JP2004315314A - サファイヤ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイヤ基板において、主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<−1 −1 2 0>、<2 −1 −1 0>、<−1 2 −1 0>の等価方向に対して垂直な面のうちいずれか一つの特定の面に形成されていることを特徴とするサファイヤ基板である。特定のa面にオリフラを設けると、このオリフラを基準として欠けが発生しにくい方向にスクライビングすることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、サファイヤ基板及びその製造方法に関し、特に、サファイヤ基板のスクライブ方向を判別できるサファイヤ基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から単結晶サファイア基板を簡単な工程で、高精度に分割し、滑らかな分割面を得る方法として、単結晶サファイア基板の周囲の一部にR面と平行または垂直な基準面を設け、この単結晶サファイア基板をR面に沿って劈開し、分割する方法が知られている(特許文献1参照)。
【0003】
また、GaNに代表されるIII族窒化物半導体や窒化ガリウム系化合物半導体等をエピタキシャル成長させ、かつ、歩留まりを向上させることのできるサファイヤ基板として、サファイヤ基板上にエピタキシャル成長させる面をq面とするサファイヤ基板が知られている(特許文献2参照)。
【0004】
さらに、面方位等の判別が容易となるように、主面が(0001)等価面であって、<1 −1 0 0>等価方向を判別するしるしを有する窒化物半導体ウェーハが知られている(特許文献3参照)。
【0005】
【特許文献1】特開平9−235197号公報
【0006】
【特許文献2】特開2001−220295号公報
【0007】
【特許文献3】特開2002−222746号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、窒化物半導体ウエハーとしては、サファイヤ基板上に窒化物半導体を積層したものが一般的である。また、このサファイヤ基板上に窒化物半導体を積層する窒化物半導体ウエハーにおいては、一般に主面をc面とするサファイヤ基板が用いられている。このため、主面がc面であるサファイヤ基板を用いた窒化物半導体ウエハーの分割工程において、スクライビングによる窒化物半導体ウエハーの欠けの発生を抑制できる技術の開発が求められている。
【0009】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、スクライビングによる欠けが発生しにくいサファイヤ基板及びその製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、スクライビング方向とサファイヤ基板の結晶方位との関係に着目して上記課題を鋭意検討した結果、サファイヤ基板の結晶方位とスクライビング方向との間に一定の規則性があることを発見した。
【0011】
本発明者らは、上記発見に基づいて更なる検討の結果、m軸方向に沿ってスクライビングする場合、R軸の存在する方向からスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなり、また、a軸方向に沿ってスクライビングする場合、<1 1 −2 0>方向、<1 −2 1 0>方向、<−2 1 1 0>方向にスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなるという知見を得て、請求項1乃至請求項11に記載の発明を完成した。
【0012】
請求項1記載の発明は、サファイヤ基板において、主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<−1 −1 2 0>、<2 −1 −1 0>、<−1 2 −1 0>の等価方向に対して垂直な面のうちいずれか一つの特定の面に形成されていることを特徴とするサファイヤ基板である。
【0013】
<−1 −1 2 0>の等価方向は、<1 1 −2 0>方向であり、<2 −1 −1 0>の等価方向は、<−2 1 1 0>方向であり、<−1 2 −1 0>の等価方向は、<1 −2 1 0>方向である。このため、<−1 −1 2 0>、<2 −1 −1 0>、<−1 2 −1 0>の等価方向に対して垂直な面は、a面を意味する。すなわち、本発明ではオリエンテーションフラットが6面あるa面のうち特定のa面に形成されていることを特徴とする。
【0014】
このように、特定のa面にオリエンテーションフラットを設けると、欠けが発生しにくい方向にスクライビングすることができる。すなわち、オリエンテーションフラットは特定のa面に形成されているため、オリエンテーションフラットの結晶方位を知ることができ、このオリエンテーションフラットを基準として欠けが発生しにくい方向を容易に特定することができるからである。
【0015】
従って、m軸に沿ってスクライビングする場合、オリエンテーションフラットの結晶方位からR軸方向が特定されるため、欠けの発生しにくいR軸の存在する方向からスクライビングすることができる。また、a軸に沿ってスクライビングする場合にもオリエンテーションフラットの結晶方位から欠けの発生しにくい<1 1 −2 0>方向、<1 −2 1 0>方向、<−2 1 1 0>方向を特定できるため、欠けの発生しにくい方向にスクライビングすることができる。
【0016】
これに対して、一般的なサファイヤ基板のように、a面に設けられたオリエンテーションフラットの結晶方位が特定されていない場合には、このオリエンテーションフラットを基準としてa軸又はm軸方向にスクライビングすることは可能であるが、すべての窒化物半導体ウエハーについて一定の方向にスクライビングすることはできない。
【0017】
一般に、軸方向がc軸であるサファイヤインゴットのa面にオリエンテーションフラットを設ける場合、X線回折によりa軸を測定して、このa軸に垂直なa面にオリエンテーションフラットを設けている。しかし、測定したa軸に垂直なa面は、2面存在するため、複数のサファイヤインゴットにオリエンテーションフラットを設ける場合、サファイヤインゴット毎にオリエンテーションフラットの結晶方位が異なってしまう場合がある。
【0018】
従って、従来の方法で加工されたオリエンテーションフラットを基準にして窒化物半導体ウエハーをスクライビングしようとすると、オリエンテーションフラットの結晶方位が特定されていないため、a軸又はm軸に沿ってスクライビングすることは可能であるが、確実に欠けの発生しにくい方向にスクライビングすることができない。このため、スクライビングの際に試し切りを要している。
【0019】
請求項2記載の発明は、サファイヤ基板において、主面がc面であるサファイヤ基板の<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のいずれか一つの方向又は、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のいずれか一つの方向を判別できる印を有するサファイヤ基板。
【0020】
スクライブ方向に関して<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向は、いずれも同一の規則性を有する。また、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向もまた、いずれも同一の規則性を有する。このため、主面がc面であるサファイヤ基板について、<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のいずれか一つの方向又は、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のいずれか一つの方向を判別できる印があれば、スクライブ方向を特定できる。
【0021】
この印は、<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のサファイヤ基板端部のうち少なくともいずれか一箇所に形成されているのが好ましい。
【0022】
請求項3記載の発明は、サファイヤ基板において、主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<−1 −1 2 0>、<1 1 −2 0>、<−1 2 −1 0>、<1 −2 1 0>、<2 −1 −1 0>、<−2 1 1 0>方向に対して垂直な面のうち少なくともいずれか一つの面に形成されており、前記サファイヤ基板にスクライブ方向を特定する印又は前記結晶方位を特定する印が付けられていることを特徴とするサファイヤ基板である。
【0023】
このサファイヤ基板には、オリエンテーションフラットに加えて、スクライブ方向を特定する印又は結晶方位を特定する印が付けられているため、スクライビングの際に、より容易に欠けの発生しない方向を判別できる。結晶方位は、<−1 −1 2 0>、<1 1 −2 0>、<−1 2 −1 0>、<1 −2 1 0>、<2 −1 −1 0>、<−2 1 1 0>を意味する。
【0024】
請求項4記載の発明は、サファイヤ基板において、スクライブ方向を特定する印を有するサファイヤ基板である。
【0025】
請求項5記載の発明は、請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記印が刻印であることを特徴とするサファイヤ基板である。
【0026】
請求項6記載の発明は、請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記印が切り欠きであることを特徴とするサファイヤ基板である。
【0027】
請求項7記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記主面のc軸が傾斜していることを特徴とするサファイヤ基板である。
【0028】
このサファイヤ基板は、c軸を主面の法線に対して微傾斜させているオフ基板である。傾斜方向としては、m軸方向又はa軸方向が一般的であるがこれに限定されない。
【0029】
請求項8記載の発明は、主面がc面であるサファイヤ基板の製造方法において、a軸を測定する第1工程と、前記a軸を晶帯軸とする晶帯に属する面のいずれか一面を測定する第2工程と、前記第2工程で測定された面が前記c面に対して傾いている角度に応じてオリエンテーションフラットを設けるa面を決定する第3工程とを含むサファイヤ基板の製造方法である。
【0030】
このように、a軸を晶帯軸とする晶帯に属する面を測定し、この面がc面に対して傾斜している角度に応じて、オリエンテーションフラットを設けるa面を決定するため、特定のa面にオリエンテーションフラットを設けることができる。これにより、オリエンテーションフラットを基準として欠けが発生しにくい方向を容易に特定することができる。
【0031】
特定のa面とは、<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のサファイヤ基板端部のa面のうちいずれか1面又は<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のサファイヤ基板端部のa面のうちいずれか1面である。
【0032】
<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のサファイヤ基板端部のいずれか1面にオリエンテーションフラットを設けた場合については、オリエンテーションフラットに対して垂直方向(a軸方向)にスクライビングする場合、図1(a)及び図1(b)に示すように、オリエンテーションフラット側からスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなり、オリエンテーションフラットに対して平行(m軸方向)にスクライビングする場合、図1(a)及び図1(b)に示すように、オリエンテーションフラットを手前に見て右側(R軸が存在する側)からスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなる。
【0033】
一方、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のサファイヤ基板端部のいずれかに1面にオリエンテーションフラットを設けた場合については、オリエンテーションフラットに対して垂直方向(a軸方向)にスクライビングする場合、図2(a)及び図2(b)に示すように、オリエンテーションフラット側に向けてスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなり、オリエンテーションフラットに対して平行(m軸方向)にスクライビングする場合、図2(a)及び図2(b)に示すように、オリエンテーションフラットを手前に見て左側(R軸が存在する側)からスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなる。
【0034】
以上のように、オリエンテーションフラットを設ける結晶方位を<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のサファイヤ基板端部のいずれか1面又は、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のサファイヤ基板端部のいずれか1面に統一することによって、オリエンテーションフラットを基準として窒化物半導体ウエハーに欠けの発生しにくい方向に確実にスクライビングすることができる。
【0035】
請求項9記載の発明は、請求項8記載の発明の構成に加えて、前記a軸を晶帯軸とする晶帯に属する面がS面、R面、q面、r面、t面であることを特徴とするサファイヤ基板の製造方法である。
【0036】
請求項10記載の発明は、主面がc面であるサファイヤ基板の製造方法において、a軸を測定する第1工程と、前記a軸に対して直交するS軸、R軸、q軸、r軸、t軸のいずれかの軸を測定する第2工程と、前記第2工程で測定された軸が前記c面に対して傾いている角度に応じてオリエンテーションフラットを設けるa面を決定する第3工程とを含むサファイヤ基板の製造方法である。
【0037】
このように、a軸に対して直交するS軸、R軸、q軸、r軸、t軸のいずれかの軸を測定し、この軸がc面に対して傾斜している角度に応じて、オリエンテーションフラットを設けるa面を決定するため、特定のa面にオリエンテーションフラットを設けることができる。これにより、オリエンテーションフラットを基準として欠けが発生しにくい方向を容易に特定することができる。
【0038】
請求項11記載の発明は、請求項8乃至請求項10のいずれかに記載の発明の構成に加えて、前記主面のc軸が傾斜していることを特徴とするサファイヤ基板の製造方法である。
【0039】
このサファイヤ基板は、c軸を主面の法線に対して微傾斜させているオフ基板である。傾斜方向としては、m軸方向又はa軸方向が一般的であるがこれに限定されない。
【0040】
【発明の実施の形態】
本発明に係るサファイヤ基板の製造方法について、特に本発明の主要部であるオリエンテーションフラット(以下、「オリフラ」という。)の加工方法について説明する。本実施形態では、説明の便宜上、サファイヤインゴットの<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のいずれかの端部にオリフラを設ける場合を説明する。なお、このサファイヤインゴットは、公知の製法によって軸方向がc軸となるように製造されたものを用いる。
【0041】
第1工程
X線回折によってサファイヤインゴットのa軸を測定する。a軸はc軸を中心として60度毎に存在するが、それらのa軸のうち、測定するa軸はいずれのa軸であってもよい。説明の便宜上、測定したa軸を図1(b)に示すa3とする。なお、図1乃至図6はサファイヤ基板を示す図であるがサファイヤインゴットの場合も結晶方位は同じであるので、サファイヤ基板の図面を用いて説明する。
【0042】
第2工程
第1工程で測定したa3のa軸を晶帯軸とする晶帯に属する面のうち、いずれか一面をX線回折によって測定する。ここで、a軸を晶帯軸とする晶帯に属する面とは、具体的には、図1(d)に示すように、S面、R面、q面、r面、t面である。これらの面のうち、いずれか一面を測定することとしたのは、オリフラを設けるa面を容易に決定することができるためである。
【0043】
第3工程
第2工程で測定したR面がc面に対して傾いている角度に応じてオリフラを設けるa面を決定する。図1(b)に示すように、a3のa軸に垂直なa面は2面(<−1 −1 2 0>方向又は<1 1 −2 0>方向の2面)存在するため、R面のc面に対する傾斜角度からいずれか1面を特定する必要があるためである。本実施形態では、図1(a)に示すように、<−1 −1 2 0>方向を統一的に選択することとする。
【0044】
図3(a)に示すように、R面のc面に対する傾斜角度θが鈍角の場合、図3(a)の紙面手前側のサファイヤ基板端部(図3(b)の位置A)にオリフラを設ける。一方、図4(a)に示すように、R面のc面に対する傾斜角度θが鋭角の場合、図4(a)の紙面奥側のサファイヤ基板端部(図4(b)の位置B)にオリフラを設ける。
【0045】
第1工程で測定したa軸がa3の場合、図3(a)の紙面手前側も図4(a)の紙面奥側もa3側のサファイヤ基板端部を指すため、結果として、異なるサファイヤインゴットに対して、常に<−1 −1 2 0>方向のサファイヤ基板端部にオリフラを形成できる。
【0046】
また、第1工程で測定したa軸が図1(b)に示すa2である場合についてもa3の場合と同様に、図5(a)に示すように、R面のc面に対する傾斜角度θが鈍角の場合、図5(a)の紙面手前側のサファイヤ基板端部(図5(b)の位置A)にオリフラを設け、図6(a)に示すように、R面のc面に対する傾斜角度θが鋭角の場合、図6(a)の紙面奥側のサファイヤ基板端部(図6(b)の位置B)にオリフラを設ける。このように、予めR面のc面に対する傾斜角度に応じてオリフラを設ける位置を決めておけば、図5(a)の紙面手前側も図6(a)の紙面奥側もa2側のサファイヤ基板端部を示すため、結果として、常に<−1 2 −1 0>方向のサファイヤ基板端部にオリフラを形成できる。
【0047】
さらに、第1工程で測定したa軸がa1である場合についてもa3の場合a2の場合と同様に予めR面のc面に対する傾斜角度に応じてオリフラを設ける位置を決めておけば、結果として、常に<2 −1 −1 0>方向のサファイヤ基板端部にオリフラを形成できる。
【0048】
以上のように、予めR面のc面に対する傾斜角度θに応じてオリフラを設けるa面を決定すると、第1工程で測定したa軸がa1、a2、a3のいずれであっても、異なるサファイヤインゴットに対して、結果として、常に特定の結晶方位(<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向)のサファイヤ端部にいずれか1面にオリフラを設けることができる。
【0049】
これにより、オリフラを設けるa面を<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向に統一させることができる。このため、オリフラに対して垂直方向(a軸方向)にスクライビングする場合、図1(a)及び図1(b)に示すように、オリフラ側からスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなり、オリフラに対して平行(m軸方向)にスクライビングする場合、オリフラを手前に見て右側(R軸が存在する側)からスクライビングすると、窒化物半導体ウエハーに欠けが発生しにくくなる。
【0050】
なお、本実施形態では、測定したR面のc面に対する傾斜角度からオリフラを設けるa面を決定する場合について説明したが、R軸のc軸に対する傾斜角度からa面を決定してもよい。
【0051】
また、本実施形態では、サファイヤインゴットにオリフラを設ける方法を説明したが、本発明はサファイヤインゴットに限定されず、EFG法で製造されたサファイヤ基板にオリフラを設ける場合にも適用できる。
【0052】
第1工程、第2工程のa軸の測定方法はX線回折に限定されない。また、本実施形態では、オリフラを設ける場合について説明したが、スクライブ方向を特定できる印であれば、オリフラに限定されず、刻印や切り欠きであってもよい。さらに、オリフラにスクライブ方向を示す刻印や切り欠きを設けると、より一層容易に欠けが発生しにくい方向にスクライブできる。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、窒化物半導体ウエハーの分割工程において、窒化物半導体ウエハーの欠けが発生しにくい方向にスクライブできるため、試し切りを要しないという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係るサファイヤの概念図である。(a)は、スクライビング方向と欠けの発生との関係を説明する図である。(b)は、サファイヤ基板の結晶方位を説明する図である。(c)は、サファイヤ基板の側面図である。(d)は、サファイヤ基板の側面から見た結晶方位を説明する図である。
【図2】本実施形態に係るサファイヤの概念図である。(a)は、スクライビング方向と欠けの発生との関係を説明する図である。(b)は、サファイヤ基板の結晶方位を説明する図である。(c)は、サファイヤ基板の側面図である。(d)は、サファイヤ基板の側面から見た結晶方位を説明する図である。
【図3】(a)は、R面とc面との傾斜角度の関係を説明する図である。(b)は、オリフラを設ける位置を説明する図である。
【図4】(a)は、R面とc面との傾斜角度の関係を説明する図である。(b)は、オリフラを設ける位置を説明する図である。
【図5】(a)は、R面とc面との傾斜角度の関係を説明する図である。(b)は、オリフラを設ける位置を説明する図である。
【図6】(a)は、R面とc面との傾斜角度の関係を説明する図である。(b)は、オリフラを設ける位置を説明する図である。
Claims (11)
- サファイヤ基板において、
主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<−1 −1 2 0>、<2 −1 −1 0>、<−1 2 −1 0>の等価方向に対して垂直な面のうちいずれか一つの特定の面に形成されていることを特徴とするサファイヤ基板。 - サファイヤ基板において、
主面がc面であるサファイヤ基板の<−1 −1 2 0>、<−1 2 −1 0>、<2 −1 −1 0>方向のいずれか一つの方向又は、<1 1 −2 0>、<1 −2 1 0>、<−2 1 1 0>方向のいずれか一つの方向を判別できる印を有するサファイヤ基板。 - サファイヤ基板において、
主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<−1 −1 2 0>、<1 1 −2 0>、<−1 2 −1 0>、<1 −2 1 0>、<2 −1 −1 0>、<−2 1 1 0>方向に対して垂直な面のうち少なくともいずれか一つの面に形成されており、前記サファイヤ基板にスクライブ方向を特定する印又は前記結晶方位を特定する印が付けられていることを特徴とするサファイヤ基板。 - サファイヤ基板において、
スクライブ方向を特定する印を有するサファイヤ基板。 - 前記印は、刻印であることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のサファイヤ基板。
- 前記印は、切り欠きであることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のサファイヤ基板。
- 前記主面のc軸が傾斜していることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のサファイヤ基板。
- 主面がc面であるサファイヤ基板の製造方法において、
a軸を測定する第1工程と、
前記a軸を晶帯軸とする晶帯に属する面のいずれか一面を測定する第2工程と、
前記第2工程で測定された面が前記c面に対して傾いている角度に応じてオリエンテーションフラットを設けるa面を決定する第3工程と、を含むサファイヤ基板の製造方法。 - 前記a軸を晶帯軸とする晶帯に属する面は、S面、R面、q面、r面、t面であることを特徴とする請求項8記載のサファイヤ基板の製造方法。
- 主面がc面であるサファイヤ基板の製造方法において、
a軸を測定する第1工程と、
前記a軸に対して直交するS軸、R軸、q軸、r軸、t軸のいずれかの軸を測定する第2工程と、
前記第2工程で測定された軸が前記c面に対して傾いている角度に応じてオリエンテーションフラットを設けるa面を決定する第3工程と、を含むサファイヤ基板の製造方法。 - 前記主面のc軸が傾斜していることを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれかに記載のサファイヤ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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Publications (2)
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ID=33473292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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