KR102407489B1 - 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR102407489B1
KR102407489B1 KR1020150110976A KR20150110976A KR102407489B1 KR 102407489 B1 KR102407489 B1 KR 102407489B1 KR 1020150110976 A KR1020150110976 A KR 1020150110976A KR 20150110976 A KR20150110976 A KR 20150110976A KR 102407489 B1 KR102407489 B1 KR 102407489B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
holding
bonding
region
Prior art date
Application number
KR1020150110976A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160018410A (ko
Inventor
신타로 스기하라
에이지 마나베
하지메 후루야
유지 미무라
요스케 오모리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160018410A publication Critical patent/KR20160018410A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102407489B1 publication Critical patent/KR102407489B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68309—Auxiliary support including alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68372—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support a device or wafer when forming electrical connections thereto

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은, 접합되는 기판끼리의 수평 방향 위치를 적절하게 조절하여, 당해 기판끼리의 접합 처리를 적절하게 행한다.
접합 장치(41)는, 하면에 상부 웨이퍼 WU를 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 상부 척(140)과, 상부 척(140)의 하방에 설치되고, 상면에 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 하부 척(141)을 갖는다. 하부 척(141)은, 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기하는 본체부(190)와, 본체부(190) 위에 설치되며, 하부 웨이퍼 WL의 이면에 접촉되는 복수의 핀(191)을 갖는다. 본체부(190)의 중심부에 설치된 핀(191a)의 선단 위치는, 본체부(190)의 외주부에 설치된 핀(191b)의 선단 위치보다도 높다.

Description

접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체{JOINING APPARATUS, JOINING SYSTEM, JOINING METHOD AND STORAGE MEDIUM FOR COMPUTER}
본 발명은, 기판끼리를 접합하는 접합 장치, 당해 접합 장치를 구비한 접합 시스템, 당해 접합 장치를 사용한 접합 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 고집적화가 진행되고 있다. 고집적화된 복수의 반도체 디바이스를 수평면 내에서 배치하고, 이들 반도체 디바이스를 배선으로 접속하여 제품화할 경우, 배선 길이가 증대하고, 그것에 의해 배선의 저항이 커지는 것, 또한 배선 지연이 커지는 것이 우려된다.
따라서, 반도체 디바이스를 3차원으로 적층하는 3차원 집적 기술을 사용하는 것이 제안되어 있다. 이 3차원 집적 기술에 있어서는, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 접합 시스템을 사용하여, 2매의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)의 접합이 행하여진다. 예를 들어 접합 시스템은, 웨이퍼가 접합되는 표면을 개질하는 표면 개질 장치와, 당해 표면 개질 장치로 개질된 웨이퍼의 표면을 친수화하는 표면 친수화 장치와, 당해 표면 친수화 장치로 표면이 친수화된 웨이퍼끼리를 접합하는 접합 장치를 갖고 있다. 이 접합 시스템에서는, 표면 개질 장치에 있어서 웨이퍼의 표면에 대해 플라즈마 처리를 행하여 당해 표면을 개질하고, 또한 표면 친수화 장치에 있어서 웨이퍼의 표면에 순수를 공급하여 당해 표면을 친수화한 후, 접합 장치에 있어서 웨이퍼끼리를 반데발스 힘 및 수소 결합(분자간력)에 의해 접합한다.
상기 접합 장치는, 하면에 하나의 웨이퍼(이하, 「상부 웨이퍼」라고 함)를 보유 지지하는 상부 척과, 상부 척의 하방에 설치되며, 상면에 다른 웨이퍼(이하, 「하부 웨이퍼」라고 함)를 보유 지지하는 하부 척과, 상부 척에 설치되며, 상부 웨이퍼의 중심부를 가압하는 압동(押動) 부재를 갖고 있다. 이러한 접합 장치에서는, 상부 척에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼와 하부 척에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼를 대향 배치한 상태에서, 압동 부재에 의해 상부 웨이퍼의 중심부와 하부 웨이퍼의 중심부를 가압하여 접촉시킨 후, 상부 웨이퍼의 중심부와 하부 웨이퍼의 중심부가 접촉된 상태에서, 상부 웨이퍼의 중심부로부터 외주부를 향해서, 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼를 순차 접합한다.
일본 특허 제5538613호 공보
그런데, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 상부 척으로 상부 웨이퍼의 외주부를 보유 지지한 상태에서, 압동 부재에 의해 상부 웨이퍼의 중심부를 하부 웨이퍼의 중심부측으로 하강시키므로, 당해 상부 웨이퍼는 하방으로 볼록하게 휘어서 연장된다. 그러면, 웨이퍼끼리를 접합할 때, 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼가 수평 방향으로 어긋나게 접합되는 경우가 있다. 예를 들어 접합된 웨이퍼(이하, 「중합 웨이퍼」라고 함)에 있어서, 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼의 중심부가 합치되어 있어도, 그 외주부에서는 수평 방향으로 위치 어긋남(스케일링)이 발생한다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 접합 시스템에서는, 상기 중합 웨이퍼의 수평 방향의 위치 어긋남을 억제하는 것에 대해서는 고려되어 있지 않다. 따라서, 종래의 웨이퍼끼리의 접합 처리에는 개선의 여지가 있었다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 접합되는 기판끼리의 수평 방향 위치를 적절하게 조절하여, 당해 기판끼리의 접합 처리를 적절하게 행하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판끼리를 접합하는 접합 장치이며, 하면에 제1 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제1 보유 지지부와, 상기 제1 보유 지지부의 하방에 설치되며, 상면에 제2 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제2 보유 지지부를 갖고, 상기 제2 보유 지지부는, 제2 기판을 진공 배기하는 본체부와, 상기 본체부에 설치되며, 제2 기판의 이면에 접촉되는 복수의 핀을 갖고, 상기 본체부의 중심부에 설치된 상기 핀의 선단 위치는, 상기 본체부의 외주부에 설치된 상기 핀의 선단 위치보다도 높은 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 제2 보유 지지부의 상면은, 그 중심부가 외주부에 비하여 돌출되어 있고, 제2 기판은 제2 보유 지지부의 상면을 따라 보유 지지된다. 즉, 제2 보유 지지부에 의해 보유 지지된 제2 기판도, 그 중심부가 외주부에 비하여 돌출된다. 이러한 경우, 예를 들어 압동 부재에 의해 제1 기판의 중심부를 가압하고, 제1 기판이 하방으로 볼록하게 휘어서 연장되어도, 당해 제1 기판과 대략 상하 대칭의 형상으로 제2 기판도 상방으로 볼록하게 휘어서 연장된다. 이로 인해, 제1 기판과 제2 기판의 수평 방향의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
또한, 이와 같이 제2 보유 지지부에 있어서 제2 기판은 상방으로 볼록하게 보유 지지되므로, 예를 들어 압동 부재에 의해 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 중심부를 확실하게 접촉시킬 수 있다. 그리고 그 후, 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 중심부가 접촉된 상태에서, 제1 기판의 중심부로부터 외주부를 향해서, 제1 기판과 제2 기판을 순차 접합할 수 있다. 이러한 경우, 기판끼리가 중심부로부터 외주부를 향하여 순차 접촉됨에 수반하여, 당해 기판 간의 공기를 중심부로부터 외주부로 확실하게 유출시킬 수 있고, 접합 후의 중합 기판에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따르면, 제1 기판과 제2 기판의 수평 방향의 위치를 적절하게 조절하면서, 중합 기판의 보이드의 발생을 억제하고, 당해 제1 기판과 제2 기판의 접합 처리를 적절하게 행할 수 있다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 상기 접합 장치를 구비한 접합 시스템이며, 상기 접합 장치를 구비한 처리 스테이션과, 제1 기판, 제2 기판 또는 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판을 각각 복수 보유 가능하고, 또한 상기 처리 스테이션에 대하여 제1 기판, 제2 기판 또는 중합 기판을 반입출하는 반입출 스테이션을 구비하고, 상기 처리 스테이션은, 제1 기판 또는 제2 기판이 접합되는 표면을 개질하는 표면 개질 장치와, 상기 표면 개질 장치로 개질된 제1 기판 또는 제2 기판의 표면을 친수화하는 표면 친수화 장치와, 상기 표면 개질 장치, 상기 표면 친수화 장치 및 상기 접합 장치에 대하여, 제1 기판, 제2 기판 또는 중합 기판을 반송하기 위한 반송 장치를 갖고, 상기 접합 장치로는, 상기 표면 친수화 장치로 표면이 친수화된 제1 기판과 제2 기판을 접합하는 것을 특징으로 하고 있다.
또 다른 관점에 의한 본 발명은, 접합 장치를 사용하여 기판끼리를 접합하는 접합 방법이며, 상기 접합 장치는, 하면에 제1 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제1 보유 지지부와, 상기 제1 보유 지지부의 하방에 설치되며, 상면에 제2 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제2 보유 지지부와, 상기 제1 보유 지지부에 설치되고, 제1 기판의 중심부를 가압하는 압동 부재를 갖고, 상기 제2 보유 지지부는, 제2 기판을 진공 배기하는 본체부와, 상기 본체부에 설치되며, 제2 기판의 이면에 접촉되는 복수의 핀을 갖고, 상기 본체부의 중심부에 설치된 상기 핀의 선단 위치는, 상기 본체부의 외주부에 설치된 상기 핀의 선단 위치보다도 높고, 상기 접합 방법은, 상기 제1 보유 지지부로 제1 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지 공정과, 상기 제2 보유 지지부로 제2 기판의 중심부를 상방으로 돌출시켜서 당해 제2 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지 공정과, 그 후, 상기 제1 보유 지지부에 의해 보유 지지된 제1 기판과 상기 제2 보유 지지부에 의해 보유 지지된 제2 기판을 대향 배치하는 배치 공정과, 그 후, 상기 압동 부재를 강하시켜, 당해 압동 부재에 의해 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 중심부를 가압하여 접촉시키는 가압 공정과, 그 후, 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 중심부가 접촉된 상태에서, 상기 제1 보유 지지부에 의한 제1 기판의 진공 배기를 정지하고, 제1 기판의 중심부로부터 외주부를 향해서, 제1 기판과 제2 기판을 순차 접합하는 접합 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
또 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 접합 방법을 접합 장치에 의해 실행시키도록, 당해 접합 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 접합되는 기판끼리의 수평 방향 위치를 적절하게 조절하면서, 중합 기판의 보이드 발생을 억제하고, 당해 기판끼리의 접합 처리를 적절하게 행할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도.
도 2는 본 실시 형태에 따른 접합 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 3은 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼의 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 4는 접합 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 5는 접합 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 6은 상부 척과 하부 척의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 7은 상부 척을 하방에서 본 평면도.
도 8은 하부 척을 상방에서 본 평면도.
도 9는 웨이퍼 접합 처리의 주요 공정을 도시하는 흐름도.
도 10은 제1 흡인 영역으로 하부 웨이퍼를 흡착 보유 지지한 상태를 도시하는 설명도.
도 11은 제2 흡인 영역으로 하부 웨이퍼를 흡착 보유 지지한 상태를 도시하는 설명도.
도 12는 상부 웨이퍼의 중심부와 하부 웨이퍼의 중심부를 가압하여 접촉시키는 상태를 도시하는 설명도.
도 13은 상부 웨이퍼를 하부 웨이퍼에 순차 접촉시키는 상태를 도시하는 설명도.
도 14는 상부 웨이퍼의 표면과 하부 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 15는 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼가 접합된 상태를 도시하는 설명도.
도 16은 다른 실시 형태에 있어서의 하부 척의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 17은 다른 실시 형태에 있어서의 하부 척의 평면도.
도 18은 다른 실시 형태에 있어서의 하부 척의 평면도.
도 19는 다른 실시 형태에 있어서의 하부 척의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 20은 다른 실시 형태에 있어서의 하부 척의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 가해지는 접합 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 도 2는 접합 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
접합 시스템(1)에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 2매의 기판으로서의 웨이퍼 WU, WL을 접합한다. 이하, 상측에 배치되는 웨이퍼를, 제1 기판으로서의 「상부 웨이퍼 WU」라고 하고, 하측에 배치되는 웨이퍼를, 제2 기판으로서의 「하부 웨이퍼 WL」이라고 한다. 또한, 상부 웨이퍼 WU가 접합되는 접합면을 「표면 WU1」이라고 하고, 당해 표면 WU1과 반대측의 면을 「이면 WU2」라고 한다. 마찬가지로, 하부 웨이퍼 WL이 접합되는 접합면을 「표면 WL1」이라고 하고, 당해 표면 WL1과 반대측의 면을 「이면 WL2」라고 한다. 그리고, 접합 시스템(1)에서는, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL을 접합하여, 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼 WT를 형성한다.
접합 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 복수의 웨이퍼 WU, WL, 복수의 중합 웨이퍼 WT를 각각 수용 가능한 카세트 CU, CL, CT가 반입출되는 반입출 스테이션(2)과, 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT에 대하여 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
반입출 스테이션(2)에는, 카세트 적재대(10)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(10)에는, 복수, 예를 들어 4개의 카세트 적재판(11)이 설치되어 있다. 카세트 적재판(11)은, 수평 방향인 X 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 나열되어 배치되어 있다. 이들 카세트 적재판(11)에는, 접합 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트 CU, CL, CT를 반입출할 때, 카세트 CU, CL, CT를 적재할 수 있다. 이와 같이, 반입출 스테이션(2)은, 복수의 상부 웨이퍼 WU, 복수의 하부 웨이퍼 WL, 복수의 중합 웨이퍼 WT를 보유 가능하게 구성되어 있다. 또한, 카세트 적재판(11)의 개수는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 설정할 수 있다. 또한, 카세트 중 하나를 이상 웨이퍼의 회수용으로서 사용해도 된다. 즉, 다양한 요인으로 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL과의 접합에 이상이 발생한 웨이퍼를, 다른 정상적인 중합 웨이퍼 WT와 분리할 수 있는 카세트이다. 본 실시 형태에 있어서는, 복수의 카세트 CT 중, 하나의 카세트 CT를 이상 웨이퍼의 회수용으로서 사용하고, 다른 카세트 CT를 정상적인 중합 웨이퍼 WT의 수용용으로서 사용하고 있다.
반입출 스테이션(2)에는, 카세트 적재대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송부(20)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송부(20)에는, X 방향으로 연신되는 반송로(21) 위를 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(22)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(22)는, 연직 방향 및 연직 축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(11) 위의 카세트 CU, CL, CT와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록 G3의 트랜지션 장치(50, 51)와의 사이에서 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(3)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 3개의 처리 블록 G1, G2, G3이 설치되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 처리 블록 G1이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측)에는, 제2 처리 블록 G2가 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 반입출 스테이션(2)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는, 제3 처리 블록 G3이 설치되어 있다.
예를 들어 제1 처리 블록 G1에는, 웨이퍼 WU, WL의 표면 WU1, WL1을 개질하는 표면 개질 장치(30)가 배치되어 있다. 표면 개질 장치(30)에서는, 예를 들어 감압 분위기 하에 있어서, 처리 가스인 산소 가스 또는 질소 가스가 여기되어 플라즈마화되고, 이온화된다. 이 산소 이온 또는 질소 이온이 표면 WU1, WL1에 조사되고, 표면 WU1, WL1이 플라즈마 처리되어, 개질된다.
예를 들어 제2 처리 블록 G2에는, 예를 들어 순수에 의해 웨이퍼 WU, WL의 표면 WU1, WL1을 친수화함과 함께 당해 표면 WU1, WL1을 세정하는 표면 친수화 장치(40), 웨이퍼 WU, WL을 접합하는 접합 장치(41)가 반입출 스테이션(2)측부터 이 순서로 수평 방향의 Y 방향으로 나열되어 배치되어 있다.
표면 친수화 장치(40)에서는, 예를 들어 스핀 척에 의해 보유 지지된 웨이퍼 WU, WL을 회전시키면서, 당해 웨이퍼 WU, WL 위에 순수를 공급한다. 그러면, 공급된 순수는 웨이퍼 WU, WL의 표면 WU1, WL1 위에서 확산되어, 표면 WU1, WL1이 친수화된다. 또한, 접합 장치(41)의 구성에 대해서는 후술한다.
예를 들어 제3 처리 블록 G3에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT의 트랜지션 장치(50, 51)가 아래에서부터 순서대로 2단으로 설치되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 처리 블록 G1~제3 처리 블록 G3에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(60)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(60)에는, 예를 들어 웨이퍼 반송 장치(61)가 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(61)는 예를 들어 연직 방향, 수평 방향(Y 방향, X 방향) 및 연직 축 둘레로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(61)는 웨이퍼 반송 영역(60) 내를 이동하고, 주위의 제1 처리 블록 G1, 제2 처리 블록 G2 및 제3의 처리 블록 G3 내의 소정의 장치에 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT를 반송할 수 있다.
이상의 접합 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(70)가 설치되어 있다. 제어부(70)는, 예를 들어 컴퓨터이고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 접합 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하고, 접합 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 접합 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체 H에 기록되고 있었던 것으로서, 그 기억 매체 H로부터 제어부(70)에 인스톨된 것이어도 된다.
이어서, 상술한 접합 장치(41)의 구성에 대하여 설명한다. 접합 장치(41)는 도 4에 도시하는 바와 같이 내부를 밀폐 가능한 처리 용기(100)를 갖고 있다. 처리 용기(100)의 웨이퍼 반송 영역(60)측의 측면에는, 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT의 반입 출구(101)가 형성되고, 당해 반입 출구(101)에는 개폐 셔터(102)가 설치되어 있다.
처리 용기(100)의 내부는, 내벽(103)에 의해, 반송 영역 T1과 처리 영역 T2로 구획되어 있다. 상술한 반입 출구(101)는 반송 영역 T1에 있어서의 처리 용기(100)의 측면에 형성되어 있다. 또한, 내벽(103)에도, 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT의 반입 출구(104)가 형성되어 있다.
반송 영역 T1의 X 방향 정방향측에는, 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT를 일시적으로 적재하기 위한 트랜지션(110)이 설치되어 있다. 트랜지션(110)은 예를 들어 2단으로 형성되고, 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT 중 어느 2개를 동시에 적재할 수 있다.
반송 영역 T1에는, 웨이퍼 반송 기구(111)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(111)는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 연직 방향, 수평 방향(Y 방향, X 방향) 및 연직 축 둘레로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 기구(111)는, 반송 영역 T1 내, 또는 반송 영역 T1과 처리 영역 T2 사이에서 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT를 반송할 수 있다.
반송 영역 T1의 X 방향 부방향측에는, 웨이퍼 WU, WL의 수평 방향의 방향을 조절하는 위치 조절 기구(120)가 설치되어 있다. 위치 조절 기구(120)는 웨이퍼 WU, WL을 보유 지지하여 회전시키는 보유 지지부(도시하지 않음)를 구비한 베이스(121)와, 웨이퍼 WU, WL의 노치부의 위치를 검출하는 검출부(122)를 갖고 있다. 그리고, 위치 조절 기구(120)에서는, 베이스(121)에 의해 보유 지지된 웨이퍼 WU, WL을 회전시키면서 검출부(122)로 웨이퍼 WU, WL의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 웨이퍼 WU, WL의 수평 방향의 방향을 조절하고 있다. 또한, 베이스(121)에 있어서 웨이퍼 WU, WL을 보유 지지하는 방식은 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 핀 척 방식이나 스핀 척 방식 등, 여러 가지 방식이 사용된다.
또한, 반송 영역 T1에는, 상부 웨이퍼 WU의 표리면을 반전시키는 반전 기구(130)가 설치되어 있다. 반전 기구(130)는, 상부 웨이퍼 WU를 보유 지지하는 보유 지지 아암(131)을 갖고 있다. 보유 지지 아암(131)은 수평 방향(Y 방향)으로 연신되어 있다. 또한 보유 지지 아암(131)에는, 상부 웨이퍼 WU를 보유 지지하는 보유 지지 부재(132)가, 예를 들어 4개소에 설치되어 있다.
보유 지지 아암(131)은 예를 들어 모터 등을 구비한 구동부(133)에 의해 지지되어 있다. 이 구동부(133)에 의해, 보유 지지 아암(131)은 수평 축 주위로 회전 가능하다. 또한 보유 지지 아암(131)은 구동부(133)를 중심으로 회전 가능함과 함께, 수평 방향(Y 방향)으로 이동 가능하다. 구동부(133)의 하방에는, 예를 들어 모터 등을 구비한 다른 구동부(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그 밖의 구동부에 의해, 구동부(133)는 연직 방향으로 연신되는 지지 기둥(134)을 따라 연직 방향으로 이동할 수 있다. 이렇게 구동부(133)에 의해, 보유 지지 부재(132)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU는, 수평축 주위로 회전할 수 있음과 함께 연직 방향 및 수평 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 보유 지지 부재(132)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU는, 구동부(133)를 중심으로 회전하고, 위치 조절 기구(120)로부터 후술하는 상부 척(140)과의 사이를 이동할 수 있다.
처리 영역 T2에는, 상부 웨이퍼 WU를 하면으로 흡착 보유 지지하는 제1 보유 지지부로서의 상부 척(140)과, 하부 웨이퍼 WL을 상면에 적재하여 흡착 보유 지지하는 제2 보유 지지부로서의 하부 척(141)이 설치되어 있다. 하부 척(141)은 상부 척(140)의 하방에 설치되고, 상부 척(140)과 대향 배치 가능하게 구성되어 있다. 즉, 상부 척(140)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU와 하부 척(141)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL은 대향하여 배치 가능하게 되어 있다.
상부 척(140)은, 당해 상부 척(140)의 상방에 설치된 상부 척 지지부(150)에 의해 지지되어 있다. 상부 척 지지부(150)는 처리 용기(100)의 천장면에 설치되어 있다. 즉, 상부 척(140)은, 상부 척 지지부(150)를 개재하여 처리 용기(100)에 고정되어 설치되어 있다.
상부 척 지지부(150)에는, 하부 척(141)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1을 촬상하는 상부 촬상부(151)가 설치되어 있다. 즉, 상부 촬상부(151)는 상부 척(140)에 인접하여 설치되어 있다. 상부 촬상부(151)로는, 예를 들어 CCD 카메라가 사용된다.
하부 척(141)은, 당해 하부 척(141)의 하방에 설치된 제1 하부 척 이동부(160)에 의해 지지되어 있다. 제1 하부 척 이동부(160)는 후술하는 바와 같이 하부 척(141)을 수평 방향(Y 방향)으로 이동시키도록 구성되어 있다. 또한, 제1 하부 척 이동부(160)는, 하부 척(141)을 연직 방향으로 이동 가능하고, 또한 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.
제1 하부 척 이동부(160)에는, 상부 척(140)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1을 촬상하는 하부 촬상부(161)가 설치되어 있다. 즉, 하부 촬상부(161)는 하부 척(141)에 인접하여 설치되어 있다. 하부 촬상부(161)에는, 예를 들어 CCD 카메라가 사용된다.
제1 하부 척 이동부(160)는, 당해 제1 하부 척 이동부(160)의 하면측에 설치되며, 수평 방향(Y 방향)으로 연신되는 한 쌍의 레일(162, 162)에 설치되어 있다. 그리고, 제1 하부 척 이동부(160)는, 레일(162)을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다.
한 쌍의 레일(162, 162)은, 제2 하부 척 이동부(163)에 배치되어 있다. 제2 하부 척 이동부(163)는 당해 제2 하부 척 이동부(163)의 하면측에 설치되며, 수평 방향(X 방향)으로 연신되는 한 쌍의 레일(164, 164)에 설치되어 있다. 그리고, 제2 하부 척 이동부(163)는 레일(164)을 따라 이동 가능하게 구성되며, 즉 하부 척(141)을 수평 방향(X 방향)으로 이동시키도록 구성되어 있다. 또한, 한 쌍의 레일(164, 164)은, 처리 용기(100)의 저면에 설치된 적재대(165) 위에 배치되어 있다.
이어서, 접합 장치(41)의 상부 척(140)과 하부 척(141)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
상부 척(140)에는, 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이 핀 척 방식이 채용되어 있다. 상부 척(140)은, 평면에서 볼 때 적어도 상부 웨이퍼 WU보다 큰 직경을 갖는 본체부(170)를 갖고 있다. 본체부(170)의 하면에는, 상부 웨이퍼 WU의 이면 WU2에 접촉하는 복수의 핀(171)이 설치되어 있다. 또한, 본체부(170)의 하면에는, 복수의 핀(171)의 외측에 있어서 환형의 리브(172)가 설치되어 있다. 리브(172)는, 적어도 상부 웨이퍼 WU의 이면 WU2의 외측 테두리부를 지지하도록, 당해 이면 WU2의 외주부를 지지한다.
또한, 본체부(170)의 하면에는, 리브(172)의 내측에 있어서 별도의 리브(173)가 설치되어 있다. 리브(173)는 리브(172)와 동심원 형상으로 환형으로 설치되어 있다. 그리고, 리브(172)의 내측 영역(174)(이하, 흡인 영역(174)이라고 하는 경우가 있음)은, 리브(173) 내측의 제1 흡인 영역(174a)과, 리브(173) 외측의 제2 흡인 영역(174b)으로 구획되어 있다.
본체부(170)의 하면에는, 제1 흡인 영역(174a)에 있어서, 상부 웨이퍼 WU를 진공 배기하기 위한 제1 흡인구(175a)가 형성되어 있다. 제1 흡인구(175a)는, 예를 들어 제1 흡인 영역(174a)에 있어서 2개소에 형성되어 있다. 제1 흡인구(175a)에는, 본체부(170)의 내부에 설치된 제1 흡인관(176a)이 접속되어 있다. 또한 제1 흡인관(176a)에는, 조인트를 개재하여 제1 진공 펌프(177a)가 접속되어 있다.
또한, 본체부(170)의 하면에는, 제2 흡인 영역(174b)에 있어서, 상부 웨이퍼 WU를 진공 배기하기 위한 제2 흡인구(175b)가 형성되어 있다. 제2 흡인구(175b)는 예를 들어 제2 흡인 영역(174b)에 있어서 2개소에 형성되어 있다. 제2 흡인구(175b)에는, 본체부(170)의 내부에 설치된 제2 흡인관(176b)이 접속되어 있다. 또한 제2 흡인관(176b)에는, 조인트를 개재하여 제2 진공 펌프(177b)가 접속되어 있다.
이렇게 상부 척(140)은 제1 흡인 영역(174a)과 제2 흡인 영역(174b)마다 상부 웨이퍼 WU를 진공 배기 가능하게 구성되어 있다. 또한, 흡인구(175a, 175b)의 배치는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 설정할 수 있다.
그리고, 상부 웨이퍼 WU, 본체부(170) 및 리브(172)에 둘러싸여서 형성된 흡인 영역(174a, 174b)을 각각 흡인구(175a, 175b)로부터 진공 배기하여, 흡인 영역(174a, 174b)을 감압한다. 이때, 흡인 영역(174a, 174b)의 외부의 분위기가 대기압이기 때문에, 상부 웨이퍼 WU는 감압된 분만큼 대기압에 의해 흡인 영역(174a, 174b)측으로 눌려, 상부 척(140)에 상부 웨이퍼 WU가 흡착 보유 지지된다.
이러한 경우, 리브(172)가 상부 웨이퍼 WU의 이면 WU2 외주부를 지지하므로, 상부 웨이퍼 WU는 그 외주부까지 적절하게 진공 배기된다. 이로 인해, 상부 척(140)에 상부 웨이퍼 WU의 전체면이 흡착 보유 지지되고, 당해 상부 웨이퍼 WU의 평면도를 작게 하여, 상부 웨이퍼 WU를 평탄하게 할 수 있다.
게다가, 복수의 핀(171)의 높이가 균일하므로, 상부 척(140)의 하면의 평면도를 더 작게 할 수 있다. 이렇게 상부 척(140)의 하면을 평탄하게 해서(하면의 평면도를 작게 해서), 상부 척(140)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU의 연직 방향의 변형을 억제할 수 있다.
또한, 상부 웨이퍼 WU의 이면 WU2는 복수의 핀(171)에 의해 지지되어 있으므로, 상부 척(140)에 의한 상부 웨이퍼 WU의 진공 배기를 해제할 때, 당해 상부 웨이퍼 WU가 상부 척(140)으로부터 박리되기 쉬워진다.
상부 척(140)에 있어서, 본체부(170)의 중심부에는, 당해 본체부(170)를 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(178)이 형성되어 있다. 이 본체부(170)의 중심부는, 상부 척(140)에 흡착 보유 지지되는 상부 웨이퍼 WU의 중심부에 대응하고 있다. 그리고 관통 구멍(178)에는, 후술하는 압동 부재(180)에 있어서의 액추에이터부(181)의 선단부가 삽입 관통하게 되어 있다.
상부 척(140)의 상면에는, 상부 웨이퍼 WU의 중심부를 가압하는 압동 부재(180)가 설치되어 있다. 압동 부재(180)는 액추에이터부(181)와 실린더부(182)를 갖고 있다.
액추에이터부(181)는 전공 레귤레이터(도시하지 않음)로부터 공급되는 공기에 의해 일정 방향으로 일정한 압력을 발생시킴으로써, 압력의 작용점 위치에 따르지 않고 당해 압력을 일정하게 발생시킬 수 있다. 그리고, 전공 레귤레이터로부터의 공기에 의해, 액추에이터부(181)는 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 접촉하여 당해 상부 웨이퍼 WU의 중심부에 가해지는 가압 하중을 제어할 수 있다. 또한, 액추에이터부(181)의 선단부는, 전공 레귤레이터로부터의 공기에 의해, 관통 구멍(178)을 삽입 관통하여 연직 방향으로 승강 가능하게 되어 있다.
액추에이터부(181)는 실린더부(182)에 의해 지지되어 있다. 실린더부(182)는, 예를 들어 모터를 내장한 구동부에 의해 액추에이터부(181)를 연직 방향으로 이동시킬 수 있다.
이상과 같이 압동 부재(180)는, 액추에이터부(181)에 의해 가압 하중의 제어를 하고, 실린더부(182)에 의해 액추에이터부(181)의 이동 제어를 하고 있다. 그리고, 압동 부재(180)는 후술하는 웨이퍼 WU, WL의 접합 시에, 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부를 접촉시켜서 가압할 수 있다.
하부 척(141)에는, 상부 척(140)과 마찬가지로, 도 6 및 도 8에 도시하는 바와 같이 핀 척 방식이 채용되어 있다. 하부 척(141)은, 평면에서 볼 때 적어도 하부 웨이퍼 WL보다 큰 직경을 갖는 본체부(190)를 갖고 있다.
본체부(190)의 상면에는, 하부 웨이퍼 WL의 이면 WL2에 접촉하는 복수의 핀(191)이 설치되어 있다. 이들 복수의 핀(191) 중, 본체부(190)의 중심부에 설치된 핀(191a)의 선단 위치는, 본체부(190)의 외주부에 설치된 핀(191b)의 선단 위치보다도 높다. 그리고, 복수의 핀(191)은, 중심부로부터 외주부를 향해서, 그 높이가 서서히 낮아지도록 설치되어 있다.
또한, 본체부(190)의 상면에는, 복수의 핀(191)의 외측에 있어서 환형의 리브(192)가 설치되어 있다. 리브(192)는, 적어도 하부 웨이퍼 WL의 이면 WL2의 외측 테두리부를 지지하도록, 당해 이면 WL2의 외주부를 지지한다.
또한, 본체부(190)의 상면에는, 리브(192)의 내측에 있어서 별도의 리브(193)가 설치되어 있다. 리브(193)는, 리브(192)와 동심원 형상으로 환형으로 설치되어 있다. 그리고, 리브(192)의 내측 영역(194)(이하, 흡인 영역(194)이라고 하는 경우가 있음)은, 리브(193)의 내측의 제1 흡인 영역(194a)과, 리브(193)의 외측의 제2 흡인 영역(194b)으로 구획되어 있다.
본체부(190)의 상면에는, 제1 흡인 영역(194a)에 있어서, 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기하기 위한 제1 흡인구(195a)가 형성되어 있다. 제1 흡인구(195a)는, 예를 들어 제1 흡인 영역(194a)에 있어서 2개소에 형성되어 있다. 제1 흡인구(195a)에는, 본체부(190)의 내부에 설치된 제1 흡인관(196a)이 접속되어 있다. 또한 제1 흡인관(196a)에는, 조인트를 통하여 제1 진공 펌프(197a)가 접속되어 있다.
또한, 본체부(190)의 상면에는, 제2 흡인 영역(194b)에 있어서, 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기하기 위한 제2 흡인구(195b)가 형성되어 있다. 제2 흡인구(195b)는, 예를 들어 제2 흡인 영역(194b)에 있어서 2개소에 형성되어 있다. 제2 흡인구(195b)에는, 본체부(190)의 내부에 설치된 제2 흡인관(196b)이 접속되어 있다. 또한 제2 흡인관(196b)에는, 조인트를 통하여 제2 진공 펌프(197b)가 접속되어 있다.
이렇게 하부 척(141)은, 제1 흡인 영역(194a)과 제2 흡인 영역(194b)마다 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기 가능하게 구성되어 있다. 또한, 흡인구(195a, 195b)의 배치는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 설정할 수 있다.
그리고, 하부 웨이퍼 WL, 본체부(190) 및 리브(192)에 둘러싸여서 형성된 흡인 영역(194a, 194b)을 각각 흡인구(195a, 195b)로부터 진공 배기하여, 흡인 영역(194a, 194b)을 감압한다. 이때, 흡인 영역(194a, 194b)의 외부의 분위기가 대기압이기 때문에, 하부 웨이퍼 WL은 감압된 분만큼 대기압에 의해 흡인 영역(194a, 194b)측으로 눌려, 하부 척(141)에 하부 웨이퍼 WL이 흡착 보유 지지된다.
이러한 경우, 리브(192)가 하부 웨이퍼 WL의 이면 WL2의 외주부를 지지하므로, 하부 웨이퍼 WL은 그 외주부까지 적절하게 진공 배기된다. 그리고, 하부 웨이퍼 WL은 하부 척(141)의 상면을 따라 보유 지지된다. 즉, 하부 척(141)에 있어서 복수의 핀(191)의 높이가 중심부로부터 외주부를 향하여 서서히 낮아지고 있으므로, 하부 웨이퍼 WL도 그 중심부가 외주부에 비하여 돌출되도록 보유 지지된다.
또한, 하부 웨이퍼 WL의 이면 WL2는 복수의 핀(191)에 의해 지지되어 있으므로 하부 척(141)에 의한 하부 웨이퍼 WL의 진공 배기를 해제할 때, 당해 하부 웨이퍼 WL이 하부 척(141)으로부터 박리되기 쉬워진다.
하부 척(141)에 있어서, 본체부(190)의 중심부 부근에는, 당해 본체부(190)를 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(198)이, 예를 들어 3개소에 형성되어 있다. 그리고 관통 구멍(198)에는, 제1 하부 척 이동부(160)의 하방에 설치된 승강 핀이 삽입 관통하게 되어 있다.
본체부(190)의 외주부에는, 웨이퍼 WU, WL, 중합 웨이퍼 WT가 하부 척(141)으로부터 튀어나오거나, 미끌어 떨어지는 것을 방지하는 가이드 부재(199)가 설치되어 있다. 가이드 부재(199)는 본체부(190)의 외주부에 복수 개소, 예를 들어 4개소에 등간격으로 설치되어 있다.
또한, 접합 장치(41)에 있어서의 각 부의 동작은, 상술한 제어부(70)에 의해 제어된다.
이어서, 이상의 설명과 같이 구성된 접합 시스템(1)을 사용하여 행하여지는 웨이퍼 WU, WL의 접합 처리 방법에 대하여 설명한다. 도 9는, 이러한 웨이퍼 접합 처리의 주요 공정의 예를 도시하는 흐름도이다.
우선, 복수매의 상부 웨이퍼 WU를 수용한 카세트 CU, 복수매의 하부 웨이퍼 WL을 수용한 카세트 CL 및, 빈 카세트 CT가 반입출 스테이션(2)의 소정의 카세트 적재판(11)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트 CU 내의 상부 웨이퍼 WU가 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록 G3의 트랜지션 장치(50)로 반송된다.
다음으로 상부 웨이퍼 WU는, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 제1 처리 블록 G1의 표면 개질 장치(30)로 반송된다. 표면 개질 장치(30)에서는, 소정의 감압 분위기 하에 있어서, 처리 가스인 산소 가스 또는 질소 가스가 여기되어 플라즈마화되고, 이온화된다. 이 산소 이온 또는 질소 이온이 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1에 조사되어, 당해 표면 WU1이 플라즈마 처리된다. 그리고, 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1이 개질된다(도 9의 공정 S1).
다음으로 상부 웨이퍼 WU는, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 제2 처리 블록 G2의 표면 친수화 장치(40)로 반송된다. 표면 친수화 장치(40)에서는, 스핀 척에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU를 회전시키면서, 당해 상부 웨이퍼 WU 위로 순수를 공급한다. 그러면, 공급된 순수는 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1 위에서 확산되고, 표면 개질 장치(30)에 있어서 개질된 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1에 수산기(실라놀기)가 부착되어 당해 표면 WU1이 친수화된다. 또한, 당해 순수에 의해, 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1이 세정된다(도 9의 공정 S2).
다음으로 상부 웨이퍼 WU는, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 제2 처리 블록 G2의 접합 장치(41)로 반송된다. 접합 장치(41)에 반입된 상부 웨이퍼 WU는, 트랜지션(110)을 거쳐서 웨이퍼 반송 기구(111)에 의해 위치 조절 기구(120)로 반송된다. 그리고 위치 조절 기구(120)에 의해, 상부 웨이퍼 WU의 수평 방향의 방향이 조절된다(도 9의 공정 S3).
그 후, 위치 조절 기구(120)로부터 반전 기구(130)의 보유 지지 아암(131)에 상부 웨이퍼 WU가 전달된다. 계속해서 반송 영역 T1에 있어서, 보유 지지 아암(131)을 반전시킴으로써, 상부 웨이퍼 WU의 표리면이 반전된다(도 9의 공정 S4). 즉, 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1이 하방을 향한다.
그 후, 반전 기구(130)의 보유 지지 아암(131)이, 구동부(133)를 중심으로 회전하여 상부 척(140)의 하방으로 이동한다. 그리고, 반전 기구(130)로부터 상부 척(140)으로 상부 웨이퍼 WU가 전달된다. 상부 웨이퍼 WU는, 상부 척(140)에 의해 그 이면 WU2가 흡착 보유 지지된다(도 9의 공정 S5). 구체적으로는, 진공 펌프(177a, 177b)를 작동시켜, 흡인 영역(174a, 174b)에 있어서 흡인구(175a, 175b)를 통해서 상부 웨이퍼 WU를 진공 배기하여, 상부 웨이퍼 WU가 상부 척(140)에 흡착 보유 지지된다.
상부 웨이퍼 WU에 상술한 공정 S1~S5의 처리가 행하여지고 있는 사이, 당해 상부 웨이퍼 WU에 이어 하부 웨이퍼 WL의 처리가 행하여진다. 우선, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트 CL 내의 하부 웨이퍼 WL이 취출되고, 처리 스테이션(3)의 트랜지션 장치(50)로 반송된다.
다음으로 하부 웨이퍼 WL은, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 표면 개질 장치(30)로 반송되어, 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1이 개질된다(도 9의 공정 S6). 또한, 공정 S6에 있어서의 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1의 개질은, 상술한 공정 S1과 마찬가지이다.
그 후, 하부 웨이퍼 WL은, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 표면 친수화 장치(40)로 반송되고, 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1이 친수화됨과 함께 당해 표면 WL1이 세정된다(도 9의 공정 S7). 또한, 공정 S7에 있어서의 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1의 친수화 및 세정은, 상술한 공정 S2와 마찬가지이다.
그 후, 하부 웨이퍼 WL은, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 접합 장치(41)로 반송된다. 접합 장치(41)에 반입된 하부 웨이퍼 WL은, 트랜지션(110)을 통해서 웨이퍼 반송 기구(111)에 의해 위치 조절 기구(120)로 반송된다. 그리고 위치 조절 기구(120)에 의해, 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향의 방향이 조절된다(도 9의 공정 S8).
그 후, 하부 웨이퍼 WL은, 웨이퍼 반송 기구(111)에 의해 하부 척(141)으로 반송되고, 하부 척(141)에 그 이면 WL2가 흡착 보유 지지된다(도 9의 공정 S9). 공정 S9에서는, 우선, 제1 진공 펌프(197a)를 작동시키고, 도 10에 도시하는 바와 같이 제1 흡인 영역(194a)에 있어서 제1 흡인구(195a)로부터 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기한다. 그러면, 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향의 위치가 고정된다. 그 후, 제1 진공 펌프(197a)를 작동시킨 상태에서 또한 제2 진공 펌프(197b)를 작동시켜, 도 11에 도시하는 바와 같이 흡인 영역(194a, 194b)에 있어서 흡인구(195a, 195b)로부터 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기한다. 그리고, 하부 웨이퍼 WL이 전체면에서 하부 척(141)에 흡착 보유 지지된다. 이때, 상술한 바와 같이 하부 척(141)의 상면을 따라, 하부 웨이퍼 WL은 그 중심부가 외주부에 비하여 돌출되도록 보유 지지된다.
이어서, 상부 척(140)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU와 하부 척(141)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL과의 수평 방향의 위치 조절을 행한다. 구체적으로는, 제1 하부 척 이동부(160)와 제2 하부 척 이동부(163)에 의해 하부 척(141)을 수평 방향(X 방향 및 Y 방향)으로 이동시키고, 상부 촬상부(151)를 사용하여, 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1 위의 미리 정해진 기준점을 순차 촬상한다. 동시에, 하부 촬상부(161)를 사용하여, 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1 위의 미리 정해진 기준점을 순차 촬상한다. 촬상된 화상은, 제어부(70)에 출력된다. 제어부(70)에서는, 상부 촬상부(151)로 촬상된 화상과 하부 촬상부(161)로 촬상된 화상에 기초하여, 상부 웨이퍼 WU의 기준점과 하부 웨이퍼 WL의 기준점이 각각 합치하는 위치에, 제1 하부 척 이동부(160)와 제2 하부 척 이동부(163)에 의해 하부 척(141)을 이동시킨다. 이렇게 해서 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향 위치가 조절된다(도 9의 공정 S10).
그 후, 제1 하부 척 이동부(160)에 의해 하부 척(141)을 연직 상방으로 이동시키고, 상부 척(140)과 하부 척(141)의 연직 방향 위치의 조절을 행하여, 당해 상부 척(140)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU와 하부 척(141)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL과의 연직 방향 위치의 조절을 행한다(도 9의 공정 S11).
이어서, 상부 척(140)에 의해 보유 지지된 상부 웨이퍼 WU와 하부 척(141)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL의 접합 처리가 행하여진다.
우선, 도 12에 도시하는 바와 같이 압동 부재(180)의 실린더부(182)에 의해 액추에이터부(181)를 하강시킨다. 그러면, 이 액추에이터부(181)의 하강에 수반하여, 상부 웨이퍼 WU의 중심부가 가압되어 하강한다. 이때, 전공 레귤레이터로부터 공급되는 공기에 의해, 액추에이터부(181)에는, 소정의 가압 하중이 가해진다. 그리고, 압동 부재(180)에 의해, 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부를 접촉시켜서 가압한다(도 9의 공정 S12). 이때, 제1 진공 펌프(177a)의 작동을 정지하고, 제1 흡인 영역(174a)에 있어서의 제1 흡인구(175a)로부터 상부 웨이퍼 WU의 진공 배기를 정지함과 함께, 제2 진공 펌프(177b)는 작동시킨 채로 하여, 제2 흡인 영역(174b)을 제2 흡인구(175b)로부터 진공 배기한다. 그리고, 압동 부재(180)로 상부 웨이퍼 WU의 중심부를 가압할 때에도, 상부 척(140)에 의해 상부 웨이퍼 WU의 외주부를 보유 지지할 수 있다.
그러면, 가압된 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부의 사이에서 접합이 개시된다(도 12 중의 굵은 선 부분). 즉, 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1과 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1은 각각 공정 S1, S6에서 개질되어 있기 때문에, 우선, 표면 WU1, WL1 사이에 반데발스 힘(분자간력)이 발생하고, 당해 표면 WU1, WL1끼리 접합된다. 또한, 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1과 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1은 각각 공정 S2, S7에서 친수화되어 있기 때문에, 표면 WU1, WL1 사이의 친수기가 수소 결합하고(분자간력), 표면 WU1, WL1끼리 견고하게 접합된다.
이 공정 S12에서는, 상부 웨이퍼 WU의 중심부가 가압되어 하강하면서, 그 외주부가 상부 척(140)에 보유 지지되고, 상부 웨이퍼 WU는 하방으로 볼록하게 휘어서 연장된다. 한편, 하부 웨이퍼 WL은, 하부 척(141)의 상면을 따라 중심부가 외주부에 비하여 돌출되어, 상방으로 볼록하게 휘어서 연장된다. 그러면, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL을 대략 상하 대칭의 형상으로 할 수 있고, 이들 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL의 신장량을 거의 동일하게 할 수 있다. 이로 인해, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL이 접합될 때의 수평 방향의 위치 어긋남(스케일링)을 억제할 수 있다.
그 후, 도 13에 도시하는 바와 같이 압동 부재(180)에 의해 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부를 가압한 상태에서 제2 진공 펌프(177b)의 작동을 정지하고, 제2 흡인 영역(174b)에 있어서의 제2 흡인관(176b)으로부터 상부 웨이퍼 WU의 진공 배기를 정지한다. 그러면, 상부 웨이퍼 WU가 하부 웨이퍼 WL 위에 낙하한다. 이때, 상부 웨이퍼 WU의 이면 WU2는 복수의 핀(171)에 의해 지지되어 있으므로, 상부 척(140)에 의한 상부 웨이퍼 WU의 진공 배기를 해제했을 때, 당해 상부 웨이퍼 WU가 상부 척(140)으로부터 박리되기 쉬워진다. 그리고 상부 웨이퍼 WU가 하부 웨이퍼 WL 위에 순차 낙하하여 접촉되고, 상술한 표면 WU1, WL1 사이의 반데발스 힘과 수소 결합에 의한 접합이 차례로 확대된다. 이렇게 해서, 도 14에 도시하는 바와 같이 상부 웨이퍼 WU의 표면 WU1과 하부 웨이퍼 WL의 표면 WL1이 전체면에서 접촉되어, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL이 접합된다(도 9의 공정 S13).
여기서, 상술한 공정 S12에 있어서 하부 척(141)에 의해 하부 웨이퍼 WL은 상방으로 볼록하게 보유 지지되므로, 압동 부재(180)에 의해 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부를 확실하게 접촉시킬 수 있다. 그러면, 공정 S13에 있어서 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL을 중심부로부터 외주부를 향하여 순차 접촉시킬 때, 이들 상부 웨이퍼 WU, WL 사이의 공기를 중심부로부터 외주부로 확실하게 유출시킬 수 있어, 접합 후의 중합 웨이퍼 WT에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
그 후, 도 15에 도시하는 바와 같이 압동 부재(180)의 액추에이터부(181)를 상부 척(140)까지 상승시킨다. 또한, 진공 펌프(197a, 197b)의 작동을 정지하여, 흡인 영역(194)에 있어서의 하부 웨이퍼 WL의 진공 배기를 정지하고, 하부 척(141)에 의한 하부 웨이퍼 WL의 흡착 보유 지지를 정지한다. 이때, 하부 웨이퍼 WL의 이면 WL2는 복수의 핀(191)에 의해 지지되어 있으므로, 하부 척(141)에 의한 하부 웨이퍼 WL의 진공 배기를 해제했을 때, 당해 하부 웨이퍼 WL이 하부 척(141)으로부터 박리되기 쉬워진다.
상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL이 접합된 중합 웨이퍼 WT는, 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 트랜지션 장치(51)로 반송되고, 그 후 반입출 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 소정의 카세트 적재판(11)의 카세트 CT에 반송된다. 이렇게 해서, 일련의 웨이퍼 WU, WL의 접합 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 의하면, 하부 척(141)에 있어서 하부 웨이퍼 WL은 상방으로 볼록하게 보유 지지된다. 이로 인해, 공정 S12에 있어서, 압동 부재(180)에 의해 상부 웨이퍼 WU의 중심부가 가압되고, 상부 웨이퍼 WU의 중심부가 하방으로 볼록하게 휘어서 연장되어도, 당해 상부 웨이퍼 WU와 대략 상하 대칭의 형상으로 하부 웨이퍼 WL도 상방으로 볼록하게 휘어서 연장된다. 이로 인해, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL의 신장량을 동일하게 할 수 있어, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향의 위치 어긋남(스케일링)을 억제할 수 있다.
게다가, 하부 척(141)이 리브(192)에 의해 제1 흡인 영역(194a)과 제2 흡인 영역(194b)으로 구획되어 있으므로, 공정 S9에 있어서, 하부 척(141)으로 하부 웨이퍼 WL을 2단계로 보유 지지할 수 있다. 즉, 우선, 제1 흡인 영역(194a)으로 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기하고, 당해 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향의 위치를 고정하므로, 그 후, 흡인 영역(194a, 194b)으로 하부 웨이퍼 WL을 진공 배기할 때, 당해 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향의 위치가 어긋나는 일이 없다. 따라서, 하부 척(141)의 적절한 위치에 하부 웨이퍼 WL을 흡착 보유 지지할 수 있어, 상술한 스케일링을 더 억제할 수 있다.
또한, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL은, 디바이스 웨이퍼와 서포트 웨이퍼 중 어느 것이어도 된다. 디바이스 웨이퍼는 제품이 되는 반도체 웨이퍼이며, 예를 들어 그 표면에 복수의 전자 회로 등을 구비한 디바이스가 형성되어 있다. 또한, 서포트 웨이퍼는 디바이스 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼이고, 그 표면에 디바이스는 형성되어 있지 않다. 그리고, 본 발명은 디바이스 웨이퍼와 서포트 웨이퍼의 접합 처리와, 디바이스 웨이퍼끼리의 접합 처리 중 어디에도 적용 가능하다. 단, 디바이스 웨이퍼끼리를 접합하는 경우, 접합 후의 중합 웨이퍼 WT를 제품으로서 적절하게 기능시키기 위해서는, 상부 웨이퍼 WU의 전자 회로와 하부 웨이퍼 WL의 전자 회로를 적절하게 대응시킬 필요가 있다. 이로 인해, 상술한 바와 같이 스케일링을 억제하는 것은, 디바이스 웨이퍼끼리의 접합 처리에 특히 유용해진다.
또한, 하부 척(141)에 있어서 하부 웨이퍼 WL은 상방으로 볼록하게 보유 지지되므로, 공정 S12에 있어서 압동 부재(180)에 의해 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부를 확실하게 접촉시킬 수 있다. 이로 인해, 공정 S13에 있어서 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL을 접촉시킬 때, 이들 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL 간의 공기를 중심부로부터 외주부로 확실하게 유출시킬 수 있어, 접합 후의 중합 웨이퍼 WT에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이상과 같이 본 실시 형태에 의하면, 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL의 수평 방향의 위치를 적절하게 조절하면서, 중합 웨이퍼 WT의 보이드의 발생을 억제하여, 당해 상부 웨이퍼 WU와 하부 웨이퍼 WL의 접합 처리를 적절하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 접합 시스템(1)은 접합 장치(41)에 추가하여, 웨이퍼 WU, WL의 표면 WU1, WL1을 개질하는 표면 개질 장치(30)와, 표면 WU1, WL1을 친수화함과 함께 당해 표면 WU1, WL1을 세정하는 표면 친수화 장치(40)도 구비하고 있으므로, 하나의 시스템 내에서 웨이퍼 WU, WL의 접합을 효율적으로 행할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 접합 처리의 스루풋을 보다 향상시킬 수 있다.
이어서, 이상의 실시 형태의 접합 장치(41)에 있어서의 하부 척(141)의 다른 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 16 및 도 17에 도시하는 바와 같이 하부 척(141)의 본체부(190)는, 핀(191)의 배치의 소밀에 기초하여, 제1 핀 영역(200)과 제2 핀 영역(201)으로 구획되어 있어도 된다. 제1 핀 영역(200)은, 본체부(190)의 중심부에 원 형상으로 설치된다. 제2 핀 영역(201)은, 제1 핀 영역(200)의 외측에 있어서 당해 제1 핀 영역(200)과 동심원 형상으로 환형으로 설치된다. 그리고, 제1 핀 영역(200)에 설치된 핀(191)의 간격은, 제2 핀 영역(201)에 설치된 핀(191)의 간격보다도 작다.
상술한 바와 같이 공정 S12에서는, 압동 부재(180)에 의해, 상부 웨이퍼 WU의 중심부와 하부 웨이퍼 WL의 중심부(제1 핀 영역(200))가 가압된다. 그러면, 이 가압 하중에 의해, 하부 웨이퍼 WL의 중심부가 연직 하방으로 변형될 우려가 있다. 따라서, 도 16에 도시하는 바와 같이 제1 핀 영역(200)에 있어서의 핀(191)의 간격을 작게 함으로써, 이러한 하부 웨이퍼 WL의 중심부의 연직 방향의 변형을 억제할 수 있다.
또한, 도 18에 도시하는 바와 같이 하부 척(141)의 본체부(190)는, 핀(191)의 배치의 소밀에 기초하여, 제1 핀 영역(210), 제2 핀 영역(211), 제3 핀 영역(212)의 3개로 구획되어 있어도 된다. 제1 핀 영역(210), 제2 핀 영역(211), 제3 핀 영역(212)은, 동심원 형상으로 중심부로부터 외주부를 향해서 이 순으로 배치된다. 그리고, 제1 핀 영역(210)에 설치된 핀(191)의 간격은, 제2 핀 영역(211)에 설치된 핀(191)의 간격보다도 작다. 또한 제2 핀 영역(211)에 설치된 핀(191)의 간격은, 제3 핀 영역(212)에 설치된 핀(191)의 간격보다도 작다. 이렇게 중심부로부터 외주부를 향해서, 핀(191)의 간격을 단계적으로 크게 함으로써, 하부 척(141)에 의해 지지되는 하부 웨이퍼 WL의 접촉 면적을 원활하게 변동시킬 수 있고, 하부 웨이퍼 WL의 중심부의 연직 방향의 변형을 억제하여, 하부 척(141)으로 하부 웨이퍼 WL을 보다 적절하게 보유 지지할 수 있다. 또한, 핀 영역의 수는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 설정할 수 있다. 구획하는 수가 많은 편이, 상기 효과를 보다 현저하게 향수할 수 있다.
또한, 도 19에 도시하는 바와 같이 하부 척(141)은, 당해 하부 척(141)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL의 온도를 조절하는 온도 조절 기구(220)를 갖고 있어도 된다. 온도 조절 기구(220)는, 예를 들어 본체부(190)에 내장된다. 또한, 온도 조절 기구(220)에는, 예를 들어 히터가 사용된다. 이러한 경우, 온도 조절 기구(220)에 의해 하부 웨이퍼 WL을 소정의 온도, 예를 들어 상온(23℃)~100℃로 가열함으로써, 상술한 공정 S13을 행할 때, 웨이퍼 WU, WL 간의 공기를 소멸시킬 수 있다. 따라서, 중합 웨이퍼 WT의 보이드의 발생을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태의 하부 척(141)의 복수의 핀(191)은, 중심부로부터 외주부를 향해서, 그 높이가 서서히 낮아지도록 설치되어 있었지만, 그 높이의 변화는 이것에 한정되지 않는다. 이하의 설명에 있어서는, 복수의 핀(191)의 선단 위치가 하부 척(141)의 직경 방향 외측을 향하여 낮아질 때, 하부 척(141)의 직경 방향 거리에 대한 복수의 핀(191)의 선단 위치의 변화를 「높이 변화」라고 한다.
예를 들어 도 20에 도시하는 바와 같이, 하부 척(141)의 본체부(190)는, 핀(191)의 높이 변화에 기초하여, 내측 영역(230)과 외측 영역(231)으로 구획되어 있어도 된다. 내측 영역(230)은, 본체부(190)의 중심부에 원 형상으로 형성된다. 외측 영역(231)은, 내측 영역(230)의 외측에 있어서 당해 내측 영역(230)과 동심원 형상으로 환형으로 형성된다. 그리고, 내측 영역(230)에 설치된 핀(191)의 높이 변화는, 외측 영역(231)에 설치된 핀(191)의 높이 변화보다도 작다.
이러한 경우, 예를 들어 풍선이 부풀듯이, 내측 영역(230)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL에 작용하는 힘과, 외측 영역(231)에 의해 보유 지지된 하부 웨이퍼 WL에 작용하는 힘을 동일하게 할 수 있다. 즉, 하부 웨이퍼 WL의 면 내에 작용하는 힘을 균일하게 할 수 있다. 따라서, 하부 척(141)으로 하부 웨이퍼 WL을 보다 적절하게 보유 지지할 수 있다.
이상의 실시 형태의 하부 척(141)에서는, 하부 웨이퍼 WL의 외주부까지 진공 배기하기 위해, 하부 웨이퍼 WL의 외주부를 지지하는 환형의 리브(192)를 설치하였지만, 하부 웨이퍼 WL의 외주부를 진공 배기하는 구성은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어 하부 척(141)은, 소위 정압 시일을 사용하여, 하부 웨이퍼 WL의 외주부까지 진공 배기해도 된다. 구체적으로는, 본체부(190)의 외주부에 있어서, 리브(192) 대신에 하부 웨이퍼 WL과 비접촉인 리브(도면)를 설치해도 되고, 또는 리브(192)를 생략하여 핀(191)을 하부 웨이퍼 WL의 외주부까지 설치해도 된다. 그리고, 제2 진공 펌프(197b)에 의한 흡인 압력을 조절하여, 하부 웨이퍼 WL의 외주부까지 진공 배기한다.
또한, 상술한 도 16~도 19에 도시한 하부 척(141)의 변형예는, 상부 척(140)에도 적용할 수 있다. 또한, 상부 척(140)은 핀 척 방식이 아니어도 되고, 예를 들어 평판 형상의 척에 의한 진공 척 방식이나, 정전 척 방식 등, 다양한 방식을 취할 수 있다.
이상의 실시 형태의 접합 장치(41)에서는, 상부 척(140)을 처리 용기(100)에 고정하고, 또한 하부 척(141)을 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키고 있었지만, 반대로 상부 척(140)을 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키고, 또한 하부 척(141)을 처리 용기(100)에 고정해도 된다. 단, 상부 척(140)을 이동시키는 편이, 이동 기구가 대규모가 되기 때문에, 상기 실시 형태와 같이 상부 척(140)을 처리 용기(100)에 고정하는 편이 바람직하다.
이상의 실시 형태의 접합 시스템(1)에 있어서, 접합 장치(41)로 웨이퍼 WU, WL을 접합한 후, 또한 접합된 중합 웨이퍼 WT를 소정의 온도로 가열(어닐링 처리)해도 된다. 중합 웨이퍼 WT에 가해지는 가열 처리를 행함으로써, 접합 계면을 보다 견고하게 결합시킬 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 본 발명은 이 예에 한하지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
1: 접합 시스템
2: 반입출 스테이션
3: 처리 스테이션
30: 표면 개질 장치
40: 표면 친수화 장치
41: 접합 장치
61: 웨이퍼 반송 장치
70: 제어부
140: 상부 척
141: 하부 척
180: 압동 부재
190: 본체부
191: 핀
192: 리브
193: 리브
194a: 제1 흡인 영역
194b: 제2 흡인 영역
200: 제1 핀 영역
201: 제2 핀 영역
210: 제1 핀 영역
211: 제2 핀 영역
212: 제3 핀 영역
220: 온도 조절 기구
230: 내측 영역
231: 외측 영역
WU: 상부 웨이퍼
WL: 하부 웨이퍼
WT: 중합 웨이퍼

Claims (13)

  1. 기판끼리를 접합하는 접합 장치이며,
    하면에 제1 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
    상기 제1 보유 지지부의 하방에 설치되며, 상면에 제2 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제2 보유 지지부와,
    상기 제1 보유 지지부에 설치되고, 제1 기판의 중심부를 가압하는 압동 부재를 갖고,
    상기 제2 보유 지지부는,
    제2 기판을 진공 배기하는 본체부와,
    상기 본체부에 설치되며, 제2 기판의 이면에 접촉되는 복수의 핀을 갖고,
    상기 본체부의 중심부에 설치된 상기 핀의 선단 위치는, 상기 본체부의 외주부에 설치된 상기 핀의 선단 위치보다도 높은 것을 특징으로 하는, 접합 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 본체부는 동심원 형상의 내측 영역과 외측 영역으로 구획되고,
    상기 내측 영역에 설치된 상기 복수의 핀의 선단 위치는, 직경 방향 외측을 향하여 낮아지고,
    상기 외측 영역에 설치된 상기 복수의 핀의 선단 위치는, 직경 방향 외측을 향하여 낮아지고,
    상기 내측 영역에 있어서 직경 방향 거리에 대한 상기 복수의 핀의 선단 위치의 변화는, 상기 외측 영역에 있어서 직경 방향 거리에 대한 상기 복수의 핀의 선단 위치의 변화보다도 작은 것을 특징으로 하는, 접합 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 본체부는 동심원 형상으로 복수의 핀 영역으로 구획되고,
    상기 복수의 핀 영역에서, 내측의 핀 영역에서의 상기 복수의 핀의 간격은, 외측의 핀 영역에서의 상기 복수의 핀 간격의 간격보다 작은 것을 특징으로 하는, 접합 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 보유 지지부는, 상기 본체부에 있어서 동심원 형상으로 환형으로 설치되며, 당해 본체부로부터 돌기된 리브를 더 갖고,
    상기 제2 보유 지지부는, 상기 리브 내측의 흡인 영역과 상기 리브 외측의 흡인 영역마다 제2 기판의 진공 배기를 설정 가능한 것을 특징으로 하는, 접합 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 보유 지지부는, 당해 제2 보유 지지부에 의해 보유 지지된 제2 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 더 갖는 것을 특징으로 하는, 접합 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 접합 장치를 구비한 접합 시스템이며,
    상기 접합 장치를 구비한 처리 스테이션과,
    제1 기판, 제2 기판 또는 제1 기판과 제2 기판이 접합된 중합 기판을 각각 복수 보유 가능하고, 또한 상기 처리 스테이션에 대하여 제1 기판, 제2 기판 또는 중합 기판을 반입출하는 반입출 스테이션을 구비하고,
    상기 처리 스테이션은,
    제1 기판 또는 제2 기판이 접합되는 표면을 개질하는 표면 개질 장치와,
    상기 표면 개질 장치로 개질된 제1 기판 또는 제2 기판의 표면을 친수화하는 표면 친수화 장치와,
    상기 표면 개질 장치, 상기 표면 친수화 장치 및 상기 접합 장치에 대하여, 제1 기판, 제2 기판 또는 중합 기판을 반송하기 위한 반송 장치를 갖고,
    상기 접합 장치로는, 상기 표면 친수화 장치로 표면이 친수화된 제1 기판과 제2 기판을 접합하는 것을 특징으로 하는, 접합 시스템.
  7. 접합 장치를 사용하여 기판끼리를 접합하는 접합 방법이며,
    상기 접합 장치는,
    하면에 제1 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제1 보유 지지부와,
    상기 제1 보유 지지부의 하방에 설치되며, 상면에 제2 기판을 진공 배기하여 흡착 보유 지지하는 제2 보유 지지부와,
    상기 제1 보유 지지부에 설치되고, 제1 기판의 중심부를 가압하는 압동 부재를 갖고,
    상기 제2 보유 지지부는,
    제2 기판을 진공 배기하는 본체부와,
    상기 본체부에 설치되며, 제2 기판의 이면에 접촉되는 복수의 핀을 갖고,
    상기 본체부의 중심부에 설치된 상기 핀의 선단 위치는, 상기 본체부의 외주부에 설치된 상기 핀의 선단 위치보다도 높고,
    상기 접합 방법은,
    상기 제1 보유 지지부로 제1 기판을 보유 지지하는 제1 보유 지지 공정과,
    상기 제2 보유 지지부로 제2 기판의 중심부를 상방으로 돌출시켜서 당해 제2 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지 공정과,
    그 후, 상기 제1 보유 지지부에 의해 보유 지지된 제1 기판과 상기 제2 보유 지지부에 의해 보유 지지된 제2 기판을 대향 배치하는 배치 공정과,
    그 후, 상기 압동 부재를 강하시켜, 당해 압동 부재에 의해 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 중심부를 가압하여 접촉시키는 가압 공정과,
    그 후, 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 중심부가 접촉된 상태에서, 상기 제1 보유 지지부에 의한 제1 기판의 진공 배기를 정지하고, 제1 기판의 중심부로부터 외주부를 향해서, 제1 기판과 제2 기판을 순차 접합하는 접합 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 접합 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 본체부는 동심원 형상의 내측 영역과 외측 영역으로 구획되고,
    상기 내측 영역에 설치된 상기 복수의 핀의 선단 위치는, 직경 방향 외측을 향하여 낮아지고,
    상기 외측 영역에 설치된 상기 복수의 핀의 선단 위치는, 직경 방향 외측을 향하여 낮아지고,
    상기 내측 영역에 있어서 직경 방향 거리에 대한 상기 복수의 핀의 선단 위치의 변화는, 상기 외측 영역에 있어서 직경 방향 거리에 대한 상기 복수의 핀의 선단 위치의 변화보다도 작고,
    상기 제2 보유 지지 공정에 있어서, 상기 제2 보유 지지부의 표면을 따라 제2 기판을 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 접합 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 본체부는 동심원 형상으로 복수의 핀 영역으로 구획되고,
    상기 복수의 핀 영역에 있어서, 내측의 핀 영역에서의 상기 복수의 핀의 간격은, 외측의 핀 영역에서의 상기 복수의 핀 간격의 간격보다 작고,
    상기 가압 공정에 있어서, 상기 압동 부재에 의해 제1 기판의 중심부와 제2 기판의 상기 내측의 핀 영역을 가압하여 접촉시키는 것을 특징으로 하는, 접합 방법.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제2 보유 지지부는, 상기 본체부에 있어서 동심원 형상으로 환형으로 설치되며, 당해 본체부로부터 돌기된 리브를 더 갖고,
    상기 제2 보유 지지부는, 상기 리브 내측의 흡인 영역과 상기 리브 외측의 흡인 영역마다 제2 기판의 진공 배기를 설정 가능하고,
    상기 제2 보유 지지 공정에 있어서, 상기 내측의 흡인 영역에서 제2 기판을 흡착 보유 지지한 후, 상기 외측의 흡인 영역에서 제2 기판을 흡착 보유 지지하는 것을 특징으로 하는, 접합 방법.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 접합 공정에 있어서, 상기 제2 보유 지지부에 설치된 온도 조절 기구에 의해 제2 기판의 온도를 조절하면서, 제1 기판과 제2 기판을 접합하는 것을 특징으로 하는, 접합 방법.
  12. 제7항 또는 제8항에 기재된 접합 방법을 접합 장치에 의해 실행시키도록, 당해 접합 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
  13. 삭제
KR1020150110976A 2014-08-07 2015-08-06 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 KR102407489B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014161628A JP6177739B2 (ja) 2014-08-07 2014-08-07 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JPJP-P-2014-161628 2014-08-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160018410A KR20160018410A (ko) 2016-02-17
KR102407489B1 true KR102407489B1 (ko) 2022-06-13

Family

ID=55376792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150110976A KR102407489B1 (ko) 2014-08-07 2015-08-06 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6177739B2 (ko)
KR (1) KR102407489B1 (ko)
CN (2) CN110416142B (ko)
TW (1) TWI594308B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3433875B1 (de) 2016-03-22 2022-05-04 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren zum bonden von substraten
JP6700130B2 (ja) * 2016-07-12 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 接合システム
JP6727069B2 (ja) * 2016-08-09 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合システム
JP6899891B2 (ja) * 2016-08-12 2021-07-07 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を制御して接合する方法およびサンプルホルダ
TW201826333A (zh) * 2016-11-16 2018-07-16 日商尼康股份有限公司 保持構件、接合裝置、及接合方法
JP6854696B2 (ja) 2017-05-02 2021-04-07 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合方法
JP6925160B2 (ja) * 2017-05-02 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 接合装置
EP3640975A1 (de) * 2017-09-21 2020-04-22 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten
TWI818942B (zh) * 2018-01-17 2023-10-21 日商東京威力科創股份有限公司 接合裝置及接合方法
WO2019146424A1 (ja) * 2018-01-23 2019-08-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
KR102468794B1 (ko) * 2018-07-06 2022-11-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템
KR102648711B1 (ko) * 2018-09-20 2024-03-20 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 그를 이용한 기판 본딩 방법
CN113543920B (zh) * 2019-03-14 2023-04-11 东京毅力科创株式会社 接合系统和接合方法
JP6818076B2 (ja) * 2019-04-17 2021-01-20 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板を接合する装置および方法
TWI822993B (zh) * 2019-05-08 2023-11-21 日商尼康股份有限公司 基板貼合裝置及基板貼合方法
CN110911334B (zh) * 2019-11-13 2021-06-15 东莞普莱信智能技术有限公司 一种微型电子元件定位贴合装置及其方法
CN111446191A (zh) * 2020-05-15 2020-07-24 长江存储科技有限责任公司 晶圆键合设备及检测方法
KR102462844B1 (ko) * 2020-12-22 2022-11-04 주식회사 셀코스 반도체 칩 전사 장치 및 이를 이용한 반도체 칩 전사 방법
JP2023044294A (ja) * 2021-09-17 2023-03-30 キオクシア株式会社 接合装置及び接合方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013187393A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法
JP5538613B1 (ja) * 2013-11-13 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1358871A (en) 1971-06-25 1974-07-03 Pye Ltd Crane load indicator arrangement
JPH0744135B2 (ja) * 1989-08-28 1995-05-15 株式会社東芝 半導体基板の接着方法及び接着装置
US5478782A (en) * 1992-05-25 1995-12-26 Sony Corporation Method bonding for production of SOI transistor device
KR940009993A (ko) * 1992-10-08 1994-05-24 이헌조 전화회선 상태에 따른 브이씨알 자동 제어장치
JPH10106907A (ja) * 1996-10-01 1998-04-24 Canon Inc 固相接合方法
JPH1174164A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
CN1275082C (zh) * 2002-10-28 2006-09-13 爱德牌工程有限公司 液晶显示器接合工程用压接装置
US7275577B2 (en) * 2002-11-16 2007-10-02 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Substrate bonding machine for liquid crystal display device
JP2012175043A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Tokyo Electron Ltd 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TWI564982B (zh) * 2011-04-26 2017-01-01 尼康股份有限公司 A substrate holding device, a substrate bonding device, a substrate holding method, a substrate bonding method, a laminated semiconductor device, and a laminated substrate
JP5606429B2 (ja) * 2011-12-08 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP5626736B2 (ja) * 2012-03-15 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20130312907A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Lg Display Co., Ltd. Substrate-bonding apparatus for display device and method for manufacturing bonded substrate
JP5521066B1 (ja) * 2013-01-25 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013187393A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法
JP5538613B1 (ja) * 2013-11-13 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP6177739B2 (ja) 2017-08-09
CN105374725A (zh) 2016-03-02
TWI594308B (zh) 2017-08-01
CN110416142B (zh) 2023-08-29
CN105374725B (zh) 2019-11-12
CN110416142A (zh) 2019-11-05
JP2016039254A (ja) 2016-03-22
KR20160018410A (ko) 2016-02-17
TW201621991A (zh) 2016-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102407489B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102316311B1 (ko) 접합 장치 및 접합 시스템
KR102407491B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102442318B1 (ko) 접합 방법, 컴퓨터 기억 매체, 접합 장치 및 접합 시스템
KR102505676B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR102383298B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP6596288B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
KR102073996B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2015119088A (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP2015018919A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015018920A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102436811B1 (ko) 접합 장치 및 접합 방법
KR102356109B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP6120749B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP2014229787A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6231937B2 (ja) 接合装置及び接合システム
JP6382765B2 (ja) 接合装置及び接合システム
JP6382764B2 (ja) 接合装置及び接合システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant