JP2017112322A - 接合装置、接合システムおよび接合方法 - Google Patents
接合装置、接合システムおよび接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017112322A JP2017112322A JP2015247713A JP2015247713A JP2017112322A JP 2017112322 A JP2017112322 A JP 2017112322A JP 2015247713 A JP2015247713 A JP 2015247713A JP 2015247713 A JP2015247713 A JP 2015247713A JP 2017112322 A JP2017112322 A JP 2017112322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- suction
- wafer
- modulus
- young
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 165
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 44
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 41
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 294
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 48
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 32
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
まず、実施形態に係る接合方法について図1および図2を参照して説明する。図1は、実施形態に係る接合方法の説明図である。また、図2は、第1基板と第2基板との変形量の差を説明するための図である。なお、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、鉛直上向きをZ軸の正方向とする直交座標系を示す場合がある。
<2.接合システムの構成>
まず、第1の実施形態に係る接合システムの構成について、図3〜図5を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図であり、図4は、同模式側面図である。また、図5は、上ウェハおよび下ウェハの模式側面図である。
次に、接合装置41の構成について図6〜図13を参照して説明する。図6は、接合装置41の構成を示す模式平面図であり、図7は、同模式側面図である。また、図8は、位置調節機構210の構成を示す模式側面図である。また、図9は、反転機構220の構成を示す模式平面図であり、図10および図11は、同模式側面図(その1)および(その2)である。また、図12は、保持アーム221および保持部材222の構成を示す模式側面図であり、図13は、接合装置41の内部構成を示す模式側面図である。
次に、接合システム1の具体的な動作について図24を参照して説明する。図24は、接合システム1が実行する処理の一部を示すフローチャートである。図24に示す各種の処理は、制御装置70による制御に基づいて実行される。
次に、第2の実施形態に係る上チャックおよび下チャックの構成について図25および図26を参照して説明する。図25は、第2の実施形態に係る上チャックおよび下チャックの構成を示す模式側面図である。図26は、第2の実施形態に係る上チャックを下方から見た場合の模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
次に、第3の実施形態に係る接合装置の構成について図29を参照して説明する。図29は、第3の実施形態に係る接合装置が備える押圧部材の構成の一例を示す図である。
W2 下ウェハ(第2基板)
1 接合システム
41 接合装置
70 制御装置
230 上チャック(第1保持部)
231 下チャック(第2保持部)
232 下チャックの上面
250 押動機構
251 押動ピン(押動部材)
231a 第1吸着領域
231b 第2吸着領域
230c,230d 第3吸着領域
230e,230f 第4吸着領域
Claims (10)
- ヤング率に異方性を有する基板を含む2つの基板のうち、第1基板を下面に吸着保持する第1保持部と、
前記第1保持部の下方に設けられ、前記2つの基板のうち、第2基板を上面に吸着保持する第2保持部と、
前記第1基板の中心部を上方から押圧して前記第2基板に接触させる押動部と、
前記押動部による前記第1基板の押圧によって生じる前記第1基板と前記第2基板との変形量の差のうち、前記ヤング率の異方性に伴う変形量の差を打ち消す構造と
を備えることを特徴とする接合装置。 - 前記第2保持部は、
ヤング率が最も高い方向または最も低い方向に沿った辺を有する角錐状の前記上面を前記構造として備えること
を特徴とする請求項1に記載の接合装置。 - 前記第2保持部による前記第2基板の吸着動作を制御する第2保持部制御部
を備え、
前記第2保持部は、
前記第2基板の吸着領域のうち、前記辺を含む第1吸着領域と、
前記第2基板の吸着領域のうち、前記第1吸着領域以外の第2吸着領域と
を備え、
前記第2保持部制御部は、
前記第1吸着領域による前記第2基板の吸着と、前記第2吸着領域による前記第2基板の吸着とを異なるタイミングで開始させること
を特徴とする請求項2に記載の接合装置。 - 前記上面は、
凹状または凸状の角錐面を有すること
を特徴とする請求項2または3に記載の接合装置。 - 前記第1保持部による前記第1基板の吸着動作を制御する第1保持部制御部
を備え、
前記第1保持部は、
前記ヤング率が最も高い方向に沿って配置された複数の第3吸着領域
を前記構造として備え、
前記第1保持部制御部は、
前記押動部による前記第1基板の押圧中に、前記複数の第3吸着領域による前記第1基板の吸着を前記第1基板の中心部から順次解除すること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の接合装置。 - 前記第1保持部は、
前記ヤング率が最も低い方向に沿って配置された複数の第4吸着領域
を備え、
前記第1保持部制御部は、
前記押動部による前記第1基板の押圧中に、前記複数の第4吸着領域のうち、前記第1基板の中心部に最も近い位置に配置された前記第4吸着領域による前記第1基板の吸着を解除した後で、前記複数の第3吸着領域のうち、前記第1基板の中心部に最も近い位置に配置された前記第3吸着領域による前記第1基板の吸着を解除すること
を特徴とする請求項5に記載の接合装置。 - 前記ヤング率が最も低い方向に沿って延在し、前記押動部による押圧中の前記第1基板を上方から押圧する押圧部材
を前記構造として備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の接合装置。 - 前記ヤング率に異方性を有する基板は、
表面の結晶方向が[100]である単結晶シリコンウェハであること
を特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の接合装置。 - ヤング率に異方性を有する基板を含む2つの基板である第1基板および第2基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第1基板および前記第2基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第1基板と前記第2基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第1基板を下面に吸着保持する第1保持部と、
前記第1保持部の下方に設けられ、前記第2基板を上面に吸着保持する第2保持部と、
前記第1基板の中心部を上方から押圧して前記第2基板に接触させる押動部と、
前記押動部による前記第1基板の押圧によって生じる前記第1基板と前記第2基板との変形量の差のうち、前記ヤング率の異方性に伴う変形量の差を打ち消す構造と
を備えることを特徴とする接合システム。 - ヤング率に異方性を有する基板を含む2つの基板のうち、第1基板を下面に吸着保持する第1保持部を用い、前記第1基板を吸着保持する第1保持工程と、
前記第1保持部の下方に設けられ、前記2つの基板のうち、第2基板を上面に吸着保持する第2保持部を用い、前記第2基板を吸着保持する第2保持工程と、
前記第1基板の中心部を上方から押圧して前記第2基板に接触させる接触工程と、
前記接触工程において生じる前記第1基板と前記第2基板との変形量の差のうち、前記ヤング率の異方性に伴う変形量の差を打ち消す打消工程と
を含むことを特徴とする接合方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015247713A JP6640546B2 (ja) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 接合装置、接合システムおよび接合方法 |
KR1020160172523A KR102536031B1 (ko) | 2015-12-18 | 2016-12-16 | 접합 장치, 접합 시스템 및 접합 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015247713A JP6640546B2 (ja) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 接合装置、接合システムおよび接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017112322A true JP2017112322A (ja) | 2017-06-22 |
JP6640546B2 JP6640546B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=59080939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015247713A Active JP6640546B2 (ja) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 接合装置、接合システムおよび接合方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6640546B2 (ja) |
KR (1) | KR102536031B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019129165A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-01 | 株式会社ニコン | 接合装置および接合方法 |
JP2019186304A (ja) * | 2018-04-04 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合方法 |
CN111133556A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-05-08 | 株式会社尼康 | 层叠基板的制造方法、制造装置以及程序 |
CN111615739A (zh) * | 2018-01-23 | 2020-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、以及基板处理方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102455415B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-10-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판의 접합 방법 |
KR102468794B1 (ko) * | 2018-07-06 | 2022-11-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 본딩 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템 |
KR102527289B1 (ko) * | 2021-06-24 | 2023-05-02 | 정라파엘 | 기판 본딩 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149725A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造システムおよび製造方法 |
JP2015515111A (ja) * | 2011-12-29 | 2015-05-21 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 多層構造体を基板に製造する方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101299284B1 (ko) * | 2012-06-26 | 2013-08-23 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판합착장치 |
JP2014229677A (ja) | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2015
- 2015-12-18 JP JP2015247713A patent/JP6640546B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-16 KR KR1020160172523A patent/KR102536031B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015515111A (ja) * | 2011-12-29 | 2015-05-21 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 多層構造体を基板に製造する方法 |
JP2013149725A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造システムおよび製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102388201B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 적층 기판의 제조 방법, 제조 장치, 및 프로그램 |
KR102523425B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2023-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 적층 기판의 제조 방법, 제조 장치, 및 적층 반도체 장치 |
CN111133556A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-05-08 | 株式会社尼康 | 层叠基板的制造方法、制造装置以及程序 |
KR20200052958A (ko) * | 2017-11-02 | 2020-05-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 적층 기판의 제조 방법, 제조 장치, 및 프로그램 |
CN111133556B (zh) * | 2017-11-02 | 2024-02-02 | 株式会社尼康 | 层叠基板的制造方法、制造装置以及程序 |
TWI801437B (zh) * | 2017-11-02 | 2023-05-11 | 日商尼康股份有限公司 | 積層基板之製造方法、積層基板之製造裝置、及記錄有積層基板之製造程序之電腦可讀取媒介 |
US11362059B2 (en) | 2017-11-02 | 2022-06-14 | Nikon Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus for stacked substrate, and program |
KR20220051421A (ko) * | 2017-11-02 | 2022-04-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 적층 기판의 제조 방법, 제조 장치, 및 적층 반도체 장치 |
JP2019129165A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-01 | 株式会社ニコン | 接合装置および接合方法 |
JP7234494B2 (ja) | 2018-01-19 | 2023-03-08 | 株式会社ニコン | 接合装置および接合方法 |
CN111615739A (zh) * | 2018-01-23 | 2020-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、以及基板处理方法 |
CN111615739B (zh) * | 2018-01-23 | 2024-06-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、以及基板处理方法 |
JP2019186304A (ja) * | 2018-04-04 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合方法 |
JP7001527B2 (ja) | 2018-04-04 | 2022-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102536031B1 (ko) | 2023-05-23 |
KR20170073519A (ko) | 2017-06-28 |
JP6640546B2 (ja) | 2020-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102584335B1 (ko) | 접합 장치 및 접합 시스템 | |
JP6640546B2 (ja) | 接合装置、接合システムおよび接合方法 | |
KR102407489B1 (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
KR102316311B1 (ko) | 접합 장치 및 접합 시스템 | |
JP6707420B2 (ja) | 接合装置および接合システム | |
TWI612595B (zh) | 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體 | |
KR102073996B1 (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP2015119088A (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP6861872B2 (ja) | 接合装置および接合システム | |
JP6616181B2 (ja) | 接合装置 | |
JP2021141115A (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法および記憶媒体 | |
JP6685154B2 (ja) | 接合装置および接合方法 | |
JP6895770B2 (ja) | 接合装置および接合システム | |
JP6412804B2 (ja) | 接合方法および接合システム | |
JP6120749B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP2017168473A (ja) | 接合装置および接合システム | |
JP2018026415A (ja) | 接合装置および接合システム | |
JP2020004988A (ja) | 基板保持ステージ | |
JP6736799B1 (ja) | 接合装置のパラメータ調整方法および接合システム | |
WO2024128046A1 (ja) | 接合装置、接合システムおよび接合方法 | |
JP7001527B2 (ja) | 接合装置および接合方法 | |
JP2011181632A (ja) | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6382764B2 (ja) | 接合装置及び接合システム | |
JP2018098423A (ja) | 表面改質装置および接合システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6640546 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |