JP6708159B2 - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6708159B2 JP6708159B2 JP2017081416A JP2017081416A JP6708159B2 JP 6708159 B2 JP6708159 B2 JP 6708159B2 JP 2017081416 A JP2017081416 A JP 2017081416A JP 2017081416 A JP2017081416 A JP 2017081416A JP 6708159 B2 JP6708159 B2 JP 6708159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing stage
- displacement meter
- laser displacement
- wafer
- dicing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 24
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、半導体製造装置に関し、特にウエハを切断するダイシング装置に関する。
ダイシング装置は、テープ等の固定材に固定されたウエハを、処理ステージ表面にあるポーラス領域で真空吸着して固定する。そして、ブレードと呼ばれる砥石を高速回転させてウエハを切削する（例えば、特許文献１参照）。
切削による切り込みの深さに関しては、ウエハを浅く切り過ぎるとウエハの切断不良が発生し、固定材を深く切り過ぎると固定材が裂けてしまう場合がある。しかし、従来のダイシング装置は、処理中に切り込み深さが変動しても、処理中に検出することはできなかった。従って、異常が発生した場合の発見が遅れてしまい、異常による損害を効果的に抑えることができなかった。また、切り込み深さの検査を抜き取りで行う場合、一旦処理を中断し、ウエハを装置外に出してから測定を行う必要がある。従って、検査を含めたトータルの処理時間が増加してしまうという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は処理時間を増加することなく、処理中に切り込み深さを測定することができるダイシング装置を得るものである。
本発明に係るダイシング装置は、固定材の上に固定されたウエハを吸着して固定する処理ステージと、前記処理ステージの上方に配置され、前記ウエハを切断する回転ブレードと、前記処理ステージの下方に配置され、前記回転ブレードの水平方向の動きに合わせて前記回転ブレードとの位置関係を維持した状態で移動し、前記固定材の切り込み深さを測定するレーザー変位計とを備え、前記処理ステージは、前記レーザー変位計から出射されるレーザー光に対して透明な素材で形成されていることを特徴とする。
本発明では、固定材の切り込み深さを測定するレーザー変位計が処理ステージの下方に配置され、処理ステージはレーザー変位計から出射されるレーザー光に対して透明な素材で形成されている。これにより、処理時間を増加することなく、処理中に切り込み深さを測定することができる。
本発明の実施の形態に係るダイシング装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
図１は、本発明の実施の形態に係るダイシング装置を示す上面図である。図２は、図１のＩ−ＩＩに沿った一部分における断面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＶに沿った断面図である。シリコン等でできたウエハＷＦがテープ等の固定材ＴＰの上に固定されている。ポーラス素材でできた吸着部ＰＲが、処理ステージＳＳの表面に一定間隔に埋め込まれた状態で配置され、その底部は吸着穴ＶＣに繋がっている。吸着部ＰＲ及び吸着穴ＶＣが固定材ＴＰ及びウエハＷＦを真空吸着して処理ステージＳＳに固定する。
高速回転してウエハＷＦを切削する砥石である回転ブレードＢＤが処理ステージＳＳの上方で、かつウエハＷＦのダイシングライン上に配置されている。処理ステージＳＳをＸ軸のマイナス方向に動かしながら、回転ブレードＢＤがウエハＷＦと固定材ＴＰを切削し、ウエハＷＦを切断する。この際に固定材ＴＰに切り溝ＫＭが形成される。１ライン切削すると、回転ブレードＢＤはウエハＷＦを切断しないようＺ軸方向に退避（上昇）し、Ｙ軸方向に１チップ分の距離だけ移動する。さらに、処理ステージＳＳはＸ軸のプラス方向に戻る。回転ブレードＢＤのＺ軸方向の高さを下げて、処理ステージＳＳをＸ軸のマイナス方向に動かすことで、次のダイシングラインを切削する。一方向のダイシングラインを全て切り終えると、ステージが９０°回転して、上記の切削動作を繰り返すことで、ウエハをチップに切り分ける。
レーザー変位計ＬＳは、赤色レーザー又は赤外レーザーを有し、処理ステージＳＳの下方であって、回転ブレードＢＤの中心直下からＸ軸のマイナス方向に回転ブレードの半径以上の一定距離だけ離れた位置にあってレーザー光が上向きになるように配置されている。処理ステージＳＳは、石英ガラス又は透明セラミックスなど、レーザー変位計ＬＳから出射されるレーザー光に対して透明な素材で形成されている。
レーザー変位計ＬＳは、処理ステージＳＳの吸着部ＰＲ及び吸着穴ＶＣ以外の箇所で、固定材ＴＰの下面と切り溝ＫＭの底面との距離を測定することで切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰの厚みを求める。この厚みと元々の固定材ＴＰの厚みとの差をとることで、切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄを求めることができる。
レーザー変位計ＬＳは、駆動ユニットＫＵにより駆動されて、回転ブレードＢＤの水平方向の動きに合わせて回転ブレードＢＤとの位置関係を維持した状態で移動する。このため、回転ブレードＢＤが水平方向のどの位置に動いても、レーザー変位計ＬＳが追従することが可能となり、全ラインで処理中又は一時停止中に切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄの測定が可能となる。
図４は、本発明の実施の形態に係る処理ステージを示す上面図である。透明な処理ステージＳＳ上に、四角形状の吸着部ＰＲが行列状に等間隔に配列されている。そして、上述の図２及び図３における処理ステージＳＳはこの構成を採用している。図５は、本発明の実施の形態に係る処理ステージの他の例を示す上面図である。同心円状に複数の吸着部ＰＲが配置されている。このように吸着部ＰＲは処理ステージＳＳの表面に一定間隔で配置されている。従って、固定材ＴＰを吸着固定する吸着部ＰＲとレーザー変位計ＬＳのレーザー光が透過する透明部が交互に配置されている。なお、吸着穴ＶＣは吸着部ＰＲの直下を横切り、例えば回転ブレードＢＤが切削するＸ軸方向に対して、特定の角度をもって交差する方向に設けられている。これによって、レーザー変位計ＬＳによる距離の測定が困難な領域が少なくなるようにしている。
続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図６は、比較例に係るダイシング装置を示す断面図である。比較例にはレーザー変位計ＬＳが設けられていないため、処理中に切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄを測定することはできない。
これに対して、本実施の形態では、切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄを測定するレーザー変位計ＬＳが処理ステージＳＳの下方に配置され、処理ステージＳＳはレーザー変位計ＬＳから出射されるレーザー光に対して透明な素材で形成されている。これにより、処理時間を増加することなく、処理中に切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄを測定することができる。
また、ダイシング処理時には、通常、切削箇所に純水をかけながら回転ブレードＢＤで切削加工しているため、切り溝ＫＭには水が残っている。このため、レーザー変位計ＬＳが処理ステージＳＳの上方から切り溝ＫＭの深さを測定しようとすると、切り溝ＫＭ内の水のゆらぎ又は切削時の水しぶきでレーザー光が乱反射して測定が妨げられる。従って、レーザー変位計ＬＳは処理ステージＳＳの下方から測定を行うことが好ましい。
また、吸着部ＰＲ及び吸着穴ＶＣにより固定材ＴＰを処理ステージＳＳにしっかりと吸着固定することで、ダイシング時の衝撃に耐え、安定したダイシングと切り込み深さ測定の両立が可能となる。ただし、ダイシングするウエハＷＦの厚さ、大きさ又は材料などによっては、ポーラス素材でできた吸着部ＰＲを設けずに吸着穴ＶＣを直接に処理ステージＳＳの表面に設けてもよい。また、レーザー変位計ＬＳは、隣接する吸着部ＰＲの間において吸着部ＰＲ及び吸着穴ＶＣが配置されていない箇所でレーザー光を透過させて切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄを測定する。
また、レーザー変位計ＬＳのレーザー射出口は上向きに設定されている。従って、レーザー変位計ＬＳの他にミラーなどの光学機器を用意する必要がなく、簡単な構成で距離の計測ができる。
駆動ユニットＫＵは、レーザー変位計ＬＳを、処理ステージＳＳに対してＸＹ軸方向、即ち水平方向に駆動する。これにより、吸着部ＰＲ部及び吸着穴ＶＣを遮らない範囲で、切り溝ＫＭに対するレーザー変位計ＬＳの位置合わせが容易となる。また、切り溝ＫＭが無い箇所も測定可能となる。切り溝ＫＭが無い箇所を測定することで、固定材ＴＰの厚みを測ることができる。従って、切り溝ＫＭがある箇所と無い箇所の測定結果を比較することで、より正確に切り溝ＫＭにおける固定材ＴＰ部の切り込み深さｄを測定することができる。
ＢＤ 回転ブレード、ＫＭ 切り溝、ＫＵ 駆動ユニット、ＬＳ レーザー変位計、ＰＲ 吸着部、ＳＳ 処理ステージ、ＴＰ 固定材、ＶＣ 吸着穴、ＷＦ ウエハ
Claims (5)
- 固定材の上に固定されたウエハを吸着して固定する処理ステージと、
前記処理ステージの上方に配置され、前記ウエハを切断する回転ブレードと、
前記処理ステージの下方に配置され、前記回転ブレードの水平方向の動きに合わせて前記回転ブレードとの位置関係を維持した状態で移動し、前記固定材の切り込み深さを測定するレーザー変位計とを備え、
前記処理ステージは、前記レーザー変位計から出射されるレーザー光に対して透明な素材で形成されていることを特徴とするダイシング装置。 - 前記処理ステージの表面に一定間隔で配置され、吸着穴に繋がるポーラス素材でできた吸着部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のダイシング装置。
- 前記レーザー変位計は、前記吸着部が配置されていない箇所で前記切り込み深さを測定することを特徴とする請求項２に記載のダイシング装置。
- 前記レーザー変位計のレーザー射出口は上向きに設定されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシング装置。
- 前記レーザー変位計を前記処理ステージに対して水平方向に駆動する駆動ユニットを更に備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017081416A JP6708159B2 (ja) | 2017-04-17 | 2017-04-17 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017081416A JP6708159B2 (ja) | 2017-04-17 | 2017-04-17 | ダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018182127A JP2018182127A (ja) | 2018-11-15 |
| JP6708159B2 true JP6708159B2 (ja) | 2020-06-10 |
Family
ID=64275985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017081416A Active JP6708159B2 (ja) | 2017-04-17 | 2017-04-17 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6708159B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102273359B1 (ko) * | 2020-12-04 | 2021-07-06 | (주)네온테크 | 다이싱 장치, 그 제조방법 및 스텝컷된 전자 부품칩의 검사방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60120018A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | 関西日本電気株式会社 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
| JP2865336B2 (ja) * | 1989-12-05 | 1999-03-08 | 富士通株式会社 | 半導体ウエハのスクライブ方法およびスクライブ装置 |
| JPH06232258A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-19 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
| JP2003168655A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
| JP4599075B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-12-15 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012256749A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
-
2017
- 2017-04-17 JP JP2017081416A patent/JP6708159B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018182127A (ja) | 2018-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9293372B2 (en) | Wafer processing method | |
| US9536787B2 (en) | Wafer processing method | |
| TWI566291B (zh) | A cutting device, an adsorption mechanism and a device having an adsorption mechanism | |
| KR20170119297A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP4481667B2 (ja) | 切削方法 | |
| JP6491044B2 (ja) | 製造装置及び製造方法 | |
| JP6521687B2 (ja) | 切削ブレードの検査方法 | |
| JP2016181540A (ja) | 被加工物の切削方法 | |
| JP5068705B2 (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
| JP2013027949A (ja) | 切削ブレードの外径サイズ検出方法 | |
| JP6708159B2 (ja) | ダイシング装置 | |
| JP2014060224A (ja) | 加工装置 | |
| KR20150048025A (ko) | 브레이크 장치 | |
| JP5490498B2 (ja) | 切削装置及び切削方法 | |
| US10217653B2 (en) | Apparatus for treating substrate | |
| JP2012151225A (ja) | 切削溝の計測方法 | |
| JP6267505B2 (ja) | レーザダイシング方法 | |
| JP2014056889A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP5389604B2 (ja) | 切削装置における切削ブレードの消耗量管理方法 | |
| JP6120644B2 (ja) | 切削溝の検出方法 | |
| JP2009269158A (ja) | 切削ブレード | |
| JP2017226108A (ja) | スクライブ装置およびホルダユニット | |
| JP2005191232A (ja) | ダイシング装置及びダイシング方法 | |
| KR101311749B1 (ko) | 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법 | |
| JP2012080029A (ja) | 切削装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190522 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200421 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200504 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6708159 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |