CN113795907A - 基板保持架、基板贴合装置以及基板贴合方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 1047
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 162
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 19
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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Abstract
基板保持架具备:中央支承部,其支承基板的中央部;以及外周支承部,其配置在中央支承部的外侧,支承中央部的外侧的外周部,外周支承部将外周部支承为:外周部的至少一部分区域朝向基板保持架以比中央部大的曲率弯曲。
Description
技术领域
本发明涉及基板保持架、基板贴合装置以及基板贴合方法。
背景技术
公知有这样的技术:将表面活化的基板保持于基板保持架,并使该基板的表面彼此直接贴合而形成层叠基板。作为基板保持架的一个例子,有这样的保持架:通过真空吸附来保持被载置在保持面上的基板,保持面由在外周侧呈环状连续的壁部和配置在壁部的内侧的许多个支承销形成(例如,专利文献1)。
专利文献1:日本特开2015-95649号公报
然而,在使用了上述基板保持架的贴合中,存在在层叠基板的外周部产生许多空隙这样的不良情况。
发明内容
本发明的一形态提供一种基板保持架。基板保持架也可以具备支承基板的中央部的中央支承部。基板保持架也可以具备外周支承部,该外周支承部配置在中央支承部的外侧,支承基板的外周部。外周支承部将外周部支承为:外周部的至少一部分区域朝向基板保持架以比中央部大的曲率弯曲。
外周支承部也可以具有环状的壁部,该壁部支承外周部的包含至少一部分区域在内的周缘侧。
外周支承部也可以具有与中央支承部邻接地配置的内侧区域。外周支承部也可以具有配置在内侧区域的外侧的外侧区域。外周支承部也可以将外周部支承为:在外周部中,被外侧区域支承的部分以比被内侧区域支承的部分大的曲率朝向基板保持架弯曲。
外周支承部也可以具有曲面,该曲面将将外周部支承为:至少一部分区域朝向基板保持架以比中央部大的曲率弯曲。
也可以是:曲面包括多个通气孔,能够通过负压吸附基板的外周部。
外周支承部也可以具有虚拟的支承面为曲面的多个支承销。外周支承部也可以利用曲面将外周部支承为:至少一部分区域朝向基板保持架以比中央部大的曲率弯曲。
也可以是:外周支承部包括能够分别独立地吸附所述基板的所述外周部的多个吸附区域。
多个吸附区域也可以位于供推压基板的外周部的升降销插入的孔的周围。
本发明的一形态提供一种基板保持架。基板保持架也可以具备支承基板的中央部的中央支承部。基板保持架也可以具备外周支承部,该外周支承部配置在中央支承部的外侧,支承基板的外周部。外周支承部的支承面的高度相对于距中央支承部的中心的距离的变化的变化率也可以大于中央支承部的支承面的高度相对于距中心的距离的变化的变化率。
本发明的一形态提供一种基板保持架。也可以是:基板保持架用于保持基板,在使基板的一部分与其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过扩大接触区域来使基板和其他基板贴合。也可以是:该基板保持架具备减速部,减速部在基板的外周部减小接触区域的扩大的进展速度以及基板与其他基板间的流体的移动速度中至少一者。
本发明的一形态提供一种基板保持架。也可以是:基板保持架用于保持基板,在使基板的一部分与其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过扩大接触区域来使基板和其他基板贴合。也可以是:基板保持架具备释放部,释放部将因接触区域的扩大而在基板与其他基板之间移动的流体释放到基板以及其他基板的外侧。
本发明的一形态提供一种基板贴合装置,该基板贴合装置使用上述基板保持架,使被保持于基板保持架的基板与其他基板贴合。
也可以是:基板贴合装置具备驱动部,驱动部使基板保持架的外周支承部变形为:基板在外周部的至少一部分区域朝向基板保持架以比中央部大的曲率弯曲。
也可以是:基板贴合装置在使基板的一部分与其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过扩大接触区域来使基板和其他基板贴合。基板贴合装置也可以还具备检测部,检测部检测基板与其他基板之间的接触区域到达预定的位置。也可以是:与由检测部检测到接触区域到达位置相应地,驱动部使外周支承部变形。
也可以是:基板贴合装置还具备取得部,所述取得部分别针对基板和其他基板,取得在基板的外周部形成的修边的宽度、在由基板保持架保持之前产生的所述外周部的弯曲的朝向、弯曲的大小、形成在外周部的凹口的位置、制造工艺以及材料中至少一者的信息。也可以是:驱动部根据取得部取得的信息,使基板保持架的外周支承部的变形量不同。
基板贴合装置也可以具备多个基板保持架。也可以是:由外周支承部弯曲的至少一部分区域的曲率、至少一部分区域的宽度以及至少一部分区域的位置中至少一者在多个基板保持架各不相同。
本发明的一形态提供一种基板贴合方法。基板贴合方法也可以具备利用基板保持架保持基板的步骤,由基板保持架保持基板的中央部,并且,由基板保持架将基板的外周部保持为外周部的至少一部分区域朝向基板保持架以比中央部大的曲率弯曲。基板贴合方法也可以具备利用其他基板保持架保持其他基板的步骤。基板贴合方法也可以具备基板贴合步骤,在使基板的一部分与其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过使接触区域扩大来使基板和其他基板贴合。
上述发明内容并未列举本发明的所有必要特征。这些特征组的子组合也可以成为发明。
附图说明
图1是基板贴合装置100的俯视示意图。
图2是贴合部300的剖视示意图。
图3是贴合部300的剖视示意图。
图4是贴合部300的剖视示意图。
图5是贴合部300的剖视示意图。
图6是贴合部300的剖视示意图。
图7是接触区域的扩大和上下晶圆的相对形状的说明图。
图8的(a)是贴合过程中保持基板210、230的基板保持架240的俯视示意图,图8的(b)是X-X剖视图。
图9是用于说明在使用了基板保持架240的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214处的基板间隔扩大的局部放大剖视示意图。
图10是使用了基板保持架250的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
图11是用于说明凹口211、231的周围的BW结束位置214的差异和因该差异引起的绝热膨胀空隙的产生风险的局部放大俯视示意图。
图12是用于说明基板保持架240的孔247的周围的吸附区域的变化和因该变化引起的绝热膨胀空隙的产生风险的局部放大俯视示意图。
图13是在贴合过程中保持基板210、230的基板保持架260的俯视示意图。
图14是用于说明使用了基板保持架260的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的基板间隔调整的局部放大剖视示意图。
图15是用于说明在使用了基板保持架270的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214处的基板间隔调整的局部放大剖视示意图。
图16是使用了基板保持架280的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
图17是使用了作为图16所示的基板保持架280的变形例的基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
图18是表示将包括锥形部237的基板230载置于图17所示的基板保持架290的过程的局部放大图。
图19是使用了图18所示的基板230以及基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
图20是基板210包括台阶部213以及凸弯曲膜216的情况下的使用了图17所示的基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
图21是在基板210包括台阶部213且基板210、230分别包括空隙流入槽218、238的情况下的使用了图17所示的基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
图22是在基板210包括台阶部213且基板210、230分别包括背面台阶部219、239的情况下的使用了图9所示的基板保持架240的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
具体实施方式
以下,对发明的实施方式进行说明。下述的实施方式并非用于限定权利要求书中的各方案。在实施方式中所说明的特征的组合并非都是发明的解决手段所必须的。
图1是基板贴合装置100的俯视示意图。基板贴合装置100具备:壳体110、基板盒120、130、保持架收纳器400、输送部140、贴合部300、预对准器500以及控制部150。
壳体110将基板盒120、130、输送部140、贴合部300、保持架收纳器400以及预对准器500收纳。壳体110的内部被进行了温度管理,例如,被保持为室温。
基板盒120收纳要进行贴合的基板210、230。基板盒130收纳将至少两个基板210、230贴合而制作出的层叠基板201。
基板210、230均是在硅晶圆的表面形成有多个构造物。多个构造物的一个例子是在基板210、230各自的表面沿面方向周期性地配置的多个电路区域,并且在多个电路区域中的每一个电路区域都设有通过光刻技术等而形成的布线、保护膜、在将基板210、230电连接于其他基板230、210、引线框等时成为连接端子的焊盘、凸块等连接构造。多个构造物的另一个例子是成为基板210、230与其他基板230、210对位时的指标的多个对准标记。多个对准标记例如设置为刻痕线,刻痕线配置在基板210、230各自的表面的多个电路区域相互之间。
保持架收纳器400收纳对基板210、230进行保持的基板保持架220、240。基板保持架220、240由氧化铝陶瓷等硬质材料形成,并且利用静电吸盘、真空吸盘等吸附并保持基板210、230、层叠基板201等。基板保持架220、240的支承面的整体形状可以是平坦的,也可以是中凸形状,例如也可以是与所保持的基板的面内的形变对应的形状那样的自由曲面。
输送部140分别以单体保持、输送基板210、230、基板保持架220、240、层叠基板201等,或者,对保持有基板210、230、层叠基板201等的基板保持架220、240等进行保持、输送。
贴合部300具有对置的上工作台322以及下工作台332。上工作台322通过基板保持架220、240保持基板210、230。下工作台332也同样地通过基板保持架220、240保持基板210、230。
上工作台322以及下工作台332各自也可以直接保持基板210、230。在该情况下,也可以将基板保持架固定于上工作台322以及下工作台332。换言之,在称为基板保持架的情况下,有时指的是基板保持架220、240这样的能够输送的装置,有时指的是被设置为固定于上工作台322以及下工作台332这样的不能输送的装置。
贴合部300将被分别保持于上工作台322以及下工作台332的基板210、230相互对位。然后,贴合部300通过维持将基板210、230中的一者保持于上工作台322以及下工作台332中的一者的状态并解除上工作台322以及下工作台332中的另一者对基板210、230中的另一者的保持,从而使基板210、230相互接触,进行贴合。
这里,贴合状态可以是指这样的状态:将层叠的两个基板所设有的端子相互连接,由此,确保了两个基板间电导通。另外,也可以是指这样的状态:将层叠的两个基板所设有的端子相互连接,由此,两个基板的贴合强度成为规定的强度以上。另外,在通过对层叠的两个基板进行退火等处理来将两个基板的端子电连接的情况下,也可以是指在退火等处理前使两个基板暂时结合的状态、即临时接合的状态。另外,在两个基板接合之后在两个基板形成用于电连接的端子的情况下,也可以是指两个基板的没有形成端子的接合面彼此接合的状态。另外,在通过对层叠的两个基板进行退火等处理来使两个基板的接合强度成为规定强度以上的情况下,也可以是指在退火等处理前的上述临时接合的状态。通过退火使接合强度成为规定强度以上的状态例如包含两个基板的表面彼此通过共价键结合的状态。另外,临时接合的状态包含能够使重叠的两个基板分离并进行再利用的状态。
预对准器500分别进行基板210、230与基板保持架220、240之间的对位,将基板210、230分别保持于基板保持架220、240。
控制部150使基板贴合装置100的各部分相互配合地进行统一控制。另外,控制部150例如从外部接收使用者的指示,设定在制造层叠基板201时的制造条件。控制部150也可以还具有将基板贴合装置100的动作状态显示给外部的使用者的使用者界面。
对于上述那样的基板贴合装置100,除了如上述那样形成有元件、电路、端子等的基板210、230之外,还能够进行没有形成构造物的未加工的硅晶圆即裸硅、添加了Ge的SiGe基板、Ge单晶基板、III-V族或者II-VI族等化合物半导体晶圆、以及、玻璃基板等的贴合。贴合的对象也可以是电路基板和未加工基板,还可以是未加工基板彼此。要贴合的基板210、230也可以是本身具有已经层叠有多个基板的层叠基板201。要贴合的基板210、230也可以是例如在没有产生形变的状态下具有彼此大致相同的外形尺寸。此外,基板210、230的外形可以是大致圆形状,也可以是其他形状。
图2~图6是贴合部300的剖视示意图。使用图2~图6对本实施方式的贴合部300的结构和贴合部300的对基板210和基板230的贴合过程的概要进行说明。在本实施方式中,作为一个例子,贴合部300的上工作台322通过基板保持架220保持基板210,下工作台332通过基板保持架240保持基板230。
在基板210、230的贴合过程中,首先,基于来自控制部150的指令,由输送部140将保持有基板210的基板保持架220输入贴合部300并保持于上工作台322,将保持有基板230的基板保持架240输入贴合部300并保持于下工作台332。在图2中示出通过基板保持架而将基板保持于各工作台的状态。
上工作台322具有真空吸盘、静电吸盘等的保持功能,面朝下方地固定于框体310的顶板316。下工作台332具有真空吸盘、静电吸盘等的保持功能,且搭载于与在框体310的底板312配置的X方向驱动部331重叠的Y方向驱动部333的上表面。此外,在图2~图6中,将基板保持架220、240的支承面的结构简化,描绘成平坦状。
在顶板316且是在上工作台322的侧方,固定有显微镜324以及活化装置326。显微镜324能够观察被保持于下工作台332的基板230的上表面。
活化装置326产生使被间接地保持于下工作台332的基板230的上表面清洁化的等离子体。对于活化装置326,例如在减压气氛下激发作为处理气体的氧气体而使其等离子体化,并将氧离子照射到两个基板各自的贴合面,由此,例如在基板230为在Si上形成有SiO膜的晶圆的情况下,切断贴合面的SiO的键,形成Si和O的悬空键。有时将在晶圆的表面形成这样的悬空键的情况称为活化。在该状态下若暴露于大气,则空气中的水分会与悬空键结合,基板表面会被OH基覆盖。由此,晶圆的表面成为与水分子容易结合的状态,即成为容易亲水化的状态。即,通过活化,结果使得晶圆的表面成为容易亲水化的状态。虽未图示,使晶圆的表面亲水化的亲水化装置例如利用纯水分别涂覆两晶圆的贴合面,从而使贴合面亲水化,并将贴合面清洗。
X方向驱动部331与底板312平行地沿图中箭头X所示的方向移动。Y方向驱动部333在X方向驱动部331上与底板312平行地沿图中箭头Y所示的方向移动。通过将X方向驱动部331和Y方向驱动部333的动作组合,下工作台332与底板312平行地二维移动。
另外,下工作台332由升降驱动部338支承,通过升降驱动部338的驱动,沿图中的箭头Z所示的方向升降。像这样,下工作台332使保持于基板保持架240的基板230和保持于基板保持架220的基板210之间的相对位置在下工作台332与通过基板保持架220而保持基板210的上工作台322之间位移。
下工作台332在X方向驱动部331、Y方向驱动部333以及升降驱动部338驱动下的移动量使用干涉仪等精密地测量。
在Y方向驱动部333且是在下工作台332的侧方,分别搭载有显微镜334以及活化装置336。显微镜334能够观察被保持于上工作台322的基板210的下表面即表面。活化装置336产生使基板210的表面清洁化的等离子体。其中,也可以将该活化装置326以及336设于跟贴合部300不同的装置,并利用机器人将表面活化了的基板以及基板保持架从活化装置326、336输送到贴合部300。
另外,贴合部300也可以还具备使下工作台332绕垂直于底板312的旋转轴旋转的旋转驱动部、以及、使下工作台332摆动的摆动驱动部。由此,能够使下工作台332与上工作台322平行,并且使被保持于下工作台332的基板230旋转,提高基板210、230的对位精度。
显微镜324、334在控制部150的控制下相互聚焦或者观察共用的指标,从而进行校准。由此,测量贴合部300中的一对显微镜324、334的相对位置。
在图2所示的状态下,接着,如图3所示,控制部150使X方向驱动部331以及Y方向驱动部333动作,利用相对位置已知的显微镜324、334来检测基板210以及基板230各自所设有的对准标记,计算基板210和基板230之间的相对位置。之后,计算基板210与基板230之间的相对移动量,使得基板210以及基板230的对应的对准标记间的位置偏移量为预定的阈值以下,并且,使得在基板210以及基板230之间对应的连接构造的位置偏移量为预定的阈值以下。位置偏移可以是指贴合后的基板210与基板230之间的对应的对准标记间的位置偏移,也可以是指贴合后的基板210与基板230之间的对应的连接构造间的位置偏移。位置偏移有时是因为两个基板210、230各自所产生的形变的量的差异而引起的。
这里,阈值可以是在基板210、230的相互贴合完成时在基板210、230间能够电导通的偏移量,也可以是基板210、230各自所设有的构造物彼此至少一部分接触时的偏移量。控制部150也可以在基板210、230间的位置偏移为预定的阈值以上的情况下,判断为是连接构造彼此不接触或者无法得到妥善的电导通的状态、或在连接构造间无法获得规定的接合强度的状态。
在图3所示的状态下,接着,如图4所示,通过化学方式使基板210以及基板230各自的贴合面活化。控制部150首先在下工作台332的位置复位为初始位置之后,使其水平移动,利用活化装置326、336生成的等离子体扫描基板210以及基板230的表面。由此,基板210以及基板230各自的表面清洁化,化学活性提高。其中,基板210以及基板230的活化也可以在基板间的相对位置的计算之前进行,还可以在将基板210以及基板230输入基板贴合装置100之前进行。
除了暴露于等离子体的方法之外,也能够通过使用非活性气体的溅射蚀刻、离子束、或者、高速原子束等来将基板210、230的表面活化。在使用离子束、高速原子束的情况下,能够在减压下生成贴合部300。另外,也能够通过紫外线照射、臭氧灰化等来将基板210、230活化。此外,例如也可以使用液体或者气体的蚀刻剂化学清洁基板210、230的表面来进行活化。也可以在基板210、230的表面活化后,利用亲水化装置使基板210、230的表面亲水化。
在图4所示的状态下,接着,如图5所示,控制部150使下工作台332移动,使基板210与基板230相互对位。更具体而言,控制部150基于显微镜324、334的相对位置和基板210、230的对准标记的位置,使下工作台332移动,以使彼此的对准标记的位置一致。
在图5所示的状态下,接着,如图6所示,控制部150使升降驱动部338动作,使下工作台332上升,使基板210和基板230相互接近。然后,在使基板230的一部分与基板210的一部分接触而形成接触区域之后,通过扩大接触区域而将基板230以及基板210贴合。
例如,在基板保持架240具有中凸形状的支承面的情况下,使跟随基板保持架240的弯曲的支承面而变形为凸状的基板230的突出部分与基板210接触而形成了接触区域,之后,扩大该接触区域,从而在使基板230变形的状态下将基板210和基板230贴合。
更具体而言,首先,使基板210与基板230接近,使基板210以及基板230的一部分相互接触,在已经活化了的该接触部位形成接触区域。之后,解除基板保持架220对基板210的保持,由此,由于活化表面相互的分子间作用力,与该接触部位邻接的区域自动地相互吸附,产生该接触区域朝向基板210以及基板230的径向外侧依次扩展的接合波(BW),由此,在使基板230变形的状态下将基板210和基板230贴合。
由于使用具有中凸形状的支承面的基板保持架240,基板210以及基板230仅形成一个接触部位,结果,能够抑制因分别形成多个接触部位而引起的贴合面内的空隙的产生。另外,在本实施方式中,贴合过程包含从基板210以及基板230彼此的一部分接触起直到接触区域的扩大结束为止的过程。
图7是接触区域的扩大和基板210、230的相对形状的说明图。在图7中,在左侧示出接触区域的外周部分(即,在剖面中,BW的行进方向的前端部分)还位于基板210、230的中央侧的状态,在右侧示出接触区域的外周部分到达基板210、230的外周侧的状态。另外,在图7中,省略了上侧以及下侧的基板保持架。
在图7的左侧的状态下,未被基板保持架保持的自由状态的上侧的基板210因介于基板间的空气的阻力而成为较大地弯曲的状态。另一方面,在图7的右侧的状态下,接触区域的外周部分到达基板210、230的外周侧,因此介于基板间的空气被释放到外部,由此,基板210对空气阻力的承受方式产生了变化。即,在基板210、230的外周侧,承受介于基板间的空气的阻力的面积小于基板210、230的中央侧的该面积,基板210保持平坦的(从剖面来看呈直线状)形状地基板间闭合。
在图7的左右的上方示意性地图示出了各状态下的基板210、230在接触区域的外周部分处的相对形状。对两个相对形状进行比较,关于从接触区域朝向外周侧距任意的恒定距离的位置处的基板210、230间的间隔,接触区域位于外周侧的状态比接触区域位于中央侧的状态窄。若基板210、230的间隔窄,则介于基板间的空气之类的气体、或因结露而产生的水之类的液体的压力容易升高,和/或未被挤出而残留下来,成为能够诱发层叠基板的剥离的空隙(也称为气泡)。换言之,贴合的基板间的外周部比中央部产生空隙的风险高。其中,在将φ300mm的基板210、230利用具有直径稍小于该直径的保持区域(与在贴合过程中维持保持的基板230接触的区域)的基板保持架来进行贴合的情况下,即,在基板230的周缘存在未被基板保持架保持的悬突部分的情况下,可以获得在层叠基板的距离周缘数mm的内侧经常产生空隙的实验数据。此外,在基板230的周缘不存在未被基板保持架保持的悬突部分的情况下,也有时会在层叠基板的距离周缘数mm的内侧产生空隙。
在层叠基板的外周侧产生的空隙的种类例如有阶梯差空隙、绝热膨胀空隙。阶梯差空隙是指由于基板210、230的贴合面的外周部不平坦、在贴合过程中在该不平坦的部分残留有空气等气体而产生的空隙。绝热膨胀空隙是指在贴合过程中从基板210、230的中央侧朝向外周侧移动的包含湿气的气体因与基板210、230的外侧的较大的压力变化而绝热膨胀、温度急剧地降低、从而湿气结露而产生的空隙。因而,绝热膨胀空隙是这样的空隙:BW速度越快,或上下基板间的空气压力越高,产生的风险越高。
图8的(a)是贴合过程中保持基板210、230的基板保持架240的俯视示意图,图8的(b)是X-X剖视图。另外,图9是用于说明在使用了基板保持架240的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214处的基板间隔扩大的局部放大剖视示意图,是图8的(a)的I-I线的剖面的局部放大图。
在图8的(a)中,将基板保持架240的外形用实线的圆示意性地描绘出来,另外,将保持于基板保持架240的基板210、230的外形用于虚线示意性地描绘出来。另外,在图9中,将本实施方式的基板保持架240和由该基板保持架240保持的基板230用实线描绘出来,将比较例的由基板保持架保持的基板用虚线描绘出来。另外,在图9中,用涂黑的箭头示出本实施方式的基板保持架240的壁部241的高度和在中央侧与壁部241邻接的多个支承销245的高度分别形成得低于比较例的情形。
基板保持架240具有:由氧化铝等形成的大致圆盘状的主体部242、设于主体部242的一面的中央支承部244以及外周支承部246。中央支承部244支承基板230的包括中心在内的区域即中央部。外周支承部246配置在中央支承部244的外侧,支承基板230的中央部的外侧的外周部。基板230的外周部是至少从基板210、230的BW结束位置214起到向基板230的内侧离开规定的距离的位置为止的区间的区域,是将会产生空隙的位置包含在内的区域。外周支承部246将基板230的外周部支承为:基板230的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230的中央部大的曲率弯曲。在该情况下,外周支承部246具有随着从基板保持架240的中央侧朝向周缘侧而基板保持架240的高度呈阶梯状变低的支承面,利用该支承面支承基板230的外周部。关于上述基板保持架240的高度,在如本实施方式这样在基板保持架240设有多个支承销245的情况下,从多个支承销245各自的前端通过的包络面成为支承基板230的支承面,因此基板保持架240的高度是指该支承面的高度。另一方面,与本实施方式不同,在基板保持架240没有设置多个支承销245的情况下,基板保持架240的表面为支承基板230的支承面,因此基板保持架240的高度是指该支承面的高度。
这里,基板230的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230的中央部大的曲率弯曲的状态的一个例子是基板230的某区域的(即,局部的)弯曲的曲率大于基板230的中央部整体的(即,整体的)弯曲的曲率的状态。这也可以说是基板保持架240将基板230的外周部以比基板230的中央部的曲率大的曲率朝向基板保持架240弯曲支承。在中央部的弯曲的曲率因区域而异的情况下,例如可以将这些曲率的平均值等代表值作为中央部的曲率,也可以忽略预定大小以下的区域的曲率地计算整体的曲率。其中,在中央部平坦的情况下,曲率为零。
中央支承部244具有被配置在基板保持架240的中央的多个支承销245。外周支承部246具有对包括上述至少一部分区域在内的基板230的外周部的周缘侧进行支承的环状的壁部241。即,多个支承销245配置在环状的壁部241的内侧。多个支承销245也可以沿基板保持架240的周向以及径向等间隔地形成。多个支承销245可以配置为在径向上形成多列的环带状,也可以交错配置。
其中,在基板保持架240为静电吸附方式且在支承面未设有支承销245、壁部241的情况下,中央支承部244也可以是基板保持架240的中央区域,外周支承部246也可以是具有位于基板保持架240的外周侧的曲面的区域、具有随着朝向径向外侧而下降的多个台阶部的阶梯状的区域、具有曲率可变的面的区域等。
另外,在基板保持架240的外周支承部,以120度间隔形成有三个供推压所保持的基板230的外周部的升降销插入的孔247。如图8所示,在本实施方式中,三个孔247位于与环状的壁部241相同的圆上,壁部241在三个孔247的周围向基板保持架240的中央侧迂回。
如图8所示,在基板210、230的外周部形成有用于显示基板210、230的晶体取向的凹口211、231。在图8中示出基板210、230的凹口211、231相互对位的状态。
另外,如图9所示那样,在基板210的贴合面的周缘形成有由修边形成的环状的台阶部213。基板210的台阶部213是不与基板230贴合的区域,台阶部213的中央侧的端部是平坦的贴合面的外周侧的终端,成为BW结束的位置。在下文的说明中,有时将平坦的贴合面的外周侧的终端且是BW结束的位置称为BW结束位置214。
基板保持架240的外周支承部246具有与上述中央支承部244邻接地配置的内侧区域248和配置在内侧区域248的外侧的外侧区域249。如上所述,外周支承部246具有随着从基板保持架240的中央侧朝向周缘侧而基板保持架240的高度呈阶梯状降低的支承面,利用该支承面支承基板230的外周部。换言之,外周支承部246的支承面的高度相对于距中央支承部244的中心的距离的变化的变化率大于中央支承部244的支承面的高度相对于距中央支承部244的中心的距离的变化的变化率。
再换言之,基板230的外周部将基板230的外周部支承为:从被内侧区域248支承的部分向被外侧区域249支承的部分,朝向基板保持架240逐渐地弯曲。再换言之,将基板230的外周部支承为:基板230的外周部中的被外侧区域249支承的部分以比被内侧区域248支承的部分大的曲率朝向基板保持架240弯曲。
因而,内侧区域248的高度低于中央支承部244的高度,外侧区域249的高度低于内侧区域248的高度。另外,中央支承部244、内侧区域248以及外侧区域249各自的多个支承销245的前端的高度位置的从基板保持架240的中心朝向外周的沿着径向外侧的的变化量或者变化率也可以是恒定的。或者,该变化量以及变化率也可以是内侧区域248大于中央支承部244,外侧区域249大于内侧区域248,或者内侧区域248和外侧区域249相等。
内侧区域248具有基板保持架240的高度从基板保持架240的中央侧朝向周缘侧呈阶梯状降低、以使基板230的贴合面呈凸状变形的多个支承销245。由此,利用由多个支承销245形成的虚拟支承面来支承基板230的外周部。换言之,外周支承部246具有虚拟支承面为曲面的多个支承销245,利用该曲面将基板230的外周部支承为:至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230的中央部大的曲率弯曲。在图示的例子中,外周支承部246在内侧区域248具有高度朝向外周侧呈阶梯状降低的多个支承销245,以使基板230的贴合面在图9中朝向基板210向上呈凸状变形,并且,外周支承部246在外侧区域249具有环状的壁部241。其中,如图示那样,优选上述虚拟支承面是如二次曲线那样始终具有曲率的形状,其高度逐渐降低。另外,这里所说的虚拟支承面是指上述支承面。
与此相对地,在比较例的基板保持架中,壁部241高于比该壁部241靠内侧且邻接的支承销245。这是因为下述原因而导致的,即:例如即使想要使用旋转的研磨头以支承面成为平面的方式研磨多个支承销245以及壁部241,也会由于壁部241的周向的密度高于多个支承销245的周向的密度,结果,外周侧的壁部241高于内侧的支承销245。
在使用本实施方式的基板保持架240来贴合基板210、230的情况下,如图9中空心的箭头所示,与比较例相比,BW结束位置214处的基板230的贴合面大幅度地降低,基板210与基板230之间的间隔变大。
如上所述,本实施方式的基板保持架240具备外周支承部246,外周支承部246配置在支承基板230的中央部的中央支承部的外侧,且支承基板230的中央部的外侧的外周部。外周支承部246将基板230的外周部支承为:基板230的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230的中央部大的曲率弯曲。
由此,基板保持架240在外周侧也能够形成与如图7的左侧所示那样的在中央侧时基板210与基板230之间的宽阔空间同样的空间。即,基板保持架240在外周侧也维持图7的左侧所示那样的基板210以及基板230的相对形状,或形成得比基板210与基板230之间的间隔大,从而能够基板210与基板230之间的空间内的气体、液体等流体逃逸到外侧。由此,基板保持架240能够降低在基板210、230贴合而成的层叠基板201的外周侧产生空隙的风险。
另外,基板保持架240在外周侧增大基板210与基板230之间的距离,从而能够防止基板210与基板230间的压力上升,和/或延长直到基板210粘贴于基板230为止的时间。由此,基板保持架240能够在外周侧减小基板间的压力与两基板的外侧的压力之间的压力差,和/或降低BW的行进速度,能够降低绝热膨胀空隙的产生风险。
即,外周支承部246的将基板230的外周部支承为基板230的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230的中央部大的曲率弯曲这样的结构也可以说是减速部,在基板230的中央部的外侧的外周部使接触区域的扩大的行进速度、以及、基板230与基板210之间的流体例如气体、液体的移动速度中的至少一者减小。另外,该结构还作为通过接触区域的扩大而将在基板230与基板210之间移动的流体释放到基板230以及基板210的外侧的释放部发挥作用。
本实施方式的基板保持架240具有大致直径300mm的圆形的外形的情况下,从减小空隙的观点出发,优选从半径146mm的位置处的高度到148mm的位置处的高度的落差为200nm~700nm的范围,优选从半径146mm的位置处的高度到大致半径150mm的位置处的高度、即基板保持架240的周缘的高度的落差为500nm~2000nm的范围,这已由实验判明。
另外,如上所述,本实施方式的基板贴合装置100在使用基板保持架240来将基板230以及基板210贴合的情况下,执行具备至少以下的各步骤的贴合方法。该贴合方法具备利用基板保持架240保持基板230的步骤,利用基板保持架240保持基板230的中央部并且保持基板230的外周部,使得基板230的中央部的外侧的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230中央部大的曲率弯曲。该贴合方法还具备利用基板保持架220保持基板210的步骤。该贴合方法还具备基板贴合步骤,在使基板230的一部分与基板210的一部分接触而形成了接触区域之后,使该接触区域扩大,从而将基板230以及基板210贴合。
其中,基板保持架240的外周支承部246也可以不具有高度逐渐变低的多个支承销245。即,支承销245的高度也可以恒定。在该情况下,环状的壁部241也比支承销245低。保持于该基板保持架240的基板230的外周部可以以在最外周侧沿周向配置的多个支承销245为支点,朝向基板230弯曲,在壁部241的内侧以及外侧呈直线状延伸,也可以还以壁部241为支点弯曲。
图10是使用了另一实施方式的基板保持架250的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。基板保持架250与使用图8以及图9进行了说明的基板保持架240的不同之处在于,外周支承部256追加地或者替代地具有平滑的曲面,将基板230的外周部支承为基板230的至少一部分区域朝向基板保持架250以比基板230的中央部大的曲率平滑地弯曲。在基板保持架250为真空吸附式的情况下,该曲面包括多个通气孔,能够利用负压对基板230的外周部进行吸附。
作为图10所示的更具体的例子,基板保持架250的外周支承部256在内侧区域258具有形成有多个通气孔的支承体202,支承体202的支承基板230的支承面具有上述曲面。作为一个例子,该支承体202也可以由多孔质材料形成。支承体202的高度也可以从中央支承部254的侧向外周侧在从邻接的支承销255的高度到壁部251的高度的区间平滑地变动。支承体202的支承面也可以位于连结邻接的支承销255的支承面与壁部251的支承面的上凸的二次曲线上。本实施方式的基板保持架250起到与使用图8以及图9进行了说明的基板保持架240同样的效果,有时还起到能够使所保持的基板230的贴合面更平滑地弯曲这样的效果。另外,在基板保持架250的外周支承部246在内侧区域258具有支承体202的实施方式中,图10的例子的情况下,基板保持架250在外侧区域259具有壁部251,但取而代之,基板保持架250也可以不具有壁部251。在基板保持架250是真空吸附式且像这样不具有壁部251的情况下,例如也可以追加将支承体202的外周侧密封的非通气性的部件,从而增强通过负压对基板230的吸附。其中,该部件可以与基板230接触,也可以不接触。
图11是用于说明凹口211、231的周围的BW结束位置214的差异和因该差异引起的绝热膨胀空隙的产生风险的局部放大俯视示意图。在图11中,用空心的箭头的长度表示到BW结束的时间的长短,箭头越长意味着到BW结束花费的时间越长。在图11中,凹口211、231的最中央侧的到BW结束的时间的长短用空心的箭头(1)表示,其周围的到BW结束的时间的长短用空心的箭头(2)表示。
如图11中用单点划线所示,BW结束位置214在凹口211、231的中央与凹口211、231的外形相同。因此,凹口211、231的中央与其周围相比,从基板210、230的中心到BW结束位置214的距离最短。因此,在凹口211、231的中央处的BW最早到达BW结束位置214,该处的基板210的周缘侧最早以平面的状态(从剖面来看呈直线状)闭合。结果,基板210、230间的气体、液体急剧地流向周围,周围的基板210、230间的压力与大气压之差急剧变大。于是,在该周围的基板210、230之间,当BW到达BW结束位置214附近时,与没有形成凹口211、231的区域相比,产生较大的压力下降,有时更容易产生绝热膨胀空隙。
图12是用于说明基板保持架240的孔247的周围的吸附区域的变化和因该变化引起的绝热膨胀空隙的产生风险的局部放大俯视示意图。在图12中,基板保持架240吸附基板230的区域、即吸附区域用纵条纹表示。
如上所述,在本实施方式的基板保持架240中,孔247位于与环状的壁部241相同的圆形,壁部241在孔247的周围向基板保持架240的中央侧迂回。因此,在孔247的周围,吸附区域以向基板保持架240的中央侧变小的方式变化,在孔247的周围的中央侧,BW相对快速地行进。但是,孔247的周围的其他区域的行进相对较慢的BW使孔247的周围的中央侧闭口变慢,绝热膨胀空隙变少。相反,在上述其他区域,由于在孔247的周围的中央侧先行进的BW而被吸引到基板210侧,最后的闭口动作变快,BW的行进紊乱,有时会产生绝热膨胀空隙集中的区域。
如使用图11以及图12所说明的那样,在通过使接触区域扩大来进行贴合的基板210、230存在例如由于基板保持架240的支承面的形状变得不连续或者基板210、230的外形变得不连续等各种重要因素而容易产生绝热膨胀空隙的区域。优选这样的区域在贴合过程中,例如使与该区域对应的支承销245的高度低于与其他区域对应的支承销245的高度等,与其他区域相比更大地扩大基板间距离,即使由基板保持架240保持的基板230朝向基板保持架240以更大的曲率弯曲。
图13是用于说明又一实施方式的基板保持架260的俯视示意图。另外,图14是使用了基板保持架260的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的基板间隔调整的局部放大剖视示意图,是图13的II-II线的剖面的局部放大图。
本实施方式的基板保持架260与使用图8以及图9进行了说明的基板保持架240的不同之处在于,外周支承部266在内侧区域268追加地或者替代地包括各自能够分别独立地对基板230的外周部进行吸附的多个吸附区域。其中,基板保持架260的外周支承部266与基板保持架240同样地在外侧区域269包括第1壁部261。
在图13所示的具体例子中,基板保持架260具备:位于最外侧的环状的第1壁部261;比第1壁部261位于中央侧的环状的第2壁部262;比第2壁部262位于中央侧的环状的第3壁部263;与第1壁部261、第2壁部262以及第3壁部263交叉并且横穿中央支承部264以及外周支承部266这两者地呈直线状沿径向延伸的径向分离部203。作为一个例子,径向分离部203也可以是在周向上间隔45度地延伸的多个壁,由此,基板保持架260的外周支承部266在内侧区域268具有分别沿周向8等分的、第1壁部261与第2壁部262之间的吸附区域和第2壁部262与第3壁部263之间的吸附区域,中央支承部264具有分别沿周向8等分的、环状的第3壁部263的内侧的吸附区域。另外,作为一个例子,基板保持架260的外周支承部266在第2壁部262与第3壁部263之间的吸附区域具有多个支承销265,但在第1壁部261与第2壁部262之间的吸附区域不具有支承销265。
另外,如图13所示,该多个吸附区域位于供推压基板230的外周部的升降销插入的孔267的周围。在图13所示的更具体的例子中,第1壁部261与第2壁部262之间的沿周向8等分的吸附区域中的三个吸附区域位于三个孔267的周围。
如图14所示,本实施方式的外周支承部266从中央侧起按第3壁部263、第2壁部262、第1壁部261的按顺序高度呈阶梯状降低,以使基板230的贴合面在图14中向上地朝向基板210呈凸状变形。具体而言,第2壁部262的高度低于第3壁部263的高度,第1壁部261的高度低于第2壁部262的高度,第3壁部263的高度与第2壁部262的高度之差为第2壁部262的高度与第1壁部261的高度之差以下。另外,位于第3壁部263与第2壁部262之间的多个支承销265的高度朝向外周侧呈阶梯状降低,以使基板230的贴合面朝向基板210呈凸状变形。另外,如图14所示,第1壁部261的高度为即使在第2壁部262与第1壁部261之间的吸附区域以相对较大的负压抽吸基板230的情况下也与基板230不接触的程度,并且,形成为低至能够进行负压抽吸的程度。另外,如上所述,该区域没有支承销265,因此不存在基板230与支承销265接触的情况。
另外,在图14中,图示出了在该吸附区域提升到上述相对较大的负压的前后的基板230的弯曲的情形,用虚线描绘在提升到该负压后的基板230的弯曲状态,另外,用空心的箭头表示与提升到该负压之前相比BW结束位置214处的基板230的贴合面变低、基板210与基板230之间的间隔变大的情形。
本实施方式的基板贴合装置100也可以使用具有多个吸附区域的基板保持架260,在各基板的容易产生空隙的区域,例如使用图11以及图12进行了说明的供升降销插入的孔267的周围、与形成有凹口211、231的部位相对的区域,与其他区域相比以相对大的负压抽吸基板230,使基板230以相对较大的曲率弯曲。若使基板230整体上较大地弯曲,则能够使贴合面的偏移量较大,通过使用基板保持架260,能够仅使容易产生空隙的区域以相对较大的曲率弯曲,能够抑制空隙的产生并且尽可能地将接合偏移抑制得较小。另外,在使用不具有多个吸附区域的基板保持架240的情况下,通过将供升降销插入的孔267配置在图7的左侧所示的、能够维持未被基板保持架保持的自由状态的上侧的基板210较大地弯曲的状态的、基板210、230的中央侧,能够获得与上述同样的效果。
基板230有时在面内不均匀地弯曲,或者在面内整体均匀地弯曲。另外,基板230的弯曲量(弯曲的程度)有时是各基板230所固有的,或者多个基板230的组例如为了保管而层叠有多个基板230的杆、经历了相同的制造工艺的组、相同的晶体取向的组等所固有的。
在弯曲的程度为各基板230所固有的情况下,例如在向基板贴合装置100输入之前或输入之后测量弯曲的程度,根据测量结果在面内调整保持基板230的基板保持架260的吸附力。例如在基板230的外周部向远离基板保持架260的方向呈凹状弯曲的情况下,也可以进一步加大吸附力,使弯曲量成为与面内的其他区域相同的程度。
在弯曲的程度为多个基板230的组中的各组所固有的情况下,也可以将对最初的一个基板测量并调整后的吸附力应用于同一组的其他基板。例如,也可以针对各组预先取得表示容易产生空隙的部位的信息,对于相同的种类的基板组,对于具有相同的晶体取向的基板组,或者,对于经历了相同的制造工艺的基板组,一律使周向的弯曲量不同。
其中,在任何情况下,也可以准备壁部241的高度各不相同的多个基板保持架240,基板贴合装置100选择具有与基板230的弯曲的程度相应的壁部241的高度的基板保持架240,来用于基板210、230的贴合。另外,在任何情况下,也可以将使用图8进行了说明的基板保持架240的壁部241的高度形成得在绝热膨胀空隙相对容易产生的区域例如供升降销插入的孔247的周围、与基板210、230的凹口211、231相对的部位低于其他区域。
图15是用于说明在使用了基板保持架270的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214处的基板间隔调整的局部放大剖视示意图。该局部放大图是与图13所示的II-II线相同的部位,是将基板保持架270的剖面局部放大的图。
本实施方式的基板保持架270与使用图13以及图14进行了说明的基板保持架260的不同之处在于,外周支承部276的至少一部分区域的第1壁部271、第2壁部272以及第3壁部273的高度如图15所示是一样的,并且,在该区域的第1壁部271与第2壁部272之间的吸附区域以及第2壁部272与第3壁部273之间的吸附区域都没有配置支承销275。本实施方式的基板保持架270在第1壁部271与第2壁部272之间的吸附区域以及第2壁部272与第3壁部273之间的吸附区域中的一者以相对较大的负压抽吸基板230,从而将基板230的外周部支承为:基板230的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240以比基板230的中央部大的曲率弯曲。另外,基板保持架270的中央支承部274与基板保持架240等同样地具有多个支承销275。
在图15中,用实线描绘作为第1例的基板210具有修边宽度较大的台阶部213的情况,用虚线描绘作为第2例的基板210具有宽度较窄的台阶部213的情况。另外,在图15中,用实线描绘与基于第1例的宽度大的台阶部213的BW结束位置214对应地以第2壁部272与第3壁部273之间的吸附区域为上述的以相对较大的负压抽吸基板230的吸附区域的情况下的基板230的弯曲状态,用虚线描绘与基于第2例的宽度小的台阶部213的BW结束位置214对应地以第1壁部271与第2壁部272之间的吸附区域为上述的以相对较大的负压抽吸基板230的吸附区域的情况下的基板230的弯曲状态。另外,在图15中,对于上述的以相对较大的负压抽吸基板230的吸附区域的位置,第1例的情况下用空心的箭头表示,第2例的情况下用涂成网眼状的箭头表示。
另外,在图15中,第1例的BW结束位置214处的基板230的贴合面低于相同的位置处的第2例的基板230的贴合面相比,在该位置处的基板210与基板230之间的间隔较大的情形用空心的箭头示出。同样地,在图15中,第2例的BW结束位置214处的基板230的贴合面低于相同的位置处的第1例的基板230的贴合面,在该位置处的基板210与基板230之间的间隔较大的情形用涂成网眼状的虚线的箭头示出。
如上所述,在贴合的基板210、230的至少一者的贴合面的周缘形成有台阶部213的情况下,台阶部213的中央侧的端部成为平坦的贴合面的外周侧的终端,且成为BW结束的位置、即BW结束位置214。换言之,与台阶部213的有无、以及台阶部213的宽度相应地,BW结束位置214的位置不同。另外,绝热膨胀空隙产生在大约比BW结束位置214靠中央侧几毫米处的可能性较高。
本实施方式的基板贴合装置100也可以使用具有多个吸附区域的基板保持架270,使与基板210的台阶部213的宽度相应的、即BW结束位置214处的吸附区域的负压大于其他吸附区域的负压,使基板230的与该吸附区域相对的一区域、即BW结束位置214处的一区域以相对较大的曲率弯曲。由此,基板贴合装置100能够在与BW结束位置214的中央侧邻接的区域使基板210与基板230之间的空间较大,能够降低在该区域产生空隙的风险。另外,有时层叠基板201的比BW结束位置214靠中央侧的部分被用作产品,比BW结束位置214靠外周侧的部分不被用作产品,采用基板贴合装置100,能够降低在层叠基板201的被用作产品的部分产生空隙的风险,因此能够提高产品的成品率。
另外,在上述第1例的情况下,第1壁部261与第2壁部262之间的吸附区域可以以比第2壁部262与第3壁部263之间的吸附区域小的负压抽吸基板230,也可以不抽吸基板230。另外,在上述第1例以及第2例中都是:外周支承部276的至少一部分区域的第1壁部271、第2壁部272以及第3壁部273的高度可以如图15所示那样高度一致,也可以与图15不同,高度不一致,例如也可以随着朝向径向外侧而高度逐渐降低。
图16是使用了又一基板保持架280的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。在本实施方式中的基板210、230没有形成台阶部。基板保持架280与使用图8以及图9进行了说明的基板保持架240的不同之处在于,外周支承部286追加地或者替代地在至少一部分区域支承基板230的周缘侧的平坦的面的外周侧的终端、即与在基板210、230没有形成台阶部的情况下的基板230的BW结束位置214的外周侧邻接的部位。如本实施方式这样,在基板210、230没有形成台阶部的情况下的BW结束位置214位于作为基板210、230的周缘的端面的斜面212、232与基板210、230的除了斜面212、232之外的其他部分的分界线215、235上。
作为图16所示的具体的一个例子,基板保持架280的外周支承部286在外侧区域289具有在载置有基板230的情况下内周侧的边缘与基板230的斜面232接触的环状的壁部281,在内侧区域288具有以从中央侧朝向外周侧而高度呈阶梯状降低的方式配置至壁部281的附近的多个支承销285,以使基板230的贴合面在图16中向上地朝向基板210呈凸状变形。具体而言,呈阶梯状降低的多个支承销285的高度中的配置在壁部281的附近的最低高度与配置在中央侧的最高高度之差为配置在该中央侧的最高高度与壁部281的高度之差以下。另外,基板保持架280的中央支承部284与基板保持架240等同样地具有多个支承销285。
如上所述,基板保持架280所保持的基板230有时在面内不均匀地弯曲,或者在面内整体均匀地弯曲。例如,有时基板230的周缘侧朝向贴合面的侧呈凹状弯曲。在将这样的基板230由在最外周形成有环状的壁部的真空吸附式的基板保持架保持的情况下,且是在基板230存在有比该壁部位于外周侧且没有被基板保持架吸附保持的区域、即悬突部分的情况下,基板230的悬突部分由于上述凹状的弯曲而向要贴合的基板210的侧翘起。结果,在外周侧基板210与基板230之间的空间变窄,产生空隙的风险升高。
与此相对地,采用本实施方式的基板保持架280,通过位于外周支承部286的外侧区域289的壁部281将基板230的斜面232支承,即,通过使基板230几乎不存在悬突部分,从而能够防止由于上述凹状的弯曲而引起的翘起。由此,基板保持架280能够降低在基板210、230贴合而成的层叠基板201的外周侧产生空隙的风险。
图17是使用了作为图16所示的基板保持架280的变形例的基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。本实施方式中的基板210、230与图16的实施方式同样地没有形成台阶部。
基板保持架290与使用图16进行了说明的基板保持架280的不同之处在于,基板保持架290的外周支承部296使基板230弯曲的曲率的大小小于图16的基板保持架280的外周支承部286使基板230弯曲的曲率的大小。更具体而言,基板保持架290的中央支承部294所包括的多个支承销295的高度与外周支承部296的外侧区域299的壁部291的高度之差小于图16所示的基板保持架280的中央支承部284所包括的多个支承销285的高度与外周支承部286的外侧区域289的壁部281的高度之差。
并且,基板保持架290的外周支承部296的内侧区域298的多个支承销295的高度中的配置于壁部291的附近的最低高度与配置于中央侧的最高高度之差小于图16所示的基板保持架280的外周支承部286的内侧区域288的多个支承销285的高度中的配置于壁部281的附近的最低高度与配置于中央侧的最高高度之差。
并且,基板保持架290的外周支承部296追加地或者替代地在至少一部分区域支承基板230的周缘侧的平坦的面的外周侧的终端、即在基板210、230没有形成台阶部的情况下的基板230的BW结束位置214或者比BW结束位置214靠中央侧且是BW结束位置214的附近的位置。换言之,外周支承部296在至少一部分区域支承基板230的分界线235或者比分界线235靠中央侧且是分界线235的附近的位置。更具体而言,外周支承部296在外侧区域299具有在载置有基板230的情况下内周侧的边缘与基板230的分界线235或者分界线235的中央侧的附近接触的环状的壁部291。在该情况下,基板保持架290的壁部291的内径也可以小于基板保持架280的壁部281的内径。
采用本实施方式的基板保持架290,通过位于外周支承部296的外侧区域299的壁部291将基板230的分界线235或者分界线235的中央侧的附近支承,即,通过使基板230几乎不存在悬突部分,从而起到与图16所示的基板保持架280同样的效果。如图16所示的基板保持架280、图17所示的基板保持架290那样,在不会失去外周支承部286等对基板230的吸附保持的效果的范围内,尽可能地扩大外周支承部286等的壁部281等的内径,能够更有效地发挥该效果。
在以上的任一实施方式中,也可以是:基板贴合装置100具备驱动部,该驱动部使基板保持架240等的外周支承部变形,以使基板230在基板230的外周部的至少一部分区域朝向基板保持架240等以比基板230的中央部大的曲率弯曲。
这里所说的基板保持架240等的外周支承部的变形可以是基板保持架240等自身的变形,也可以是基板保持架240等的壁部241等、多个支承销245等的变形,例如高度的变动。在该情况下,基板保持架240等的壁部241等、多个支承销245等也可以是能够升降的机构。
上述驱动部的一个例子也可以是在下工作台332沿基板保持架240等的下表面配置的多个致动器,该多个致动器也可以在控制部150的控制下,从外部经由泵以及阀而从压力源来供给工作流体,从而分别独立地驱动。由此,多个致动器也可以在下工作台332的厚度方向上以互不相同的伸缩量伸缩,使被保持在下工作台332上的基板保持架240等的多个区域上升或者下降。
基板贴合装置100也可以在通过基板保持架240等将基板230载置于下工作台332之前,或者在该载置之后且基板210、230的贴合开始之前,驱动驱动部,使下工作台332如上述那样动作,以使基板保持架240等的外周支承部变形。
基板贴合装置100也可以还具备检测基板230与基板210的该接触区域到达预定的位置的检测部。上述驱动部也可以根据由该检测部检测出该接触区域到达上述位置的情况,使基板保持架240等的外周支承部变形。
基板贴合装置100也可以还具备取得部,该取得部针对基板210、230分别取得在基板210、230的外周部形成的修边的宽度、基板210、230的外周部的在由基板保持架240等保持之前产生的弯曲的朝向、该弯曲的大小、形成于该外周部的凹口的位置、基板210、230的制造工艺以及材料中的至少一者的信息。另外,上述驱动部也可以基于控制部150的指令,根据该取得部所取得的上述信息,使基板保持架240等的外周支承部的变形量不同。控制部150也可以是取得部的一个例子。其中,基板贴合装置100可以针对基板210、230分别通过自己测量来取得上述修边的宽度、外周部的弯曲的朝向、该弯曲的大小、形成于该外周部的凹口的位置等信息,也可以从外部取得。
在以上的任一实施方式中,基板贴合装置100也可以具备多个基板保持架240等,在该情况下,基板230的外周部的至少一部分区域的因外周支承部246而弯曲的曲率、该至少一部分区域的宽度、以及该至少一部分区域的位置中的至少一者也可以在多个基板保持架240等中互不相同。例如,也可以在多个基板支架240等形成多个基板保持架240等的多个支承销245等的高度、由多个支承销245等形成的虚拟的支承面的曲率与其他区域不同的区域。另外,基板贴合装置100也可以具备选择部,该选择部根据上述取得部所取得的上述信息,从这些多个基板保持架240等中选择一个基板保持架240等。例如,也可以准备上述那样的各种基板保持架240等,选择部根据台阶部213的位置选择特定的基板保持架240等。另外,控制部150也可以是选择部的一个例子。另外,基板贴合装置100也可以不具备该选择部,在该情况下,也可以在基板贴合装置100的外部根据上述信息从多个基板保持架240等中选择一个基板保持架240等,向基板贴合装置100提供所选择的基板保持架240等的信息,也可以输入基板保持架240等本身。
在以上的任一实施方式中,由于使基板230的外周部以相对较大的曲率弯曲,有时在基板210、230的贴合面内会产生偏移。另外,出于对贴合基板210、230时产生的形变所引起的偏移进行修正的目的,有时基板保持架240等的支承面整体上成为凸形状。作为由于使基板230的外周部以相对较大的曲率弯曲而可能会产生的上述偏移的对策,基板贴合装置100例如也可以通过与要贴合的基板230同一种类的基板的过去的贴合中产生的偏移的测量值的取得等的方法,预先取得偏移量的预测值,基于该偏移量的预测值,从支承面的整体的凸形状的曲率互不相同的多个基板保持架240等中选择具有能够修正该偏移量的曲率的支承面的基板保持架240等。另外,与上述同样地,基板贴合装置100也可以不选择该基板保持架240等,而是在外部选择该基板保持架240等,提供所选择的该基板保持架240等的信息,或者输入该基板保持架240等本身。
另外,作为由于使基板230的外周部以相对较大的曲率弯曲而可能会产生的上述偏移的对策,基板贴合装置100也可以如上述那样预先取得偏移量的预测值,基于该偏移量的预测值,驱动上述驱动部,使基板保持架240等变形,以使基板保持架240等的支承面成为能够修正该偏移量的曲率。
另外,作为由于使基板230的外周部以相对较大的曲率弯曲而可能会产生的上述偏移的对策,基板贴合装置100也可以如上述那样预先取得偏移量的预测值,在通过曝光来形成基板210、230的电路区域的图案时,基于该偏移量的预测值来修正图案位置。在该情况下,例如也可以调整图案位置,以使基板230的电路区域的图案向中央侧靠近与由基板保持架240等使外周部弯曲的程度相应的量。与由基板保持架240等使外周部弯曲的程度相应的量是指,由于基板230在因基板保持架240等而外周部弯曲时伸长,基板230的电路区域的图案发生位置偏移的量。
在以上的任一实施方式中,基板保持架240等的外周支承部246特别是在上述外侧区域也可以包括密度变高的多个支承销245等。若在外侧区域多个支承销245等的密度低,则由基板保持架240等保持的基板230在该密度低的区域会凹陷,由于其反作用,基板230的周缘侧向贴合面侧翘起。采用具备上述结构的基板保持架240等,能够防止由该反作用引起的翘起,由此,能够降低在外周侧产生空隙的风险。
在以上的任一实施方式中,基板贴合装置100所贴合的基板230中,例如,作为每次的布线层的制膜后的CMP(化学机械研磨)的结果,有时层叠于表面的布线层的外周部比中央部薄,基板230本身的厚度从中央部朝向外周部变薄。有时基板230具有这样的厚度的变化表现为基板230具有外周下垂,有时将基板230的中央部的厚度与外周部的厚度之差称为下垂量。
基板贴合装置100在贴合外周下垂量大的基板230的情况下,为了使外周部的弯曲量变小,例如也可以选择使用壁部241的高度高的基板保持架240等,或者通过致动器进行调整以使基板保持架240的壁部241的高度变高。由此,基板贴合装置100能够避免将基板230的外周部弯曲为抑制空隙产生所需的弯曲量以上,因此,能够抑制因基板230的外周部的较大的弯曲而可能会产生的上述偏移。另外,基板贴合装置100可以通过自己测量来取得基板230的外周下垂量的信息,也可以从外部取得。
在基板贴合装置100贴合的基板230具有外周下垂的情况下,在基板210、230之间的外周侧,基板210与基板230之间的间隔变大。结果,能够使基板210、230之间的外周侧的BW的行进速度、即基板210、230间的流体的移动速度减速,和/或能够使基板210、230间的流体容易向基板210、230的外侧释放。由此,能够降低在贴合后的基板210、230之间的外周侧产生空隙的可能性。为了起到同样的效果,在以上的任一实施方式中,也可以追加地或者替代地对基板贴合装置100贴合的基板210、230实施特定的加工或者处理。
作为上述特定的加工的一个例子,图18以及图19示出基板230包括锥形部237的情况。图18是表示将包括锥形部237的基板230载置于图17所示的基板保持架290的过程的局部放大图。在图18中,用涂黑的箭头表示将基板230载置于基板保持架290的方向。另外,在图18以后的图的说明中,对与在图1~17所示的多个实施方式中说明了的结构对应的结构标注同样的附图标记,并省略重复的说明。
本实施方式的基板230在与基板保持架240对置的下表面的外周部形成有相对于基板230的下表面以及侧面倾斜的锥形部237。因此,基板230的外周部的厚度小于径向上的中央部的厚度。
锥形部237形成为沿着基板230的外周连续。取而代之,锥形部237也可以形成为沿着基板230的外周断续,即,基板230也可以在沿周向连续的外周部局部地包括一个或者多个锥形部237。基板230也可以在至少外周部的容易产生空隙的部位包括锥形部237。
锥形部237的相对于基板230的下表面的倾斜角也可以在基板230的周向上恒定。也可以取而代之,例如在基板230的沿周向连续的外周部,容易产生空隙的部位的锥形部237与其他部位的锥形部237相比,具有相对较大的倾斜角。
另外,在图示的例子中,锥形部237为曲面。取而代之,锥形部237也可以为平面,还可以是曲面和平面的组合,还可以是由上述多个布线层各自的端部形成的多个台阶。
图19是使用了图18所示的基板230以及基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。在图19中,用实线描绘由本实施方式的基板保持架290保持的基板230,用虚线描绘图17所示的由基板保持架290保持的基板230。
在本实施方式中,与图17的实施方式同样地,在基板210没有形成台阶部。另外,如图18所示,未弯曲的状态下的基板230的贴合面的除了斜面212之外的其他部分为平坦的面。因此,BW结束位置214位于基板210、230的斜面212、232与基板210、230的除了斜面212、232之外的其他部分的分界线215、235上。
基板保持架290与图17所示的实施方式同样地,外周支承部296追加地或者替代地在至少一部分区域支承基板230的BW结束位置214或者比BW结束位置214靠中央侧且是BW结束位置214的附近的位置。即,在本实施方式中,基板230在被基板保持架290吸附保持的情况下,基板230的外周部以朝向基板210成为凸状的方式被强制弯曲。
由此,在本实施方式中,在使用基板保持架290贴合基板210、230的情况下,如图19中的空心的箭头所示,与图17所示的实施方式相比,BW结束位置214处的基板230的贴合面大幅度降低,在基板210、230之间的外周侧,基板210与基板230之间的间隔变大。
作为上述特定的加工的一个例子,图20示出基板210包括凸弯曲膜216的情况。图20是基板210包括台阶部213以及凸弯曲膜216的情况下的使用了图17所示的基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。在图20中,用实线描绘由本实施方式的基板保持架290贴合的基板210,用虚线描绘图17所示的由基板保持架290贴合的基板210。
本实施方式的基板210在与基板保持架220对置的上表面的外周部形成有凸弯曲膜216,在形成有凸弯曲膜216的部位,贴合面朝向对置的基板230呈凸状弯曲。凸弯曲膜216例如可以是形状记忆合金制的薄膜,也可以是通过固化而收缩的树脂膜。
凸弯曲膜216在基板210的上表面上沿着外周连续地形成。取而代之,凸弯曲膜216也可以在基板210的上表面上沿着外周断续地形成,即,基板210也可以在沿周向连续的外周部在上表面局部地形成有一个或者多个凸弯曲膜216。基板210也可以在至少外周部的容易产生空隙的部位包括凸弯曲膜216。
凸弯曲膜216的厚度也可以在基板210的周向上恒定。取而代之,例如在基板210的沿周向连续的外周部,容易产生空隙的部位的凸弯曲膜216与其他部位的凸弯曲膜216相比,具有相对较大的厚度,由此可以使基板210相对较大地弯曲。
在本实施方式中,包括台阶部213的基板210由于在上表面形成有凸弯曲膜216,因此在使用基板保持架290贴合基板210、230的情况下,如图20中的空心的箭头所示,与图17所示的实施方式相比,BW结束位置214的基板210的贴合面变高。由此,在基板210、230之间的外周侧,基板210与基板230之间的间隔变大。
另外,在基板230的周缘存在未被基板保持架保持的悬突部分的情况下,例如由图9所示的基板保持架240保持基板230的情况下,也可以追加地或者替代地基板230也包括凸弯曲膜216。即,基板230也可以在与基板保持架240对置的下表面的外周部,形成有凸弯曲膜216,在形成有凸弯曲膜216的部位贴合面呈凸状弯曲。采用该结构,也起到与上述同样的效果。
作为上述特定的加工的一个例子,图21示出基板210、230分别包括空隙流入槽218、238的情况。图21为在基板210包括台阶部213且基板210、230分别包括空隙流入槽218、238的情况下的使用了图17所示的基板保持架290的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
本实施方式的基板210、230分别在贴合面的外周部形成有空隙流入槽218、238。空隙流入槽218、238在基板210、230的贴合面的外周部的比BW结束位置214靠中央侧且是BW结束位置214附近的位置以相互对置的方式形成有多个。因此,基板210、230的位于多个空隙流入槽218、238之间的贴合面离散地相互接合。
空隙流入槽218、238沿基板210、230的外周连续地形成。也可以取而代之,空隙流入槽218、238沿基板210、230的外周断续地形成,即,基板210、230在沿周向连续的外周部局部地包括一个或者多个空隙流入槽218、238。基板210、230也可以在至少外周部的容易产生空隙的部位包括空隙流入槽218、238。
空隙流入槽218、238的宽度以及深度也可以在基板210、230的周向上恒定。也可以取而代之,例如在基板210、230的沿周向连续的外周部,容易产生空隙的部位的空隙流入槽218、238与其他部位的空隙流入槽218、238相比,具有相对较大的宽度以及深度。另外,追加地或者替代地,容易产生空隙的部位的空隙流入槽218、238也可以沿基板210、230的径向形成得相对较多。
另外,在图示的例子中,空隙流入槽218、238在基板210、230的沿径向的剖面中的轮廓为四边形。取而代之,空隙流入槽218、238的该轮廓也可以为圆弧、自由曲线,还可以是直线与曲线的组合。
在本实施方式中,在使用基板保持架290贴合基板210、230的情况下,与图17所示的实施方式相比,在基板210、230之间的外周侧产生的空隙例如能够在退火中流入空隙流入槽218、238、即从贴合面间排出到空隙流入槽218、238内,降低残留在贴合面间的可能性。结果,能够降低在贴合后的基板210、230之间的外周侧产生空隙的可能性。
另外,在图21所示的实施方式中,对基板210以及基板230这两者包括空隙流入槽218、238的构成进行了说明。也可以取而代之,基板210以及基板230中的任一者包括空隙流入槽218、238。采用该结构,也具有与上述同样的效果。
作为上述特定的加工的一个例子,图22示出基板210、230分别包括背面台阶部219、239的情况。图22是在基板210包括台阶部213且基板210、230分别包括背面台阶部219、239的情况下的使用了图9所示的基板保持架240的贴合过程中的基板210、230的BW结束位置214的局部放大剖视示意图。
在本实施方式中,基板210不仅在贴合面的外周部形成有台阶部213,而且在与基板保持架220对置的上表面的外周部形成有背面台阶部219。因此,基板210的形成有背面台阶部219的部位的厚度小于径向上的中央部的厚度,形成有背面台阶部219以及台阶部213这两者的部位的厚度更小。
另外,基板230在贴合面没有形成台阶部,但在与基板保持架240对置的下表面的外周部形成有背面台阶部239。因此,基板230的形成有背面台阶部239的部位的厚度小于径向上的中央部的厚度。
背面台阶部219、239分别沿基板210、230的外周连续地形成。取而代之,背面台阶部219、239也可以沿基板210、230的外周断续地形成,即,基板210、230也可以在沿周向连续的外周部局部地包括一个或者多个背面台阶部219、239。基板210、230也可以在至少外周部的容易产生空隙的部位包括背面台阶部219、239。
背面台阶部219、239的在各基板的厚度方向上的深度以及径向上的长度也可以在基板210、230的周向上恒定。也可以取而代之,例如在基板210、230的沿周向连续的外周部,容易产生空隙的部位的背面台阶部219、239的上述深度以及长度与其他部位的背面台阶部219、239相比,相对较大,由此基板210、230的刚性也可以局部降低。
另外,在图示的例子中,背面台阶部219、239是一级台阶。取而代之,背面台阶部219、239也可以是多级台阶,还可以是曲面,还可以是锥面,还可以是曲面与平面的组合,也可以是由上述多个布线层各自的端部形成的多个台阶。
在本实施方式中,对于包括背面台阶部219、239的基板210、230,在使用基板保持架240贴合基板210、230的情况下,在基板230的周缘的未被基板保持架240保持的悬突部分,以相互分离开的方式弯曲。这是因为,基板210、230的刚性在形成有背面台阶部219、239的部位变低,基板210、230被介于基板210、230间的空气的压力相互撑开。
在图22中,用实线描绘由本实施方式的基板保持架240贴合的基板210、230,用虚线描绘由图9所示的实施方式的基板保持架240贴合的基板210、230。
基板210、230的形成有背面台阶部219、239的部位以相互分离开的方式弯曲,结果,如图22中的空心的箭头所示,与图9所示的实施方式相比,BW结束位置214处的基板210的贴合面变高,并且,BW结束位置214处的基板230的贴合面变低,在基板210、230之间的外周侧,基板210与基板230之间的间隔变大。另外,基板230的外周部的形成有背面台阶部239的部位的厚度优选厚到能够确保不会因BW行进中的基板210、230间的接合力而将基板230拉起的程度的刚性,并且,薄到能够因上述空气的压力而使基板230弯曲。图22的例子是分别在两个基板210、230形成有背面台阶部219、239的例子,但也可以仅在两个基板210、230中的一者形成有背面台阶部。
作为上述特定的处理的一个例子,也可以针对要贴合的基板210、230中的至少一者,在外周部的贴合面进行等离子体照射以及亲水化处理之后进行喷射空气的处理。另外,也可以替代地或者追加地对该至少一者的外周部的周缘侧的贴合面进行使表面粗糙度变粗的处理。进行了这些处理的部位由于活性度降低,因此与贴合的另一基板之间的接合力降低。由此,能够降低该处的BW行进速度。但是,为了不降低退火后的最终的接合强度,优选在BW的结束后调整该处的粘接力。
另外,作为上述特定的处理的一个例子,也可以针对要贴合的基板210、230的至少一者,在外周部的周缘侧的贴合面进行使水附着的处理。由此,在进行了该处理的部位,一边由基板210、230夹着水一边BW行进,因此能够降低BW行进速度。
在图18~图22的例子中,外周支承部296的多个支承销245的前端的高度位置的变化量或者变化率也可以与中央支承部244的该变化量以及变化率相等,或者,多个支承销245的前端的高度位置也可以在中央支承部244以及外周支承部296中相等。
在以上的任一实施方式中,都优选将基板贴合装置100贴合的基板210、230中的、在与贴合面垂直的剖面中贴合面侧相对地中凸的形状的基板保持在上工作台322侧,并朝向被保持在下工作台332侧的其他基板释放。由此,能够适当地扩大BW行进中的基板间的空间。
以上,使用实施方式对本发明进行了说明,但本发明的技术范围并不局限于上述实施方式所述的范围。能够对上述实施方式施加多种变更或者改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。根据权利要求书的记载可知,施加了这样的变更或者改进的形态也仍然包含在本发明的技术范围内。
例如,在以上的任一实施方式中,主要说明了将在上工作台322侧保持的基板210朝向被保持在下工作台332侧的基板230释放的形态,但也可以是相反的形态,即,也可以将在下工作台332侧保持的基板230朝向被保持在上工作台322侧的基板210释放。另外,基板保持架220、240可以从上工作台322以及下工作台332分别供给负压,也可以自身具备供给负压的泵。
例如,在以上的任一实施方式中,基板保持架240等也可以具有在与支承面垂直的剖面中支承面侧为中凸形状的主体部242,并且,多个支承销245等具有恒定的高度。另外,在以上的任一实施方式中,基板保持架240等也可以具有在与支承面垂直的剖面中支承面侧为直线形状的主体部242,并且,具有从中央支承部244的中央朝向外周支承部246的周缘而高度沿径向呈阶梯状降低的多个支承销245等。
需注意的是,在权利要求书、说明书以及附图中示出的装置、系统、程序以及方法中的动作、次序、步骤以及阶段等各处理的执行顺序,只要没有特别明示为“先于”、“之前”等,并且,不是在后面处理中使用前面处理的输出,则能够以任意的顺序实现。关于权利要求书、说明书以及附图中的动作流程,即使为了方便而使用了“首先”、“接着”等进行说明,也并不意味着必须按该顺序实施。
附图标记说明
100…基板贴合装置;110…壳体;120、130…基板盒;140…输送部;150…控制部;210、230…基板;211、231…凹口;212、232…斜面;213…台阶部;214…BW结束位置;215、235…分界线;216…凸弯曲膜;237…锥形部;218、238…空隙流入槽;219、239…背面台阶部;220、240,250,260,270,280,290…基板保持架;241,251,281,291…壁部;245,265,275,285,295…支承销;247,267…孔;202…支承体;261,271…第1壁部;262,272…第2壁部;263,273…第3壁部;203…径向分离部;201…层叠基板;300…贴合部;310…框体;312…底板;316…顶板;322…上工作台;326、336…活化装置;331…X方向驱动部;332…下工作台;333…Y方向驱动部;338…升降驱动部;400…保持架收纳器;500…预对准器;242…主体部;244,254,264,274,284,294…中央支承部;246,256,266,276,286,296…外周支承部;248,258,268,288,298…内侧区域;249,259,269,289,299…外侧区域。
Claims (18)
1.一种基板保持架,其具备:
中央支承部,其支承基板的中央部;以及
外周支承部,其配置在所述中央支承部的外侧,支承所述基板的外周部,
其中,
所述外周支承部将所述外周部支承为:所述外周部的至少一部分区域朝向所述基板保持架以比所述中央部大的曲率弯曲。
2.根据权利要求1所述的基板保持架,其中,
所述外周支承部具有环状的壁部,所述壁部支承所述外周部的包含所述至少一部分区域在内的周缘侧。
3.根据权利要求1或2所述的基板保持架,其中,
所述外周支承部具有与所述中央支承部邻接地配置的内侧区域和配置在所述内侧区域的外侧的外侧区域,所述外周支承部将所述外周部支承为:在所述外周部中,被所述外侧区域支承的部分以比被所述内侧区域支承的部分大的曲率朝向所述基板保持架弯曲。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板保持架,其中,
所述外周支承部具有曲面,该曲面将所述外周部支承为:所述至少一部分区域朝向所述基板保持架以比所述中央部大的曲率弯曲。
5.根据权利要求4所述的基板保持架,其中,
所述曲面包括多个通气孔,能够通过负压吸附所述基板的所述外周部。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板保持架,其中,
所述外周支承部具有虚拟的支承面为曲面的多个支承销,利用所述曲面将所述外周部支承为:所述至少一部分区域朝向所述基板保持架以比所述中央部大的曲率弯曲。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板保持架,其中,
所述外周支承部包括能够分别独立地吸附所述基板的所述外周部的多个吸附区域。
8.根据权利要求7所述的基板保持架,其中,
所述多个吸附区域位于供推压所述基板的所述外周部的升降销插入的孔的周围。
9.一种基板保持架,其具备:
中央支承部,其支承基板的中央部;以及
外周支承部,其配置在所述中央支承部的外侧,支承所述基板的外周部,
其中,
所述外周支承部的支承面的高度相对于距所述中央支承部的中心的距离的变化的变化率大于所述中央支承部的支承面的高度相对于距所述中心的距离的变化的变化率。
10.一种基板保持架,其用于保持基板,在使所述基板的一部分与其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过扩大所述接触区域来使所述基板和所述其他基板贴合,其中,
该基板保持架具备减速部,所述减速部在所述基板的外周部减小所述接触区域的扩大的行进速度以及所述基板与所述其他基板间的流体的移动速度中至少一者。
11.一种基板保持架,其用于保持基板,在使所述基板的一部分与其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过扩大所述接触区域来使所述基板和所述其他基板贴合,其中,
该基板保持架具备释放部,所述释放部将因所述接触区域的扩大而在所述基板与所述其他基板之间移动的流体释放到所述基板以及所述其他基板的外侧。
12.一种基板贴合装置,其中,
该基板贴合装置使用权利要求1~8中任一项所述的基板保持架,使被保持于所述基板保持架的所述基板与其他基板贴合。
13.根据权利要求12所述的基板贴合装置,其中,
该基板贴合装置具备驱动部,所述驱动部使所述基板保持架的所述外周支承部变形为:所述基板在所述外周部的至少一部分区域朝向所述基板保持架以比所述中央部大的曲率弯曲。
14.根据权利要求13所述的基板贴合装置,其中,
该基板贴合装置在使所述基板的一部分与所述其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过扩大所述接触区域来使所述基板和所述其他基板贴合,
该基板贴合装置还具备检测部,所述检测部检测所述基板与所述其他基板之间的所述接触区域到达预定的位置,
与由所述检测部检测到所述接触区域到达所述位置相应地,所述驱动部使所述外周支承部变形。
15.根据权利要求13或14所述的基板贴合装置,其中,
该基板贴合装置还具备取得部,所述取得部分别针对所述基板和所述其他基板,取得在基板的外周部形成的修边的宽度、在由基板保持架保持之前产生的所述外周部的弯曲的朝向、所述弯曲的大小、形成在所述外周部的凹口的位置、制造工艺以及材料中至少一者的信息,
所述驱动部根据所述取得部取得的所述信息,使所述基板保持架的所述外周支承部的变形量不同。
16.根据权利要求12~15中任一项所述的基板贴合装置,其中,
该基板贴合装置具备多个所述基板保持架,
由所述外周支承部弯曲的所述至少一部分区域的曲率、所述至少一部分区域的宽度以及所述至少一部分区域的位置中至少一者在所述多个基板保持架各不相同。
17.一种基板贴合装置,其中,
该基板贴合装置使用权利要求9~11中任一项所述的基板保持架,使被保持于所述基板保持架的所述基板与其他基板贴合。
18.一种基板贴合方法,其中,
该基板贴合方法具备:
利用基板保持架保持基板的步骤,由所述基板保持架保持所述基板的中央部,并且,由所述基板保持架将所述基板的外周部保持为所述外周部的至少一部分区域朝向所述基板保持架以比所述中央部大的曲率弯曲;
利用其他基板保持架保持其他基板的步骤;以及
基板贴合步骤,在使所述基板的一部分与所述其他基板的一部分接触而形成了接触区域之后,通过使所述接触区域扩大来使所述基板和所述其他基板贴合。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-088055 | 2019-05-08 | ||
JP2019088055 | 2019-05-08 | ||
PCT/JP2020/018522 WO2020226152A1 (ja) | 2019-05-08 | 2020-05-07 | 基板ホルダ、基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113795907A true CN113795907A (zh) | 2021-12-14 |
CN113795907B CN113795907B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=73051465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080033276.3A Active CN113795907B (zh) | 2019-05-08 | 2020-05-07 | 基板贴合装置以及基板贴合方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220084870A1 (zh) |
JP (1) | JP7276434B2 (zh) |
KR (1) | KR20210144892A (zh) |
CN (1) | CN113795907B (zh) |
TW (1) | TWI822993B (zh) |
WO (1) | WO2020226152A1 (zh) |
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- 2020-04-30 TW TW109114450A patent/TWI822993B/zh active
- 2020-05-07 KR KR1020217036322A patent/KR20210144892A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-05-07 WO PCT/JP2020/018522 patent/WO2020226152A1/ja active Application Filing
- 2020-05-07 CN CN202080033276.3A patent/CN113795907B/zh active Active
- 2020-05-07 JP JP2021518393A patent/JP7276434B2/ja active Active
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- 2021-11-05 US US17/453,734 patent/US20220084870A1/en active Pending
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WO2020226152A1 (ja) | 2020-11-12 |
JPWO2020226152A1 (zh) | 2020-11-12 |
TW202101529A (zh) | 2021-01-01 |
KR20210144892A (ko) | 2021-11-30 |
US20220084870A1 (en) | 2022-03-17 |
TWI822993B (zh) | 2023-11-21 |
JP7276434B2 (ja) | 2023-05-18 |
CN113795907B (zh) | 2024-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |