所述副支撑杆用于对所述第二通道起支撑作用。
副支撑杆对第二通道的支撑，第二通道和第三通道共同对缓冲腔体进行固定，这样缓冲腔体被悬空。
第一通道和第一进样腔体进行固定连接，由于第一进样腔体的体积较小，这样使得第一通道能较稳固的支撑第一进样腔体，这样第一进样腔体受到第一通道的作用力而悬空。
第二通道和第二进样腔体进行固定连接，由于第二进样腔体的体积较小，这样使得第二通道能较稳固的支撑第二进样腔体，这样第二进样腔体受到第二通道的作用力而悬空。第四通道和出样腔体固定连接，由于出样腔体的体积较小，这样使得第四通道能较稳固的支撑出样腔体，这样出样腔体受到第四通道的作用力而悬空。
所述第二竖直控制件位于所述主支撑架的内部。
第五通道的两端分别与镀膜腔体和解理腔体固定连接，这样使得镀膜腔体和解理腔体之间的相对位置固定。
在一个实施例中，所述第一通道至第五通道的材料均为高强度的铝合金，具有较强的硬度。
出样腔体位于缓冲腔体的底部，这样使得出样腔体位于缓冲腔体在竖直方向上排布，有利于缩小所述超高真空解理镀膜装置的占地面积。
本实施例还提供了一种超高真空解理镀膜的方法，其采用上述提供的超高真空解理镀膜装置，所述超高真空解理镀膜装置的工作方法包括以下步骤：
步骤S1：将半导体切片晶圆放置在解理平台上，并对所述半导体切片晶圆进行解理得到若干半导体发光器件；
步骤S2：解理后的若干半导体发光器件掉落在所述半导体发光器件载具的承载面上，若干半导体发光器件垂直排布；
步骤S3：采用所述第一定位销和所述第二定位销调节若干所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐。
在一个实施例中，所述半导体切片晶圆的表面具有若干切割线，切割线采用金刚石刀具或者激光进行制备，这样有利于对所述半导体切片晶圆进行解理，以使所述半导体切片晶圆形成若干所述半导体发光器件。
在一个实施例中，所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：解理后的半导体发光器件掉落在所述半导体发光器件载具100的承载面上之前，驱动所述第一定位销X1以使所述第一弹性件T1在所述第一方向X上拉伸，驱动所述第二定位销X2以使所述第二弹性件T2在所述第二方向Y上拉伸。这样使得相对的两个第一定位销之间的距离增大，相对的两个第二定位销之间的距离增大，提供给半导体发光器件掉落的空间。
在一个实施例中，采用第一定位销和所述第二定位销调节所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐的步骤为：所述第一弹性件T1在所述第一方向X上收缩，所述第二弹性件T2在所述第二方向Y上收缩，使若干半导体发光器件的边缘对齐。
所述第一定位销X1和所述第二定位销X2可将从解理平台掉落的解理后的若干半导体发光器件进行同时限位，从而保证若干所述半导体发光器件垂直排列的整齐度，可避免因所述半导体发光器件排列不整齐造成所述半导体发光器件镀膜异常报废，可以使得所述半导体发光器件不良率低于2%。
采用第一定位销和所述第二定位销调节所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐，具体的，垂直排列的若干所述半导体发光器件的前腔面互相对齐，竖直排列的若干所述半导体发光器件的后腔面互相对齐。
超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：采用所述第一定位销X1和所述第二定位销X2调节若干所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐之后，所述第一竖直传送单元31通过所述第一阀门41将承载有解理后的若干半导体发光器件的半导体发光器件载具传送至所述镀膜腔体2中；之后，在镀膜腔体2中，在若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜。
若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成的钝化膜，可防止环境中的水、氧及微尘污染等对若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面的表面造成氧化或污染。
在一个实施例中，所述镀膜腔体2对解理后的若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜的具体步骤为：所述镀膜腔体2在解理后的若干所述半导体发光器件的前腔面形成钝化膜，所述镀膜腔体2在解理后的若干所述半导体发光器件的前腔面形成钝化膜之后，所述镀膜腔体2再在解理后的若干所述半导体发光器件的后腔面形成钝化膜；或者，所述镀膜腔体2在解理后的若干所述半导体发光器件的后腔面形成钝化膜，所述镀膜腔体2在解理后的若干所述半导体发光器件的后腔面形成钝化膜之后，所述镀膜腔体2再在解理后的若干所述半导体发光器件的前腔面形成钝化膜。
超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：在若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜之后，所述第一竖直传送单元31将所述半导体发光器件载具从镀膜腔体2传送至所述解理腔体1；所述第一竖直传送单元31将所述半导体发光器件载具从镀膜腔体2传送至所述解理腔体1之后，所述第一水平传送单元21将所述半导体发光器件载具放置在载具架直至所述载具架中的水平排布若干个半导体发光器件载具都装满半导体发光器件；所述第一水平传送单元21将装满若干半导体发光器件的载具架从解理腔体1传送至所述出样腔体3。
在所述半导体切片晶圆放置在解理平台上之前，超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：所述第二水平传送单元22将第一半导体切片晶圆载具从所述第一进样腔体5传送至所述缓冲腔体4，所述第一半导体切片晶圆载具承载若干间隔的半导体切片晶圆；所述第二竖直传送单元32将所述第一半导体切片晶圆载具在所述缓冲腔体4中从上向下传送；所述第二竖直传送单元32将所述第一半导体切片晶圆载具在所述缓冲腔体4中从上向下传送之后，所述第三水平传送单元23将所述第一半导体切片晶圆载具从所述缓冲腔体4传送至所述解理腔体1。
在所述半导体切片晶圆放置在解理平台上之前，超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：所述第三水平传送单元23将第二半导体切片晶圆载具从所述第二进样腔体6传送至所述缓冲腔体4，所述第二半导体切片晶圆载具承载若干间隔的半导体切片晶圆；所述第三水平传送单元23将所述第二半导体切片晶圆载具从所述缓冲腔体4传送至所述解理腔体1。
在一个实施例中，所述第一半导体切片晶圆载具中的半导体切片晶圆解理结束之后，所述第一半导体切片晶圆载具将从所述解理腔体经过所述缓冲腔体返回至所述第一进样腔体，之后再在所述第一半导体切片晶圆载具中装满新的半导体切片晶圆，将装满新的半导体切片晶圆的第一半导体切片晶圆载具放置在所述第一进样腔体，之后，对所述新的半导体切片晶圆进行烘烤以及对所述第一进样腔体进行抽真空，之后进行新的一轮解理。
在一个实施例中，所述第二半导体切片晶圆载具中的半导体切片晶圆解理结束之后，所述第二半导体切片晶圆载具将从所述解理腔体经过所述缓冲腔体返回至所述第二进样腔体，之后再在所述第二半导体切片晶圆载具中装满新的半导体切片晶圆，将装满新的半导体切片晶圆的第二半导体切片晶圆载具放置在所述第二进样腔体，之后，对所述新的半导体切片晶圆进行烘烤以及对所述第二进样腔体进行抽真空，之后进行新的一轮解理。
在一个实施例中，超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：所述第二水平传送单元22将第一半导体切片晶圆载具从所述第一进样腔体5传送至所述缓冲腔体4之前，对若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具在所述第一进样腔体5中进行烘烤，具体为，对若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具在所述第一进样腔体5中进行烘烤的温度为150摄氏度-250摄氏度，例如200摄氏度，若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具在所述第一进样腔体5中烘烤的温度在此区间有利于对若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具进行加热以除去若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具表面吸附的水、氧，避免若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具进入所述解理腔体中释放出水、氧而破坏所述超高真空解理镀膜装置内的真空环境，有利于维持所述解理腔体和所述镀膜腔体中的真空环境。
在一个实施例中，若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具在所述第一进样腔体5烘烤的时间为1.5小时-2.5小时，例如2小时，若所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具在所述第一进样腔体中烘烤的时间小于1.5小时，则若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具烘烤的时间过短，可能难以除去若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具表面吸附的水、氧；若所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具在所述第一进样腔体中烘烤的时间大于2.5小时，则所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具烘烤的时间过长，不利于提高所述超高真空解理镀膜装置的整体产出效率。
在一个实施例中，在对若干所述半导体切片晶圆和所述第一半导体切片晶圆载具烘烤之后，所述第二水平传送单元22将第一半导体切片晶圆载具从所述第一进样腔体5传送至所述缓冲腔体4之前，还包括对所述第一进样腔体5进行抽真空，所述第一进样腔体5进行抽真空后的压强为0.5
Figure 977915DEST_PATH_IMAGE002
10-8托-5.0
Figure 732375DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，例如1
Figure 111404DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，若所述第一进样腔体2进行抽真空后的压强小于0.5
Figure 302214DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，则所述第一进样腔体5中的压强过小，由于所述若干半导体切片晶圆是从大气环境进入真空环境，因此所述第一进样腔体2的压强不需要过小，且若所述第一进样腔体5的压强过小，则对所述第一进样腔体5抽真空时间可能会过长，难以提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率；若所述第一进样腔体5进行抽真空后的压强大于1.5
Figure 323259DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，则所述第一进样腔体5中的压强过大，则不利于维持整个解理镀膜装置的超高真空环境。
在一个实施例中，超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：所述第三水平传送单元23将第二半导体切片晶圆载具从所述第二进样腔体6传送至所述缓冲腔体4之前，对若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具在所述第二进样腔体6中进行烘烤，具体为，对若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具在所述第二进样腔体6中进行烘烤的温度为150摄氏度-250摄氏度，例如200摄氏度，若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具在所述第二进样腔体6的烘烤温度在此区间有利于对若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具进行加热以除去若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具表面吸附的水、氧，避免若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具进入所述解理腔体中释放出水、氧而破坏所述超高真空解理镀膜装置内的真空环境，有利于维持所述解理腔体和所述镀膜腔体中的真空环境。
在一个实施例中，若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具在所述第二进样腔体6烘烤的时间为1.5小时-2.5小时，例如2小时，若所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具在所述第二进样腔体中烘烤的时间小于1.5小时，则若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具烘烤的时间过短，可能难以除去若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具表面吸附的水、氧；若所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具在所述第二进样腔体中烘烤的时间大于2.5小时，则所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具烘烤的时间过长，不利于提高所述超高真空解理镀膜装置的整体产出效率。
在一个实施例中，在对若干所述半导体切片晶圆和所述第二半导体切片晶圆载具烘烤之后，所述第三水平传送单元23将第二半导体切片晶圆载具从所述第二进样腔体6传送至所述缓冲腔体4之前，还包括对所述第二进样腔体6进行抽真空，所述第二进样腔体6进行抽真空后的压强为0.5
Figure 915915DEST_PATH_IMAGE002
10-8托-5.0
Figure 249200DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，例如1
Figure 192886DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，若所述第二进样腔体6进行抽真空后的压强小于0.5
Figure 752043DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，则所述第二进样腔体6中的压强过小，由于所述若干半导体切片晶圆是从大气环境进入真空环境，因此所述第二进样腔体6的压强不需要过小，且若所述第二进样腔体6的压强过小，则对所述第二进样腔体6抽真空时间可能会过长，难以提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率；若所述第二进样腔体6进行抽真空后的压强大于1.5
Figure 199205DEST_PATH_IMAGE002
10-8托，则所述第二进样腔体6中的压强过大，则不利于维持整个解理镀膜装置的超高真空环境。
在一个实施例中，所述第一进样腔体5与所述第二进样腔体6中均配备分子泵和干泵，所述分子泵和干泵可以快速的对若干所述半导体切片晶圆、第一半导体切片晶圆载具及所述第二半导体切片晶圆载具进行抽真空烘烤，加快获得真空环境，从而提高所述超高真空解理镀膜装置的工作效率。
对所述解理腔体1进行烘烤，对所述解理腔体1进行烘烤的温度为150摄氏度-300摄氏度，例如160摄氏度，若对所述解理腔体1进行烘烤的温度小于150摄氏度，则所述解理腔体1中的水、氧可能难以去除，难以有效的避免所述解理腔体1中的水、氧对解理之后的半导体发光器件的腔面造成氧化；若对所述解理腔体1进行烘烤的温度大于300摄氏度，则所述解理腔体1中的温度过高，可能会对所述解理腔体1造成损坏。对所述解理腔体1进行烘烤之后，对所述解理腔体1进行抽真空，对所述解理腔体1进行抽真空之后，所述解理腔体1中的压强小于1
Figure 670769DEST_PATH_IMAGE002
10-9托，例如0.8
Figure 836171DEST_PATH_IMAGE002
10-9托；若所述解理腔体1中的压强大于1
Figure 933440DEST_PATH_IMAGE002
10-9托，则所述解理腔体1中的环境难以有效的避免半导体发光器件的腔面氧化。解理腔体1在启动工作至结束工作的过程中，只需要进行一次对解理腔体1的烘烤和一次对解理腔体1的抽真空。对解理腔体1的抽真空之后，连续对多个半导体切片晶圆进行解理直至解理腔体1解理工作结束。
在一个实施例中，在对所述半导体发光器件镀膜过程中，所述镀膜腔体2中的压强小于1
Figure 500687DEST_PATH_IMAGE002
10-9托，例如0.8
Figure 392420DEST_PATH_IMAGE002
10-9托；若在所述半导体发光器件镀膜过程中，所述镀膜腔体2中的压强大于1
Figure 559965DEST_PATH_IMAGE002
10-9托，则所述镀膜腔体2中的环境难以有效的避免半导体发光器件的腔面氧化。
对所述镀膜腔体2进行烘烤，对所述镀膜腔体2进行烘烤的温度为150摄氏度-300摄氏度，例如160摄氏度，若对所述镀膜腔体2进行烘烤的温度小于150摄氏度，则所述镀膜腔体2中的水、氧可能难以去除，难以有效的避免所述镀膜腔体2中的水、氧对解理之后的半导体发光器件的腔面造成氧化；若对所述镀膜腔体2进行烘烤的温度大于300摄氏度，则所述镀膜腔体2中的温度过高，可能会对所述镀膜腔体2造成损坏。对所述镀膜腔体2进行烘烤之后，对所述镀膜腔体2进行抽真空，对所述镀膜腔体2进行抽真空之后，所述镀膜腔体2中的压强小于1
Figure 460925DEST_PATH_IMAGE002
10-9托，例如0.8
Figure 617100DEST_PATH_IMAGE002
10-9托；若在所述半导体发光器件镀膜过程中，所述镀膜腔体2中的压强大于1
Figure 23941DEST_PATH_IMAGE002
10-9托，则所述镀膜腔体2中的环境难以有效的避免半导体发光器件的腔面氧化。镀膜腔体2在启动工作至结束工作的过程中，只需要进行一次对镀膜腔体2的烘烤和一次对镀膜腔体2的抽真空。对镀膜腔体2的抽真空之后，解理腔体1连续对多个半导体切片晶圆进行镀膜直至镀膜腔体2镀膜工作结束。
在一个实施例中，所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：在所述第一水平传送单元21将所述载具架从所述出样腔体传送至所述解理腔体1之前，对所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架在所述出样腔体中进行烘烤，具体为，对所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架在所述出样腔体中进行烘烤的温度为150摄氏度-250摄氏度，例如200摄氏度，若所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架在所述出样腔体3中烘烤的温度在此区间有利于对所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架进行加热以除去所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架表面吸附的水、氧，避免所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架进入所述解理腔体中释放出水、氧而破坏所述超高真空解理镀膜装置内的真空环境，有利于维持所述解理腔体和所述镀膜腔体中的真空环境。
在一个实施例中，在所述第一水平传送单元21将所述载具架从所述出样腔体传送至所述解理腔体1之前，对所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架在所述出样腔体中进行烘烤的时间为1.5小时-2.5小时，例如2小时，若干所述半导体发光器件载具及载具架在所述出样腔体中烘烤的时间小于1.5小时，则若干所述半导体发光器件载具及载具架烘烤的时间过短，可能难以除去所述若干半导体发光器件载具及载具架吸附的水、氧；若干所述半导体发光器件载具及载具架在所述出样腔体中烘烤的时间大于2.5小时，则所述若干半导体发光器件载具及载具架烘烤的时间过长，不利于提高所述超高真空解理镀膜装置的解理效率。
在一个实施例中，对所述若干个半导体发光器件载具和所述载具架在所述出样腔体中进行烘烤之后，在所述第一水平传送单元21将所述载具架从所述出样腔体传送至所述解理腔体1之前，还包括对所述出样腔体进行抽真空，对所述出样腔体进行抽真空之后，所述出样腔体中的压强小于1
Figure 163936DEST_PATH_IMAGE002
10-7托，例如0.8
Figure 868587DEST_PATH_IMAGE002
10-7托；若对所述出样腔体进行抽真空之后，所述出样腔体中的压强大于1
Figure 385326DEST_PATH_IMAGE002
10-7托，则不利于维持整个解理镀膜装置的真空度。
在对所述超高真空解理镀膜装置的各个腔体进行抽真空后，所述第一进样腔体5中的压强大于所述缓冲腔体4的压强，所述缓冲腔体4中的压强大于所述解理腔体1的压强，所述第二进样腔体6中的压强大于所述缓冲腔体4的压强，所述出样腔体3中的压强大于所述解理腔体1中的压强，所述解理腔体1中的压强大于或者等于所述镀膜腔体2中的压强。
本发明提供的超高真空解理镀膜装置的长度为1.4m-1.6m之间，例如1.5m，宽度为1.4m-1.6m之间，例如1.5m，高度为1.9m-2.1m之间，例如2m，本发明提供的超高真空解理镀膜装置的体积小且便于维护。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (19)

1.一种超高真空解理镀膜装置，其特征在于，包括：
解理腔体；
位于所述解理腔体中的解理平台；
半导体发光器件载具；
所述半导体发光器件载具包括：第一承载平台，所述第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于所述第一定位槽中的第一定位销；分别位于所述第二定位槽中的第二定位销；所述第一定位销适于沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动；所述第二定位销适于沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动；所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述第一承载平台的承载面，所述第一定位销和所述第二定位销适于对从所述解理平台掉落至所述第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。
2.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述半导体发光器件载具还包括：位于所述第一定位销和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件，所述第一弹性件的一端与所述第一定位销连接，所述第一弹性件的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件，所述第二弹性件的一端与所述第二定位销连接，所述第二弹性件的另一端与所述第二定位槽的内壁连接。
3.根据权利要求1或2所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元适于驱动所述第一定位销沿着所述第一定位槽在所述第一方向上移动，所述载具驱动单元还适于驱动所述第二定位销沿着所述第二定位槽在所述第二方向上移动。
4.根据权利要求3所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，第一方向上相对设置的第一定位槽包括：在所述第一方向上相对设置的第一个第一定位槽和第二个第一定位槽；
第二方向上相对设置的第二定位槽包括：在所述第二方向上相对设置的第一个第二定位槽和第二个第二定位槽、以及在所述第二方向上相对设置的第三个第二定位槽和第四个第二定位槽；所述第一个第二定位槽和所述第三个第二定位槽在所述第一方向上相对设置，所述第二个第二定位槽和所述第四个第二定位槽在所述第一方向上相对设置；
所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体内的载具驱动单元，所述载具驱动单元包括：位于所述第一承载平台底部的主动旋转齿轮、第一从动旋转齿轮和第二从动旋转齿轮，所述主动旋转齿轮的中心轴、第一从动旋转齿轮的中心轴和第二从动旋转齿轮的中心轴均垂直于所述第一承载平台，所述第一从动旋转齿轮和所述第二从动旋转齿轮在所述第一方向上位于所述主动旋转齿轮的两侧；
所述第一从动旋转齿轮适于驱动所述第一个第二定位槽中的第二定位销和所述第二个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第一个第一定位槽中的第一定位销在第一方向上远离所述主动旋转齿轮；
所述第二从动旋转齿轮适于驱动所述第三个第二定位槽中的第二定位销和所述第四个第二定位槽中的第二定位销在所述第二方向上相互远离的同时使所述第二个第一定位槽中的第一定位销在所述第一方向上远离所述主动旋转齿轮。
5.根据权利要求4所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述第一从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第一从动旋转齿轮的周向依次排布的第一齿、第二齿、第三齿和第一咬合齿组；所述第二从动旋转齿轮的边缘具有相互间隔且在所述第二从动旋转齿轮的周向依次排布的第五齿、第六齿、第七齿和第二咬合齿组；
所述第一个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第一齿和所述第二齿之间且与所述第一齿的侧壁接触，所述第一个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第二齿和所述第三齿之间且与所述第二齿的侧壁接触，所述第二个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第三齿和所述第一咬合齿组之间且与所述第三齿的侧壁接触，所述第一咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合；
所述第三个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第五齿和所述第二咬合齿组之间且与所述第五齿的侧壁接触，所述第二个第一定位槽中的第一定位销延伸至所述第五齿和所述第六齿之间且与所述第六齿的侧壁接触，所述第四个第二定位槽中的第二定位销延伸至所述第六齿和所述第七齿之间且与所述第七齿的侧壁接触，所述第二咬合齿组与所述主动旋转齿轮的齿咬合。
6.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述第一定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度；所述第二定位销的顶面与所述第一承载平台的承载面之间的距离至少大于两倍的所述半导体发光器件的厚度。
7.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述解理腔体的顶壁设置有观察窗口，所述观察窗口的上方设置有图像传感器，所述图像传感器与所述解理平台相对设置。
8.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：位于所述解理腔体中的解理刀具；微型机械移动装置；
所述微型机械移动装置包括：位于所述解理腔体内部的晶圆抓取机械手和位于解理腔体外部的第一电机，所述第一电机用于驱动所述晶圆抓取机械手抓取半导体切片晶圆至所述解理平台上，所述第一电机用于在解理过程中移动所述半导体切片晶圆在所述解理平台上的位置。
9.根据权利要求1所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：镀膜腔体，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部。
10.根据权利要求9所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，所述镀膜腔体与所述解理腔体之间设置有第一阀门；
超高真空解理镀膜装置还包括：第一竖直传送单元，所述第一竖直传送单元适于通过所述第一阀门在所述解理腔体和所述镀膜腔体之间传送所述半导体发光器件载具。
11.根据权利要求1、9或10所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：位于所述解理腔体侧部的出样腔体，所述出样腔体与所述解理腔体之间设置有第二阀门；载具架，所述载具架适于承载水平排布的若干半导体发光器件载具；
第一水平传送单元，所述第一水平传送单元适于通过所述第二阀门在所述出样腔体和所述解理腔体之间传送载具架。
12.根据权利要求11所述的超高真空解理镀膜装置，还包括：缓冲腔体，所述缓冲腔体位于所述解理腔体的侧部，且所述缓冲腔体位于所述出样腔体的顶部。
13.根据权利要求12所述的超高真空解理镀膜装置，还包括：第一进样腔体和第二进样腔体；所述第一进样腔体和所述第二进样腔体位于所述缓冲腔体的侧部，所述第一进样腔体位于所述第二进样腔体的顶部。
14.根据权利要求13所述的超高真空解理镀膜装置，其特征在于，还包括：第一半导体切片晶圆载具；第二半导体切片晶圆载具；
第二水平传送单元，所述第二水平传送单元适于在所述第一进样腔体和所述缓冲腔体之间传送第一半导体切片晶圆载具；
第三水平传送单元，所述第三水平传送单元适于通过所述缓冲腔体在所述第二进样腔体和所述解理腔体之间传送第二半导体切片晶圆载具；
第二竖直传送单元，所述第二竖直传送单元适于在所述缓冲腔体中上下传送所述第一半导体切片晶圆载具；
所述第三水平传送单元还适于在所述缓冲腔体和所述解理腔体之间传送所述第一半导体切片晶圆载具。
15.一种超高真空解理镀膜装置的工作方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至14任意一项所述的超高真空解理镀膜装置；
将半导体切片晶圆放置在解理平台上，并对所述半导体切片晶圆进行解理得到若干半导体发光器件；
解理后的若干半导体发光器件依次掉落在所述半导体发光器件载具的承载面上，若干半导体发光器件垂直排布；
采用所述第一定位销和所述第二定位销调节若干所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐。
16.根据权利要求15所述的超高真空解理镀膜装置的工作方法，其特征在于，所述半导体发光器件载具还包括：位于所述第一定位销和所述第一定位槽的内壁之间的第一弹性件，所述第一弹性件的一端与所述第一定位销连接，所述第一弹性件的另一端与所述第一定位槽的内壁连接；位于所述第二定位销和所述第二定位槽的内壁之间的第二弹性件，所述第二弹性件的一端与所述第二定位销连接，所述第二弹性件的另一端与所述第二定位槽的内壁连接；
所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：解理后的半导体发光器件掉落在所述半导体发光器件载具的承载面上之前，驱动所述第一定位销以使所述第一弹性件在所述第一方向上拉伸，驱动所述第二定位销以使所述第二弹性件在所述第二方向上拉伸；
采用第一定位销和所述第二定位销调节所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐的步骤为：所述第一弹性件在所述第一方向上收缩且所述第二弹性件在所述第二方向上收缩，使若干半导体发光器件的边缘对齐。
17.根据权利要求15所述的超高真空解理镀膜装置的工作方法，其特征在于，所述超高真空解理镀膜装置还包括：所述镀膜腔体，所述镀膜腔体位于所述解理腔体的底部，所述镀膜腔体和所述解理腔体之间设置有第一阀门；第一竖直传送单元；
所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：采用所述第一定位销和所述第二定位销调节若干所述半导体发光器件在所述半导体发光器件载具的承载面上的位置直至若干半导体发光器件的边缘对齐之后，所述第一竖直传送单元通过所述第一阀门将承载有解理后的若干半导体发光器件的半导体发光器件载具传送至所述镀膜腔体中；在若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜。
18.根据权利要求17所述的超高真空解理镀膜装置的工作方法，其特征在于，所述超高真空解理镀膜装置还包括：位于所述解理腔体侧部的出样腔体；所述出样腔体与所述解理腔体之间设置有第二阀门；第一水平传送单元；载具架；
所述超高真空解理镀膜装置的工作方法还包括：在若干所述半导体发光器件的前腔面和后腔面形成钝化膜之后，所述第一竖直传送单元将所述半导体发光器件载具从镀膜腔体传送至所述解理腔体；所述第一竖直传送单元将所述半导体发光器件载具镀膜腔体传送至所述解理腔体之后，所述第一水平传送单元将所述半导体发光器件载具放置在载具架直至所述载具架中水平排布的若干个半导体发光器件载具上均承载有若干个垂直排布的半导体发光器件；所述第一水平传送单元将承载若干半导体发光器件载具的载具架从解理腔体传送至所述出样腔体。
19.根据权利要求15所述的超高真空解理镀膜装置的工作方法，其特征在于，所述超高真空解理镀膜装置还包括：第一进样腔体、第二进样腔体和缓冲腔体，所述第一进样腔体位于所述第二进样腔体的顶部，所述第一进样腔体和所述第二进样腔体位于所述缓冲腔体的侧部，所述解理腔体位于所述缓冲腔体的侧部；第二水平传送单元；第三水平传送单元；第二竖直传送单元；
在所述半导体切片晶圆放置在解理平台上之前，工作方法还包括：所述第二水平传送单元将第一半导体切片晶圆载具从所述第一进样腔体传送至所述缓冲腔体，所述第一半导体切片晶圆载具承载若干间隔的半导体切片晶圆；所述第二竖直传送单元将所述第一半导体切片晶圆载具在所述缓冲腔体中从上向下传送；所述第二竖直传送单元将所述第一半导体切片晶圆载具在所述缓冲腔体中从上向下传送之后，所述第三水平传送单元将所述第一半导体切片晶圆载具从所述缓冲腔体传送至所述解理腔体；
在所述半导体切片晶圆放置在解理平台上之前，工作方法还包括：所述第三水平传送单元将第二半导体切片晶圆载具从所述第二进样腔体传送至所述缓冲腔体，所述第二半导体切片晶圆载具承载若干间隔的半导体切片晶圆；第三水平传送单元将所述第二半导体切片晶圆载具从所述缓冲腔体传送至所述解理腔体。
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