JP4599075B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

発明の属する技術分野
この発明は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に係るものであり、例えば半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を備えた半導体製造装置及びこの半導体製造装置を適用した半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
一般に、半導体装置の製造工程において、素子形成の終了した半導体ウェーハは、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って分離され、個片化されることにより複数の半導体チップが形成される。個片化の工程の前後で半導体ウェーハに粘着性テープが貼り付けられ、個片化された半導体チップがウェーハ形状のままで一体化されている。このように複数の半導体チップに個片化され、粘着性テープに支持された半導体ウェーハは、例えば、ダイボンダ（図２参照）などを用いた実装工程に移される。半導体ウェーハから分離された各半導体チップは、粘着性テープからピックアップされ、リードフレームやＴＡＢテープヘのマウント工程或いはパッケージヘの封止工程等の実装工程を経て半導体装置が完成される。
このような個々の半導体チップをピックアップする際、半導体ウェーハの表面のうち粘着性テープが貼り付けられた面とは逆の面を、ウェーハリングに貼り付けた別の粘着性テープに貼り付けた後、前記粘着性テープを剥離し、ウェーハリングをピックアップ装置に装着して個々の半導体チップをピックアップする。
図５５は、半導体チップ１００を粘着性テープ１０１からピックアップする際の従来のピックアップ装置の主要構成部の拡大断面図である（特許文献１）。ウェーハリングに貼り付けた粘着性テープ１０１から半導体チップ１００を剥離してピックアップする場合には、半導体チップ１００の裏面側から粘着性テープ１０１を介在させて突き上げピン（ニードル）１０２を突出（上昇）させ、粘着性テープ１０１の弾性力を利用して半導体チップ１００を剥離する。突き上げピン１０２は、上記半導体チップ１００の各コーナ部もしくは中央部近傍に対応する位置に配置され、その基部はピンホルダ１０３に装着されている。
半導体チップ１００を粘着性テープ１０１から剥離する順序としては、まず、ピックアップの対象となる半導体チップ１００が突き上げピン１０２上に位置するように、半導体チップ１００が貼り付けられた粘着性テープ１０１が固定された保持テーブルを移動させる。次に、剥離する半導体チップ１００の位置検出や良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行い、バックアップホルダ１０４の内部をバキュームで引いて、粘着性テープ１０１をバックアップホルダ１０４の上面に吸着して固定する。この状態で突き上げピン１０２が取り付けられているピンホルダ１０３を上昇させ、突き上げピン１０２をバックアップホルダ１０４の上面から突出させ、粘着性テープ１０１を介在させて半導体チップ１００を裏面側から突き上げる。突き上げられた半導体チップ１００は、吸着コレット１０５により吸着されて実装工程へ供給される。
近年は、半導体チップを、例えば、カード状の薄いパッケージに内蔵するために、半導体チップの薄型化が強く望まれており、半導体ウェーハの裏面の研磨、研削及びエッチングにより半導体チップを１００μｍ以下にまで薄くしている。
このように半導体チップの厚さが１００μｍ以下になった場合の上記クラックの問題点について、図５６および図５７を参照してより詳しく説明する。
半導体チップの厚さが上述したように非常に薄いと、半導体チップ１００の外周部（特にコーナ部分）が粘着性テープ１０１から剥がれたとしても、突き上げピン１０２が上昇する速度より粘着性テープ１０１が剥がれる速度の方が遅いため、図５６（ａ）に示すように、剥離する前に半導体チップ１００が凹状に反ってしまい、図５６（ｂ）に示すように最終的にはクラックに至る。また、図５７（ａ）に示すように、粘着性テープ１０１を介在させた状態で半導体チップ１００の裏面側を突き上げピン１０２で押し上げると、コーナ部しか剥離していない状態で半導体チップ１００と突き上げピン１０２との接触部にクラックが入ったり、図５７（ｂ）に示すように突き上げピン１０２が貫通したりしてしまい、チップクラックに至ってしまう。半導体チップの厚さが１００μｍ以上であれば、半導体チップ１００と粘着性テープ１０１の接着力より、半導体チップの強度（厚さ方向）が強いため、このような現象は発生しにくい。
特開２００３−１７５１３号公報（図１、図２及びその説明箇所）
このように、半導体チップが薄厚化されると、半導体チップの抗折強度が低くなり、従来の粘着性テープの剥離機構や剥離方法並びに従来の半導体チップのピックアップ装置やピックアップ方法ではクラックやチッピング等の品質低下と歩留まり低下を回避できず、これら機構や装置、方法だけでなく、これらを備える半導体装置の製造装置や半導体装置の製造方法に対しても改善が望まれている。
とくに、半導体チップ裏面又は素子形成面に接着剤、接着シートもしくは接着フィルムが付着されたものは、剥離時の荷重が高くなり、ワレの発生頻度が高くなり、その結果半導体装置の品質の低下や歩留まりの低下を招くという問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体チップのクラックやチッピング等の不良を低減して高品質の半導体装置を製造できるとともに製造歩留まりの低下も抑制できる粘着性テープの剥離機構を有する半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いたスタックＭＣＰ（Multi Chip Package）製品に適した半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、
裏面に接着剤層が貼り付けられた複数の半導体チップで構成され個片化された半導体ウェーハの素子形成面の上に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される
また、本発明によれば、
裏面全面に接着剤層が貼り付けられて個片化された半導体ウェーハの素子形成面の上に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記接着剤層を切断する切断手段を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される
また、本発明によれば、
裏面全面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハの素子形成面の上に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記半導体ウェーハを切断して個片化するとともに前記接着剤層を切断する切断手段を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される
また、本発明によれば、
素子形成面に接着剤層が貼り付けられた複数の半導体チップから構成されて個片化された半導体ウェーハの素子形成面に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される
また、本発明によれば、
半導体ウェーハの素子形成面に接着剤層を介して接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記接着剤層及び前記半導体ウェーハを半導体チップ形状に切断する切断手段を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される。
また、本発明によれば、
個片化された半導体ウェーハの素子形成面に接着剤層を介して形成された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記接着剤層を切断する切断手段を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着し、
前記接着剤層の切断状況に合わせて前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される。
また、本発明によれば、
半導体ウェーハの素子形成面に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記半導体ウェーハを切断して個片化する切断手段を有し、
前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
半導体製造装置が提供される。
また、本発明によれば、
裏面に接着剤層が貼り付けられた複数の半導体チップから構成され個片化された半導体ウェーハの上に接着された粘着性テープを剥離する工程を具備し、
前記粘着性テープを剥離する工程は、
前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープの剥離方向に沿った剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含む、
半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
個片化され、裏面全面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハの上に接着された粘着性テープを剥離する工程と、
前記粘着性テープを剥離してから前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
前記粘着性テープを剥離する工程は、
前記粘着性テープの剥離方向に対して少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープを剥離方向に沿って剥離し、前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
裏面全面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハの上に接着された粘着性テープを剥離する工程と、
前記粘着性テープを剥離してから前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
前記粘着性テープを剥離する工程は、
前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
個片化された半導体ウェーハの素子形成面に接着剤層を介して接着された粘着性テープを剥離する工程と、
前記粘着性テープを剥離してから前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
前記粘着性テープを剥離する工程は、
前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
素子形成面に接着剤層がそれぞれ貼り付けられた複数の半導体チップで構成され個片化された半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する工程を具備し、
前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
を含む、
半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
素子形成面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する工程と、
前記粘着性テープを剥離してから前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
前記粘着性テープを剥離する工程は、
前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
半導体装置の製造方法が提供される。
さらに、本発明によれば、
半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する工程と、
前記粘着性テープを剥離してから前記半導体ウェーハを半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
前記粘着性テープを剥離する工程は、
前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
前記半導体ウェーハの切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、半導体チップの薄型化で問題となっているピックアップによるチップクラックが防止でき、また、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップのダメージを防止することができる。さらに、半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品を容易に作成することが可能になる。
発明の実施の形態
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図１乃至図１３を参照して第１の実施の形態を説明する。
この実施形態では、半導体製造装置として粘着性テープの剥離機構、半導体チップのピックアップ機構を有するダイボンダを例にとって説明する。
図１は、この実施形態において用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＡ−Ａ線に沿う部分の断面図、図２は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体製造装置の概略構成を示す斜視図、図３は、図２に示す半導体製造装置の剥離機構及びピックアップ機構で用いられるウェーハ吸着部の平面図及びこの平面図の３Ｈ−３Ｈ線に沿う部分の断面図、図４は、図２に示す半導体製造装置のウェーハ吸着部と個片化された半導体ウェーハとの位置関係を説明する平面図、図５は、図２のダイボンダの剥離機構の動作について説明する断面図、図６は、補助プレートの構成例について説明する図、図７及び図８は、それぞれ図２に示すダイボンダのピックアップ機構の動作について説明する断面図、図９は、ピックアップした半導体チップの実装工程の一例について説明する概略図、図１０乃至図１３は、ピックアップした半導体チップの実装工程の他の例を示す断面図である。
図１に示す半導体ウェーハは、粘着性テープ２４が表面保護テープとして素子形成領域を有する素子形成面の全面に被覆され、裏面には接着剤層２９が形成されている。本実施形態において接着剤層２９は、半導体チップ毎に分離して形成されている。
図２に示すダイボンダは、粘着性テープを剥離するための剥離機構、半導体チップをピックアップするピックアップ機構、ピックアップした半導体チップをリードフレーム上に移送する移送機構及びリードフレームを搬送する搬送機構を備える。剥離機構は、保持テーブル３、ＴＶカメラ４、剥離爪２１、補助プレート２２及び吸引装置２０を含む。ピックアップ機構は、保持テーブル３、ＴＶカメラ４、吸着コレット１０及び吸引装置２０を有する。剥離機構およびピックアップ機構は、保持テーブル３、ＴＶカメラ４及び吸引装置２０を共用する。
保持テーブル３は、粘着性テープを剥離する方向において、少なくとも２つの吸着エリアに分離された（ブロック化された）多孔質材、例えば、フィルム状のセラミック材／ガラスエポキシ基板からなるウェーハ吸着部２を有する。この実施形態では、図３に示すように、ウェーハ吸着部２が７つの吸着エリア２−１〜２−７を有する。各々の吸着エリア２−１〜２−７の下部には、真空配管を接続するための接続孔２３−１〜２３−７が設けられている。このウェーハ吸着部２には、素子形成が終了した半導体ウェーハから個片化され粘着性テープ２４（図５参照）に貼り付けられた半導体チップ１が、素子形成面とは逆の面側で接着剤層２９を介して吸着されて固定される。この際、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、剥離方向に対して各吸着エリア２−１〜２−７の長手方向が直交するように配置すれば、ピックアップの際の各半導体チップ１の位置認識が容易になる。この一方、図４（ａ）及び（ｃ）に示すように、剥離方向に対して各半導体チップ１の対角線が平行になる方向（半導体チップが正方形の場合には４５度の傾きを持つ）に配置すれば、粘着性テープ２４の剥離が半導体チップ１のコーナ部から始まるため、容易に剥離できる。どちらの配置を選択するかは、半導体チップ１のサイズや厚さ、粘着性テープ２４の粘着力等を考慮して決定すれば良い。
保持テーブル３は、半導体ウェーハをＸＹ方向に移動させることにより、吸引装置２０上に個々の半導体チップ１を移動させるようになっている。ＴＶカメラ４は、半導体チップ１の表面をモニタする。吸引装置２０は、保持テーブル３の下側に設置されており、ウェーハ吸着部２の各々の吸着エリア２−１〜２−７に対応して設けられた少なくとも２系統の真空（吸引）配管とそれぞれに対応する２つの真空（吸引）ポンプ、真空配管を切り換える切換弁、この切換弁を制御する制御装置等を有している。
半導体チップ１をリードフレーム上に移送する移送機構は、ボンディングツール８、吸着コレット１０、位置修正ステージ１１及びボンディングヘッド１２等から構成されている。吸着コレット１０は、ピックアップ時にも用いられるもので、粘着性テープ２４から剥離された半導体チップ１を吸着して位置修正ステージ１１上に移送する。この位置修正ステージ１１上で半導体チップ１の位置が修正される。位置が修正された半導体チップ１は、ボンディングヘッド８によりリードフレーム上に移送される。
さらに、リードフレームを搬送する搬送機構は、リードフレーム供給部５、リードフレーム搬送装置６、ペースト供給装置７及びリードフレーム収納部９等から構成されている。リードフレーム供給部５にはダイボンディング前のリードフレームが収容されており、リードフレームをリードフレーム搬送装置６に順次送り出すようになっている。ペースト供給装置７は、リードフレーム搬送装置６を搬送されたリードフレームのベッド部に導電性ペーストを塗布するものである。また、リードフレーム収納部９は、ダイボンディングが終了したリードフレームを収容する。
このダイボンダの全体の概略的な動作は、次の通りである。まず、素子形成を終了した半導体ウェーハを個片化して複数の半導体チップ１を形成し、これら半導体チップ１を粘着性テープ２４に転写接着し、保持テーブル３に装着する。あるいは、先ダイシングといわれる方法で、素子形成を終了したウェーハに素子形成面側からダイシングライン（またはチップ分割ライン）に沿った切り溝を形成し、この素子形成面側に粘着性テープ２４を貼り付けた後、ウェーハの裏面を少なくとも先の切り溝に達するまで研削することによって個片化し、複数の半導体チップ１を形成したものを保持テーブル３に装着する。次に、吸引装置２０で半導体チップ１を直接的に吸着固定し、剥離爪２１と補助プレート２２を用いて粘着性テープを剥離する。引き続き、保持テーブル３をＸＹ方向に移動させ、ＴＶカメラ４を用いて半導体チップ１の表面をモニタし、このモニタで得た画像データを二値化もしくは多値化して半導体チップ１の位置検出及び良品／不良品を判別するためのマーク検出等を行う。そして、吸引装置２０によるバキュームで吸引しつつ（半導体チップのサイズや厚さによっては、必ずしもバキュームで吸引する必要はない）、半導体チップ１を吸着コレット１０で吸着してピックアップして位置修正ステージ１１上に移送し、半導体チップ１の位置や必要に応じてその表裏の配置を調整した後、ボンディングヘッド８によりリードフレーム上に移送する。
次に、ピックアップの終了後、次にピックアップする半導体チップ１の位置へ保持テーブル３を移動する。さらに、これらの動作を繰り返す。
一方、リードフレーム供給部５は、リードフレームをリードフレーム搬送装置６に順次送り出す。リードフレーム搬送装置６で搬送されるリードフレームのベッド部には、ペースト供給装置７から導電性ペーストが塗布される。そして、上記ボンディングヘッド８で移送された半導体チップ１がリードフレームのベッド部上にマウント（これをダイボンディングという）される。ダイボンディングが終了したリードフレームは、リードフレーム収納部９に収容される。以上の動作は順次繰り返される。
次に、前述したようなダイボンダにおける粘着性テープの剥離機構と半導体チップのピックアップ機構並びにこれらを用いた剥離方法及びピックアップ方法について図５乃至図９により詳しく説明する。
（１） まず、素子形成面に粘着性テープ２４が貼り付けられ、個片化された半導体ウェーハを用意する。半導体ウェーハは、それぞれの裏面が接着剤層２９で被覆された半導体チップ１から構成されている。また、前述のように、粘着性テープは、半導体ウェーハの表面保護テープもしくは支持テープに用いられる。
（２） 個片化された半導体ウェーハは、保持テーブル３にセットされる。
（３） 保持テーブル３には、２系統の真空配管２５Ａ、２５Ｂ、配管の切換弁２６−Ａ〜２６−Ｇ及び２つのバキュームポンプ２７Ａ、２７Ｂが設けられており、これらを用いて粘着性テープ２４の剥離が行われる。まず、第１の系統の真空配管２５Ａと第１のバキュームポンプ２７Ｂを用いて粘着性テープ２４に接着された半導体ウェーハをバキューム吸引して吸着固定する。
（４） この状態で粘着性テープ２４の剥離を開始する。剥離に際し、粘着性テープ２４の端側に剥離用のテープを接着し、その剥離用のテープの端部を剥離爪２１で保持し、粘着性テープ２４の上部に剥離を補助する補助プレート２２をセットし、この補助プレート２２で粘着性テープ２４の上面を抑えて粘着性テープ２４を曲げながら剥離爪２１で粘着性テープ２４の一端を図示矢印方向に０．１ｍｍ〜１００ｍｍ／ｓｅｃの速度、好ましくは０．１ｍｍ〜１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で引く。
（５） この際、剥離爪２１を引く強度に強弱を付けても良いし、剥離爪２１と補助プレート２２を一定の速度で移動させて剥離しても良い。また、剥離爪２１で一定の距離だけ引いた後、補助プレート２２で粘着性テープ２４の上面を抑える動作を繰り返しても良い。そして、ウェーハ吸着部２の隣接する吸着エリア２−１〜２−７近傍の粘着性テープ２４の一部が剥離されたときに、切換弁２６−Ａ〜２６−Ｇにより第２系統の真空配管２５Ｂに切り換え、剥離された吸着エリアの半導体チップ１を第２のバキュームポンプ２７Ｂで吸着して固定する。図５は、剥離が吸着エリア２−１と吸着エリア２−２の境界領域まで進み、切換弁２６−Ａが切り換えられた状態を示している。
（６） 以下同様にして、粘着性テープ２４の剥離にしたがって切換弁２６−Ｂ〜２６−Ｇを順次切り換えて行く。そして、粘着性テープ２４が完全に剥離された状態では、各半導体チップ１は、粘着性テープ２４からウェーハ吸着部２に転写され、第２のバキュームポンプ２７Ｂにより第２系統の真空配管２５Ｂを介して各半導体チップ１が吸着されて固定される。なお、補助プレート２２は、図６（ａ）に示すように先端にアールが付いているものや図６（ｂ）に示すように先端が鋭角なものを用いることができる。先端部の形状は、粘着性テープ２４の厚さや粘着力、柔軟性等によって決定する。
（７） 次に、半導体チップ１の位置検出及び良品検出を行う。
（８） その後、ウェーハ吸着部２から個々の半導体チップ１のピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、各半導体チップ１は、第２のバキュームポンプ２７Ｂにより第２系統の真空配管２５Ｂで吸着されて固定されており、この状態で吸着コレット１０を用いて吸着力のみでピックアップする。
（９） そして、ピックアップが進行して次にピックアップすべき隣の吸着エリアの境界近傍にまで進んだ時点で、切換弁を切り換えて第１系統の真空配管２５Ａに切り換え、第１のバキュームポンプ２７Ａを用いてピックアップされた吸着エリアを吸引する。図７ではピックアップが吸着エリア２−１までほぼ終了し、吸着エリア２−１に対応する切換弁２６−Ａが閉じた状態を示している。
（１０） これによって、半導体チップ１をピックアップしてウェーハ吸着部２の一部が露出されることによって、第２のバキュームポンプ２７Ｂの吸引力が低下するのを防止するとともに、露出されたウェーハ吸着部２に残存している不良チップや製品にならないウェーハの周辺部のチップを吸着して固定できる。
なお、ピックアップが進行して吸着エリア内の半導体チップをピックアップした時点で、図８に示すように切換弁を閉じて吸着を停止しても良い。図８ではピックアップが吸着エリア２−４まで進み、吸着エリア２−１〜２−３に対応する切換弁２６−Ａ〜２６−Ｃが閉じた状態を示している。
（１１） その後、図９に示すように、リードフレームにダイボンディングする。図９は、粘着性テープ２４の剥離工程（ａ）、ピックアップ工程（ｂ）、半導体チップ１をリードフレーム１３へ導電性ペースト１４等でマウントする工程（ｃ）をそれぞれ概略的に示している。
（１２） そして、不良品及びウェーハ外周部の製品とならない半導体チップを破棄する。
以上のような構成並びに方法によれば、個片化された半導体ウェーハを粘着性テープの剥離位置や半導体チップのピックアップ状態に応じた最適な吸引力で効果的に吸着固定できるので、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。また、接着剤層が形成されているので半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品の容易な作成が可能になる。
従来の技術では、半導体チップの厚さが５０μｍ以下になると、半導体チップのピックアップ時にクラックが多発していたが（１００ｐｃｓ／１００ｐｃｓ）、この実施形態によれば半導体チップの厚さが５０μｍ以下であってもクラックの発生を殆ど無視できる程度（０／１００ｐｃｓ）にまで低減できた。
なお、上記実施形態では、ダイボンダを例にとって説明したが、本発明は、粘着性テープの剥離機構や半導体チップのピックアップ装置が必要となる他の半導体製造装置にも適用することができる。他の半導体製造装置としては、例えば図１０に示すように、粘着性テープ２４を剥離した後、個々の半導体チップ１をピックアップしてトレイ１５に詰めるピッカー、図１１に示すように、粘着性テープ２４を剥離した後、個々の半導体チップ１をピックアップして実装基板１６上にフリップチップ接続で実装するフリップチップボンダ、図１２に示すように粘着性テープ２４を剥離した後、個々の半導体チップ１をピックアップして熱可塑性のフィルム基板１７上にマウントするフィルム接着ボンダ、図１３に示すように、粘着性テープ２４を剥離した後、個々の半導体チップ１をピックアップして、加熱ツール１９ａ、１９ｂを用いてＴＡＢテープ１８にマウントするインナーリードボンダ等がある。
次に、図１４及び図１５を参照して第２の実施の形態を説明する。
図１４は、この実施形態において用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＢ−Ｂ線に沿う部分の断面図、図１５は、この実施形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程から半導体チップをピックアップする工程までを説明する工程断面図である。
図１４に示す半導体ウェーハは、粘着性テープ３４が表面保護テープとして素子形成領域を有する素子形成面の全面に被覆され、裏面には接着シートや接着フィルムなどの接着剤層３９が形成されている。接着剤層３９は、半導体ウェーハ全面に形成されている。
まず、保持テーブル３３上において半導体ウェーハ表面から、吸引装置で直接的に吸着固定しながら、剥離爪３１と補助プレート３２を用いて粘着性テープ３４を剥離する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、粘着性テープ３４の剥離状態で各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図１５（ａ））。引き続き、接着剤層３９をチップサイズにレーザやブレードなどの切断手段３５を用いて切断する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、切断状況に合わせて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて接着剤層３９を切断する（図１５（ｂ））。その後、ウェーハ吸着部から個々の半導体チップ３０のピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、各半導体チップ３０は、吸着コレット３６を用いて吸着力のみでピックアップする（図１５（ｃ））。ピックアップされた各半導体チ
ップ３０は、リードフレームなどにボンディングされる。切断手段としてのレーザは、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザ、単パルスレーザを含む。
以上のように、この実施形態によれば、個片化された半導体ウェーハを粘着性テープの剥離位置や半導体チップのピックアップ状態に応じた最適な吸引力で効果的に吸着固定できるので、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。また、接着剤層が形成されているので半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品の作成が容易にできる。
次に、図１６及び図１７を参照して第３の実施の形態を説明する。
この実施形態では、接着剤層が半導体ウェーハを構成する各半導体チップ毎にその素子形成面上に形成されていることに特徴がある。図１６は、この実施の形態において用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＣ−Ｃ線に沿う部分の断面図、図１７は、この実施の形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程から半導体チップをピックアップする工程までを説明する工程断面図である。
図１６に示す半導体ウェーハは、粘着性テープ４４が表面保護テープとして素子形成領域を有する素子形成面の全面に被覆され、裏面には接着剤層４９が形成されている。接着剤層４９は、半導体ウェーハと粘着性テープ４４との間に介在して半導体チップ毎に分離して形成されている。
まず、保持テーブル４３上において半導体ウェーハを吸引装置で直接的に吸着固定しながら、剥離爪４１と補助プレート４２を用いて粘着性テープ４４を半導体ウェーハ表面から剥離する。その際、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに半導体ウェーハを真空固定し、粘着性テープ４４の剥離状態に応じて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図１７（ａ））。その後、ウェーハ吸着部から個々の半導体チップ４０のピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、各半導体チップ４０は、吸着コレット４６を用いて吸着力のみでピックアップする（図１７（ｂ））。ピックアップされた各半導体チップ４０は、リードフレームなどにボンディングされる。
以上のように、この実施形態によれば、個片化された半導体ウェーハを粘着性テープの剥離位置や半導体チップのピックアップ状態に応じた最適な吸引力で効果的に吸着固定できるので、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。また、接着剤層が形成されているので半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品の作成が容易にできる。
次に、図１８及び図１９を参照して第４の実施の形態を説明する。
この実施形態では、未だ個片化されていない半導体ウェーハの素子形成面とは反対側の裏面上に接着剤層が形成されている点に特徴がある。図１８は、この実施形態において用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＤ−Ｄ線に沿う部分の断面図、図１９は、この実施形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程から半導体チップをピックアップする工程までを説明する工程断面図である。
まず、保持テーブル５３上で吸引装置で直接的に半導体ウェーハを吸着固定しながら、剥離爪５１と補助プレート５２を用いて半導体ウェーハ表面から粘着性テープ５４を剥離する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、粘着性テープ５４の剥離状態に応じて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図１９（ａ））。引き続き、半導体ウェーハ及び接着剤層５９をチップサイズにレーザやブレードなどの切断手段５５を用いて切断する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、切断状況に合わせて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて接着剤層５９を切断する（図１９（ｂ））。その後、ウェーハ吸着部から個々の半導体チップ５０のピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、吸着コレット５６を用いてその吸着力のみで各半導体チップ５０をピックアップする（図１９（ｃ））。ピックアップされた各半導体チップ５０は、リードフレームなどにボンディングされる。
以上のように、この実施形態によれば、個片化された半導体ウェーハを粘着性テープの剥離位置や半導体チップのピックアップ状態に応じた最適な吸引力で効果的に吸着固定できるので、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。また、接着剤層が形成されているので半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品の作成が容易にできる。
次に、図２０及び図２１を参照して本発明の第５の実施の形態を説明する。
この実施形態では、未だ個片化されておらず、接着剤層が形成されていない半導体ウェーハを取り扱う点に特徴がある。図２０は、この実施形態において用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＥ−Ｅ線に沿う部分の断面図、図２１は、この実施形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程から半導体チップをピックアップする工程までを説明する工程断面図である。
まず、保持テーブル６３上で吸引装置により直接的に半導体ウェーハを吸着固定しながら、剥離爪６１と補助プレート６２を用いて粘着性テープ６４を半導体ウェーハ表面から剥離する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、粘着性テープ６４の剥離状態に応じて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図２１（ａ））。引き続き、レーザやブレードなどの切断手段６５を用いて半導体ウェーハをチップサイズに切断する。その際に、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、切断状況に合わせて、各多孔質ブロックの配管系統を切り換えながら切断する（図２１（ｂ））。その後、ウェーハ吸着部から個々の半導体チップ６０のピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、吸着コレット６６を用いてその吸着力のみで各半導体チップ６０をピックアップする（図２１（ｃ））。ピックアップされた各半導体チップ６０は、リードフレーム等にボンディングされる。
以上のように、この実施形態によれば、半導体ウェーハを最適な吸引力で効果的に吸着固定しながら、粘着性テープの剥離、半導体チップへの個片化およびピックアップを行なうので、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。
次に、図２２及び図２３を参照して第６の実施の形態を説明する。
この実施形態では、未だ個片化されていない半導体ウェーハであってその素子形成面上に形成された接着剤層を有する半導体ウェーハを取り扱う点に特徴がある。図２２は、この実施形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＦ−Ｆ線に沿う部分の断面図、図２３は、この実施の形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程から半導体チップをピックアップする工程までを説明する工程断面図である。
まず、保持テーブル７３上で吸引装置により直接的に半導体ウェーハを吸着固定しながら、剥離爪７１と補助プレート７２を用いて半導体ウェーハ表面から粘着性テープ７４を剥離する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、粘着性テープ７４の剥離状態で各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図２３（ａ））。引き続き、半導体ウェーハ及び接着剤層７９をチップサイズにレーザやブレードなどの切断手段７５を用いて切断する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、切断状況に合わせて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えながら接着剤層７９及び半導体ウェーハを切断する（図２３（ｂ））。その後、個片化された各半導体チップ７０のウェーハ吸着部からのピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、吸着コレット７６を用いてその吸着力のみで各半導体チップ７０をピックアップする（図２３（ｃ））。ピックアップされた各半導体チップ７０は、リードフレームなどにボンディングされる。
以上のように、この実施形態によれば、粘着性テープの半導体ウェーハからの剥離位置や半導体チップの個片化およびピックアップのそれぞれの状態に応じて最適な吸引力で効果的に吸着固定できる。これにより、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。また、接着剤層が形成されているので半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品の作成が容易にできる。
次に、図２４及び図２５を参照して第７の実施の形態を説明する。
図２４は、この実施の形態において用いられる半導体ウェーハの斜視図及びこの斜視図のＧ−Ｇ線に沿う部分の断面図、図２５は、この実施形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程から半導体チップをピックアップする工程までを説明する工程断面図である。
図２４に示す半導体ウェーハでは、粘着性テープ８４が素子形成領域を有する素子形成面の全面に接着シートや接着フィルムなどの接着剤層８９を介して形成されている。半導体ウェーハは、既に半導体チップに個片化されている。
まず、保持テーブル８３上で吸引装置で直接的に半導体ウェーハを吸着固定しながら、剥離爪８１と補助プレート８２を用いて半導体ウェーハ表面から粘着性テープ８４を剥離する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、粘着性テープ８４の剥離状態で各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図２５（ａ））。引き続き、接着剤層８９をチップサイズにレーザやブレードなどの切断手段８５を用いて切断する。その際、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに半導体ウェーハを真空固定し、切断状況に合わせて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えながら接着剤層８９を切断する（図２５（ｂ））。その後、個々の半導体チップ８０のウェーハ吸着部からのピックアップを開始する。ピックアップの開始直後は、吸着コレット８６を用いてその吸着力のみで各半導体チップ８０をピックアップする（図２５（ｃ））。ピックアップされた各半導体チップ８０は、リードフレーム等にボンディングされる。
以上のように、この実施形態によれば、既に個片化された半導体ウェーハを、粘着性テープの剥離位置や半導体チップのピックアップ状態に応じた最適な吸引力で効果的に吸着固定できる。これにより、半導体チップの薄型化によって問題となる粘着性テープの剥離時やピックアップ時における半導体チップのクラックやチッピングを防止できる。また、吸着のみでピックアップを行うので、従来の突き上げピンによるピックアップで問題となっていた突き上げピン接触部での半導体チップへのダメージも防止できる。また、接着剤層が形成されているので、半導体チップを積層するスタックＭＣＰ製品の作成が容易にできる。
以下、図面を参照してウェーハ吸着部の種々の構成例を説明する。
図２６乃至図２８は、上述した実施形態において適用されるウェーハ吸着部の種々の構成例を示している。図２６に示すウェーハ吸着部２は、多孔質材を粘着性テープの剥離方向に対して２つの吸着エリアに分離したものである。図２７に示すウェーハ吸着部２は、多孔質材を粘着性テープの剥離方向に対して５つの吸着エリアに分離したものである。図２８に示すウェーハ吸着部２は、多孔質材を粘着性テープの剥離方向に対して９つの吸着エリアに分離したものである。
図２９乃至図３２にそれぞれ示すウェーハ吸着部２は、多孔質材を粘着性テープの剥離方向に対して複数に分割するだけでなく、剥離方向と直交する方向にも２分割することにより、それぞれ吸着エリアを４、１０、１４、１８個設けたものである。また、図３３乃至図３５にそれぞれ示すウェーハ吸着部２は、多孔質材を粘着性テープの剥離方向に対して複数に分割するだけでなく、剥離方向と直交する方向にも３分割、４分割、５分割することにより、それぞれ吸着エリアを２７、３２、４１個設けたものである。
図３６乃至図４２に示すウェーハ吸着部２は、多孔質材上に設けられ多数の透孔を有するプレート２８をそれぞれ備え、これらのプレート２８を介在して、個片化された半導体ウェーハ１を吸着するものである。図３６では多孔質材が粘着性テープの剥離方向に対して２つの吸着エリアに分離され、図３７では５つのエリアに分離され、図３８では７つのエリアに分離されている。また、図３９では多孔質材が粘着性テープの剥離方向及びこの方向と直交する方向に対してそれぞれ２分割されて４つの吸着エリアに分離され、図４０では１０の吸着エリアに分離され、図４１では１４の吸着エリアに分離され、図４２では剥離方向と直交する方向に４分割されて２８の吸着エリアに分離されている。
図４３乃至４８に示すウェーハ吸着部２は、各半導体チップに対応する透孔を有するように多孔質材上に設けられたプレート３０を備え、プレート３０を介在して個々の半導体チップを吸着するものである。図４３では多孔質材が粘着性テープの剥離方向に対して２つの吸着エリアに分離され、図４４では５つのエリアに分離され、図４５では７つのエリアに分離されている。また、図４６では多孔質材が粘着性テープの剥離方向及びこの方向と直交する方向に対してそれぞれ２分割されて４つの吸着エリアに分離され、図４７では１０の吸着エリアに分離され、図４８では１４の吸着エリアに分離されている。
このような構成であっても基本的には図２に示したウェーハ吸着部と同様であり、半導体チップ１のサイズや厚さ、粘着性テープ２４の粘着力、厚さ、柔軟性等を考慮して最適な構造を選択すれば良い。
次に、本発明に適用可能なウェーハリングについて説明する。
図４９は、半導体ウェーハを搭載したウェーハリングの斜視図及び斜視図のＪ−Ｊ線に沿う部分の断面図である。粘着性テープ２４は、ウェーハリング３５に貼り付けられており、個片化された半導体ウェーハは、粘着性テープ２４に貼り付けられている。ウェーハリング３５と粘着性テープ２４は、半導体ウェーハ１の裏面研削工程で用いられるものである。ここで粘着性テープ２４は、個片化された半導体ウェーハの外周部から突出しウェーハリングの径と同等程度のサイズが好ましい。裏面研削後に半導体チップ１に接着剤層が貼り付けられる。
半導体ウェーハ１から粘着性テープ２４を剥離する際には、ウェーハリング３５に貼り付けられている粘着性テープ２４の外周部に剥離用テープを接着し、この剥離用テープを剥離爪で掴み、半導体チップ１の吸着面と平行な方向に引いて剥離する。もしくは粘着性テープ２４の端部を剥離爪２１で直接掴み、半導体チップ１の吸着面と平行な方向に引いて剥離する。そして、まずウェーハリング３５から粘着性テープ２４を剥離し、続いて、半導体ウェーハを剥離する。その後、ピックアップ工程に進む。
これによって、半導体チップ１から粘着性テープ２４を剥離するのに必要な力を非常に小さくできるので、半導体チップ１のサイズが小さい場合や、半導体チップ１の素子形成面の表面保護膜と粘着性テープ２４との密着性が非常に高い場合及び半導体チップ１の表面に大きな凹凸がある場合等でも、比較的容易に剥離できる。従って、剥離不良となって外周部の半導体チップ１が粘着性テープ２４に接着されたまま残存することはない。
次に、図５０乃至図５４を参照して本発明の第８の実施の形態を説明する。
この実施形態の特徴は、個片化された半導体チップで構成された半導体ウェーハであって、その素子形成面とは逆の面の全面に形成された接着剤層と、その素子形成面上に成膜された低誘電率絶縁膜（通常、low-k膜と呼ばれる）と、を有する半導体ウェーハを取り扱う点にある。
低誘電率絶縁膜の材料として、例えば半導体装置に用いられる場合では、シリコン酸化膜（比誘電率３．９〜４．１）よりも比誘電率が低いフッ素添加シリコン酸化膜（３．４〜３．７）が広く用いられている。
低誘電率絶縁膜は、２種類の材料に分類できる。第１の種類は、シリコン酸化膜（比誘電率３．９〜４．１）の密度を下げていくことにより比誘電率を下げた材料であり、ＭＳＱ（Methyl Silsesquioxane：ＣＨ３−ＳｉＯ１．５（比誘電率２．７〜３．０））、Ｈ（Hydrogen Silsesquioxane：Ｈ−ＳｉＯ１．５（比誘電率３．５〜３．８）、ポーラスＨＳＱ（Ｈ−ＳｉＯＸ（比誘電率２．２））、ポーラスＭＳＱ（ＣＨ３−ＳｉＯ１．５（比誘電率２．０〜２．５）などがあり、いずれも塗布法による。プラズマＣＶＤ法によるものとして有機シリカ（ＣＨ３−ＳｉＯ１．５（比誘電率２．５〜３．０）などがある。この実施形態において、low-k膜といわれる低誘電率絶縁膜は、その比誘電率が３．９未満のものをいう。第２の種類として有機膜中で低い分極率を有する材料である。例えばＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene（比誘電率２．１））、ＰＡＥ（Polyarylether：比誘電率２．７〜２．９）、ポーラスＰＡＥ（比誘電率２．０〜２．２）、ＢＣＢ（Benzocyclobutene：比誘電率２．６〜３．３）などがある。これらはいずれも回転塗布などの塗布法により成膜可能である。
図５０（ａ）は、この実施形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、図５０（ｂ）は（ａ）の斜視図のＫ−Ｋ線に沿う部分の断面図、図５１は、この実施の形態における半導体製造装置を用いて実施される、粘着性テープの剥離工程、接着剤層および低誘電率絶縁膜の切断および溶融工程並びに半導体チップのピックアップ工程を説明する工程断面図である。
図５０に示す半導体ウェーハは予め半導体チップ３８に個片化されており、素子形成領域とは逆の面に接着剤層３９が形成されている。素子は樹脂により封止されており、この封止樹脂に接して低誘電率絶縁膜２１０が成膜されており、低誘電率絶縁膜２１０に接するように粘着性テープ３４が半導体ウェーハの素子形成面の全面に被覆されている。
図５１に示すように、まず、保持テーブル３３上で吸引装置により直接的に半導体ウェーハを吸着固定しながら、剥離爪３１と補助プレート３２を用いて半導体ウェーハ表面から粘着性テープ３４を剥離する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、粘着性テープ３４の剥離状態で各多孔質ブロックの配管系統を切り換えて粘着性テープを剥離する（図５１（ａ））。引き続き、レーザやブレードなどの切断手段７５を用いて接着剤層３９をチップサイズに切断する。その際、半導体ウェーハは、２分割以上された多孔質材で２系統以上の真空配管に分かれているテーブルに真空固定し、切断状況に合わせて各多孔質ブロックの配管系統を切り換えながら接着剤層３９を切断する（図５１（ｂ））。接着剤層３９の各切断に並行して、または接着剤層３９の切断後に、低誘電率絶縁膜２１０の周縁部を溶融する。この実施形態では、２０°〜４０°の入射角θをもってレーザを低誘電率絶縁膜２１０の周縁部に照射する（図５１（ｃ））。これにより一端溶融した低誘電率絶縁膜２１０は元の温度に至るときに高い密着性で封止樹脂と固着する。この結果膜剥がれが生じにくい半導体チップが得られる。切断手段３５としてレーザを用いる場合は、この切断手段３５をそのまま使用すれば良い。
その後、個片化された各半導体チップ３８をウェーハ吸着部からピックアップする。ピックアップの開始直後は、吸着コレット３６を用いてその吸着力のみで各半導体チップ３８をピックアップする（図５１（ｄ））。ピックアップされた各半導体チップ３８は、リードフレームなどにボンディングされる。
以上のように、この実施形態によれば、上述したクラック・チッピングの防止に加え、各半導体チップの素子形成領域における封止樹脂と高い密着性をもって溶着した低誘電率絶縁膜を有する半導体装置を得ることができる。この実施形態の効果を図５２および図５３を参照して説明する。図５２（ａ）〜図５２（ｄ）、図５３は比較例の模式図であり、図５４は本実施形態の効果を示す模式図である。図５２（ａ）は、ブレードを用いて半導体ウェーハから個片化された従来の半導体チップの端部拡大図であり、図５２（ｂ）は図５２（ａ）のチップにサーマルサイクルテスト（Thermal Cycle Test：以下、単にＴＣＴという）を５００回行なった後の端部拡大図である。また、図５２（ｃ）は、レーザを用いて半導体ウェーハから個片化された従来の半導体チップの端部拡大図であり、図５２（ｄ）は図５２（ｃ）のチップにＴＣＴを同様の５００回行なった後の端部拡大図である。ブレードを用いた場合は、図５２（ａ）に示すように切断直後は良好な状態であっても、図５２（ｂ）に示すようにＴＣＴの後では多数の水泡が発生しており、微小なクラックが多数存在することが判明した。レーザを用いた場合では、ＴＣＴ後の異常は見られないが、図５２（ｄ）および図５３の平面図に示すように、低誘電率絶縁膜の破壊が確認された。本実施形態の溶融工程を経た場合は、図５４の平面図に示すように、剥離が無い良好な低誘電率絶縁膜が確認された。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、その技術的範囲内で種々に変形することが可能である。また、これら実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、第８の実施の形態では、半導体ウェーハが半導体チップに予め個片化されており、素子形成面の全面を粘着性テープ３４が被覆しており、かつ、裏面の全面に接着剤層３９が形成されている場合について説明したが、低誘電率絶縁膜の溶融工程は、この形態に限ることなく、個々の半導体チップの裏面にそれぞれ接着剤層が形成されていて接着剤層を切断する必要が無い場合にも勿論適用可能である。また、半導体ウェーハが未だ半導体チップに個片化されていない場合であっても、上述した低誘電率絶縁膜の溶融工程は、半導体ウェーハの個片化工程の後に、または個片化工程に並行して適用することができる。
（ａ）は本発明の第１の実施の形態で用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＡ−Ａ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第１の実施の形態にかかる半導体製造装置の概略構成を示す斜視図である。 （ａ）は図２に示す半導体製造装置の剥離機構及びピックアップ機構で用いられるウェーハ吸着部の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３Ｈ−３Ｈ線に沿う部分の断面図である。 図２に示す半導体製造装置のウェーハ吸着部と個片化された半導体ウェーハとの位置関係を説明する平面図である。 図２に示す半導体製造装置が備える、粘着性テープの剥離機構を説明する断面図である。 図２に示す半導体製造装置が備える補助プレートの構成例を説明する断面図及び他の構成例を示す断面図である。 図２に示す半導体製造装置が備える、半導体チップのピックアップ機構を説明する断面図である。 図２に示す半導体製造装置が備える、半導体チップのピックアップ機構の他の構成例を説明する断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係るピックアップした半導体チップの実装工程を説明する概略斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るピッカーを説明する斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフリップチップボンダを説明する斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るフィルム接着ボンダを説明する斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係るインナーリードボンダーを説明する斜視図及び断面図である。 （ａ）は本発明の第２の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＢ−Ｂ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第２の実施の形態における剥離工程からピックアップ工程までを説明する工程断面図である。 （ａ）は本発明の第３の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＣ−Ｃ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第３の実施の形態による剥離工程及びピックアップ工程を説明する工程断面図である。 （ａ）は本発明の第４の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＤ−Ｄ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第４の実施の形態による剥離工程からピックアップ工程までを説明する工程断面図である。 （ａ）は本発明の第５の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＥ−Ｅ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第５の実施の形態による剥離工程からピックアップ工程までを説明する工程断面図である。 （ａ）は本発明の第６の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＦ−Ｆ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第６の実施の形態による剥離工程からピックアップ工程までを説明する工程断面図である。 （ａ）は本発明の第７の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＧ−Ｇ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第７の実施の形態による剥離工程からピックアップ工程までを説明する工程断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２６Ｈ−２６Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２７Ｈ−２７Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２８Ｈ−２８Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の２９Ｈ−２９Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３０Ｈ−３０Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３１Ｈ−３１Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３２Ｈ−３２Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３３Ｈ−３３Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３４Ｈ−３４Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３５Ｈ−３５Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３６Ｈ−３６Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３７Ｈ−３７Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３８Ｈ−３８Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の３９Ｈ−３９Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４０Ｈ−４０Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４１Ｈ−４１Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４２Ｈ−４２Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４３Ｈ−４３Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４４Ｈ−４４Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４５Ｈ−４５Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４６Ｈ−４６Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４７Ｈ−４７Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は図３に示すウェーハ吸着部の構成例とは異なる別の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の４８Ｈ−４８Ｈ線に沿う部分の断面図である。 （ａ）は本発明において用いられる半導体ウェーハを搭載したウェーハリングの一例の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＪ−Ｊ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第８の実施の形態に用いられる半導体ウェーハの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図のＫ−Ｋ線に沿う部分の断面図である。 本発明の第８の実施の形態による粘着性テープの剥離工程、接着剤層および低誘電率絶縁膜の切断および溶融工程並びに半導体チップのピックアップ工程を説明する工程断面図である。 本発明の第８の実施の形態の比較例を示す模式図である。 本発明の第８の実施の形態の比較例を示す平面図である。 本発明の第８の実施の形態の効果を示す平面図である。 半導体チップを粘着性テープからピックアップする際の従来のピックアップ装置の主要構成部の拡大断面図である。 半導体チップの厚さが１００μｍ以下の場合のクラックについて説明する半導体チップの断面図及び平面図である。 半導体チップの厚さが１００μｍ以上の場合のクラックについて説明する半導体チップの断面図及び平面図である。
符号の説明
１、３０、４０、５０、６０、７０、８０：半導体チップ
２：ウェーハ吸着部
２−１〜２−７：吸着エリア
３、３３、４３、５３、６３、７３、８３：保持テーブル
４：ＴＶカメラ
５：リードフレーム供給部
６：リードフレーム搬送装置
７：ペースト供給装置
８：ボンディングツール
９：リードフレーム収納部
１０、３６、５６、６６、７６、８６：吸着コレット
１１：位置修正ステージ
１２：ボンディングヘッド
１３：リードフレーム
１４：導電性ペースト
１５：トレイ
１６：実装基板
１７：フィルム基板
１８：ＴＡＢテープ
１９ａ、１９ｂ：加熱ツール
２０：吸引装置
２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１：剥離爪
２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２：補助プレート
２３−１〜２３−７：接続孔
２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４：粘着性テープ
２５Ａ、２５Ｂ：真空配管
２６−Ａ〜２６−Ｇ：切換弁
２７Ａ、２７Ｂ：バキュームポンプ
２８、３０：プレート
２９、３９、４９、５９、６９、７９、８９：接着剤層
３５：ウェーハリング
２１０：低誘電率絶縁膜（low-k膜）

Claims (24)

  1. 裏面に接着剤層が貼り付けられた複数の半導体チップで構成され個片化された半導体ウェーハの素子形成面の上に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  2. 裏面全面に接着剤層が貼り付けられて個片化された半導体ウェーハの素子形成面の上に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記接着剤層を切断する切断手段を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  3. 裏面全面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハの素子形成面の上に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記半導体ウェーハを切断して個片化するとともに前記接着剤層を切断する切断手段を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  4. 前記半導体ウェーハは、前記素子形成面に形成された封止樹脂と、この封止樹脂に接して成膜された低誘電率絶縁膜とを有し、
    前記粘着性テープは、前記封止樹脂及び前記低誘電率絶縁膜を介して前記半導体ウェーハの前記素子形成面上に接着され、
    前記低誘電率絶縁膜及び前記封止樹脂の一部を溶融固着させる加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体製造装置。
  5. 前記低誘電率絶縁膜は、２０度から４０度の入射角で前記半導体チップの周縁部に入射するレーザにより溶融されることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。
  6. 素子形成面に接着剤層が貼り付けられた複数の半導体チップから構成されて個片化された半導体ウェーハの素子形成面に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  7. 半導体ウェーハの素子形成面に接着剤層を介して接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記接着剤層及び前記半導体ウェーハを半導体チップ形状に切断する切断手段を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  8. 個片化された半導体ウェーハの素子形成面に接着剤層を介して形成された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記接着剤層を切断する切断手段を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着し、
    前記接着剤層の切断状況に合わせて前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  9. 半導体ウェーハの素子形成面に接着された粘着性テープを剥離する剥離機構を具備し、
    前記剥離機構は、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材で前記半導体ウェーハを吸着固定する吸着部を有し、且つ前記半導体ウェーハを切断して個片化する切断手段を有し、
    前記吸着エリアの各々に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを吸着する第１系統及び第２系統の真空配管をさらに有し、前記粘着性テープの剥離位置にしたがって前記第１系統の真空配管と前記第２系統の真空配管とを吸引エリア毎に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着する、
    半導体製造装置。
  10. 前記真空配管の切り換えは、前記粘着性テープの剥離が隣接する前記吸着エリアに達する付近で行われることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の半導体製造装置。
  11. 前記粘着性テープは、ウェーハリングに貼り付けられることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体製造装置。
  12. 前記粘着性テープは、前記個片化された半導体ウェーハの外周部と等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体製造装置。
  13. 前記粘着性テープの剥離終了後に、前記吸着コレットで個々の半導体チップを吸着してピックアップする吸着コレットをさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の半導体製造装置。
  14. 裏面に接着剤層が貼り付けられた複数の半導体チップから構成され個片化された半導体ウェーハの上に接着された粘着性テープを剥離する工程を具備し、
    前記粘着性テープを剥離する工程は、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープの剥離方向に沿った剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含む、
    半導体装置の製造方法。
  15. 個片化され、裏面全面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハの上に接着された粘着性テープを剥離する工程と、
    前記粘着性テープを剥離してから前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
    前記粘着性テープを剥離する工程は、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープを剥離方向に沿って剥離し、前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
    前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
    半導体装置の製造方法。
  16. 裏面全面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハの上に接着された粘着性テープを剥離する工程と、
    前記粘着性テープを剥離してから前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
    前記粘着性テープを剥離する工程は、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
    前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、半導体装置の製造方法。
  17. 前記半導体ウェーハは、前記素子形成面に形成された封止樹脂と、この封止樹脂に接して成膜された低誘電率絶縁膜とを有し、
    前記粘着性テープは、前記封止樹脂及び前記低誘電率絶縁膜を介して前記半導体ウェーハの前記素子形成面の上に接着され、
    前記低誘電率絶縁膜及び前記封止樹脂の一部を溶融固着させる加熱工程をさらに備えることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  18. 個片化された半導体ウェーハの素子形成面に接着剤層を介して接着された粘着性テープを剥離する工程と、
    前記粘着性テープを剥離してから前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
    前記粘着性テープを剥離する工程は、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
    前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、半導体装置の製造方法。
  19. 素子形成面に接着剤層がそれぞれ貼り付けられた複数の半導体チップで構成され個片化された半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する工程を具備し、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。
  20. 素子形成面に接着剤層が貼り付けられた半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する工程と、
    前記粘着性テープを剥離してから前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層を半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
    前記粘着性テープを剥離する工程は、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
    前記半導体ウェーハ及び前記接着剤層の切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、
    半導体装置の製造方法。
  21. 半導体ウェーハに接着された粘着性テープを剥離する工程と、
    前記粘着性テープを剥離してから前記半導体ウェーハを半導体チップ毎に分離するように切断する工程と、を具備し、
    前記粘着性テープを剥離する工程は、
    前記粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも２つの吸着エリアに分離された多孔質材を介して、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第１系統及び第２系統の吸引経路で前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、
    前記粘着性テープの剥離順序が前である隣接する吸着エリアの粘着テープが剥離されたときに、前記第１系統の吸引経路から、前記吸着エリアの各々に対応して設けられた第２系統の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、を含み、
    前記半導体ウェーハの切断は、その切断状況に合わせて前記第１系統の吸引経路から前記第２系統の吸引経路へ切り換える制御と並行に行われる、半導体装置の製造方法。
  22. 前記ウェーハ吸着部における前記個片化された半導体ウェーハの吸着面は、多数の透孔を有することを特徴とする請求項１４、１５、１７乃至１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  23. 前記個片化された半導体ウェーハにそれぞれ対応する吸着穴を有するプレートを前記ウェーハ吸着部の吸着面と前記個片化された半導体ウェーハとの間に介在させる工程をさらに具備することを特徴とする請求項１４、１５、１７乃至１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  24. 前記粘着性テープの剥離終了後に、吸着コレットで個々の半導体チップを吸着してピックアップする工程をさらに具備することを特徴とする請求項１４乃至２３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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