JPH09235197A - 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体 - Google Patents
単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体Info
- Publication number
- JPH09235197A JPH09235197A JP4386296A JP4386296A JPH09235197A JP H09235197 A JPH09235197 A JP H09235197A JP 4386296 A JP4386296 A JP 4386296A JP 4386296 A JP4386296 A JP 4386296A JP H09235197 A JPH09235197 A JP H09235197A
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- crystal sapphire
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】単結晶サファイア基板１０を簡単な工程で、高
精度に分割し、滑らかな分割面を得る。 【解決手段】単結晶サファイア基板１０をＲ面に沿って
劈開し、分割する。
精度に分割し、滑らかな分割面を得る。 【解決手段】単結晶サファイア基板１０をＲ面に沿って
劈開し、分割する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等の薄膜成
長用、電子部品用、構造部品用等の単結晶サファイア基
板、及びこの単結晶サファイアの加工方法、及びこの加
工方法により得られる単結晶サファイア体に関する。
長用、電子部品用、構造部品用等の単結晶サファイア基
板、及びこの単結晶サファイアの加工方法、及びこの加
工方法により得られる単結晶サファイア体に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶サファイアは、Ａｌ2 Ｏ3 の単結
晶体であり、透明、高硬度で、極めて滑らかな面が得ら
れることから、さまざまな用途に利用されている。
晶体であり、透明、高硬度で、極めて滑らかな面が得ら
れることから、さまざまな用途に利用されている。
【０００３】この単結晶サファイアは、溶融Ａｌ2 Ｏ3
中に浸漬した種子結晶を成長させながら引き上げること
によって製造するため、複雑な形状に製造することがで
きず、引き上げ後に所定形状となるように加工すること
が行われている。
中に浸漬した種子結晶を成長させながら引き上げること
によって製造するため、複雑な形状に製造することがで
きず、引き上げ後に所定形状となるように加工すること
が行われている。
【０００４】具体的な単結晶サファイアの加工方法とし
ては、ダイヤモンド砥石やダイヤモンド砥粒等を用いた
機械加工、エッチング現象を利用した腐食加工、または
ダイヤモンドペンを使ってマイクロクラックを発生さ
せ、これを成長させて破断する破断加工が行われてい
る。
ては、ダイヤモンド砥石やダイヤモンド砥粒等を用いた
機械加工、エッチング現象を利用した腐食加工、または
ダイヤモンドペンを使ってマイクロクラックを発生さ
せ、これを成長させて破断する破断加工が行われてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な加工方法では、短時間でしかも滑らかな表面を得られ
るような加工を行うことができなかった。
な加工方法では、短時間でしかも滑らかな表面を得られ
るような加工を行うことができなかった。
【０００６】まず、最も一般的なダイヤモンド砥粒を使
った機械加工では、加工時間が長く、加工コストが高く
なるという問題点があった。
った機械加工では、加工時間が長く、加工コストが高く
なるという問題点があった。
【０００７】次にエッチングによる腐食加工では、サフ
ァイア表面を平滑な面にすることができるが、１ｍｍの
加工に１０時間程度と加工時間が長いだけでなく、サブ
ミクロン単位の平滑面を得る事はできなかった。
ァイア表面を平滑な面にすることができるが、１ｍｍの
加工に１０時間程度と加工時間が長いだけでなく、サブ
ミクロン単位の平滑面を得る事はできなかった。
【０００８】また、ダイヤモンドペンを使った破断加工
方法では、加工時間は短く、特別な加工機械・設備を使
わないが、加工する位置の精度が悪く、また平滑面を得
る事は困難であった。
方法では、加工時間は短く、特別な加工機械・設備を使
わないが、加工する位置の精度が悪く、また平滑面を得
る事は困難であった。
【０００９】特に、単結晶サファイア基板上に半導体薄
膜を成長させ、パターンを形成した後にチップ状に分割
しようとした場合、精度良く分割することができず、歩
留を低下させているといった問題があった。また、上記
半導体薄膜を成長させてレーザダイオード等とする場合
は、分割面にサブミクロンの精密さを必要とするが、上
記の加工方法では、この精度を得ることはできなかっ
た。
膜を成長させ、パターンを形成した後にチップ状に分割
しようとした場合、精度良く分割することができず、歩
留を低下させているといった問題があった。また、上記
半導体薄膜を成長させてレーザダイオード等とする場合
は、分割面にサブミクロンの精密さを必要とするが、上
記の加工方法では、この精度を得ることはできなかっ
た。
【００１０】そこで、特開平７−２９７４９５号公報に
示すように、単結晶サファイア基板をそのＣ軸＜０００
１＞と平行に劈開して分割することが提案されている
が、この方法でも高精度に滑らかな面を得られるような
分割はできなかった。
示すように、単結晶サファイア基板をそのＣ軸＜０００
１＞と平行に劈開して分割することが提案されている
が、この方法でも高精度に滑らかな面を得られるような
分割はできなかった。
【００１１】本発明では、以上の問題点を同時に解決
し、短時間で、精度良く、滑らかな表面を得られる単結
晶サファイアの分割方法、及びそれに適した単結晶サフ
ァイア基板を得ることを目的とする。
し、短時間で、精度良く、滑らかな表面を得られる単結
晶サファイアの分割方法、及びそれに適した単結晶サフ
ァイア基板を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶サファ
イア基板にＲ面と平行または垂直な基準面を備えたこと
を特徴とする。
イア基板にＲ面と平行または垂直な基準面を備えたこと
を特徴とする。
【００１３】即ち、基準面をＲ面と平行または垂直にし
ておけば、この基準面と平行又は垂直な方向にＲ面が存
在することになり、後述するように単結晶サファイアは
Ｒ面に沿って劈開すると高精度に分割できることから、
容易に効率良く加工できる基板とすることができる。な
お、上記基準面がＲ面と平行または垂直とは、基準面が
Ｒ面と完全に平行または垂直な方位から±１０°以内、
好ましくは±２°以内の範囲内にあることを言う。
ておけば、この基準面と平行又は垂直な方向にＲ面が存
在することになり、後述するように単結晶サファイアは
Ｒ面に沿って劈開すると高精度に分割できることから、
容易に効率良く加工できる基板とすることができる。な
お、上記基準面がＲ面と平行または垂直とは、基準面が
Ｒ面と完全に平行または垂直な方位から±１０°以内、
好ましくは±２°以内の範囲内にあることを言う。
【００１４】また、本発明は、単結晶サファイアをＲ面
に沿って劈開する工程から分割することを特徴とする。
に沿って劈開する工程から分割することを特徴とする。
【００１５】即ち、単結晶サファイアには結晶方位によ
りＡ面、Ｃ面、Ｒ面の３つの代表的な面が存在するが、
このうち特にＲ面（１−１０２）が他の結晶面に比べて
破断しやすく、このＲ面に沿って劈開すると、容易に高
精度の分割が可能で、滑らかな分割面が得られることを
見出した。
りＡ面、Ｃ面、Ｒ面の３つの代表的な面が存在するが、
このうち特にＲ面（１−１０２）が他の結晶面に比べて
破断しやすく、このＲ面に沿って劈開すると、容易に高
精度の分割が可能で、滑らかな分割面が得られることを
見出した。
【００１６】また、上記Ｒ面に沿った壁開を行う場合
は、ダイヤモンドペン等にて、単結晶サファイアの表面
にＲ面に沿った方向クラックを発生させ、外部応力にて
クラックを成長させながら分割することによって、極め
て平滑で鋭利な分割面を得る事ができる。
は、ダイヤモンドペン等にて、単結晶サファイアの表面
にＲ面に沿った方向クラックを発生させ、外部応力にて
クラックを成長させながら分割することによって、極め
て平滑で鋭利な分割面を得る事ができる。
【００１７】さらに、本発明は、上記の方法によって、
少なくとも一部にＲ面に沿って劈開した滑らかな面を有
する単結晶サファイア体を得ることを特徴とする。
少なくとも一部にＲ面に沿って劈開した滑らかな面を有
する単結晶サファイア体を得ることを特徴とする。
【００１８】この単結晶サファイア体を半導体・電子部
品用素子、あるいは刃物等の構造用部品に利用する事に
より、高性能の製品を得ることができる。
品用素子、あるいは刃物等の構造用部品に利用する事に
より、高性能の製品を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。
る。
【００２０】まず最初に、サファイアの結晶構造につい
て説明する。図１に示すように単結晶サファイアは六方
晶系であり、その中心軸をなすＣ軸とこれに垂直なＣ面
（０００１）、Ｃ軸から三方へ放射状に伸びるＡ軸（ａ
1 軸、ａ2 軸、ａ3 軸）とそれぞれに垂直なＡ面（１１
−２０）、Ｃ軸に対して一定角度を有するＲ面（１−１
０２）とこれに垂直なＲ軸が存在する。なお、これらの
面や軸の方向については、Ｘ線回折により分析すること
ができる。
て説明する。図１に示すように単結晶サファイアは六方
晶系であり、その中心軸をなすＣ軸とこれに垂直なＣ面
（０００１）、Ｃ軸から三方へ放射状に伸びるＡ軸（ａ
1 軸、ａ2 軸、ａ3 軸）とそれぞれに垂直なＡ面（１１
−２０）、Ｃ軸に対して一定角度を有するＲ面（１−１
０２）とこれに垂直なＲ軸が存在する。なお、これらの
面や軸の方向については、Ｘ線回折により分析すること
ができる。
【００２１】次に、図２（Ａ）に示すように、本発明の
単結晶サファイア基板１０は、引上軸がＭ軸＜１−１０
０＞となるようにＥＦＧ法によって育成を行った後、研
削研磨加工したものであり、直径５０ｍｍ、厚さ０．４
２５ｍｍの円板状で周囲の一部に基準面１２を成すオリ
エンテーションフラットを形成したものである。この単
結晶サファイア基板１０の主面１１はＡ面（１１−２
０）とし、基準面１２はＲ軸と平行、即ちＲ面（１−１
０２）と垂直な方向としてある。そのため、Ｃ軸はこの
基準面１２と５７．６１７°の角度を成す方向となる。
単結晶サファイア基板１０は、引上軸がＭ軸＜１−１０
０＞となるようにＥＦＧ法によって育成を行った後、研
削研磨加工したものであり、直径５０ｍｍ、厚さ０．４
２５ｍｍの円板状で周囲の一部に基準面１２を成すオリ
エンテーションフラットを形成したものである。この単
結晶サファイア基板１０の主面１１はＡ面（１１−２
０）とし、基準面１２はＲ軸と平行、即ちＲ面（１−１
０２）と垂直な方向としてある。そのため、Ｃ軸はこの
基準面１２と５７．６１７°の角度を成す方向となる。
【００２２】この単結晶サファイア基板１０を分割する
場合は、ダイヤモンドペンを用いて、Ｃ軸と３２．３８
３゜の角度をなす方向、即ち基準面１２と垂直な方向に
クラック線１３を引き、微少なクラックを発生させる。
ここで、基準面１２はＲ軸方向であることから、これと
垂直なクラック線１３の方位は、Ｒ面（１−１０２）に
沿った方向となる。なお、クラック線１３の方向とＲ面
との方位精度は±１０°以下、望ましくは±５°以内が
良い。
場合は、ダイヤモンドペンを用いて、Ｃ軸と３２．３８
３゜の角度をなす方向、即ち基準面１２と垂直な方向に
クラック線１３を引き、微少なクラックを発生させる。
ここで、基準面１２はＲ軸方向であることから、これと
垂直なクラック線１３の方位は、Ｒ面（１−１０２）に
沿った方向となる。なお、クラック線１３の方向とＲ面
との方位精度は±１０°以下、望ましくは±５°以内が
良い。
【００２３】次にクラック線１３を引いた単結晶サファ
イア基板１０に、図２（Ｂ）に示すようにクラック線１
３を広げる方向に曲げ応力を加えていくと、厚み方向に
クラック線１３が成長し、単結晶サファイア基板１０は
Ｒ面に沿って劈開して分割されることになる。このよう
にしてＲ面に沿って劈開することにより、容易に分割で
きるとともに、分割面は原子レベルで整列した状態とな
ることから、容易にサブミクロン単位の直線性・平滑性
を持った分割面を得ることができる。実際にＲ面に沿っ
て劈開した分割面の表面粗さ（Ｒａ）を測定したとこ
ろ、分割時の条件によっては１０Å以下程度の極めて滑
らかな面を得ることができた。
イア基板１０に、図２（Ｂ）に示すようにクラック線１
３を広げる方向に曲げ応力を加えていくと、厚み方向に
クラック線１３が成長し、単結晶サファイア基板１０は
Ｒ面に沿って劈開して分割されることになる。このよう
にしてＲ面に沿って劈開することにより、容易に分割で
きるとともに、分割面は原子レベルで整列した状態とな
ることから、容易にサブミクロン単位の直線性・平滑性
を持った分割面を得ることができる。実際にＲ面に沿っ
て劈開した分割面の表面粗さ（Ｒａ）を測定したとこ
ろ、分割時の条件によっては１０Å以下程度の極めて滑
らかな面を得ることができた。
【００２４】また、図３（Ａ）に示すように、ダイヤモ
ンドペンにより形成するクラック線１３は、単結晶サフ
ァイア基板１０の端部（端から５〜２０ｍｍの領域）に
のみ行うこともできる。このようにすれば、ダイヤモン
ドペンにより単結晶サファイア基板１０の損傷する部分
を少しでも小さくし、分割後のチップの歩留りを上げる
ことができる。
ンドペンにより形成するクラック線１３は、単結晶サフ
ァイア基板１０の端部（端から５〜２０ｍｍの領域）に
のみ行うこともできる。このようにすれば、ダイヤモン
ドペンにより単結晶サファイア基板１０の損傷する部分
を少しでも小さくし、分割後のチップの歩留りを上げる
ことができる。
【００２５】この場合も、図３（Ｂ）に示すようにクラ
ック線１３を形成した単結晶サファイア基板１０に、厚
み方向及び進行方向にクラック線１３が成長するように
曲げ応力を加えれば、単結晶サファイア基板１０をＲ面
に沿って劈開し、分割することができ、サブミクロン単
位の直線性・平滑性を持った分割面を得ることができ
る。
ック線１３を形成した単結晶サファイア基板１０に、厚
み方向及び進行方向にクラック線１３が成長するように
曲げ応力を加えれば、単結晶サファイア基板１０をＲ面
に沿って劈開し、分割することができ、サブミクロン単
位の直線性・平滑性を持った分割面を得ることができ
る。
【００２６】次に、図４に示す単結晶サファイア基板１
０は、角型であり、主面１１をＡ面とし、一つの基準面
１２ａはＲ面と平行に、他方の基準面１２ｂはＲ面と垂
直に形成してある。したがって、基準面１２ａと平行な
方向にクラック線を形成し、このクラック線を成長させ
るように曲げ応力を加えれば、Ｒ面に沿って劈開し、分
割することができる。このように、Ｒ面と平行又は垂直
な基準面１２ａ、１２ｂを有する角型の単結晶サファイ
ア基板１０は、その面積を効率的に利用することができ
る。
０は、角型であり、主面１１をＡ面とし、一つの基準面
１２ａはＲ面と平行に、他方の基準面１２ｂはＲ面と垂
直に形成してある。したがって、基準面１２ａと平行な
方向にクラック線を形成し、このクラック線を成長させ
るように曲げ応力を加えれば、Ｒ面に沿って劈開し、分
割することができる。このように、Ｒ面と平行又は垂直
な基準面１２ａ、１２ｂを有する角型の単結晶サファイ
ア基板１０は、その面積を効率的に利用することができ
る。
【００２７】また、図５に示す単結晶サファイア基板１
０は、角型であり、主面１１をＣ面とし、基準面１２を
Ｒ面に垂直としてある。したがって、この基準面１２と
垂直な方向にクラック線１３を形成し、応力を加えれば
Ｒ面に沿って劈開し、分割することができる。なお、こ
の場合、図に示すように劈開されるＲ面が主面１１と５
７．６１７°の角度を成すため、厚み方向には斜めに分
割されることになる。そのため、分割面にはシャープエ
ッジが形成されることとなり、刃物やテープクリーナ等
として利用することができる。
０は、角型であり、主面１１をＣ面とし、基準面１２を
Ｒ面に垂直としてある。したがって、この基準面１２と
垂直な方向にクラック線１３を形成し、応力を加えれば
Ｒ面に沿って劈開し、分割することができる。なお、こ
の場合、図に示すように劈開されるＲ面が主面１１と５
７．６１７°の角度を成すため、厚み方向には斜めに分
割されることになる。そのため、分割面にはシャープエ
ッジが形成されることとなり、刃物やテープクリーナ等
として利用することができる。
【００２８】以上のように、単結晶サファイア基板１０
に、Ｒ面と垂直又は平行な基準面１２を形成しておくこ
とによって、容易にＲ面の方向を確認することができ
る。そして、この基準面１２から垂直又は平行な方向に
クラック線１３を形成し、破断すればＲ面に沿って劈開
できることから、単結晶サファイア基板１０を複数に分
割する際に効率的な分割を行うことができる。
に、Ｒ面と垂直又は平行な基準面１２を形成しておくこ
とによって、容易にＲ面の方向を確認することができ
る。そして、この基準面１２から垂直又は平行な方向に
クラック線１３を形成し、破断すればＲ面に沿って劈開
できることから、単結晶サファイア基板１０を複数に分
割する際に効率的な分割を行うことができる。
【００２９】なお、本発明において、基準面１２をＲ面
と垂直又は平行にするとは、Ｒ面（１−１０２）に対し
て基準面１２が完全に垂直又は平行な位置から±１０°
以内、好ましくは±２°以内の範囲内にあることを言
う。
と垂直又は平行にするとは、Ｒ面（１−１０２）に対し
て基準面１２が完全に垂直又は平行な位置から±１０°
以内、好ましくは±２°以内の範囲内にあることを言
う。
【００３０】また、以上の例において、クラック線１３
を形成する主面１１は、Ａ面やＣ面とする必要はなくど
のような面方位としても良いが、表面粗さ（Ｒａ）０．
１μｍ以下の鏡面とすることが好ましい。この理由は、
主面１１が研削加工後のような粗い面であると、マイク
ロクラックが無数に存在しているため、形成したクラッ
ク線１３の成長の妨げとなるからである。
を形成する主面１１は、Ａ面やＣ面とする必要はなくど
のような面方位としても良いが、表面粗さ（Ｒａ）０．
１μｍ以下の鏡面とすることが好ましい。この理由は、
主面１１が研削加工後のような粗い面であると、マイク
ロクラックが無数に存在しているため、形成したクラッ
ク線１３の成長の妨げとなるからである。
【００３１】さらに、クラックを伝承させていく方法
は、レーザ光照射等による熱応力を誘導していくことに
よってでも良い。
は、レーザ光照射等による熱応力を誘導していくことに
よってでも良い。
【００３２】以上のように単結晶サファイア基板１０を
Ｒ面に沿って劈開し分割することによって、得られたサ
ファイア体はその一部に滑らかなＲ面を有していること
となり、これはさまざまな分野で利用することができ
る。
Ｒ面に沿って劈開し分割することによって、得られたサ
ファイア体はその一部に滑らかなＲ面を有していること
となり、これはさまざまな分野で利用することができ
る。
【００３３】例えば、単結晶サファイア基板１０上に薄
膜を形成した後、分割することによって、多数個取りの
手法により効率的に製造できる。
膜を形成した後、分割することによって、多数個取りの
手法により効率的に製造できる。
【００３４】具体的には、単結晶サファイア基板１０上
にＳｉを成膜してＳＯＳ（ＳＩＬＩＣＯＮ ＯＮ ＳＡ
ＰＰＨＩＲＥ）デバイスとしたり、ＳｉＣやＧａＮ等の
半導体薄膜を形成してＬＥＤやＬＤ等の発光デバイスと
したり、ＺｎＯやＡｌＮ等の圧電薄膜を形成してＳＡＷ
フィルターとしたり、ＴｉＳｒＯ3 等の超伝導薄膜を形
成したり、ＨｇＣｄＴｅ等の薄膜を形成することができ
る。また、ＨＩＣ（ＨＹＢＲＩＤ ＩＣ）用の基板にも
応用できる。
にＳｉを成膜してＳＯＳ（ＳＩＬＩＣＯＮ ＯＮ ＳＡ
ＰＰＨＩＲＥ）デバイスとしたり、ＳｉＣやＧａＮ等の
半導体薄膜を形成してＬＥＤやＬＤ等の発光デバイスと
したり、ＺｎＯやＡｌＮ等の圧電薄膜を形成してＳＡＷ
フィルターとしたり、ＴｉＳｒＯ3 等の超伝導薄膜を形
成したり、ＨｇＣｄＴｅ等の薄膜を形成することができ
る。また、ＨＩＣ（ＨＹＢＲＩＤ ＩＣ）用の基板にも
応用できる。
【００３５】上記のような成膜あるいは素子パターンを
形成した後、チップ状の半導体・電子部品に分割する際
に、Ｒ面の劈開を利用した本発明の分割方法を使用する
ことにより、単結晶サファイア基板１０の分割を、すば
やく、高精度に行う事ができる。また分割面は高精度で
滑らかな面となることから高性能の半導体・電子部品等
を得ることができる。さらに、予め単結晶サファイア基
板１０の基準面１２をＲ面に垂直又は平行な方向として
おくことにより、効率良い切断加工を行うことができ
る。
形成した後、チップ状の半導体・電子部品に分割する際
に、Ｒ面の劈開を利用した本発明の分割方法を使用する
ことにより、単結晶サファイア基板１０の分割を、すば
やく、高精度に行う事ができる。また分割面は高精度で
滑らかな面となることから高性能の半導体・電子部品等
を得ることができる。さらに、予め単結晶サファイア基
板１０の基準面１２をＲ面に垂直又は平行な方向として
おくことにより、効率良い切断加工を行うことができ
る。
【００３６】また、Ｒ面により劈開した分割面は滑らか
な面となることから、構造用部品等としても利用するこ
とができ、分割面のエッジを利用して、刃物やテープク
リーナ等とすることもできる。
な面となることから、構造用部品等としても利用するこ
とができ、分割面のエッジを利用して、刃物やテープク
リーナ等とすることもできる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、単結晶サ
ファイア基板にＲ面と平行または垂直な基準面を備えた
ことによって、分割するＲ面の方向を容易に識別できる
とともに、単結晶サファイア基板の面積を最大限に利用
した効率的な分割を行うことができる。
ファイア基板にＲ面と平行または垂直な基準面を備えた
ことによって、分割するＲ面の方向を容易に識別できる
とともに、単結晶サファイア基板の面積を最大限に利用
した効率的な分割を行うことができる。
【００３８】また、本発明によれば、単結晶サファイア
をＲ面に沿って劈開する工程から単結晶サファイアを分
割することによって、簡単な工程で、高精度に分割する
ことができ、しかも滑らかな分割面を得ることができ
る。
をＲ面に沿って劈開する工程から単結晶サファイアを分
割することによって、簡単な工程で、高精度に分割する
ことができ、しかも滑らかな分割面を得ることができ
る。
【００３９】さらに、本発明によれば、単結晶サファイ
ア体の少なくとも一部にＲ面に沿って劈開した滑らかな
面を備えたことによって、半導体・電子部品等、あるい
は刃物等の構造部品等として高性能の製品を提供でき
る。
ア体の少なくとも一部にＲ面に沿って劈開した滑らかな
面を備えたことによって、半導体・電子部品等、あるい
は刃物等の構造部品等として高性能の製品を提供でき
る。
【図１】単結晶サファイアの結晶方位を示す図である。
【図２】本発明の単結晶サファイア基板を示しており、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図３】本発明の単結晶サファイア基板を示しており、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図４】本発明の単結晶サファイア基板を示しており、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図５】本発明の単結晶サファイア基板を示す斜視図で
ある。
ある。
１０：単結晶サファイア基板 １１：主面 １２：基準面 １３：クラック線
Claims (4)
- 【請求項１】周囲の一部にＲ面と平行または垂直な基準
面を有する単結晶サファイア基板。 - 【請求項２】単結晶サファイアをＲ面に沿って劈開する
工程からなる単結晶サファイアの分割方法。 - 【請求項３】単結晶サファイアの表面にＲ面に沿った方
向のクラックを発生させ、このクラックを成長させるよ
うに応力を加えていくことを特徴とする請求項２記載の
単結晶サファイアの分割方法。 - 【請求項４】少なくとも一部にＲ面に沿って劈開した滑
らかな面を有する単結晶サファイア体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4386296A JP3580631B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体 |
| DE69714627T DE69714627T2 (de) | 1996-02-29 | 1997-02-28 | Saphir Einkristall, seine Anwendung als Substrat in einem Halbleiterlaserdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US08/808,315 US6809010B1 (en) | 1996-02-29 | 1997-02-28 | Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same |
| EP97301352A EP0792955B1 (en) | 1996-02-29 | 1997-02-28 | Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same |
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