JP2004165616A - レーザーデバイスの劈開面を加工する方法及びレーザーデバイス - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 117
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 117
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 10
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N [C].[C] Chemical compound [C].[C] IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
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Abstract
【解決手段】基板及びその基板の第1の面に形成された少なくとも1つのGaN−ベースの層を有しているレーザーデバイスにおいて劈開面を加工する方法であって、下記の工程: 前記基板の第2の表面に線状の溝を切り込み、その際、前記基板の垂直面に前記溝を位置合わせする工程、及び 前記基板及び前記少なくとも1つのGaN−ベースの層を前記垂直面に沿って劈開する工程を含み、かつ前記切り込み工程を外部のレーザー源からレーザービームによって行う加工方法。
【選択図】 図1(a)
Description
技術分野
本発明は、GaN−ベースのレーザーデバイスの加工に関する。さらに詳しく述べると、本発明は、そのようなレーザーデバイスにおいてミラー劈開面を形成する方法に関する。
発明の背景
例えばGaNのような金属窒素化物やその他のIII−V族半導体をベースとしたダイオードは、商業的に非常に大きな興味がもたれている。これらのダイオードは、可視光及びUV光の適用ならびに高密度データ貯蔵システムの分野のおいて広範囲で使用されかつ潜在的な用途を有している。一般的に、このようなダイオードは、光スペクトルの青色領域で操作されている。
【0002】
これらのレーザーダイオードは、通常、サファイア基板の上にGaNベースの半導体からなる多数の薄膜を積層することによって加工されている。このようなダイオードの作製において、C−面とA−面とが、サファイア基板で使用されている主たる配向である。
【0003】
例えばレーザーダイオードのような半導体デバイスにおいて誘導発光を発生させるため、一対の光学的劈開面を含ませかつ発光領域の2つの側面で光を反射させ、劈開面の間で共振器を形成することが要求されている。
【0004】
これらの劈開面(ミラー)は、レーザーキャビティの端部において形成されている。劈開面は、通常、ドライエッチングによって形成されているか、さもなければ、好ましくは、サファイア基板あるいはGaN層を劈開することによって形成されている。レーザーダイオードにおいて劈開面を形成するためには、光学的モードが含まれるべき領域において平滑かつ垂直な劈開面が存在することが必要である。この領域は、通常、エピタキシャル成長層に限られている。エピタキシャル成長層を横断するようにして平滑かつ垂直の両方を具えた劈開面を形成するため、基板及びエピタキシャル成長層の結晶構造が垂直な面を有していなければならない。
【0005】
理想的には、GaN層の結晶面に沿って劈開が行われ、レーザーにおける光の伝達方向に対して垂直な平滑な劈開面が作られる。
【0006】
一般的に、劈開は、サファイア基板の背面(すなわち、基板上にGaN層が形成されていない側面)を切り込むことによって達成される。この切り込みは、通常、サファイア基板に細長い溝を形成するためにダイシングソー又はスクライバを用いて行われる。よって、これらの溝のトラフが劈開点となる。
【0007】
サファイアを劈開するのは容易ではない。劈開を達成するためには、サファイア基板を約100μmまで(約350〜400μmから)薄くすることが一般的に必要である。また、サファイア基板の劈開面をGaN層の劈開(結晶)面に整合させるならば、劈開がより容易となり、より良好な製品が得られるであろう。しかし、溝の切り込みを行う前(例えば、ダイシングソー又はスクライバを使用して)、サファイア基板の劈開面をGaN層のそれに整合させる(あるいは、位置合わせする)ことはしばしば困難である。GaN層の結晶面は、サファイアの結晶面にうまく整合しないのが一般的である。上記したように、劈開の後、基板の劈開面をGaN層の劈開面にうまく位置合わせできないことが起こり得る。これらの問題点を克服するためには、劈開面の研磨も含めて、時間のかかる追加の加工工程がしばしば必要となる。
【0008】
上述のような劈開面から形成されるミラーの品質を改良するため、高反射率のコーティングを被覆することが使用されている。また、反応性イオンエッチング(RIE)及び反応性イオンビームエッチング(RIBE)のようなドライエッチング法もまた利用されている。これらの方法は、機械研磨に依存することの必要性を伴うことなく劈開面を平滑にするために使用されている。しかし、これらのエッチングプロセスは時間がかかり、かつ実施が困難であることが分かっている。
【0009】
製造や異方性劈開面の形成がより容易であるため、ドライエッチングによって形成した劈開面に較べて劈開レーザーミラーがより有利である。さらに、劈開面の場合には、ミラー形成のためのドライエッチングが不要である。
【0010】
劈開あるいはエッチングによって形成したGaN/空気面に依存したレーザーダイオードの場合、外部からの光学的フィードバックに対する感度が非常に大である。光反射性の劈開面を形成する際の1つの重要な問題点は、GaNの屈折率(400nmで)が低いことである。このような問題点があると、ミラーの反射率が著しく低下せしめられるばかりか、任意の界面粗さ(通常、化学的にドライエッチングした面及び劈開面)によってさらに低下せしめられることが可能である。劈開面の表面粗さが約20nmである場合、レーザーモードの反射率が一桁の大きさで低下せしめられるということが判明した。
【0011】
GaAs/InP基板上に形成された常用のレーザーデバイスは、良好に規定された結晶面([110]及び[1−10])に沿って劈開を容易に行うことができるので、主として劈開法によって加工されている。その結果、レーザー共振器のキャビティにおいて高度に異方性でありかつ平滑な劈開面を得ることができる。しかし、サファイア基板上にGaNベースのエピタキシャル成長層(エピ層)を良好に劈開できることは非常に困難なことである。サファイア基板の劈開面は、GaN層の劈開面と一致しないことが一般的であるからである。
【0012】
したがって、本発明は、例えばサファイアのような基板上でGaN層を劈開するための改良された方法に向けられている。
発明の概要
本発明の第1の面に従うと、基板及びその基板の第1の面に形成された少なくとも1つのGaN−ベースの層を有しているレーザーデバイスの劈開面を加工する方法であって、下記の工程:
前記基板の第2の表面に線状の溝を切り込み、その際、前記基板の垂直面に前記溝を位置合わせする工程、及び
前記基板及び前記少なくとも1つのGaN−ベースの層を前記垂直面に沿って劈開する工程
を含み、かつ前記切り込み工程を外部のレーザー源からレーザービームによって行うことを特徴とする加工方法が提供される。
【0013】
前記基板は、一般的にサファイアから形成される。C−面サファイアがとりわけ有利である。
【0014】
前記垂直面は、好ましくは、m−面(1−100)及びa−面(1−120)の1つもしくはそれ以上から選ばれる。a−面(1−120がとりわけ有利である。
【0015】
前記基板の厚さは、約400μm未満であることことが一般的であり、好ましくは、約350μmと約400μmの間である。
【0016】
前記の線状(リニア)の溝は、約40μm〜約100μmの深さまで切り込むことが一般的である。これらの溝を約50μm〜約80μmの深さまで切り込むのがとりわけ有利である。
【0017】
前記した線状の溝の深さは、レーザービームの強度、溝上におけるレーザービームの走査速度及び溝上におけるレーザービームの走査回数を含めた方法パラメータを変更することによって制御してもよい。その他の方法パラメータを操作して溝の深さを制御することもできる。
【0018】
前記レーザービームは、前記基板の第2の表面に1/e2の密度で20μm〜30μmの半径以内で集束させることができる。レーザービームの平均出力は、好ましくは、約1.4Wである。一般的に、レーザービームの繰り返し率(repetition rate)は、約2kHzから約5kHzである。レーザービームのパルス幅は、約5ns〜約30nsであるのが有利である。
【0019】
前記レーザービームは、所望とする深さをもった溝の形成を助けるため、前記基板の第2の表面で任意の回数にわたって走査を行ってもよい。所望とする深さを達成するため、約1mm/秒の速度で2〜12回にわたって走査を行うことが一般的に適当であるということが判明した。
【0020】
基板(前記したようなもの)の第1の面(上方の表面)には、少なくとも1つのGaN−ベースの層が形成される。多数個のGaN−ベースの層がサファイア基板上に形成されるのが有利である。多数個のGaN−ベースの層は、GaN/InGaN/AlGaN層を包含してもよい。これらのGaN−ベースの層は、エピタキシャル法に基づく横方向の過成長(ELOG)技術を使用して形成することができる。
【0021】
本願明細書の全体を通じて、文脈に特に断りを入れた場合を除いて、「含む(単数)」なる語あるいはその変化形である、例えば「含む(複数)」あるいは[含んでいる」なる語は、記載した要素(素子)、整数もしくは工程(ステップ)、あるいは一群の要素、整数もしくは工程を包含することを意味していること、ただし、これらの語によって任意のその他の要素、整数もしくは工程あるいは一群の要素、整数もしくは工程が排除されるものではないことを理解されたい。
【0022】
本願明細書では、文献、行為、材料、デバイス、物品(製品)等についてのいろいろな記載が含まれているが、これらの記載は、本発明についてのある面を説明することだけが目的である。これらの記載事項について、それらの任意のものあるいは全体が従来技術の根拠の一部を構成するものではないこと、あるいは、この出願の各請求項の優先権主張日の前において本発明に関連する技術分野において通常の一般的な知識として存在していたものではないことが理解されるべきである。
【0023】
本発明をさらに明りょうに理解できるようにするため、従来技術及び本発明の好ましい形態を下記の図面及び実施例を参照して説明することにする。
図面の簡単な説明
図1(a)は、本発明方法の好ましい1態様によって形成されたサファイア劈開面の光学顕微鏡写真である。図示の光学顕微鏡写真において、レーザーの出力は1.4Wであり、走査速度は1mm/分であり、レーザービームの繰り返し率は3kHzであり、そして走査実施回数は4回であった。光学顕微鏡写真が示しているように、劈開面には2つの独立した領域(A及びB)がある。領域Aは、(高出力下での構造体の燃焼によって)暗く見えるレーザーカット領域である。領域Bは、劈開された領域であって、劈開面がぎざぎざしていないことがわかる。
【0024】
図1(b)は、図1(a)に示したサファイア劈開面の領域AのAFM顕微鏡写真である。領域Aは、そのr.m.s.粗さが240nmである。
【0025】
図1(c)は、図1(a)に示したサファイア劈開面の領域BのAFM顕微鏡写真である。領域Bは、そのr.m.s.粗さが19nmである。
【0026】
図2(a)及び図2(b)のグラフは、ELOGaN上に成長させたレーザー構造体について、そのマイクロ−PLスペクトルを示したものである。スペクトルは、室温で、He−Cdレーザーの325nmラインを使用して記録したものである。
【0027】
図3(a)及び図3(b)は、異なる偏光条件下、サファイア基板の表面におけるラマンスペクトルを示したものである。
【0028】
図3(c)及び図3(d)は、サファイア基板のレーザーカット領域及び劈開領域のそれぞれにおけるラマンスペクトルを示したものである。
【0029】
図4(a)〜図4(e)は、下記の「図面の簡単な説明」の欄に記載する通りである。
実施例
実験方法
裸(未加工)のサファイア基板、GaN/サファイア及びサファイア上のELOG構造体を使用して実験を行った。この研究では、ESIマイクロビアドリルM5200システムを、355nmで運転するNd:YAGパルスレーザーのQスイッチ第3調和とともに使用した。レーザー光をサンプル表面に、25μmの半径内(1/e2の密度で)に集束させた。この研究において、レーザービームの平均出力及び繰り返し率は、それぞれ、1.4W及び3kHzであった。パルス幅は、約20nsであった。
【0030】
ESIレーザー加工システムにおいて、レーザー光学系でレーザービームを管理し、そのレーザービームをレーザーレールから、マシーンの作用面上に真空によって保持されているサンプルまで集束させる。軸交差式のレーザービーム位置決め装置は、リニアステージとスキャナとからなっている。スキャナとリニアステージ用モータの移動は、電子コントロールシステムによって調整されている。スキャナとリニアモータのどちらも連続的に移動し、サンプル上において特定のX−Yパターンが達成される。劈開面の粗さに対するレーザー切り込み深さの影響を研究するため、1mm/秒の速度で約2〜12回にわたってサンプル上での走査を実施した。
【0031】
レーザーによる切り込み(レーザーカット)のため、所望とする平面度及び平行度に調整されているサンプルホルダー上にサンプルを載置し、背面サファイアの基底面がレーザービームに対して正確に垂直となりかつその表面に対して均一な露光が施されるようにした。切り込み速度は、機械的な調整によってコントロールすることができる。この加工中、レーザービームによって摩擦、空間的シフト又は振動が引き起こされないようにするため、広範な注意を払った。スムースな劈開面を得るため、レーザーの出力、切り込み速度、そして領域のr.m.s.粗さを最適化した。
【0032】
信頼性のある劈開を得るためには、c−面サファイアを50〜100μmまで切り込むので十分である。サファイアをできる限り薄くしなくてもよいため、サファイアにおけるクラック発生の問題が軽減される。第2に、50〜80μmの範囲でスタートする劈開の場合、角度面でのミスアライメントを無視することができ、また、GaNのC−面に沿った破断が伝達されなくなる。そのために、これらの劈開面を使用してレーザーを容易に加工することができる。この方法で形成した劈開面は、ツァイス社の光学顕微鏡を使用して観察した場合、光学的に平滑であると認められる。300μm〜2mmの幅をもったレーザーバーの劈開面で、光学顕微鏡を使用した測定を実施した。
【0033】
表面トポグラフィ(凹凸形態)を、SiNチップとコンタクトモードで運転されるトポメトリックス(Topometrix)原子間力顕微鏡(AFM)のセットアップを使用して画像として撮影した。514.5nmラインのアルゴンイオンレーザーを使用して、空間的に解像された室温ラマン散乱によって劈開面の特徴付けを行った。液体窒素冷却式のCCD検出器に取り付けられたJY−T64000トリプルモノクロメータシステムを通じて散乱光を分散させた。ラマン測定中の正確度は0.2cm−1であり、横方向のスペクトルの解像度は1.0μmであった。劈開領域についてならびに劈開面のレーザー切り込み領域について、断面のラマン測定を実施した。CCD検出器に取り付けられた標準型Renishow2000マイクロラマン−PLのセットアップを使用したPL測定のため、325nmラインのHe−Cdレーザーを励起光源として使用した。散乱の幾何学に応じて、劈開面に対して垂直もしくは平行のいずれかにおいて励起を実施した。x(zz)x(A1)もしくはx(yz)x(E1)のいずれかに対応する複数の背面散乱幾何学において散乱光を検出した。ELOGサンプルの翼形(ウイング)領域及び窓形(ウインドウ)領域を走査したレーザー劈開面において、緩衝面から最上面までの(0001)方向に沿ってマイクロラマン測定を実施した。
結果と検討
GaNは、ウルツ鉱の結晶対称で結晶化し、次の空間群(スペースグループ)に分類される。
【0034】
【数1】
【0035】
サファイアは、次の空間群に分類される。
【0036】
【数2】
【0037】
サファイアの結晶構造は、ほぼ六方晶系の最密配置のO2−アニオンであり、正八面体の空隙の3分の2をAl3+カチオンが占有しているとして説明することができる。GaNのc−軸は、サファイア基板のC−面に対して垂直である。そのために、サファイアのC−面(0001)上に成長したGaNの場合、その薄膜のい面内配向は、GaN(11−20)||サファイア(1−100)であることが認められた。サファイアの単位セル内において、ウルツ鉱の底面の単位セルとより小さい六方晶系のセルとの間のミスマッチは、約14%である。底面サファイア上のAl原子のより小さいセルは、サファイアのより大きな単位セルから30°離れて配向し、実験的に認められるGaN配向と一致する。
【0038】
レーザーダイオードにおいて劈開面を形成するため、光学的モードが含まれるべき領域において平滑かつ垂直な劈開面が必要である。この領域は、通常、エピタキシャル成長面に限定されている。基板及びエピ層の結晶構造は、エピタキシャル成長面を横切って平滑かつ垂直面である劈開面を形成するため、垂直な面を有していなければならない。さらに加え、それと同一の面において、垂直な劈開面が存在していなければならない。底面(c−面)サファイアにおいて、{11−20}面(a−面)を垂直な劈開面として使用することができる。成長中に原子の整列が行われるので、サファイアのa−面は、それぞれ、GaNのa−面から30°離反せしめられる。そのために、サファイアのm−面{1−100}あるいはGaNのm−面のいずれか一方を劈開面のひとつとして使用しなければならない。サファイアのm−面にそって強制的に劈開を起こさせることが可能であるけれども、この面は、a−面に比較して、結合強度がわずかに大きいだけである。サファイアのa−面を使用して良好な劈開を生じせしめることが望ましい。これらの劈開面は、結合強度が最も悪い面とはならない。
【0039】
一般的に、{1−102}面(r−面)は、サファイアにとって好ましい劈開面であるとみなされている。しかし、これらの面は、基板の表面に対して垂直ではなく、したがって、良好なミラーを形成するものではない。サファイアは、a−面にそって強制的に破壊させることができるけれども、これらの面は、r−面に対して角度のある位置で接している。このことは、ひとつの劈開面からもうひとつの劈開面に至る結合(カップリング)が非常に容易に可能であり、したがって、400μm厚のサファイア上に成長したGaN構造体のソーイング(のこ切り)及び劈開の間にギザギザの劈開面が形成されるということを意味している。さらに加えて、ソーイング、スクライビング及び強制破壊/劈開を行った場合、GaN及びサファイア劈開面の配向間違いが発生することがしばしばである。劈開面の間のカップリングを防止するため、サファイア基板を劈開させる前、そのサファイア基板をラッピング(ラップ研磨)するかもしくは薄く加工することが一般的に必要である。350〜400μm厚のサファイア基板をソーイングもしくは劈開させる前、それらの基板を研磨して50〜80μmの薄さとしなければならない。剛さがあるので、薄くしたかもしくは研磨した後のサファイア基板はクラックを生じる可能性がある。
【0040】
ラッピングあるいは研磨を行うことに代えて、本発明の背面レーザーカット法を使用した。サファイア基板の背面で、高出力のUVエキシマレーザービームのアライメント及び集束を実施した。ビームの集束スポット径は、25μmであった。サファイア基板の(1−100)又は(11−20)方向のいずれかにそってビームを迅速に移動させ、レーザーの適用出力によってサファイアの切り込みをコントロールした。サファイアの切り込み深さをコントロールするため、強力なビームを同一の方向にそって3回/4回にわたって走査させた。この方法では、ビームの繰り返しの移動及び透過を機械的にコントロールすることができ(せん断力のフィードバックに同じ)、また、そのビームでもって50μmの深さまでサファイアを切り込むことができかつ、その際、レーザー構造体や活性領域に対してダメージが与えられることもない。背面カットの後、所望とする劈開面にそって((1−100)又は(11−20)方向のいずれかにそって)構造体が容易に劈開せしめられた。このようにして得られた劈開面は、垂直でありかつ平滑であった。劈開面の粗さをAFM法によって測定したところ、レーザーの出力によってr.m.s.が顕著に変動することがわかった。さらにまた、GaN構造体に向かってより深く透過するようにサファイアの背面上でレーザービームを走査する場合、その走査の回数とともに粗さも変動することがわかる。このことは、レーザーカットの頻度(n=1,2,3又は4)として表される。平滑な劈開面を得、かつより深くサファイアをカットするための条件を最適化するため、一連の測定を実施した。最初に、異なる配向にそってサファイアウエハをより深くカットし、残った構造体を劈開させた。サファイアウエハを、その背面から、レーザービームの出力及びレーザーカットの頻度を変更してカットした。サファイア基板のカット及び劈開後の領域についてAFM(原子間顕微鏡)測定を実施した。
【0041】
図1は、特定の条件下でカットし、さらに垂直劈開面を形成するために劈開を行ったサファイア劈開面の光学及びAFM顕微鏡写真を示したものである。これらの図面から、2つの別個の領域があることがわかる。レーザーカット領域は、暗色である(高出力下における構造体の燃焼によって黒くなっているため)。これらの領域は、カーボン(炭素)及び酸素によって被覆されていてもよい。劈開領域は、明色であり、劈開面のギザギザを伴わずにはっきりと確認することができる。
【0042】
【表1】
【0043】
第1表は、カット/劈開後のサファイアについて異なる位置でのAFM粗さ(5×5μm走査)を示したものである。サファイアのレーザーカット領域ならびに劈開領域について粗さの測定を実施した。サファイアの劈開面の3つの異なる領域について測定を実施し、この領域の平均r.m.s.粗さ(rav)は、異なる条件下で20〜250nmの範囲であることを評価した。最適化された条件下において、劈開後のサファイアは、そのr.m.s.粗さが20nm(5×5μm走査)であることがわかる。暗色のレーザーカット領域は、サファイアの燃焼やカーボン及び酸素汚染物質の付着があったために非常に粗くなっており、また、その際、r.m.s.粗さは150〜700nmの範囲で変動した。本発明者らが興味をもった領域は、サファイアの非常に平滑な劈開面を形成することのできた劈開後のサファイア領域であり、その領域の場合、配向間違いを伴うことなく劈開面を形成することができた。この手法をサファイア上のGaN層ならびにC−面(0001)サファイア上で成長させたGaN/InGaN/AlGaNベースのレーザーダイオードについて試験するため、一連の実験を実施した。それぞれの場合において、サファイアをその背面からカットする最適化された条件の下で3つの領域における劈開面の粗さを評価した。
【0044】
サファイア上に成長させたGaNレーザー構造体についてのAFM測定によってわかったところによると、サファイア劈開領域における劈開面粗さは48〜57nmの範囲でありかつGaN劈開領域におけるそれは40〜47nmの範囲である。このような機械的なカップリングは、劈開したサファイア及びGaNレーザー面の界面における僅かな量の表面粗さを通じて、かつ劈開力における僅かなミスアライメントに原因して、発生することができる。この方法によって、クラックが発生したり、そのクラックがレーザーダイオードの活性領域にまで電卓されることはなかった。光学的な測定を行うため、幅280〜500nmの肉薄ストライプ体状のレーザーバーを作製した。
【0045】
最後に、この方法を、最適化されたレーザーカット条件を使用してELOG上に成長させたレーザー構造体に対して適用した。2インチウエハから薄いレーザーバーを劈開し、これらの肉薄ストライプ体の幅を300〜800nmで変化させた。サファイアのレーザーカット領域の粗さは、燃焼に原因して表面汚染を生じたため、約120nmであった。しかし、サファイアの劈開領域が示したものは、40nm未満の粗さである。ELOG及びレーザー構造体の劈開領域における劈開面粗さは、20nm未満であり、劈開レーザーミラーについて今までに報告されている最良の結果のうちの1つであった。3種類の異なる構造体についての結果は、まちまちである。サファイアの劈開面は、非常に平滑である。サファイアを背面からレーザーカットし、レーザー構造体の残りの部分を劈開することによって形成された劈開面は、基板や成長条件に依存して粗さの変動を示している。ELOG上に成長させたレーザー構造体は、サファイア上に成長させたレーザー構造体に比較して、非常に平滑でありかつ垂直である。このことは、レーザー構造体の成長の異方性及びレーザーカット法の配向に関係しているものと推測される。
【0046】
これらの形態に対する光の影響を見るため、サファイアをその背面からレーザーカットすることによって形成された劈開面について、光学顕微鏡を使用した測定を実施した。劈開されたELOGaNの光学的性質をPL及びラマン散乱法を使用して調査した。合体領域の上の表面についてステップ状の終点を可視的に認めることができず、また、AFM顕微鏡写真は、この領域ではスクリュー成分のねじ込みによる転位(ディスロケーション)は存在しないことを示している。AFM分析の場合、純粋なエッジ転位が存在することを評価することができない。なぜなら、そのような転位は解像するのがより困難であるからである。劈開位置の断面におけるマイクロ−PLスペクトルは、図2に示す通りである。He−Cdレーザーの325nmラインを励起光源として使用した。このスペクトルにおいて理解されるように、364nmにおけるバンドエッジ遷移によってELO領域からの室温PLがピークとして現れている。この薄膜において黄色発光(YL)帯域が存在していないことは、ELO構造体の品質が高レベルであることを示している。過成長及びウインドウ領域からのバンドエッジPLは、ピークシフトが2.0nmであることを示している。ELOGaNで観察されたPLの赤色シフトは、ウインドウのGaNと比較した場合、2軸方向の歪みが緩和されていることと一致している。LEOGaNにおいて観察されたバンド−バンド遷移のライン幅は、歪みを有しない緩和環境下においてGaNの品質が改良されたことを示している。また、PLスペクトルにおいて、369nmのピークは、ドナーと組み合わさったバンドエッジ近傍の励起子由来の遷移に関連づけることもできる。バンドは、室温においてより幅広であり、良好に解像することができない。これらのバンドは、ELO領域において弱くかつ固有成長領域においてより強力である。ELOG上で成長したレーザー構造体から、400nm近傍において光学的ポンピングによるレーザー発光があることが観察された。活性層は、GaN/InGaN多量子井戸であり、また、AlxGa1−xNクラッド層と形成された劈開ミラー面は、垂直でありかつ平滑であった。
【0047】
劈開面の異なる位置において断面のラマン測定を実施した。それぞれの場合に、異なる偏光形状を使用した。図3は、劈開サファイア領域におけるラマンスペクトルを示したものである。強力なA1g及びE1gモードが418、578、そして750cm−1の近傍で観察された。379及び645cm−1の近傍におけるサファイアモードは断面幾何学において観察され、レーザーカット領域に比較して劈開領域において強度の向上のあることを示している。図4は、異なる偏光条件下、断面で観察した時の個々のELOGaNストライプ体のラマンスペクトルを示したものである。本発明者らが発見したところによると、すべてのフォノンが選択規則によって許容されている。GaNのA1(TO)、E1(TO)及びE2(TO)フォノンは、それぞれ、533、559及び568cm−1の近傍で観察された。GaNのE1(LO)モードは、741cm−1の近傍で観察された。本発明者らが観察したところによると、ピークシフトは2.0cm−1であり、また、GaN緩衝領域と比較した場合、ELO領域におけるE2(TO)フォノンのライン幅の変化は30%であった。本発明者らの推定によれば、歪みのテンソール成分は、過成長及びウインドウ領域において定量的である。ELO領域における歪みの緩和は、薄膜内におけるより小さい転位密度と関連している。すべてのスペクトルにおける主たる特徴は、533及び568cm−1の近傍におけるA1(TO)及びE2(TO)フォノンバンドである。これらのバンドは、ELO領域において狭いものであり、GaNの高度の結晶性を示している。A1(TO)及びE2(TO)モードのピーク位置を使用して、局部的な歪み分布を測定した。ELOGaNにおける偏光の破壊とより弱い禁制モードの観察を結晶学的チルト(傾斜)と組み合わさった幾何学における変化に関連付けることができる。転位の結束によってマスク上の過成長領域における結晶学的チルト(0.2〜1.0°)が引き起こされ、また、薄膜内におけるネジきり転位の全体的な低下が導かれる。ELOG成長中における<11−20>方向に向かったc−軸のウイングチルト、そして劈開誘導チルト(エピ層のa−面とサファイアのm−面のミスアライメント)の結果、断面の偏光測定値において禁制モードが発現する。マスク領域のすぐ上で禁制ラマンモードが観察された場合、マイクロ構造体における局部的な変化はスペクトルにおける対応の変化を生じ得るということを示している。
【0048】
ラマン測定の結果を劈開面の品質とともに作図(マッピング)を行うため、レーザー構造体の全劈開面についての測定を実施した。極性モードのラマン強度とライン幅が劈開面の結晶品質を表している。GaN構造体の強いフォノンモードは別として、AlxGa1−xNもまた観察した。GaN/InGaN活性層の場合、空間解像力に限界があるために作図を行うことができなかった。しかし、シャープな極性モードとそれらの強度の観察によって劈開面の品質が反映された。同様に、局所的な歪み分布から、面内歪みテンソール成分の値に引き続く変化が生じるということを示している。界面上4μmにおいて記録されたスペクトルの分析によって判明したところによると、ELO領域における2軸方向の歪みは0.46GPaであり、界面上8μmのところにおいて0.29GPaまで低下する。本発明者らが見出したところによると、マスク上のELO領域においては歪みの緩和がより迅速に進行する。ELOGaNの上(界面から12μm上)でありかつ表面に密着した劈開領域のおける測定値の場合、クラッド層に原因する材料組成の変化に由来して異なる挙動を示している。637,671及び832cm−1近傍におけるモードは、クラッド層内におけるAlxGa1−xNのTO及びLOモードと組み合わさることができる。モードの発現は、劈開面の品質を示している。劈開面の材料の品質は、アロイ状フォノンのラマン強度とライン幅から判定することができる。劈開面においていくつかの禁制モードが発現した場合、偏光の破壊を導くウイングチルトと組み合わさることができる。
【0049】
[0001]軸にそった背面散乱幾何学において、E2フォノンは、平行幾何学においてのみ許容されるA1(LO)フォノンとは対照的に、下記の両方の形状:
【0050】
【数3】
【0051】
において選択規則によって許容される。他方において、A1(TO)フォノンは、c−軸に対して垂直な背面散乱幾何学において具現される次の形状:
【0052】
【数4】
【0053】
によって観察することができる。ここで、GaNの[0001]及び[11−20]方向は、それぞれ、z軸及びx軸として使用した。特定の幾何学における禁制モードの非常に弱い強度を観察することから明らかになったことは、劈開面の間のミスアライメントが非常に小さいということである。さらに加えて、組成上の変動、歪みのよって誘起された位置ズレ、ウイングのチルト、そして断面の幾何学によって、偏光の選択規則の破たんが発生可能である。偏光幾何学にそってGaN劈開面を整列させることは非常に困難なことではあるけれども、偏光面を記録条件によって回転させることが可能である。劈開ELOG層について適当な幾何学と配向を選択した場合、禁制モードの強さが非常に弱くなり、垂直に劈開下面の存在を確認できる。また、本発明者らは、GaN/サファイアの劈開面を誘導結合高周波プラズマ(ICP)エッチングによって作製したドライエッチ劈開面と比較した。Cl2/BCl3ベースのICPエッチングによって作製した典型的な劈開面は、5°〜9°の傾斜を有し、また、GaN/サファイアの劈開面と比較した場合、比較的に粗面であった。
【0054】
エッチングによる劈開面を加工することについての第1の結論は、劈開面の粗さや傾斜をコントロールするためには異なるプラズマ条件(温度、ガスの組成、プラズマの密度及び加速電圧)を適用することが必要であるということである。また、エッチングによって劈開面を形成した後、なんらかのバックエンドプロセッシングによってデバイスの分離を行うことが必要である。
【0055】
当業者によって理解されるように、これらの特定の実施形態に示したような本発明には、広く記載された本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、種々の変更及び(又は)改良を加えることができる。したがって、本実施形態は、すべての面において説明を目的としたものであり、限定を目的としたものでないと、理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1(a)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたサファイア劈開面の光学顕微鏡写真である。
【図1(b)】図1(a)に示したサファイア劈開面の領域AのAFM顕微鏡写真である。
【図1(c)】図1(a)に示したサファイア劈開面の領域BのAFM顕微鏡写真である。
【図2(a)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体の劈開断面位置におけるマイクロ−PLスペクトルを示したグラフである。
【図2(b)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体の劈開断面位置におけるマイクロ−PLスペクトルを示したグラフである。
【図3(a)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体のサファイア基板の表面におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図3(b)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体のサファイア基板の表面におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図3(c)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体のサファイア基板のレーザーカット領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図3(d)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体のサファイア基板の劈開領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図4(a)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体について、x(..)−x配置されたサファイア基板上4μmの劈開ELOG領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図4(b)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体について、x(zz)−x配置されたサファイア基板上4μmの劈開ELOG領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図4(c)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体について、x(..)−x配置されたサファイア基板上8μmの劈開ELOG領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図4(d)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体について、x(..)−x配置されたサファイア基板上12μmの劈開ELOG領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
【図4(e)】本発明方法の好ましい1態様によって形成されたレーザー構造体について、x(zz)−x配置されたサファイア基板上12μmの劈開ELOG領域におけるラマンスペクトルを示したグラフである。
Claims (19)
- レーザーデバイスの劈開面を加工する方法であって、
前記デバイスが、基板及びその基板の第1の面に形成された少なくとも1つのGaN−ベースの層を有しており、
前記方法が、下記の工程:
前記基板の第2の表面に線状の溝を切り込み、その際、前記基板の垂直面に前記溝を位置合わせする工程、及び
前記基板及び前記少なくとも1つのGaN−ベースの層を前記垂直面に沿って劈開する工程
を含み、かつ前記切り込み工程を外部のレーザー源からレーザービームによって行うことを特徴とする加工方法。 - 前記基板がサファイアから形成されていることを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
- 前記サファイア基板がc−面サファイアから形成されていることを特徴とする請求項2に記載の加工方法。
- 前記垂直面が、m−面(1−100)及びa−面(1−120)の1つもしくはそれ以上から選ばれることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の加工方法。
- 前記垂直面がa−面(1−120)であることを特徴とする請求項4に記載の加工方法。
- 前記基板の厚さが約400μm未満であることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の加工方法。
- 前記基板の厚さが、約350μm〜約400μmであることを特徴とする請求項6に記載の加工方法。
- 前記溝が、約40μm〜約100μmの深さまで切り込まれることを特徴とする請求項6又は7に記載の加工方法。
- 前記溝が、約50μm〜約80μmの深さまで切り込まれることを特徴とする請求項8に記載の加工方法。
- 前記溝の深さが、レーザービームの強度、溝上におけるレーザービームの走査速度及び溝上におけるレーザービームの走査回数を含めた方法パラメータによって制御されることを特徴とする請求項8又は9に記載の加工方法。
- 前記レーザービームを1/e2の密度で約20μm〜約30μmの半径以内で前記基板の第2の表面に集束させることを特徴とする請求項10に記載の加工方法。
- 前記レーザービームの平均出力が約1.4Wであることを特徴とする請求項10又は11に記載の加工方法。
- 前記レーザービームの繰り返し率が、約2kHz〜約5kHzであることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の加工方法。
- 前記レーザービームのパルス幅が、約5ns〜約30nsであることを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の加工方法。
- 前記レーザービームを、前記基板の第2の表面で、約1mm/秒の速度で2〜約12回にわたって走査することを特徴とする請求項10〜14のいずれか1項に記載の加工方法。
- 前記少なくとも1つのGaN−ベースの層が、多数個のGaN−ベースの層を含むことを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の加工方法。
- 前記多数個のGaN−ベースの層が、GaN/InGaN/AlGaN層を含むことを特徴とする請求項16に記載の加工方法。
- 前記GaN−ベースの層が、エピタキシャル法に基づく横方向の過成長(ELOG)技術を使用して形成されることを特徴とする請求項16又は17に記載の加工方法。
- 請求項1〜18のいずれか1項に記載の加工方法によって形成された劈開面を有するレーザーデバイス。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SG200203864-4A SG130935A1 (en) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | Method of cleaving gan/sapphire for forming laser mirror facets |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004165616A true JP2004165616A (ja) | 2004-06-10 |
Family
ID=32823045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003182974A Pending JP2004165616A (ja) | 2002-06-26 | 2003-06-26 | レーザーデバイスの劈開面を加工する方法及びレーザーデバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7208096B2 (ja) |
JP (1) | JP2004165616A (ja) |
SG (1) | SG130935A1 (ja) |
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2002
- 2002-06-26 SG SG200203864-4A patent/SG130935A1/en unknown
-
2003
- 2003-06-25 US US10/602,714 patent/US7208096B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-26 JP JP2003182974A patent/JP2004165616A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7208096B2 (en) | 2007-04-24 |
US20040202217A1 (en) | 2004-10-14 |
SG130935A1 (en) | 2007-04-26 |
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