JPS60120018A - 半導体ウエ−ハダイシング方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハダイシング方法Info
- Publication number
- JPS60120018A JPS60120018A JP58227307A JP22730783A JPS60120018A JP S60120018 A JPS60120018 A JP S60120018A JP 58227307 A JP58227307 A JP 58227307A JP 22730783 A JP22730783 A JP 22730783A JP S60120018 A JPS60120018 A JP S60120018A
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- JP
- Japan
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- wafer
- line
- semiconductor wafer
- dicing
- stage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明は多数の半導体素子を形成した半導体ウェーハ
を半導体素子毎に細分割する半導体製造のグイシング工
程に利用される。
を半導体素子毎に細分割する半導体製造のグイシング工
程に利用される。
口、従来技術
格子状に多数の半導体素子（以下素子と称す）を形成し
た半導体ウェーハ（以下ウェーハと称す）のダイシング
方法には、ウェーハの各素子間にある分離予定ラインを
ウェーハ表面からウェーハ厚の１７３〜１／２の深さま
で切削して溝を形成し、その後分離予定ラインの溝に外
力を加えて溝を分断し、ウェーハを各素子毎に細分割す
る方法が一般的である。しかし、このダイシング方゛法
はウェーハに溝を形成するスクライビング工程と溝から
分割するブレーキング工程の′２工程を必要として作業
性が悪く、またウェーハに厚さの１７２〜２／３程度の
残り代を設けて溝を切削形成してこの溝の残り代を分断
するようにしているが、細分割された素子に前記残り代
が突起として残り、これが素子を使って半導体装置を製
造する際に外的ショックで欠けて異物として半導体装置
内に残ったり、素子にクランクが入る要因となったりし
て半導体装置製造の歩留りを悪くしていた。
た半導体ウェーハ（以下ウェーハと称す）のダイシング
方法には、ウェーハの各素子間にある分離予定ラインを
ウェーハ表面からウェーハ厚の１７３〜１／２の深さま
で切削して溝を形成し、その後分離予定ラインの溝に外
力を加えて溝を分断し、ウェーハを各素子毎に細分割す
る方法が一般的である。しかし、このダイシング方゛法
はウェーハに溝を形成するスクライビング工程と溝から
分割するブレーキング工程の′２工程を必要として作業
性が悪く、またウェーハに厚さの１７２〜２／３程度の
残り代を設けて溝を切削形成してこの溝の残り代を分断
するようにしているが、細分割された素子に前記残り代
が突起として残り、これが素子を使って半導体装置を製
造する際に外的ショックで欠けて異物として半導体装置
内に残ったり、素子にクランクが入る要因となったりし
て半導体装置製造の歩留りを悪くしていた。
そこで最近はウェーハの各素子間の分離予定ラインを表
面から裏面にかけて完全に切断する完全カット方式のダ
イシング方法が賞用される傾向にある。この完全カット
方式のダイシング方法を第１図乃至第４図を参照して説
明すると、（１）はウェーハ、（２）はウェーハ（１）
に格子状配列で形成された多数の素子、（３）は上面フ
ラットなダイシング用ステージで、この上に上面にウェ
ーハ（１）を例えばワックス（４）で接着固定したガラ
ス板（５）が真空吸着される。（６）はステージ（３）
に対する高さＨが所定値に規制されて高速回転するダイ
シングブレードで、高さＨはガラス板（５）の板厚ｈ１
より大きく、このｈｌにワックス（４）の厚さｈ２を加
えた（ｈｌ＋ｈ２）より小さい範囲内に規制される。ス
テージ（３）はウェーハ（１）を固定した状態で高速回
転するダイシングブレード（６）に向は往復移動し、こ
の１回の往動でウェーハ（１）は各素子間の分離予定ラ
インＬ、Ｌ、−−−−−の１ラインＬｘが完全カットさ
れる。この１ラインＬｘのカット後ステージ（３）は復
動して次の往動時に次のラインＬｘ＋１が完全カントさ
れる。また１ラインＬχのカット後の復動時に次ライン
Ｌｘ＋１を完全カットする場合もある。
面から裏面にかけて完全に切断する完全カット方式のダ
イシング方法が賞用される傾向にある。この完全カット
方式のダイシング方法を第１図乃至第４図を参照して説
明すると、（１）はウェーハ、（２）はウェーハ（１）
に格子状配列で形成された多数の素子、（３）は上面フ
ラットなダイシング用ステージで、この上に上面にウェ
ーハ（１）を例えばワックス（４）で接着固定したガラ
ス板（５）が真空吸着される。（６）はステージ（３）
に対する高さＨが所定値に規制されて高速回転するダイ
シングブレードで、高さＨはガラス板（５）の板厚ｈ１
より大きく、このｈｌにワックス（４）の厚さｈ２を加
えた（ｈｌ＋ｈ２）より小さい範囲内に規制される。ス
テージ（３）はウェーハ（１）を固定した状態で高速回
転するダイシングブレード（６）に向は往復移動し、こ
の１回の往動でウェーハ（１）は各素子間の分離予定ラ
インＬ、Ｌ、−−−−−の１ラインＬｘが完全カットさ
れる。この１ラインＬｘのカット後ステージ（３）は復
動して次の往動時に次のラインＬｘ＋１が完全カントさ
れる。また１ラインＬχのカット後の復動時に次ライン
Ｌｘ＋１を完全カットする場合もある。
ハ０発明が解決しようとする問題点
ところで上記完全カット方式のダイシング方法において
、ダイシングブレード（６）の高さＨはダイシングブレ
ード（６）がウェーハ（１）を深切すせず、且つ浅切り
せず完全カットする用ミクロンオーダで調整されてから
、決定された一定の高さＩ（を保ってウェーハ（１）の
全分離予定ラインＬ１、Ｌ、−を完全カットするようし
ている。尚、上記深切りはダイシングブレード（６）が
ワックス（４）内に深く入り込むことで、深切りが過ぎ
るとダイシングブレード（６）のワックス（４）による
目詰まりが早くなって寿命が短かくなる。また浅切りは
ダイシングブレード（６）がワックス（４）に少し届く
程度の場合で、この時は第４図の（イ）に示すように完
全カット後のウェーハ（１）の分離ラインＬ’ｍのウェ
ーハ裏面におけるライン幅Ｄｘがダイシングブレード（
６）の幅Ｄｏより小さく不安定になり、悪くすると完全
カットができずに第４図の（ロ）の分離ラインＬ’ｎに
示すように隣接する素子（２）（２）が分離されること
無（残っていわゆるペレットアベック不良が生じる。
、ダイシングブレード（６）の高さＨはダイシングブレ
ード（６）がウェーハ（１）を深切すせず、且つ浅切り
せず完全カットする用ミクロンオーダで調整されてから
、決定された一定の高さＩ（を保ってウェーハ（１）の
全分離予定ラインＬ１、Ｌ、−を完全カットするようし
ている。尚、上記深切りはダイシングブレード（６）が
ワックス（４）内に深く入り込むことで、深切りが過ぎ
るとダイシングブレード（６）のワックス（４）による
目詰まりが早くなって寿命が短かくなる。また浅切りは
ダイシングブレード（６）がワックス（４）に少し届く
程度の場合で、この時は第４図の（イ）に示すように完
全カット後のウェーハ（１）の分離ラインＬ’ｍのウェ
ーハ裏面におけるライン幅Ｄｘがダイシングブレード（
６）の幅Ｄｏより小さく不安定になり、悪くすると完全
カットができずに第４図の（ロ）の分離ラインＬ’ｎに
示すように隣接する素子（２）（２）が分離されること
無（残っていわゆるペレットアベック不良が生じる。
従ってダイシングブレード（６）の高さＨはガラス板（
５）の板厚ｈｉとワックス（４）の厚さｈ２から正確に
算出して設定しなければならない。しかしｈｌ 、ｈ２
、特にｈ２は場所によって若干のバラツキがあり、而も
ステージ（３）の上面も完全な平坦面では無いので、ス
テージ（３）上ではウェーハ（１）の高さに５部分的な
バラツキがあり、そのため始めに設定された一定のＨで
ウェーハ（１）の各分離予定ラインＬ、Ｌ ％−・を完
全カットしていくとｈｌとｈ２の小さくなったところで
浅切り、ｈｌとｈ２の大き（なったところで深切すする
ことがあった。
５）の板厚ｈｉとワックス（４）の厚さｈ２から正確に
算出して設定しなければならない。しかしｈｌ 、ｈ２
、特にｈ２は場所によって若干のバラツキがあり、而も
ステージ（３）の上面も完全な平坦面では無いので、ス
テージ（３）上ではウェーハ（１）の高さに５部分的な
バラツキがあり、そのため始めに設定された一定のＨで
ウェーハ（１）の各分離予定ラインＬ、Ｌ ％−・を完
全カットしていくとｈｌとｈ２の小さくなったところで
浅切り、ｈｌとｈ２の大き（なったところで深切すする
ことがあった。
二１問題を解決するための手段
本発明は上記完全カット方式のダイシング方法の問題点
に鑑みてなされたもので、この問題点の解決手段として
、ウェーハダイシング用ステージ側に光学センサを配備
してこの光学センサを介してウェーハの分離予定ライン
の１ライン切断直後の分離ライン幅をウェーハ裏面から
検出する手段と、検出されたライン幅検出信号に基づい
て次のライン切断時のステージに対するダイシングブレ
ード高さを自動制御する手段とを提供する。このように
するとウェーハの分離予定ラインの完全カットを全体に
平均的に行い、且つ、良好に行うことが可能となり、完
全カット方式のダイシング方法の信頼性が増大する。
に鑑みてなされたもので、この問題点の解決手段として
、ウェーハダイシング用ステージ側に光学センサを配備
してこの光学センサを介してウェーハの分離予定ライン
の１ライン切断直後の分離ライン幅をウェーハ裏面から
検出する手段と、検出されたライン幅検出信号に基づい
て次のライン切断時のステージに対するダイシングブレ
ード高さを自動制御する手段とを提供する。このように
するとウェーハの分離予定ラインの完全カットを全体に
平均的に行い、且つ、良好に行うことが可能となり、完
全カット方式のダイシング方法の信頼性が増大する。
ホ、実施例
本発明の方法は具体的実施装置例を第５図乃至第７図に
示しこれを説明すると、従来装置との相違点はダイシン
グ用ステージ（７）に中心を通る溝（８）で２分割され
たものを用い、この溝（８）内にイメージセンサ等の光
学センサ（９）を溝（８）に沿って移動可能に配置する
こと、及びステージ（７）上にウェーハ（１）を固定す
る手段に用いられるワックス（１０）とガラス板（１１
）に透光性のものを使用することである。光学センサ（
９）は溝（８）からガラス板（１１）とワックス（９）
を介してウェーハ（１）の裏面を照明した時の反射光か
らウェーハ（１）の裏面状態をセンシングするためのも
ので、具体的にはウェーハ（１）のダイシングブレード
（６）で９Ｊ断された分離ラインＬ１の幅を次の要領で
検出する。
示しこれを説明すると、従来装置との相違点はダイシン
グ用ステージ（７）に中心を通る溝（８）で２分割され
たものを用い、この溝（８）内にイメージセンサ等の光
学センサ（９）を溝（８）に沿って移動可能に配置する
こと、及びステージ（７）上にウェーハ（１）を固定す
る手段に用いられるワックス（１０）とガラス板（１１
）に透光性のものを使用することである。光学センサ（
９）は溝（８）からガラス板（１１）とワックス（９）
を介してウェーハ（１）の裏面を照明した時の反射光か
らウェーハ（１）の裏面状態をセンシングするためのも
ので、具体的にはウェーハ（１）のダイシングブレード
（６）で９Ｊ断された分離ラインＬ１の幅を次の要領で
検出する。
いまステージ（７）の１回の移動でウェーハ（１）の１
つの分離予定ラインＬχがダイシングブレードく６）で
完全カットされると、ダイシングブレード（６）がウェ
ーハ（１）から離れたタイミングでもって光学センサ（
９）がウェーハ（１）の分離予定ラインＬｘにおける切
断直後の分離ラインＬ’ｘの中央部下方へ移動する。こ
の移動はステージ（７）の溝（８）をウェーハ（１）の
分離予定ラインＬ、Ｌ、・−を直交させることにより容
易に達成される。光学センサ（９）が切断直後の分離ラ
インＬ’ｘ下にくるとウェーハ（１）の裏面を照明する
。すると第７図に示すように分離ラインＬ’ｘのところ
は光が上方に透過し、分離ラインＬ’ｘの近辺はウェー
ハ（１）裏面で光が反射して光学センサ（９）に入射す
る。従って光学セン号（９）を介し分離ラインＬ’ｘの
ウェーハ裏面から見た画像を得て画像処理等すれば分離
ラインＬ’ｘの中心部での幅Ｄ゛にが検出される。この
ライン幅Ｂｘはウェーハ裏面における値でありで、１つ
の分離予定ラインＬｘが適正な範囲で完全カフ）された
場合の適正値に対して、ダイシングブレード（６）が浅
切りした場合の値は小さく、深切すした場合の値は大き
くなる。
つの分離予定ラインＬχがダイシングブレードく６）で
完全カットされると、ダイシングブレード（６）がウェ
ーハ（１）から離れたタイミングでもって光学センサ（
９）がウェーハ（１）の分離予定ラインＬｘにおける切
断直後の分離ラインＬ’ｘの中央部下方へ移動する。こ
の移動はステージ（７）の溝（８）をウェーハ（１）の
分離予定ラインＬ、Ｌ、・−を直交させることにより容
易に達成される。光学センサ（９）が切断直後の分離ラ
インＬ’ｘ下にくるとウェーハ（１）の裏面を照明する
。すると第７図に示すように分離ラインＬ’ｘのところ
は光が上方に透過し、分離ラインＬ’ｘの近辺はウェー
ハ（１）裏面で光が反射して光学センサ（９）に入射す
る。従って光学セン号（９）を介し分離ラインＬ’ｘの
ウェーハ裏面から見た画像を得て画像処理等すれば分離
ラインＬ’ｘの中心部での幅Ｄ゛にが検出される。この
ライン幅Ｂｘはウェーハ裏面における値でありで、１つ
の分離予定ラインＬｘが適正な範囲で完全カフ）された
場合の適正値に対して、ダイシングブレード（６）が浅
切りした場合の値は小さく、深切すした場合の値は大き
くなる。
従って１つの分離予定ラインＬｘの切断後、次の分離予
定ラインＬχ千１に移行する間に分離ラインＬ’ｘの幅
Ｄ’ｘをライン中央で代表させて検出し、この検出信号
に基づいて次の分離予定ラインＬｘ＋１の切断に入るダ
イシングブレード（６）のステージ（７）に対する高さ
Ｈを自動制御する。つまりライン幅Ｄ’ｘが適正値の範
囲内であれば高さＨはそのままにして次ラインＬｘ＋１
の切断に移行させ、ライン幅Ｄ’ｘが適正値より小（浅
切り）又は大（深切り）の場合は高さＨを小又は大、に
調整して、調整された値でもって次ラインＬｘ＋１の切
断を行う。
定ラインＬχ千１に移行する間に分離ラインＬ’ｘの幅
Ｄ’ｘをライン中央で代表させて検出し、この検出信号
に基づいて次の分離予定ラインＬｘ＋１の切断に入るダ
イシングブレード（６）のステージ（７）に対する高さ
Ｈを自動制御する。つまりライン幅Ｄ’ｘが適正値の範
囲内であれば高さＨはそのままにして次ラインＬｘ＋１
の切断に移行させ、ライン幅Ｄ’ｘが適正値より小（浅
切り）又は大（深切り）の場合は高さＨを小又は大、に
調整して、調整された値でもって次ラインＬｘ＋１の切
断を行う。
このようにすれば前ラインＬｘが浅切りや深切りの不良
であった場合はこれの検知で次ラインＬｘ＋１の切断が
修正され、切断不良箇所が最小限に抑えられる。
であった場合はこれの検知で次ラインＬｘ＋１の切断が
修正され、切断不良箇所が最小限に抑えられる。
以後、上記の動作が各切断予定ラインＬ、 Ｌ、−毎に
繰り返し行われる。ダイシングブレード（６）の高さＨ
の調整は機種にもよるが１〜１０μ県程度の範囲で行え
ばよい。
繰り返し行われる。ダイシングブレード（６）の高さＨ
の調整は機種にもよるが１〜１０μ県程度の範囲で行え
ばよい。
上記と直交する方向のダイシングを行なう場合は、ガラ
ス板（１１）の真空吸着を一旦解除して水平面内で９０
度面回転、再度真空吸着して上記と同様の動作を繰り返
し行なえばよい。
ス板（１１）の真空吸着を一旦解除して水平面内で９０
度面回転、再度真空吸着して上記と同様の動作を繰り返
し行なえばよい。
第８図は上記実施例の変形例を示すもので、これは透光
性ステージ（７′）の下方に光学センサ（９）を配置し
たもので、この場合は上記実施例とは異なり、ガラス板
（１１）を真空吸着したままでステージ（７”）を水平
面内で９０度面回転せてダイシングを行なえる利点があ
る。
性ステージ（７′）の下方に光学センサ（９）を配置し
たもので、この場合は上記実施例とは異なり、ガラス板
（１１）を真空吸着したままでステージ（７”）を水平
面内で９０度面回転せてダイシングを行なえる利点があ
る。
本発明の実施装置例は上記実施例に限らず、例えばウェ
ーハ表面側より照明してウェーハ裏面で切断された分離
ラインの幅を読み取るようにすることも可能である。
ーハ表面側より照明してウェーハ裏面で切断された分離
ラインの幅を読み取るようにすることも可能である。
へ０発明の効果
以上の如く、本発明によればウェーハの完全カット方式
によるダイシングが各分離予定ライン毎に管理されて行
われるので、全体に均一で適正な完全カットによるダイ
シングが可能となり、ダイシング時の素子の割れ、欠け
やアベック発生などが防止されて歩留り向上が可能とな
り、またダイシングブレードの目詰まりが減少し寿命が
延びる。
によるダイシングが各分離予定ライン毎に管理されて行
われるので、全体に均一で適正な完全カットによるダイ
シングが可能となり、ダイシング時の素子の割れ、欠け
やアベック発生などが防止されて歩留り向上が可能とな
り、またダイシングブレードの目詰まりが減少し寿命が
延びる。
第１図は従来方法による半導体ウェーハダイシング装置
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図
、第３図は第２図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第４図
は第３図一部の不良二側を示す断面図、第５図及び第６
図は本発明の具体的実施装置例を示す平面図及び正面図
、第７図は第６図のＣ−Ｃ線に沿う部分拡大断面図、第
８図は本発明の他の実施装置例を示す正面図である。 （１）・・半導体ウェーハ、（２） ・・半導体素子、
（６）・・ダイシングブレード、（７）（７’） ・・
ステージ、（９）・・光学センサ。 第１図 ノ 第２図
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図
、第３図は第２図のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第４図
は第３図一部の不良二側を示す断面図、第５図及び第６
図は本発明の具体的実施装置例を示す平面図及び正面図
、第７図は第６図のＣ−Ｃ線に沿う部分拡大断面図、第
８図は本発明の他の実施装置例を示す正面図である。 （１）・・半導体ウェーハ、（２） ・・半導体素子、
（６）・・ダイシングブレード、（７）（７’） ・・
ステージ、（９）・・光学センサ。 第１図 ノ 第２図
Claims (1)
- （１）格子状に多数の半導体素子を形成した半導体ウェ
ーハをステージ上に設置してステージと平行に相対移動
するダイシングブレードで半導体ウェーハを半導体素子
分離予定ラインに沿って順次に半導体ウェーハ裏面まで
完全に切断する方法において、前記ステージ側に配備し
た光学センサを介し、前記半導体ウェーハの分離予定ラ
インの１ライン切断直後の分離ライン幅を半導体ウェー
ハ裏面から検出し、このライン幅検出信号に基づいて次
のライン切断時におけるステージに対するダイシングブ
レードの高さを制御するようにしたことを特徴とする半
導体ウェーハダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227307A JPS60120018A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227307A JPS60120018A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120018A true JPS60120018A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16858753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58227307A Pending JPS60120018A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 半導体ウエ−ハダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60120018A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023540A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削溝検出装置および切削加工機 |
| JP2011165847A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割加工装置 |
| JP2012256749A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2018182127A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | ダイシング装置 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58227307A patent/JPS60120018A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023540A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削溝検出装置および切削加工機 |
| JP2011165847A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割加工装置 |
| JP2012256749A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2018182127A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | ダイシング装置 |
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