KR101311749B1 - 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법 - Google Patents

사파이어 잉곳의 플랫 가공방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101311749B1
KR101311749B1 KR1020120028777A KR20120028777A KR101311749B1 KR 101311749 B1 KR101311749 B1 KR 101311749B1 KR 1020120028777 A KR1020120028777 A KR 1020120028777A KR 20120028777 A KR20120028777 A KR 20120028777A KR 101311749 B1 KR101311749 B1 KR 101311749B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
axis
sapphire ingot
plane
sapphire
ingot
Prior art date
Application number
KR1020120028777A
Other languages
English (en)
Inventor
박종인
오응세
김현수
이종찬
Original Assignee
비아이 이엠티 주식회사
비아이신소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비아이 이엠티 주식회사, 비아이신소재 주식회사 filed Critical 비아이 이엠티 주식회사
Priority to KR1020120028777A priority Critical patent/KR101311749B1/ko
Priority to CN2012102839604A priority patent/CN103317605A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101311749B1 publication Critical patent/KR101311749B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법은 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 있어서, C-축 사파이어 잉곳의 외주면에 X선을 조사하는 단계;와, 사파이어 잉곳을 C-축을 기준으로 회전시키는 단계;와, 사파이어 잉곳의 일측에서 R-축 방향과 나란하게 배치된 X선 검출기를 통해 사파이어 잉곳의 R-평면으로부터 반사되는 X선의 하이 피크(High peak) 위치를 감지하여 사파이어 잉곳의 R-축 방향을 검출하는 단계; 및, R-축과 인접하는 두 개의 A-축과 수직교차하는 각각의 A-평면 중, 선택된 일 방향의 A-평면에 플랫면을 가공하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 브레이킹 공정에서 웨이퍼의 벽개면이 일정한 방향으로 유지되도록 함으로써 제품의 수율을 증대시킬 수 있는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법이 제공된다.

Description

사파이어 잉곳의 플랫 가공방법 {Method for processing flat orientation of sapphire ingot}
본 발명은 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 사파이어 잉곳의 R-축을 일정하게 정렬한 상태에서 사파이어 잉곳에 플랫면을 가공함으로써, 다이싱 공정에서 벽개면이 일정한 방향으로 유지되도록 할 수 있는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 관한 것이다.
웨이퍼는 웨이퍼 표면 위에 반도체 소자가 형성되는 칩 영역과 아무런 유닛이나 회로가 없는 지역으로서 웨이퍼를 개개의 칩으로 나누기 위해 절단하는 영역인 스크라이브 라인(scribe line) 영역으로 크게 구분할 수 있고, 그 이외에도 웨이퍼의 결정 구조를 알려주기 위한 플랫(flat) 등으로 구분된다. 웨이퍼의 플랫은 웨이퍼 외주를 원형으로만 형성하면 육안으로 웨이퍼의 결정 구조가 식별 불가능하기 때문에 특정한 결정면을 따라 웨이퍼 외주 일부를 잘라 평평하게 표시한 부분을 가리키며, 통상 스크라이브 라인 중의 일부는 플랫 방향(플랫 면의 법선 방향을 가리킴)에 평행이 되고 나머지 일부는 플랫 방향에 수직이 되도록 형성되어야 하는 것이다.
이하에서, 종래 웨이퍼에 구성된 칩과 스크라이브 라인을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 종래 웨이퍼 상에서의 사각형 칩 레이아웃도이다.
사각형의 칩(2)이 웨이퍼(1)에 수평 및 수직 방향으로 동일한 형태로 반복적으로 배치되어 있는데, 칩(2)을 구획하는 스크라이브 라인(3) 중의 일부(3a)는 플랫(4) 방향에 평행이며 다른 일부(3b)는 플랫(4) 방향에 수직이다.
종래에는 다음과 같이 반도체 소자의 칩이 제조되어 왔다. 먼저, 웨이퍼(1) 상에 공정을 수행하여 다수의 칩(2)들을 형성한다. 그런 다음, 웨이퍼(1)를 얇게 가공하고 칩(2)으로 된 영역들 사이의 스크라이브 라인(3)을 따라 다이아몬드 팁을 구비한 다이싱 소우(dicing saw) 또는 스크라이버(scriber)로 알려진 절단기로 벽개될 가이드라인을 형성하는 스크라이빙(scribing) 공정을 실시한다. 이후 칩(2)별로 절단하는 브레이킹(breaking) 공정을 실시한다. 이것을 통틀어 다이싱 공정이라고 한다.
최근에는 반도체 소자의 칩이 현저히 소형화되었다. 칩에서의 소형화는 하나의 웨이퍼로부터 얻어지는 반도체 소자의 수를 증가시킨다. 그러나, 스크라이브 라인이 종래의 웨이퍼에서의 스크라이브 라인과 동일한 폭을 가지면 웨이퍼 상의 영역에서 스크라이브 라인의 비율이 증가된다. 따라서, 하나의 웨이퍼에서 얻어지는 칩의 수를 더 증가시키기 위해서는 스크라이브 라인의 폭이 감소되어야 한다.
그러나, 스크라이브 라인이 종래의 웨이퍼에서보다 더 좁은 폭을 가지면, 스크라이빙 중에 칩핑(chipping)이 일어나 반도체 칩에 손상을 야기시킬 수 있다. 또한 절단기에 의한 스크라이빙 방법은 기계적 힘에 의해서 원하지 않는 반도체층의 박리현상도 야기할 수 있다.
이러한 문제는, 청색 발광다이오드(LED)를 제조하기 위한 다이싱 공정에서 보다 심각하게 대두된다. 즉, 청색 발광다이오드의 반도체층은 GaN, InGaN, GaAlN 등의 GaN계 화합물 반도체 물질이 사용되며, 이러한 반도체 물질을 성장시키기 위해, 웨이퍼로서 사파이어 기판이 주로 이용된다. 사파이어 기판과 GaN계 화합물 반도체 물질은 결정 성질상 상이하여 박리현상이 발생되기 쉽다. 또한, 사파이어 및 GaN계 화합물 반도체의 모스 경도는 약 ９정도로 매우 견고하므로 다이아몬드 팁을 갖는 스크라이버를 이용하더라도 그 공정에 상당히 많은 시간이 소요되며, 통상 스크라이빙 공정에 소요되는 시간은 전체 제조 공정 시간 중 70%를 차지하게 된다.
이를 해결하기 위해서, 최근에는 기계적 가공없이 레이저 빔을 주사하여 스크라이빙하는 방법이 적용되고 있다.
레이저 빔을 이용할 경우에는 웨이퍼 상에 비교적 용이하게 스크라이브 라인을 따라 그릴 수 있으므로, 공정 시간을 효과적으로 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기계적 가공보다 반도체층의 결정에 미치는 영향을 감소시킬 수 있다.
그런데, 최근 GaN계 화합물 반도체 물질의 경우 광 추출(lighting extraction) 효율 증가를 위해 칩 두께를 120㎛ 이상으로 증가시키는 경향이 있으며, 이와 같은 두꺼운 웨이퍼의 경우에는 스크라이브 라인을 따라 스크라이빙한다고 하여도 브레이킹할 때에 스크라이브 라인과는 다른 방향으로 절단되면서 칩이 손실될 우려가 크다.
특히, 브레이킹 과정에서, 사파이어 웨이퍼는 다수의 결정면 중 특정 결정면을 따라 벽개(cleavage, 劈開)되기 쉬우므로 깨끗한 절단면을 얻기 어렵다.
이에 대하여 사파이어의 결정구조를 보다 자세하게 살펴보면, 사파이어는 육방정계(hexagonal) 구조의 대칭성을 갖는 결정체로, 사파이어 결정 유닛 셀(10)은 도 2와 같은 결정학적 구조를 갖는다. 도 2에 도시된 바와 같이 C-평면(c), R-평면(r), A-평면(a), N-평면(n)에 각각 대응하는 특정한 결정면들은 사파이어 잉곳의 내에 거의 무한히 중복되어 존재하며, 각 평면에 평행한 평면들은 각 평면과 동일한 것으로 정의한다.
또한, C-평면(c)의 법선벡터인 C-축(c'), R-평면(r)의 법선벡터인 R-축(r'), A-평면(a)의 법선벡터인 A-축(a'), N-평면(n)의 법선벡터인 N-축(n')을 가지며, C-축은 R-축(r')에 대해서 약 57.6도의 각을 이루고 N-축(n')에 대해서는 대략 61도의 각을 이룬다. R-축(r')은 벡터로 표시된 M-축(m')에 대해서 대략 32.4도의 각을 이룬다. M-축(m')은 C-축(c')과 수직이다.
즉, 종래의 사파이어 잉곳은 여섯 개의 A-평면(a) 중 어느 하나의 A-평면(a)에 결정방향을 정렬하기 위한 플랫면이 가공 형성된 상태로 웨이퍼 제작이 이루어지는데, 도 3의 (a)와 같이, 여섯 개의 A-평면(a) 중 어느 하나의 A-평면(a)에 플랫면을 가공한 상태에서는 왼쪽에 하나의 R-축(r')이 배치되고, 오른쪽에 두 개의 R-축(r')이 배치되거나, 도 3의 (b)와 같이 왼쪽에 두 개의 R-축(r')이 배치되고, 오른쪽에 한 개의 R-축(r')이 배치될 수 있다. 따라서, 브레이킹 공정 중 R-평면(r)의 방향에 따라 왼쪽 또는 오른쪽으로 서로 다른 방향의 벽개면이 발생하기 쉬우며, 이로 인해 공정 수율이 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 사파이어 잉곳에 플랫면을 가공하는 단계에서 사파이어 잉곳의 R-축의 방향이 일정하게 정렬되도록 할 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼를 브레이킹하여 칩 단위로 분리하는 과정에서 R-평면에 의한 벽개면이 일정한 방향성을 갖게 되므로, 공정관리가 유리할 뿐만 아니라, 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법을 제공함에 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 있어서, C-축 사파이어 잉곳의 외주면에 X선을 조사하는 단계;와, 사파이어 잉곳을 C-축을 기준으로 회전시키는 단계;와, 사파이어 잉곳의 일측에서 R-축 방향과 나란하게 배치된 X선 검출기를 통해 사파이어 잉곳의 R-평면으로부터 반사되는 X선의 하이 피크(High peak) 위치를 감지하여 사파이어 잉곳의 R-축 방향을 검출하는 단계; 및, R-축과 인접하는 두 개의 A-축과 수직교차하는 각각의 A-평면 중, 선택된 일 방향의 A-평면에 플랫면을 가공하는 단계;를 포함하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 의해 달성된다.
여기서, 사파이어 잉곳의 일측에서 A-축 방향과 나란하게 배치된 X선 검출기를 통해 사파이어 잉곳의 A-평면으로부터 반사되는 X선의 하이 피크 위치를 감지하여 사파이어 잉곳의 A-축 방향을 검출하는 단계;를 더 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 A-축 검출단계는, R-축과 인접하는 두 개의 A-축 중, 선택된 일 방향의 A-축만을 검출하는 것이 바람직하다.
또한, 사파이어 잉곳의 R-축 방향 검출단계 이후, 검출된 R-축의 방향을 사파이어 잉곳의 C-평면에 표시하는 것이 바람직하다.
또한, 사파이어 잉곳의 A-축 방향 검출단계 이후, 검출된 A-축의 방향을 사파이어 잉곳의 C-평면에 표시하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명은 사파이어 잉곳의 R-축 방향 검출단계 이후, C-축을 중심으로 하는 C-평면 상에서 사파이어 잉곳의 코어축을 중심으로 R-축의 일측으로 90도 또는 타측으로 30도 이격된 위치에 A-축을 표시하는 단계;를 수행하는 것도 가능하다.
또한, 사파이어 잉곳에 X선을 조사하기 전, X선 회절장치의 X선 검출기를 사파이어 잉곳의 R-축과 나란하게 위치조정하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 X선 검출기 위치조정단계는, X선 검출기를 R-축과 나란하도록 배치하되, 선단부가 사파이어 잉곳의 X선의 조사지점을 향하도록 배치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 사파이어 잉곳에 플랫면을 가공하는 단계에서 사파이어 잉곳의 R-축의 방향이 일정하게 정렬되도록 할 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼를 브레이킹하여 칩 단위로 분리하는 과정에서 R-평면에 의한 벽개면이 일정한 방향성을 갖게 되므로, 공정관리가 유리할 뿐만 아니라, 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법이 제공된다.
도 1은 종래 웨이퍼 상에서의 사각형 칩 레이아웃을 나타낸 도면,
도 2는 사파이어 결정구조를 나타내는 도면,
도 3은 종래 사파이어 잉곳의 플랫면 가공에 따른 R-축의 위치를 나타내는 도면,
도 4는 본 발명 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법의 공정순서도,
도 5는 본 발명 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 따른 R-축 측정장치의 나타내는 사시도,
도 6은 도 5의 평면도,
도 7은 사파이어 잉곳의 C-평면에 R-축과 선택된 방향의 A-축을 표시한 상태를 나타내는 도면이고,
도 8은 플랫면이 가공된 사파이어 잉곳의 C-평면을 나타내는 도면이다.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 대하여 상세하게 설명한다.
첨부도면 중 도 4는 본 발명 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법의 공정순서도이고, 도 5는 본 발명 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 따른 R-축 측정과정을 나타내는 사시도이고, 도 6은 도 5의 평면도이고, 도 7은 사파이어 잉곳의 C-평면에 R-축과 선택된 방향의 A-축을 표시한 상태를 나타내는 도면이고, 도 8은 플랫면이 가공된 사파이어 잉곳의 C-평면을 나타내는 도면이다.
상기 도면에서 도시하는 바와 같이, 본 발명은 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 관한 것으로서, X선 검출기(140) 위치조정 단계(S10), X선 조사단계(S20), 사파이어 잉곳(I) 회전단계(S30), R-축 검출단계(S40), R-축 표시단계(S50), A-축 검출단계(S60), A-축 표시단계(S70), 플랫면 가공단계(S80)를 포함하여 구성된다.
여기서, 사파이어 잉곳(I)의 결정면의 축방향을 검출하기 위한 것으로서, 베이스(110) 상에서 회전하는 지그(120)와, 베이스(110)의 일측에서 지그(120)에 안착되는 사파이어 잉곳(I)을 향해 X선을 조사하는 X선 발생부(130)와, 베이스(110)의 타측에서 사파이어 잉곳(I)의 결정면의 축방향과 나란하게 배치되어 결정면으로부터 반사되는 X선량을 검출하는 X선 검출기(140)를 포함하여 구성되는 X선 회절장치(X-Ray Diffractometer, 100)가 사용될 수 있으며, 이러한 X선 회절장치(100)는 공지의 것이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기 X선 검출기(140)는 도 5와 같이, X선 조사에 대하여 R-축(r')을 검출하기 위해 베이스(110)의 수평면상에서 X선 발생부(130)와 120도의 사이각을 이루도록 배치되고, X선 검출기의 광축을 포함하는 수직면상에서는 X선 검출기의 선단부가 사파이어 잉곳(I)의 R-축과 나란하도록 수평면으로부터 약 32.4도로 하향 경사배치된다.
한편, 본 발명에서는 사파이어 잉곳(I)은 C-축(c')을 코어축으로 하는 사파이어 잉곳(I)이 적용되는 것으로 설명한다.
이러한 사파이어 잉곳(I)의 C-평면(c)이 상, 하로 배치되도록 X선 회절장치의 지그(120)에 안착시킨 다음, X선 회절장치(100)의 전원을 온(ON)시키고, X선 발생부(130)로부터 제공되는 X선이 지그(120)에 안착된 사파이어 잉곳(I)의 외측면을 향해 조사(S10)되도록 한다.(도 6참조)
이어서, 지그(120)를 회전시켜 사파이어 잉곳(I)이 사파이어 잉곳(I)의 코어축인 C-축(c')을 중심으로 회전(S30)되도록 하면, X선 발생부(130)로부터 제공되는 X선이 회전하는 사파이어 잉곳(I)의 외주면을 향해 조사된다.
이때, X선은, X선이 조사되는 부위의 결정면의 방향에 따라 결정면의 법선벡터 방향으로 반사되므로, R-평면(r)을 제외한 나머지 결정면에서는 X선 검출부(140)로 반사되는 X선량이 없거나 미세하게 검출되고, X선이 조사되는 부위에 R-평면(r)이 위치하게 되면 X선 검출부(140)를 향해 반사되는 X선량이 증가하게 되므로, X선 검출부(140)의 게이지가 하이 피크로 표시된다. 따라서, 사파이어 잉곳(I)의 R-평면(r)의 위치를 파악하는 것이 가능하게 되며, 이러한 R-평면(r)의 법선벡터방향인 R-축(r')의 방향을 검출(S40)하는 것이 가능하게 된다.
작업자는 사파이어 잉곳(I)의 상면에 위치하는 C-평면(c)상에 사파이어 잉곳(I)의 중심으로부터 X선 발생부(130)와 X선 검출기의 연장선상의 교차하는 지점을 마킹하여 해당 사파이어 잉곳(I)의 R-축(r') 방향을 표시(S50)한다.
이어서, 또 다른 X선 회절장치 또는 사파이어 잉곳(I)의 A-축(a')과 나란하게 설치되는 제2의 X선 검출기를 통해 상기 검출된 R-축(r')의 양측에 인접 배치되는 두 개의 A-축(a') 중, 선택된 일 방향의 A-축(a')과 수직교차하는 A-평면(a)으로부터 반사되는 X선의 하이 피크 위치를 감지하여 사파이어 잉곳(I)의 A-축(a') 방향을 검출(S60)하고, 상기 R-축(r')과 마찬가지로 사파이어 잉곳(I)의 상면에 위치하는 C-평면(c)상에 사파이어 잉곳(I)의 중심으로부터 X선 발생부(130)와 X선 검출기의 연장선상의 교차하는 지점을 마킹하여 해당 사파이어 잉곳(I)의 A-축(a') 방향을 표시(S70)한다.(도 7참조)
상기와 같이 사파이어 잉곳(I)의 C-평면(c) 상에 R-축(r')과, R-축(r')의 일방향에 인접하는 A-축(a')이 표시된 상태에서는, 선택된 A-축(a')과 수직교차하는 A-평면(a)에 플랫면(4)을 가공(S80)한다.
상기와 같이 사파이어 잉곳(I)의 R-축(r')의 양측에 인접 배치되는 A-축(a') 중 선택된 어느 한 방향의 A-축(a')과 수직교차하는 A-평면(a)에 플랫면(4)을 가공하면, 도 8과 같이, 플랫면(4)을 기준으로 왼쪽에 하나의 R-축(r')이 배치되고, 오른쪽에 두 개의 R-축(r')이 배치되도록 하는 것이 가능하며, 이로 인해 스크라이빙 공정 후 브레이킹 공정에서 R-평면(r)에 의한 벽개면이 일정한 방향성을 갖도록 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 X선 회절장치(100)를 이용해 R-축(r')의 측정 후에 A-축(a')을 측정하는 것으로 설명하였으나, 작업자가 사파이어 잉곳(I)의 코어축을 중심을 기준으로 C-평면(c)에 표시된 R-축(r')으로부터 왼쪽으로 90도 210도 330도 중 어느 하나의 이격된 위치에 A-축(a')을 표시하거나, 오른쪽으로 30도 150도 270도 중 어느 하나의 이격된 위치에 A-축(a')을 표시하고, 선택된 A-축(a')의 A-평면(a)에 플랫면(4)을 가공함으로써 사파이어 잉곳(I)의 R-축(r')을 정렬하는 것도 가능하며, 이 경우에는 X선을 이용하여 A-축(a')을 측정하는 과정을 생략할 수 있을 것이다.
본 실시예에서는 사파이어 잉곳(I)의 코어축을 중심으로 R-축(r')의 왼쪽에 위치하는 A-축(a')을 선택하여 플랫면(4)을 가공하는 것으로 예를 들어 설명하였으나 이에 한정하는 것은 아니며, R-축(r')의 오른쪽이나 왼쪽 중 선택된 어느 한 방향의 A-축(a')에만 플랫면(4)을 가공하면, 해당 공정에서 플랫면(4)이 가공된 사파이어 잉곳(I)은 R-축(r')이 일정하게 정렬되는 것이므로, 필요에 따라 오른쪽이나 왼쪽의 한 방향에 위치하는 A-축(a')을 선택하는 것이 가능하다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
10:사파이어 결정 유닛 셀, c:C-평면, c':C-축, r:R-평면, r':R-축,
a:A-평면, a':A-축, 100:X선 회절장치, 110:베이스, 120:지그,
130:X선 발생부, 140:X선 검출부, I:사파이어 잉곳, 4:플랫면

Claims (8)

  1. 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법에 있어서,
    C-축 사파이어 잉곳의 외주면에 X선을 조사하는 단계;
    사파이어 잉곳을 C-축을 기준으로 회전시키는 단계;
    사파이어 잉곳의 일측에서 R-축 방향과 나란하게 배치된 X선 검출기를 통해 사파이어 잉곳의 R-평면으로부터 반사되는 X선의 하이 피크(High peak) 위치를 감지하여 사파이어 잉곳의 R-축 방향을 검출하는 단계;및,
    R-축과 인접하는 두 개의 A-축과 수직교차하는 각각의 A-평면 중, 선택된 일 방향의 A-평면에 플랫면을 가공하는 단계;를 포함하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    사파이어 잉곳의 일측에서 A-축 방향과 나란하게 배치된 X선 검출기를 통해 사파이어 잉곳의 A-평면으로부터 반사되는 X선의 하이 피크 위치를 감지하여 사파이어 잉곳의 A-축 방향을 검출하는 단계;를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 A-축 검출단계는, R-축과 인접하는 두 개의 A-축 중, 선택된 일 방향의 A-축만을 검출하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    사파이어 잉곳의 R-축 방향 검출단계 이후, 검출된 R-축의 방향을 사파이어 잉곳의 C-평면에 표시하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    사파이어 잉곳의 A-축 방향 검출단계 이후, 검출된 A-축의 방향을 사파이어 잉곳의 C-평면에 표시하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    사파이어 잉곳의 R-축 방향 검출단계 이후, C-축을 중심으로 하는 C-평면 상에서 사파이어 잉곳의 코어축을 중심으로 R-축의 일측으로 90도 또는 타측으로 30도 이격된 위치에 A-축을 표시하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  7. 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
    사파이어 잉곳에 X선을 조사하기 전, X선 회절장치의 X선 검출기를 사파이어 잉곳의 R-축과 나란하게 위치조정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 X선 검출기 위치조정단계는, X선 검출기를 R-축과 나란하도록 배치하되, 선단부가 사파 이어 잉곳의 X선의 조사지점을 향하도록 배치하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법.
KR1020120028777A 2012-03-21 2012-03-21 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법 KR101311749B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120028777A KR101311749B1 (ko) 2012-03-21 2012-03-21 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법
CN2012102839604A CN103317605A (zh) 2012-03-21 2012-08-10 蓝宝石晶锭平边加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120028777A KR101311749B1 (ko) 2012-03-21 2012-03-21 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101311749B1 true KR101311749B1 (ko) 2013-09-26

Family

ID=49186798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120028777A KR101311749B1 (ko) 2012-03-21 2012-03-21 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101311749B1 (ko)
CN (1) CN103317605A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108381796A (zh) * 2018-02-24 2018-08-10 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 c向蓝宝石晶棒r向的确定及导向边的加工方法
CN108417479A (zh) * 2018-03-16 2018-08-17 邢台晶龙电子材料有限公司 一种激光打码判别硅片分类的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3580631B2 (ja) 1996-02-29 2004-10-27 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体
JP2004315314A (ja) 2003-04-17 2004-11-11 Namiki Precision Jewel Co Ltd サファイヤ基板及びその製造方法
JP2006086371A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Kyocera Corp 半導体成長用基板および半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3580631B2 (ja) 1996-02-29 2004-10-27 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体
JP2004315314A (ja) 2003-04-17 2004-11-11 Namiki Precision Jewel Co Ltd サファイヤ基板及びその製造方法
JP2006086371A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Kyocera Corp 半導体成長用基板および半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
강진기 외 2인, 비극성 a-GaN용 R면 사파이어 기판의 제조, 마이크로 전자 및 패키징학회, 제18권제3호, 2011, pp. 25-32 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108381796A (zh) * 2018-02-24 2018-08-10 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 c向蓝宝石晶棒r向的确定及导向边的加工方法
CN108417479A (zh) * 2018-03-16 2018-08-17 邢台晶龙电子材料有限公司 一种激光打码判别硅片分类的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103317605A (zh) 2013-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101509834B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN102714152B (zh) 功能元件及其制造方法
US20110312115A1 (en) Laser machining method and method for manufacturing compound semiconductor light-emitting element
KR101916518B1 (ko) 기판 처리 방법
WO2013176089A1 (ja) 加工対象物切断方法、加工対象物、及び、半導体素子
US20140014976A1 (en) Optical device and processing method of the same
KR20150045945A (ko) 가공 대상물 절단 방법
US8802463B2 (en) Optical device processing method
US20150217399A1 (en) Workpiece cutting method
TW202117105A (zh) SiC晶棒之加工方法以及雷射加工裝置
US8802470B2 (en) Optical device processing method
KR100789200B1 (ko) 반도체 칩 제조 방법 및 반도체 칩
TW201605749A (zh) 脆性材料基板之分斷方法及分斷裝置
TW202109651A (zh) 加工裝置及被加工物的加工方法
KR101311749B1 (ko) 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법
JP2005217334A (ja) 切削方法
KR20160067779A (ko) 광디바이스의 가공 방법
US11189530B2 (en) Manufacturing method of chips
JP2015029066A (ja) 半導体片の製造方法
JP2015092525A (ja) ウエーハの加工方法
JP6708159B2 (ja) ダイシング装置
KR101016317B1 (ko) 반도체 소자의 칩 제조 방법 및 그 방법에 사용하는 웨이퍼
JP5511505B2 (ja) サファイアウエーハの加工方法
JP5989422B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230330781A1 (en) Wafer manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee