JPH04317355A - 半導体ウェハの分離方法 - Google Patents
半導体ウェハの分離方法Info
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- JPH04317355A JPH04317355A JP8488791A JP8488791A JPH04317355A JP H04317355 A JPH04317355 A JP H04317355A JP 8488791 A JP8488791 A JP 8488791A JP 8488791 A JP8488791 A JP 8488791A JP H04317355 A JPH04317355 A JP H04317355A
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- JP
- Japan
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- wafer
- groove
- sheet tape
- dicing
- grooves
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 45
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハの分離方法
に関し、特にダイシングソー方式による分離方法に関す
る。
に関し、特にダイシングソー方式による分離方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のタイシングソー方式による半導体
ウェハ（以下単にウェハと記す）の分離方法には、スル
ーカット方式とノンスルーカット方式の２種類がある。 以下図面を用いて説明する。
ウェハ（以下単にウェハと記す）の分離方法には、スル
ーカット方式とノンスルーカット方式の２種類がある。 以下図面を用いて説明する。
【０００３】図３（ａ）はスルーカット方式を説明する
ためのウェハの断面図である。図３（ａ）において、シ
ートテープ２にはウェハ１が回路形成面である表面５を
上にして貼付られており、シートテープ２はバキューム
ステージ３にセットされている。シートテープ２に貼付
されたウェハ１は、ダイヤモンドブレードの先端位置を
決めるセットアップ位置をウェハ１の裏面４よりシート
テープ２側にセットしダイシングすることにより、シー
トテープ２の表面に溝を形成すると共に、ウェハ１にス
ルーカットライン８が形成される。その後シートテープ
２を引き伸ばす事により、ウェハ１はチップに分離され
る。
ためのウェハの断面図である。図３（ａ）において、シ
ートテープ２にはウェハ１が回路形成面である表面５を
上にして貼付られており、シートテープ２はバキューム
ステージ３にセットされている。シートテープ２に貼付
されたウェハ１は、ダイヤモンドブレードの先端位置を
決めるセットアップ位置をウェハ１の裏面４よりシート
テープ２側にセットしダイシングすることにより、シー
トテープ２の表面に溝を形成すると共に、ウェハ１にス
ルーカットライン８が形成される。その後シートテープ
２を引き伸ばす事により、ウェハ１はチップに分離され
る。
【０００４】図３（ｂ）はノンスルーカット方式を説明
するためのウェハ断面図である。図３（ｂ）において、
回路を形成したウェハ１は裏面４を下にしてバキューム
ステージ３にセットされている。バキュームステージ３
にセットされたウェハ１は、ダイヤモンドブレードの先
端位置を決めるセットアップ位置をウェハ１の裏面４よ
り回路形成面側にセットしダイシングすることにより、
ウェハ１にノンスルーカットライン９が形成される。そ
の後、ウェハ１をテープに貼り付けブレーキングした後
、引き伸ばしする事により、ウェハ１はチップに分離さ
れる。
するためのウェハ断面図である。図３（ｂ）において、
回路を形成したウェハ１は裏面４を下にしてバキューム
ステージ３にセットされている。バキュームステージ３
にセットされたウェハ１は、ダイヤモンドブレードの先
端位置を決めるセットアップ位置をウェハ１の裏面４よ
り回路形成面側にセットしダイシングすることにより、
ウェハ１にノンスルーカットライン９が形成される。そ
の後、ウェハ１をテープに貼り付けブレーキングした後
、引き伸ばしする事により、ウェハ１はチップに分離さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェハの分
離の方法は、スルーカット方式の場合、ダイシング時に
シートテープの表面にも溝を形成するため、ブレードの
寿命が短くなる。更には、シートテープにめりこんだウ
ェハのかすが後工程において、チップ表面に付着し不良
を発生させるという問題点があった。またノンスルーカ
ット方式の場合は、ブレーキング工程におけるバラツキ
のためにチップ裏面に欠けが発生し、ダイボンディング
時における接着面積不良のチップが発生するという問題
点があった。
離の方法は、スルーカット方式の場合、ダイシング時に
シートテープの表面にも溝を形成するため、ブレードの
寿命が短くなる。更には、シートテープにめりこんだウ
ェハのかすが後工程において、チップ表面に付着し不良
を発生させるという問題点があった。またノンスルーカ
ット方式の場合は、ブレーキング工程におけるバラツキ
のためにチップ裏面に欠けが発生し、ダイボンディング
時における接着面積不良のチップが発生するという問題
点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハの
分離方法は、表面に素子が形成された半導体ウェハの裏
面のダイシング領域にブレードにより第１の溝を形成す
る工程と、前記半導体ウェハの表面のダイシング領域に
ブレードにより第２の溝を形成する工程とを含むもので
ある。
分離方法は、表面に素子が形成された半導体ウェハの裏
面のダイシング領域にブレードにより第１の溝を形成す
る工程と、前記半導体ウェハの表面のダイシング領域に
ブレードにより第２の溝を形成する工程とを含むもので
ある。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るためのウェハの断面図であり、特にスルーカット方式
の場合を示す。
。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るためのウェハの断面図であり、特にスルーカット方式
の場合を示す。
【０００８】まず図１（ａ）に示すように、ウェハ１の
回路形成面である表面５側をシートテープ２に貼付けた
のちバキュームステージ３にセットし、表面５のダイシ
ング領域に相対応する裏面４にダイシング方式にて第１
の溝６を形成する。次に図１（ｂ）に示すように、シー
トテープ２からウェハ１を剥し、別のシートテープ２Ａ
に裏面４側を貼付し、バキュームステージ３にセットす
る。次に、ダイヤモンドブレードの先端位置を決めるセ
ットアップ位置をウェハ１の裏面４と第１の溝６の間に
セットしダイシングし第２の溝７を形成する。これらの
ダイシングによりスルーカットラインが形成される。次
に図１（ｃ）に示すように、シートテープ２Ａを引き伸
ばすことにより、ウェハ１をチップ１Ａに分離する。
回路形成面である表面５側をシートテープ２に貼付けた
のちバキュームステージ３にセットし、表面５のダイシ
ング領域に相対応する裏面４にダイシング方式にて第１
の溝６を形成する。次に図１（ｂ）に示すように、シー
トテープ２からウェハ１を剥し、別のシートテープ２Ａ
に裏面４側を貼付し、バキュームステージ３にセットす
る。次に、ダイヤモンドブレードの先端位置を決めるセ
ットアップ位置をウェハ１の裏面４と第１の溝６の間に
セットしダイシングし第２の溝７を形成する。これらの
ダイシングによりスルーカットラインが形成される。次
に図１（ｃ）に示すように、シートテープ２Ａを引き伸
ばすことにより、ウェハ１をチップ１Ａに分離する。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例を説明するた
めのウェハの断面図であり特にノンスルーカット方式の
場合を示す。この第２の実施例は、図１（ａ）に示した
第１の実施例と同様にしてウェハの裏面４に第１の溝６
Ａを形成する。次に図２に示すように、裏面４を下にし
てバキュームステージ３にセットする。次でダイヤモン
ドブレードの先端位置を決めるセットアップ位置を第１
の溝６Ａより回路形成面である表面５側にセットしてダ
イシングし第２の溝７Ａを形成することにより、ウェハ
１にノンスルーカットラインを形成する。その後、ウェ
ハ１をテープに貼り付けブレーキングした後、引き伸ば
しする事により、ウェハ１をチップに分離する。
めのウェハの断面図であり特にノンスルーカット方式の
場合を示す。この第２の実施例は、図１（ａ）に示した
第１の実施例と同様にしてウェハの裏面４に第１の溝６
Ａを形成する。次に図２に示すように、裏面４を下にし
てバキュームステージ３にセットする。次でダイヤモン
ドブレードの先端位置を決めるセットアップ位置を第１
の溝６Ａより回路形成面である表面５側にセットしてダ
イシングし第２の溝７Ａを形成することにより、ウェハ
１にノンスルーカットラインを形成する。その後、ウェ
ハ１をテープに貼り付けブレーキングした後、引き伸ば
しする事により、ウェハ１をチップに分離する。
【００１０】実施例におけるウェハ１の裏面に形成する
第１の溝の幅や深さ及び形状については、ここに限定さ
れるものではない。すなわち、スルーカット方式の場合
は、あらかじめ形成されている第１の溝と第２の溝とが
つながればよく、ノンスルーカット方式の場合は、あら
かじめ形成されている第１の溝と第２の溝の中心が合っ
ていることが望ましいが、ブレーキング条件で調整でき
る範囲のズレは生じてもよい。特に第１の溝の幅を第２
の溝の幅より広くしておくことにより、溝の中心のズレ
の範囲に余裕を持たせることができる。更に、第１の溝
を形成する工程についても、ここに限定するものではな
い。すなわち第１の溝を形成は、回路形成面の回路形成
前でも、回路形成工程中でも、回路形成後でもよい。
第１の溝の幅や深さ及び形状については、ここに限定さ
れるものではない。すなわち、スルーカット方式の場合
は、あらかじめ形成されている第１の溝と第２の溝とが
つながればよく、ノンスルーカット方式の場合は、あら
かじめ形成されている第１の溝と第２の溝の中心が合っ
ていることが望ましいが、ブレーキング条件で調整でき
る範囲のズレは生じてもよい。特に第１の溝の幅を第２
の溝の幅より広くしておくことにより、溝の中心のズレ
の範囲に余裕を持たせることができる。更に、第１の溝
を形成する工程についても、ここに限定するものではな
い。すなわち第１の溝を形成は、回路形成面の回路形成
前でも、回路形成工程中でも、回路形成後でもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、回路が形
成された表面のスクライブ領域に相対応するウェハの裏
面に第１の溝を形成した後、表面よりダイシングし第２
の溝を形成することにより、スルーカット方式の場合は
シートテープにブレードが触れることなくダイシングで
きるので、ブレード寿命が長くなる。例えば、シートテ
ープに１５μｍの切り込みを入れた場合、切り込みを入
れない場合と比較して、ブレード寿命は１／５〜１／１
０となる為、本発明の方法で２倍のラインを形成しても
、ブレード寿命は２．５〜５倍になるという効果を有す
る。更には、シートテープにウェハのカスがめりこむこ
ともなく、ウェハのかすが後工程でチップ表面に付着す
る問題も無くなる。又、ノンスルーカット方式の場合、
ブレーキング工程におけるバラツキのために発生するチ
ップ裏面の欠けが無くなり、ダイボンディング時におけ
る接着面積不良のチップ発生が低減できるという効果を
有する。
成された表面のスクライブ領域に相対応するウェハの裏
面に第１の溝を形成した後、表面よりダイシングし第２
の溝を形成することにより、スルーカット方式の場合は
シートテープにブレードが触れることなくダイシングで
きるので、ブレード寿命が長くなる。例えば、シートテ
ープに１５μｍの切り込みを入れた場合、切り込みを入
れない場合と比較して、ブレード寿命は１／５〜１／１
０となる為、本発明の方法で２倍のラインを形成しても
、ブレード寿命は２．５〜５倍になるという効果を有す
る。更には、シートテープにウェハのカスがめりこむこ
ともなく、ウェハのかすが後工程でチップ表面に付着す
る問題も無くなる。又、ノンスルーカット方式の場合、
ブレーキング工程におけるバラツキのために発生するチ
ップ裏面の欠けが無くなり、ダイボンディング時におけ
る接着面積不良のチップ発生が低減できるという効果を
有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのウェハ
の断面図。
の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するためのウェハ
の断面図。
の断面図。
【図３】従来の半導体ウェハの分離方法を説明するため
のウェハの断面図。
のウェハの断面図。
１ ウェハ
２，２Ａ シートテープ
３ バキュームステージ
４ 裏面
５ 表面
６，６Ａ 第１の溝
７，７Ａ 第２の溝
８ スルーカットライン
９ ノンスルーカットライン
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に素子が形成された半導体ウェハ
の裏面のダイシング領域にブレードにより第１の溝を形
成する工程と、前記半導体ウェハの表面のダイシング領
域にブレードにより第２の溝を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体ウェハの分離方法。 - 【請求項２】 第１の溝の幅を第２の溝の幅より広く
形成する請求項１記載の半導体ウェハの分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488791A JPH04317355A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 半導体ウェハの分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8488791A JPH04317355A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 半導体ウェハの分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317355A true JPH04317355A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=13843270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8488791A Pending JPH04317355A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 半導体ウェハの分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165813A (en) * | 1995-04-03 | 2000-12-26 | Xerox Corporation | Replacing semiconductor chips in a full-width chip array |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8488791A patent/JPH04317355A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165813A (en) * | 1995-04-03 | 2000-12-26 | Xerox Corporation | Replacing semiconductor chips in a full-width chip array |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000509 |