TW202137288A - 接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種使基板之接合精度提高的技術。
[解決手段]實施形態之接合裝置,係具備有:第1保持部;第1變形部;第2保持部;第2變形部;吸引部;及控制裝置。第1保持部,係從上方吸附保持第1基板。第1變形部,係使被保持於第1保持部之第1基板的中央部朝向下方突出。第2保持部,係被設置於比第1保持部更下方,從下方吸附保持被接合於第1基板的第2基板。第2變形部,係使被保持於第2保持部之第2基板的中央部朝向上方突出。吸引部,係在第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力。控制裝置,係控制吸引部。
Description
本揭示,係關於接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體。
在專利文獻1,係揭示有一種「使被設置於上方之基板的中央部變形成往下方突出,將基板彼此接合」的接合裝置。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-229787號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示,係提供一種使基板之接合精度提高的技術。
[用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的接合裝置,係具備有:第1保持部;第1變形部;第2保持部;第2變形部;吸引部;及控制裝置。第1保持部,係從上方吸附保持第1基板。第1變形部,係使被保持於第1保持部之第1基板的中央部朝向下方突出。第2保持部,係被設置於比第1保持部更下方,從下方吸附保持被接合於第1基板的第2基板。第2變形部,係使被保持於第2保持部之第2基板的中央部朝向上方突出。吸引部,係在第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力。控制裝置,係控制吸引部。
[發明之效果]
根據本揭示,可使基板的接合精度提高。
在以下中,參閱圖面,詳細地說明關於本揭示之接合裝置及用以實施接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體的形態(以下,記載為「實施形態」)。另外,並非藉由該實施形態來限定本揭示之接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體。又,各實施形態,係可在處理內容不相矛盾的範圍下,適當地進行組合。又,在以下之各實施形態中,相同部位,係賦予相同符號而省略重複的說明。
又,在以下參閱之各圖面中,係為了容易理解說明,有時表示規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向,並將Z軸正方向作為垂直向上方向的正交座標系統。X軸方向及Y軸方向,係水平方向。在以下中,係有時將Z軸正方向作為上方,將Z軸負方向作為下方而進行說明。
<接合系統之構成>
首先,參閱圖1及圖2,說明關於實施形態之接合系統1的構成。圖1,係表示實施形態之接合系統1之構成的示意圖。又,圖2,係表示實施形態之第1基板W1及第2基板W2的接合前之狀態的示意圖。
圖1所示之接合系統1,係藉由將第1基板W1與第2基板W2接合的方式,形成重合基板T(參閱圖2)。
第1基板W1與第2基板W2,係單晶矽晶圓,在板面,係形成有複數個電子電路。第1基板W1與第2基板W2,係大致同徑。另外,第1基板W1與第2基板W2之一者,係例如亦可為未形成電子電路的基板。
在以下中,係如圖2所示般,將第1基板W1的板面中與第2基板W2接合之側的板面記載為「接合面W1j」,將與接合面W1j相反側的板面記載為「非接合面W1n」。又,將第2基板W2的板面中與第1基板W1接合之側的板面記載為「接合面W2j」,將與接合面W2j相反側的板面記載為「非接合面W2n」。
如圖1所示般,接合系統1,係具備有:搬入搬出站2;及處理站3。搬入搬出站2,係被配置於處理站3之X軸負方向側,並與處理站3一體連接。
搬入搬出站2,係具備有:載置台10;及搬送區域20。載置台10,係具備有:複數個載置板11。在各載置板11,係分別載置有以水平狀態收容複數片(例如25片)基板的匣盒C1~C4。匣盒C1,係可收容複數片第1基板W1,匣盒C2,係可收容複數片第2基板W2,匣盒C3,係可收容複數片重合基板T。匣盒C4,係例如用以回收產生不良狀況之基板的匣盒。另外,載置於載置板11之匣盒C1~C4的個數,係不限定於圖示者。
搬送區域20,係被配置為鄰接於載置台10的X軸正方向側。在搬送區域20,係設置有:搬送路徑21,在Y軸方向上延伸;及搬送裝置22,可沿著搬送路徑21移動。搬送裝置22,係不僅沿Y軸方向,亦可沿X軸方向移動且可繞Z軸旋轉。搬送裝置22,係在被載置於載置板11的匣盒C1~C4與後述之處理站3的第3處理區塊G3之間,進行第1基板W1、第2基板W2及重合基板T的搬送。
如此一來,搬入搬出站2,係將第1基板W1及第2基板W2搬送至處理站3,並從處理站搬送第1基板W1及第2基板W2所接合而成的重合基板T。
在處理站3,係例如設置有3個處理區塊G1、G2、G3。第1處理區塊G1,係被配置於處理站3的背面側(圖1之Y軸正方向側)。又,第2處理區塊G2,係被配置於處理站3的正面側(圖1之Y軸負方向側),第3處理區塊G3,係被配置於處理站3的搬入搬出站2側(圖1之X軸負方向側)。
在第1處理區塊G1,係配置有將第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j進行改質的表面改質裝置30。表面改質裝置30,係以在第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j,藉由電漿照射形成懸空鍵(dangling bond),且其後容易被親水化的方式,將接合面W1j、W2j進行改質。
具體而言,在表面改質裝置30中,係例如在減壓環境下,處理氣體即氧氣或氮氣會被激發而電漿化。而且,藉由該氧離子或氮離子被照射至第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j的方式,接合面W1j、W2j被電漿處理而改質。
又,在第1處理區塊G1,係配置有表面親水化裝置40。表面親水化裝置40,係藉由例如純水來使第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j親水化,並且洗淨接合面W1j、W2j。具體而言,表面親水化裝置40,係例如一面使被保持於旋轉夾盤之第1基板W1或第2基板W2旋轉,一面將純水供給至該第1基板W1或第2基板W2上。藉此,供給至第1基板W1或第2基板W2上之純水會在第1基板W1及第2基板W2的接合面W1j、W2j上擴散,接合面W1j、W2j被親水化。
在此,係雖表示了並列配置有表面改質裝置30與表面親水化裝置40之情形的例子,但表面親水化裝置40,係亦可被層積於表面改質裝置30的上方或下方。
在第2處理區塊G2,係配置有接合裝置41。亦即,處理站3,係具備有:接合裝置41。接合裝置41,係藉由分子間作用力,接合經親水化的第1基板W1與第2基板W2。關於接合裝置41之具體的構成,係如後述。
在以第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3所包圍的區域,係形成有搬送區域60。在搬送區域60,係配置有搬送裝置61。搬送裝置61,係例如具有沿垂直方向、水平方向及繞垂直軸移動自如的搬送臂。該搬送裝置61,係在搬送區域60內移動,並將第1基板W1、第2基板W2及重合基板T搬送至與搬送區域60鄰接之第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內的預定裝置。
又,接合系統1,係具備有:控制裝置70。控制裝置70,係控制接合系統1的動作。該控制裝置70,係例如為電腦,具備有未圖示的控制部及記憶部。控制部,係包含有微電腦或各種電路,該微電腦,係具有CPU (Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、輸入輸出埠等。該微電腦之CPU,係藉由讀取且執行被記憶於ROM之程式的方式,實現後述的控制。又,記憶部,係例如藉由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶體元件或硬碟、光碟等的記憶裝置而實現。
另外,該程式,係被記錄於電腦可讀取之記錄媒體者,亦可為從其記錄媒體安裝於控制裝置70的記憶部者。作為電腦可讀取之記錄媒體,係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
<接合裝置>
接合裝置41,係如圖3所示般,具備有:第1保持機構100;及第2保持機構200。圖3,係表示實施形態之接合裝置41的一部分之構成的示意圖。
第1保持機構100,係具備有:轉動機構101;第1高度測定部102;及第1卡盤部103。第1保持機構100,係藉由第1卡盤部103,吸附並保持第1基板W1。關於第1卡盤部103之詳細內容,係如後述。具體而言,第1卡盤部103,係吸附第1基板W1的非接合面W1n。
轉動機構101,係被安裝於接合裝置41之處理容器的頂部41a。轉動機構101,係可轉動地支撐第1卡盤部103。轉動機構101,係以沿著Z軸方向的軸為中心,使第1卡盤部103轉動。
第1高度測定部102,係被安裝於處理容器的頂部41a。第1高度測定部102,係亦可被安裝於轉動機構101或第1卡盤部103。第1高度測定部102,係測定第2基板W2之接合面W2j的高度。
第1高度測定部102,係例如使用CCD攝影機的對準攝影機。第1高度測定部102,係拍攝被設置於第2基板W2之對準圖案且識別對準圖案,並測定聚焦高度來作為第2基板W2之接合面W2j的高度。
第1高度測定部102,係亦可為變位感測器。變位感測器,係例如雷射位移計。變位感測器,係朝向第2卡盤部203及第2基板W2照射雷射光,並接收其反射光,藉此,測定第2基板W2之接合面W2j的高度。第1保持機構100,係亦可具備對準攝影機、變位感測器作為第1高度測定部102。
第2保持機構200,係具備有:移動機構201;第2高度測定部202;及第2卡盤部203。第2保持機構200,係藉由第2卡盤部203,吸附並保持第2基板W2。關於第2卡盤部203之詳細內容,係如後述。具體而言,第2卡盤部203,係吸附第2基板W2的非接合面W2n。
移動機構201,係使第2高度測定部202及第2卡盤部203往水平方向及上下方向移動。移動機構201,係具備有:第1移動機構201a;第2移動機構201b;及第3移動機構201c。
第1移動機構201a,係被設置於接合裝置41之處理容器的地板部41b,使第2高度測定部202及第2卡盤部203沿著在Y軸方向上延伸的軌道移動。第2移動機構201b,係被安裝於第1移動機構201a的上部。第2移動機構201b,係被設置於第1移動機構201a的上面,使第2高度測定部202及第2卡盤部203沿著在X軸方向上延伸的軌道移動。第3移動機構201c,係被安裝於第2移動機構201b,使第2高度測定部202及第2卡盤部203沿著上下方向移動。
第2高度測定部202,係被安裝於第2卡盤部203。第2高度測定部202,係測定第1基板W1之接合面W1j的高度。與第1高度測定部102相同地,第2高度測定部202,係對準攝影機或變位感測器。
<第1卡盤部>
其次,參閱圖4,說明關於第1卡盤部103。圖4,係表示實施形態之第1卡盤部103及第2卡盤部203之構成的示意圖。
第1卡盤部103,係具備有:支撐部110;第1保持部111;第1吸引部112;及第1變形部113。
支撐部110,係可轉動地被安裝於轉動機構101(參閱圖3)。支撐部110,係被形成為圓形。在支撐部110,係形成有收容第1變形部113的第1收容室110a。第1收容室110a,係被形成於支撐部110的中央。
第1保持部111,係被安裝於支撐部110的下面,並被固定於支撐部110。第1保持部111,係被形成為圓形。在第1保持部111,係形成有吸引孔120a與插入孔120b。第1保持部111,係從上方吸附保持第1基板W1。
吸引孔120a,係被設置於第1保持部111的外周部與中間部。吸引孔120a,係形成有複數個。插入孔120b,係被形成於第1保持部111之中央,且插入有後述的第1變形部113之致動器114a的前端。
第1吸引部112,係被連接於吸引孔120a。第1吸引部112,係例如由真空泵。使用第1吸引部112進行抽真空,藉此,第1基板W1之外周部被吸附保持於第1保持部111。
第1變形部113,係被設置於第1收容室110a,該第1收容室110a,係被形成於支撐部110。第1變形部113之一部分,係亦可被設置於轉動機構101(參閱圖3)。第1變形部113,係具備有:致動器114a;及汽缸114b。
致動器114a,係藉由從電空調整器(未圖示)所供給的空氣,在固定方向產生固定壓力。致動器114a,係可無關於壓力之作用點的位置而固定產生壓力。致動器114a之前端,係可抵接於第1基板W1之上面的中央部,控制施加於第1基板W1之中央部的推壓荷重。
汽缸114b,係支撐致動器114a。汽缸114b,係例如藉由內建有馬達的驅動部,使致動器114a沿上下方向上移動。
第1變形部113,係藉由致動器114a來控制對第1基板W1的推壓荷重,藉由汽缸114b來控制致動器114a的移動。第1變形部113,係將被吸附保持於第1保持部111之第1基板W1的中央部朝下方推壓,使第1基板W1往下方彎曲。亦即,第1變形部113,係使被保持於第1保持部111之第1基板W1的中央部朝向下方突出。第1變形部113,係可藉由控制致動器114a之移動量的方式,調整第1基板W1之中央部的突出量。
<第2卡盤部>
其次,參閱圖4及圖5,說明關於第2卡盤部203。圖5,係表示實施形態之第2保持部211的平面示意圖。第2卡盤部203,係具備有:基台部210;第2保持部211;第2吸引部212;及第2變形部213。
基台部210,係被安裝於第3移動機構201c(參閱圖3)。基台部210,係圓形。在基台部210,係形成有收容測定部240的收容室210a。收容室210a,係被形成於基台部210的中央。
在基台部210,係形成有插入孔210b。插入孔210b,係與收容室210a連通。插入孔210b,係被形成於基台部210的中央。
基台部210(基底部之一例),係在與第2保持部211之間形成壓力可變空間243(變形空間之一例),且安裝有第2保持部211,該壓力可變空間243,係藉由加壓的方式,使第2保持部211朝向上方突出。
又,在基台部210,係形成有吸引孔210c及吸引排氣孔210d。吸引孔210c,係形成有複數個。在吸引孔210c之周圍,係設置有密封構件220。
密封構件220,係被安裝於基台部210,密封壓力可變空間243與吸引孔210c。密封構件220,係可進行伸縮。密封構件220,係例如唇密封。密封構件220,係例如被安裝於突出部210e,該突出部210e,係從基台部210朝向上方突出。密封構件220,係抵接於第2保持部211的下面。
第2保持部211,係被設置於第1保持部111之下方,從下方吸附保持被接合於第1基板W1的第2基板W2。第2保持部211,係被設置於基台部210的上方。第2保持部211,係圓形。在第2保持部211之周圍,係設置有固定環222。第2保持部211,係藉由固定環222被固定於基台部210。
第2保持部211,係例如藉由氧化鋁陶瓷或碳化矽等的陶瓷材料所形成。第2保持部211,係往上下方向及水平方向伸縮自如。第2保持部211,係可實現高精度的平面且高回復性。
第2保持部211之上面,係圓形。第2保持部211之上面的直徑,係大於第2基板W2的直徑。第2保持部211之中央部的厚度,係大於外周部的厚度。在第2保持部211之上面,係設置有第1肋板211a(壁部之一例)。第1肋板211a,係亦可與第2保持部211分開設置,亦可被設置於第2保持部211,且亦可與第2保持部211一體設置。第1肋板211a,係將第2基板W2之吸附區域劃分成複數個分割區域230。亦即,在第2基板W2之吸附區域,係含有複數個分割區域230。
第1肋板211a,係例如在X軸方向、Y軸方向及傾斜方向,以抑制第2基板W2變形並吸附保持的方式,將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
具體而言,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的徑方向亦即第2基板W2的徑方向,將吸附區域劃分成複數個分割區域230。例如,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的徑方向,將吸附區域劃分成3個分割區域230。另外,沿著第2保持部211的徑方向所劃分之分割區域230的數量,係不限於此,只要被劃分成2個以上的分割區域230即可。
又,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的周方向亦即第2基板W2的周方向,將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
例如,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的周方向,將被形成於第2保持部211之最外周側的分割區域230劃分成複數個分割區域230。例如,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的周方向,將被形成於第2保持部211之最外周側的分割區域230劃分成8個分割區域230。
又,第1肋板211a,係在第2保持部211之徑方向,沿著第2保持部211的周方向,將被形成於比最外周側更往一個內側的分割區域230劃分成複數個分割區域230。例如,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的周方向,將被形成於比最外周側更往一個內側的分割區域230劃分成8個分割區域230。
另外,沿著第2保持部211的周方向所劃分之分割區域230的數量,係不限於此,只要被劃分成2個以上的分割區域230即可。
又,第1肋板211a,係亦可在第2保持部211之徑方向,沿著第2保持部211的周方向,將最中心部側的分割區域230劃分成複數個分割區域230。亦即,第1肋板211a,係沿著第2保持部211的周方向,將沿著第2保持部211之徑方向所形成的複數個分割區域230中之至少一個分割區域230進一步劃分成複數個分割區域230。
另外,第1肋板211a,係亦可沿著第2保持部211的徑方向及第2保持部211的周方向之任一者的方向,將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
在第2保持部211之下面,係設置有第2肋板211b。第2肋板211b,係在第2保持部211之上面成為水平的情況下,抵接於基台部210。在第2保持部211的下面與基台部210的上面之間,係形成有壓力可變空間243。
在第2保持部211,係形成有吸引孔211c。吸引孔211c,係形成有複數個。吸引孔211c,係與各分割區域230對應而形成。亦即,吸引孔211c,係被形成於每個分割區域230。如此一來,在第2保持部211,係形成有與複數個分割區域230對應的複數個吸引孔211c。
在第2保持部211之下面,密封構件220抵接於吸引孔211c的周圍。吸引孔211c,係與吸引孔210c連通,該吸引孔210c,係經由密封構件220被形成於基台部210。
第2吸引部212,係具備有:真空泵250;及複數個調整器251。真空泵250,係經由配管252被連接於各吸引孔210c。亦即,真空泵250,係被連接於複數個吸引孔211c,該複數個吸引孔211c,係被形成於第2保持部211。第2吸引部212,係經由複數個吸引孔211c吸引第2基板W2。
複數個調整器251,係被設置於與各吸引孔211c連接的配管252,調整各吸引孔211c中之吸引力,亦即各分割區域230中之第2基板W2的吸附力。
藉由真空泵250進行抽真空並控制各調整器251,藉此,分別調整各分割區域230中之第2基板W2的吸附力,且第2基板W2被吸附保持於第2保持部211。第2吸引部212,係藉由控制裝置70(參閱圖1)來控制。亦即,真空泵250及各調整器251,係藉由控制裝置70來控制,分別調整各分割區域230中之吸附力。如此一來,第2吸引部212(吸引部之一例),係在第2基板W2之吸附區域所含有的複數個分割區域230中產生不同的吸附力。
另外,第2吸引部212,係亦可設置複數個真空泵250,藉由複數個真空泵250調整各分割區域230中之第2基板W2的吸附力。
第2變形部213,係具備有:真空泵260;及電空調整器261。
真空泵260,係經由切換閥262被連接於吸引排氣孔210d。藉由真空泵260進行抽真空,藉此,將壓力可變空間243減壓。藉由將壓力可變空間243減壓的方式,第2保持部211之第2肋板211b抵接於基台部210。在該情況下,第2保持部211之上面,係成為水平。
電空調整器261,係經由切換閥262被連接於吸引排氣孔210d。電空調整器261,係將空氣供給至壓力可變空間243,對壓力可變空間243進行加壓。藉此,第2保持部211,係從下方被推壓。第2保持部211之外周部,係藉由固定環222被固定於基台部210。因此,藉由從下方被推壓的方式,第2保持部211之中央部,係朝向比外周部更往上方突出。
切換閥262,係切換吸引排氣孔210d、真空泵260及電空調整器261的連接狀態。
第2變形部213,係藉由對壓力可變空間243進行加壓的方式,使被保持於第2保持部211之第2基板W2的中央部朝向上方突出。藉此,第2基板W2彎曲。亦即,第2變形部213,係使被保持於第2保持部211之第2基板W2的中央部相對於第2基板W2的外周部突出。第2變形部213,係可藉由調整壓力可變空間243之壓力的方式,調整第2基板W2之中央部的突出量。
測定部240,係測定第2保持部211的突出量,亦即第2基板W2之中央部的突出量。測定部240,係例如靜電電容感應器。靜電電容感應器,係測定由感測器面與測定目標240a所形成的靜電電容之變化來作為感測器面與測定目標240a的距離。
測定目標240a,係被安裝於第2保持部211之下面的中央,與第2保持部211一起往上下方向移動。測定目標240a,係被插入基台部210的插入孔210b。在測定目標240a之周圍,係設置有密封構件(未圖示)例如V型環。
<接合處理>
其次,參閱圖6之流程圖,說明關於實施形態的接合處理。圖6,係說明實施形態之接合處理的流程圖。圖6所示之各處理,係基於控制裝置70的控制來執行。
控制裝置70,係進行第1搬入處理(S100)。控制裝置70,係藉由搬送裝置61,使「藉由表面改質裝置30進行表面改質,且藉由表面親水化裝置40而親水化」的第1基板W1搬入接合裝置41。而且,控制裝置70,係在以使第1基板W1之非接合面W1n成為上方的方式,使第1基板W1反轉後,藉由第1卡盤部103,吸附保持第1基板W1的非接合面W1n。
控制裝置70,係進行第2搬入處理(S101)。第1搬送處理及第2搬送處理之順序,係亦可相反。控制裝置70,係藉由搬送裝置61,使「藉由表面改質裝置30進行表面改質,且藉由表面親水化裝置40而親水化」的第2基板W2搬入接合裝置41。而且,控制裝置70,係藉由第2卡盤部203,吸附保持第2基板W2的非接合面W2n。
控制裝置70,係控制第2吸引部212(吸引部之一例)。具體而言,控制裝置70,係以產生每個分割區域230所設定之吸附力的方式,控制真空泵250及調整器251,吸附保持第2基板W2。控制裝置70,係在複數個分割區域230中產生不同的吸附力,吸附保持第2基板。另外,複數個分割區域230,係亦可含有產生相同吸附力的分割區域230。
例如,控制裝置70,係如圖7所示般,將複數個分割區域230分配為「A」~「G」,以產生吸附力。圖7,係表示實施形態之分割區域230的吸附力之分配例的圖。圖7中標記了相同符號之分割區域230,係產生相同吸附力。
又,控制裝置70,係亦可在各分割區域230中,藉由相同吸附力吸附保持第2基板W2後,以產生每個分割區域230所設定之吸附力的方式,控制真空泵250及調整器251。
控制裝置70,係進行接合處理(S102)。具體而言,控制裝置70,係在調整第1基板W1及第2基板W2之水平方向的位置後,調整第1基板W1及第2基板W2之上下方向的位置。
其次,控制裝置70,係藉由第1變形部113,將藉由第1保持部111所吸附保持之第1基板W1的中央部朝下方推壓,使第1基板W1朝向下方彎曲。
又,控制裝置70,係藉由電空調整器261,將空氣供給至壓力可變空間243,對壓力可變空間243進行加壓。藉此,吸附保持於第2保持部211之第2基板W2朝向上方彎曲。另外,第2基板W2,係成為「藉由在各分割區域230中產生之吸附力而被吸附於第2保持部211」的狀態。
藉此,如圖8所示般,第1基板W1之中央部與第2基板W2之中央部接觸,開始第1基板W1之中央部與第2基板W2之中央部的接合。圖8,係表示在實施形態之接合裝置41中,開始第1基板W1與第2基板W2的接合之狀態的示意圖。
第1基板W1及第2基板W2,係進行表面改質處理。因此,產生凡得瓦力(分子間作用力),各基板W1、W2之接合面W1j、W2j彼此間被接合。而且,第1基板W1及第2基板W2,係進行親水化處理。因此,各基板W1、W2之接合面W1j、W2j的親水基進行氫鍵結,各基板W1、W2之接合面W1j、W2j彼此間被緊固地接合。
其次,控制裝置70,係停止第1吸引部112的吸引。藉此,解除第1保持部111之第1基板W1的吸附保持,第1基板W1,係從中央部到外周部落下至第2基板W2上,第1基板W1及第2基板W2被接合而形成重合基板T。
如此一來,控制裝置70,係在複數個分割區域230中產生不同的吸附力,進行第1基板W1與第2基板W2的接合。
控制裝置70,係進行搬出處理(S103)。控制裝置70,係藉由搬送裝置61,從接合裝置41搬出重合基板T。
<效果>
接合裝置41,係具備有:第1保持部111;第1變形部113;第2保持部211;第2變形部213;第2吸引部212(吸引部之一例);及控制裝置70。第1保持部111,係從上方吸附保持第1基板W1。第1變形部113,係使被保持於第1保持部111之第1基板W1的中央部朝向下方突出。第2保持部211,係被設置於比第1保持部111更下方,從下方吸附保持被接合於第1基板W1的第2基板W2。第2變形部213,係使被吸附保持於第2保持部211之第2基板W2的中央部朝向上方突出。第2吸引部212,係在第2基板W2之吸附區域所含有的複數個分割區域230中產生不同的吸附力。控制裝置70,係控制第2吸引部212。
藉此,接合裝置41,係可藉由在複數個分割區域230中所產生之不同的吸附力,吸附保持第2基板W2。因此,接合裝置41,係可抑制「在被吸附保持於第2保持部211之第2基板W2發生變形」的情形,並抑制重合基板T之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,第2保持部211,係具備有:第1肋板211a(壁部之一例),將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
藉此,接合裝置41,係可精度良好地調整在複數個分割區域230中所產生的吸附力,並可抑制第2基板W2之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,第1肋板211a,係沿著第2基板W2的徑方向,將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
藉此,接合裝置41,係可在第2基板W2之徑方向產生不同的吸附力,並可抑制第2基板W2的徑方向之變形的發生。因此,接合裝置41,係可使重合基板T的接合精度提高。
又,第1肋板211a,係沿著第2基板W2的周方向,將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
藉此,接合裝置41,係可在第2基板W2之周方向產生不同的吸附力,並可抑制第2基板W2的周方向之變形的發生。因此,接合裝置41,係可使重合基板T的接合精度提高。
又,在第2保持部211,係形成有與複數個分割區域230對應的複數個吸引孔211c。第2吸引部212,係經由複數個吸引孔211c吸引第2基板W2。
藉此,接合裝置41,係可對每個分割區域230調整吸引力,並可抑制「在被吸附保持於第2保持部211之第2基板W2發生變形」的情形。因此,接合裝置41,係可抑制重合基板T之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,接合裝置41,係具備有:基台部210(基底部之一例);及密封構件220。基台部210,係在與第2保持部211之間形成壓力可變空間243(變形空間之一例),且安裝有第2保持部211,該壓力可變空間243,係藉由加壓的方式,使第2保持部211朝向上方突出。密封構件220,係被安裝於基台部210,密封壓力可變空間243與吸引孔211c且可伸縮。密封構件220,係抵接於第2保持部211的下面。
藉此,接合裝置41,係可抑制在第2保持部211之下面形成凹凸的情形。因此,接合裝置41,係在對壓力可變空間243進行加壓而使第2保持部211朝向上方突出的情況下,可抑制第2保持部211之上面的變形,亦即第2基板W2之變形的發生。因此,接合裝置41,係可抑制重合基板T之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
<變形例>
變形例之接合裝置41的控制裝置70,係亦可在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間,變更複數個分割區域230的吸附力。例如,變形例之接合裝置41,係亦可在接合處理期間,藉由預先設定的時間點,變更複數個分割區域230的吸附力。變形例之接合裝置41,係亦可在複數個分割區域230之一部分的區域變更吸附力。又,變形例之接合裝置41,係亦可在接合處理期間,變更複數個分割區域230的吸附力複數次。另外,吸附力之變更,係含有使吸附力為零,亦即解除分割區域230中之第2基板W2的吸附。
藉此,變形例之接合裝置41,係可抑制接合處理中之第2基板W2之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,變形例之接合裝置41,係亦可基於接合處理中之第2基板W2的狀態,例如第2基板W2的溫度,在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間,變更複數個分割區域230的吸附力。第2基板W2之溫度,係例如藉由被設置於第2保持部211的溫度感測器來檢測。
藉此,變形例之接合裝置41,係可抑制接合處理中之第2基板W2之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,變形例之接合裝置41的控制裝置70,係亦可基於接合前之第2基板W2的狀態,設定複數個分割區域230的吸附力。第2基板W2之狀態,係包含第2基板W2的厚度或第2基板W2的翹曲量或第2基板W2的溫度等。變形例之接合系統1,係如圖9所示般,具備有:檢測裝置43,暫時載置第2基板W2,並檢測第2基板W2的狀態。圖9,係表示實施形態之變形例的接合系統1之構成的示意圖。
又,變形例之接合裝置41,係亦可基於接合前之第2基板W2的狀態,在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間,變更複數個分割區域230的吸附力。
藉此,變形例之接合裝置41,係可因應第2基板W2的狀態來設定分割區域230中之吸附力,並可抑制接合處理中之第2基板W2之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,變形例之接合裝置41,係亦可與第2卡盤部203相同地,在第1卡盤部103中,在第1保持部111與支撐部110之間形成壓力可變空間,藉由對壓力可變空間進行加壓的方式,使第1基板W1往下方彎曲。
又,變形例之接合裝置41,係亦可與第2卡盤部203相同地,設置將第1卡盤部103中之吸附區域劃分成複數個分割區域230的肋板,並在複數個分割區域230中產生不同的吸附力。
藉此,變形例之接合裝置41,係可抑制第1基板W1之變形的發生,從而使重合基板T的接合精度提高。
又,變形例之接合裝置41,係亦可適當地組合上述變形例的接合裝置41而進行接合處理。例如,變形例之接合裝置41,係亦可在第1卡盤部103中,在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間,變更複數個分割區域230的吸附力。
另外,吾人認為本次所揭示之實施形態,係在所有方面皆為例示而非限定者。實際上,上述實施形態,係可藉由多種形態來實現。又,上述的實施形態,係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其意旨,以各種形態進行省略、置換、變更。
1:接合系統
2:搬入搬出站
3:處理站
41:接合裝置
70:控制裝置
103:第1卡盤部
110:支撐部
111:第1保持部
112:第1吸引部
113:第1變形部
203:第2卡盤部
210:基台部(基底部)
211:第2保持部
211a:第1肋板(壁部)
211c:吸引孔
212:第2吸引部
213:第2變形部
220:密封構件
230:分割區域
W1:第1基板
W2:第2基板
[圖1]圖1,係表示實施形態之接合系統之構成的示意圖。
[圖2]圖2,係表示實施形態之第1基板及第2基板的接合前之狀態的示意圖。
[圖3]圖3,係表示實施形態之接合裝置的一部分之構成的示意圖。
[圖4]圖4,係表示實施形態之第1卡盤部及第2卡盤部之構成的示意圖。
[圖5]圖5,係表示實施形態之第2保持部的平面示意圖。
[圖6]圖6,係說明實施形態之接合處理的流程圖。
[圖7]圖7,係表示實施形態之分割區域的吸附力之分配例的圖。
[圖8]圖8,係表示在實施形態之接合裝置中,開始第1基板與第2基板的接合之狀態的示意圖。
[圖9]圖9,係表示實施形態之變形例的接合系統之構成的示意圖。
211:第2保持部
211a:第1肋板
211c:吸引孔
220:密封構件
230:分割區域
Claims (11)
- 一種接合裝置,其特徵係,具備有: 第1保持部,從上方吸附保持第1基板; 第1變形部,使被保持於前述第1保持部之前述第1基板的中央部朝向下方突出; 第2保持部,被設置於比前述第1保持部更下方,從下方吸附保持被接合於前述第1基板的第2基板; 第2變形部,使被保持於前述第2保持部之前述第2基板的中央部朝向上方突出; 吸引部,在前述第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力;及 控制裝置,控制前述吸引部。
- 如請求項1之接合裝置,其中, 前述第2保持部,係具備有: 壁部,將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
- 如請求項2之接合裝置,其中, 前述壁部,係沿著前述第2基板的徑方向,將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
- 如請求項2或3之接合裝置,其中, 前述壁部,係沿著前述第2基板的周方向,將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
- 如請求項2或3之接合裝置,其中, 在前述第2保持部,係形成有與前述複數個分割區域對應的複數個吸引孔, 前述吸引部,係經由前述複數個吸引孔吸引前述第2基板。
- 如請求項5之接合裝置,其中,具備有: 基底部,在與前述第2保持部之間形成變形空間,且安裝有前述第2保持部,該變形空間,係藉由加壓的方式,使前述第2保持部朝向上方突出;及 可伸縮之密封構件,被安裝於前述基底部,密封前述變形空間與前述吸引孔, 前述密封構件,係抵接於前述第2保持部的下面。
- 如請求項2或3之接合裝置,其中, 前述控制裝置,係在前述第1基板與前述第2基板之接合處理期間,變更前述複數個分割區域的吸附力。
- 如請求項2或3之接合裝置,其中, 前述控制裝置,係基於接合前之前述第2基板的狀態,設定前述複數個分割區域的吸附力。
- 一種接合系統,其特徵係,具備有: 處理站,具有如請求項1~8中任一項之接合裝置;及 搬入搬出站,將前述第1基板及前述第2基板搬送至前述處理站,並從前述處理站搬送前述第1基板及前述第2基板所接合而成的重合基板。
- 一種接合方法,其特徵係,包含有: 第1保持工程,藉由第1保持部,從上方吸附保持第1基板; 第1變形工程,使藉由前述第1保持部所吸附保持之前述第1基板的中央部朝向下方突出; 第2保持工程,藉由被設置於比前述第1保持部更下方之第2保持部,從下方吸附保持第2基板; 第2變形工程,使藉由前述第2保持部所吸附保持之前述第2基板的中央部朝向上方突出;及 接合工程,使前述第1基板與前述第2基板接觸,將前述第1基板與前述第2基板接合,該第1基板,係前述中央部朝向下方突出,該第2基板,係前述中央部朝向上方突出, 前述第2保持工程,係在前述第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力。
- 一種記憶媒體,係記憶有程式,該程式,係使電腦執行如請求項10之接合方法。
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