KR100998008B1

KR100998008B1 - 소자 형성용 기판의 제조방법 및 질화물계 반도체 레이저다이오드의 제조방법

Info

Publication number: KR100998008B1
Application number: KR1020070132449A
Authority: KR
Inventors: 성연준; 백호선
Original assignee: 삼성엘이디 주식회사
Priority date: 2007-12-17
Filing date: 2007-12-17
Publication date: 2010-12-03
Also published as: KR20090065029A; US8163579B2; US20090155945A1; JP4890484B2; JP2009147284A

Abstract

본 발명은 벽개면의 거칠기를 줄일 수 있는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, a-면 또는 m-면의 GaN 층이 주면으로 형성된 GaN 기판을 준비하는 단계; 상기 GaN 층 상에 복수의 레이저 다이오드 구조물을 형성하는 단계; 상기 GaN 기판을 식각하여 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정면을 따라 그루브(groove) 형태를 갖는 절단 기준선을 형성하는 단계; 및 상기 절단 기준선을 따라 절단하여, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정면과 일치하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 제공한다.

레이저 다이오드, 벽개면, 거울면, 습식식각

Description

소자 형성용 기판의 제조방법 및 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법{FABRICATION METHOD OF SUBSTRATE FOR FORMING DEVICE AND FABRICATION METHOD OF NIRTRIDE SEMICONDUCTOR LASER DIODE}

본 발명은 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 소자 형성용 기판의 제조방법 및 이를 이용하여 결정 방향면과 일치하는 거울면(벽개면)을 얻을 수 있도록 한 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다.

측면 발광(Edge emission)하는 구조의 반도체 레이저 다이오드에서는 활성층에서 캐리어의 재결합에 의해 형성된 광이 상기 반도체 레이저 다이오드의 측면에 형성되는 거울면에 의해 공진하여 레이징하게 된다.

일반적으로 거울면으로는 기판과 에피층의 단결정 벽개면(cleavage facet)을 사용하게 되는데, 이때 형성되는 거울면의 거칠기나 각도 등의 특성은 반도체 레이저 다이오드의 문턱 전류, 신뢰성 등의 주요한 특성을 좌우하게 된다.

결정면이 에피층의 결정면과 일치하는 동종기판을 사용하는 GaAs계, Si계, InP계 등의 반도체 레이저 다이오드는 대부분의 경우 에지 스크라이빙(edge scribing)과 브레이킹(breaking)을 사용하여 양질의 자연 벽개면을 얻을 수 있다.

그러나, 결정면이 에피층의 결정면과 일치하지 않는 이종기판을 사용하는 경우에는 상기의 자연 벽개면 형성이 어려워지며, 특히 사파이어 기판 상부에 GaN계 에피층이 적층된 경우, 상기 사파이어 기판과 GaN계 에피층의 결정면이 30˚어긋나게 성장되어 일반적인 방법으로는 벽개면을 형성하기가 힘들다.

즉, 결정 방향면과 일치하지 않는 거울면 형성은 벽개면의 거칠기를 증가시켜서 소자의 작동전류 값이 증가하는 요인이 되며, 거울면 형성 공정인 선긋기와 쪼갬(Notch and cleaving) 공정 적용시, 벽개면이 패턴의 안쪽으로 파고 들어가는 문제가 발생하여, 수율의 감소를 초래하게 된다.

한편, 종래, 질화물 반도체 레이저 다이오드는 c-면 GaN 기판 위에 구현되었다. 그러나, GaN 결정의 c-면(c-plane)은 극성면(polar plane)으로 알려져 있다. 따라서, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드 경우, c-면의 극성(polarization)에 의해 형성된 내부 전기장의 영향으로 전자(electron)와 정공(hole)의 결합확률이 감소될 수 있으며, 결국 상기 레이저 다이오드의 발광효율이 낮아질 수 있다.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 극성(polarization)을 갖지 않는 a-면(a-plane) 또는 m-면(m-plane) GaN 기판 위에 반도체 레이저 다이오드 구조물을 형성하고, 습식식각을 통해 결정면을 따라, 벽개면(거울면)을 형성함으로써, 벽개면이 거칠기를 감소시킬 수 있는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 제공하는 데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 극성(polarization)을 갖지 않는 a-면(a-plane) 또는 m-면(m-plane) GaN 기판에 습식식각을 적용하여 결정학적인 표면을 얻도록 한 소자 형성용 기판의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, a-면 또는 m-면을 주면으로 하는 GaN 기판을 준비하는 단계; 상기 GaN 기판의 주면을 마스킹 하는 단계; 및 상기 마스킹된 GaN 기판을 식각액에 적용하여, 결정학적인 표면을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 소자 형성용 기판의 제조방법을 제공한다.

상기 GaN 층의 습식식각은, 수산화칼륨(KOH) 식각액을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, a-면 또는 m-면의 GaN 층이 형성된 GaN 기판을 준비하는 단계; 상기 GaN 층 상에 복수의 레이저 다이오드 구조물을 형성하는 단계; 상기 GaN 기판을 식각하여 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정면을 따라 그루브(groove) 형태를 갖는 절단 기준선을 형성하는 단계; 및 상기 절단 기준선을 따라 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정면과 절단면이 일치하도록 절단하여, 레이저 다이오드의 거울면 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 제공한다.

상기 a-면 또는 m-면의 GaN 층이 형성된 기판을 준비하는 단계는, r-면 사파이어 기판을 준비하는 단계; 및 상기 r-면 사파이어 기판 상에 a-면 또는 m-면 GaN 층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

그리고, 상기 절단 기준선을 형성하는 단계는, 절단 기준선을 형성하고자 하는 영역이 노출되도록, 레이저 다이오드 구조물이 형성된 기판 상에 마스크를 적용하는 단계; 및 습식식각에 의해 상기 마스크를 통해 노출된 기판의 단면(c-면)이 결정면을 따라 식각되는 단계를 포함하여 이루어진다.

이때, 상기 습식식각은, 수산화칼륨(KOH) 식각액을 사용한다.

이와 같이, 본 발명은, a-면 또는 m-면을 주면으로 성장된 질화물계 반도체 레이저 구조물의 벽개면 형성시, 습식식각을 통해 절단 기준선을 형성함으로써, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정면이 벽개면이 되도록 하여, 벽개면의 거칠기를 감소시킨다.

즉, a-면 또는 m-면을 주면으로 하여 형성된 질화물계 반도체층은, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면이나 c-면이 그 단면을 형성하게 되는데, 질화물계 반도체층(예를 들면, GaN)은 습식식각에 의해 a-면 또는 m-면은 식각이 이루어지지만, c-면으 로는 식각이 이루어지지 않는다. 따라서, 식각액에 적용하게 되면, a-면 또는 m-면의 식각이 이루어지면서, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면이나 c-면의 결정면이 자연스럽게 단면으로 드러나게 된다.

따라서, 본 발명은 습식식각의 이러한 특성을 이용하여, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정면을 벽개면으로 형성하여, 그 거칠기를 감소시킨 것이다.

또한, 본 발명은, a-면 또는 m-면을 주면으로 하여 형성된 GaN 기판에서 c-면과 a-면(m-면)과의 습식식각 속도의 차이를 이용하여, 상기 GaN 기판을 식각함으로써, GaN 기판의 결정학적 표면 형성이 가능하도록 한다.

본 발명은, c-면의 질화물 반도체층을 벽개면으로 형성함으로써, 그 거칠기를 감소시켜, 작동전류를 줄인다.

또한, 본 발명은 벽개면 형성시, 패턴이 칩의 안쪽으로 파고 들어가는 것을 막아, 벽개면(거울면)의 제조수율을 향상시키고, 벽개면의 거칠기 감소에 따른 광효율을 더욱 향상시킨다.

또한, 본 발명은 결정학적인 표면을 갖는 GaN 기판을 제작할 수 있으며, 이에 따라,

이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 따른 소자 형성용 기판의 제조방법 및 이를 이용한 질화물계 반도체 다이오드의 제조방법에 대해 더욱 상세하게 설명한다.

도 1a ~ 도 1e는 본 발명에 따른 질화물계 반도체 다이오드의 제조방법을 나타낸 공정도이다.

우선, 도 1a에 도시된 바와 같이, r-면 사파이어 기판(110)을 준비한 후, 상기 r-면 사파이어 기판(110) 상에 GaN 기판(120)을 형성한다. 이때, 상기 r-면 사파이어 기판(110) 상에 형성되는 GaN 기판(120)은 a면(11-20) 또는 m-면(1-100)을 주면으로 형성된다.

즉, a-면(11-20) GaN 기판(120)을 형성한 경우, 그 단면은 각각 m-면(1-100)과 c-면(0001)이 되고, a-면(11-20)GaN 기판(120)을 형성한 경우, 그 단면은 각각 a-면(11-20)과 c-면(0001)이 된다.

이와 같이, r-면 사파이어 기판(110) 상에 비극성의 a-면(11-20) 또는 m-면(1-100) GaN 기판(120)을 형성한 이후에, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 GaN 기판(120) 상에 GaN계 반도체층들이 적층되어 이루어진 복수의 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)을 형성한다.

이때, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)은 a-면(11-20) 또는 m-면(1-100) GaN 기판(120) 상에 형성되므로, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)은 GaN 기판(120)의 결정방향을 따라, a-면(11-20) 또는 m-면(1-100) 으로 성장된다.

즉, 상기 GaN 기판(120)이 a-면(11-20)인 경우, 상기 반도체 레이저 다이오 드 구조물(130)은 a-면<11-20>을 주면으로 형성되며, 상기 GaN 기판(120)이 m-면<1-100>인 경우, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)은 m-면<1-100>을 주면으로 형성된다.

이와 같이, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)은 비극성면(a면<11-20> 또는 m-면<1-100>)에 그 결정방향을 따라 형성되기 때문에, 종래 내부 전기장의 발생을 막아, 발광효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.

즉, 종래에는 극성의 c-방향을 따라서 성장한 GaN계 반도체층을 이용하기 때문에, 강한 압전 및 자발적 분극의 존재로 인하여, c-방향을 따라 내부 전기장(built-in electric fields)이 발생하고, 이는 전자들 및 홀들을 공간적으로 분리하며, 이에 따라 캐리어 재결합 효율을 제한하고, 적색 편이 발광을 야기시키는 문제가 발생되었다.

그러나, 본 발명에서는, 결정의 비극성면(a면<11-20> 또는 m-면<1-100>)에 발광 구조물을 형성하기 때문에, 상기 자발 및 압전 분극 효과를 제거하여, 전자와 홀의 재결합 효율을 향상시켜 발효율을 향상시키고, 적색 편이 발광을 방지한다.

계속해서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)이 형성된 GaN 기판(120) 상에 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하려는 방향과 평행한 방향으로 절단 기준선(150)을 형성한다.

한편, 상기 절단 기준선(150)을 형성하기 이전에, 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마공정을 수행하여, 반도체 레이저 다이오드 구조물(130)이 형성되지 않은 상기 사파이어 기판(110)의 이면의 두께를 감소시키는 것 도 가능하다.

상기 절단 기준선(150)은, 상기 GaN 기판(120)의 일부가 제거된 그루브(groove) 형태로 형성할 수 있다.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 절단 기준선(150)을 설명하기 위해, 도 1c의 A영역을 확대하여 나타낸 것으로, 도시된 바와 같이, 절단 기준선(150)은, GaN 기판(120)의 일부가 식각되어 형성된 그루브 형태로 형성되어 있다.

이때, 상기 절단 기준선(150)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 GaN 기판(120)의 일부를 남기고 형성하거나, 상기 GaN 기판(120)을 완전히 제거하여, 사파이어 기판(110)이 드러나도록 형성할 수 있다.

그리고, 상기 절단 기준선(그루브)가 형성되면서 드러난 GaN 기판(120)의 벽개면(140)이 거울면이 되며, 상기 벽개면(140)은 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 GaN 기판(120)의 결정 방향면과 일치한다.

이와 같이, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 GaN 기판(120)의 결정 방향과 일치하는 벽개면(140)의 형성에 대해서는 이후에 더욱 상세하게 설명하도록 한다.

한편, 도면 상에는 GaN 기판이 제거되어 기준 절단선을 형성하고 있으나, 실질적으로, 상기 기준 절단선(150)이 형성되는 GaN 기판(120) 상에는 반도체 레이저 다이오드 구조물 형성을 위해 여러층의 GaN계 반도체층들이 적층되어 있다.

따라서, 실질적으로는, 반도체 레이저 다이오드 구조물을 형성하기 위해 적층한 반도체층들이 식각되어 기준 절단선(150)을 형성하게 되며, 상기 기준 절단선을 따라, 기판을 절단하였을 때, 그 절단된 벽개면이 거울면이 되는 것이다.

그러나, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물이 GaN계 반도체층으로 형성되므로, 본 발명에서는, 설명의 편의를 위해 반도체 레이저 다이오드 구조물 형성하기 위해 적층한 반도체층들을 GaN 기판으로 통합하여 설명하도록 한다.

계속해서, 본 발명에 따른 기준 절단선(150) 형성방법을 설명하면, 상기 기준 절단선(150)은, 상기 반도체 발광 레이저 다이오드 구조물(130)을 마스킹한 후, 습식식각에 의해 형성할 수 있다.

즉, 기준 절단선(150)을 형성하고자 하는 영역을 노출시키는 마스크를 준비한 후, 이를 반도체 발광 레이저 다이오드 구조물(130)이 형성된 GaN 기판(120) 상에 적용한 다음, 습식식각을 통해 형성할 수 있다.

이때, GaN 기판(120)의 c-면은 식각액에 식각되지 않고, a-면과 m-면 방향으로만 식각이 진행되기 때문에, a-면과 m-면 방향으로의 식각이 이루어지면서, 자연적으로 주면이 아닌 a-면 또는 m-면과 c-면의 결정면에 맞춰가면서 식각이 진행된다. 이에 따라, 식각이 완료된 후에는, GaN 기판의 단면이 c-면의 결정면과 일치하게 되는 것이다.

도 3a 및 도 3b를 통해 GaN 기판이 식각되는 원리에 대해 더욱 상세하게 설명하도록 한다.

도 3a에 도시된 바와 같이, c-면과 m-면을 단면으로 하고, a-면을 주면으로 하는 GaN 기판(120) 상에, 마스크(160)를 적용한 후, 이를 식각액에 적용하게 되면, 상기 GaN 기판(120)은, a-면과 m-면에서는 식각이 이루어지지만, c-면에서는 식각이 이루어지지 않는다.

따라서, a-면 GaN 기판의 표면 전체 혹은 일정영역을 보호한 상태로 식각액에 적용하게 되면, c-면은 식각이 진행되지 않고, m-면의 식각이 진행되기 때문에, m-면 방향으로 식각이 진행되어 가며, 상기 GaN 기판(120)의 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 방향은 결정학적으로 일정한 방향을 가지게 된다.

즉, c-면의 결정방향으로부터 틀어진 GaN 기판 영역(120a)이 모두 제거되고, 식각이 완료된 후에는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 그 단면(주면이 아닌 a-면 또는 m-면과 c-면)이 결정학적인 표면을 갖는 GaN 기판(120)이 형성된다.

이때, 식각액으로는, 수산화칼륨(KOH)을 사용할 수 있다.

한편, m-면이 주면으로 형성된 경우에도, 상기 m-면 GaN 기판을 마스킹 한 후, 이를 수산화칼륨(KOH) 식각액에 적용하게 되면, a-면 방향으로 식각이 진행되고, c-면 방향으로는 식각이 진행되지 않기 때문에, 도 3b와 같이, 주면이 아닌 a-면 또는 m-면과 c-면이 일정한 결정방향을 갖는 GaN 기판을 제작할 수 있게 된다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 c-면과 m-면(a-면)의 식각속도의 차이를 이용하여, m-면(a-면)과 c-면의 결정면을 벽개면으로 형성하는 것이다.

도 4a 및 도 4b는 GaN 기판을 수산화칼륨(KOH) 식각액에 적용하기 전과 식각후의 모습을 나타낸 GaN 기판의 SEM 사진으로, 식각 후에, a-면과 m-면으로의 식각만 진행되고, c-면으로의 식각은 이루어지지 않아서, 그 단면(a-면, m-면)이 결정학적인 표면을 가지므로, 그 표면의 거칠기가 감소 되었음을 알 수 있다.

도 3a ~ 도 3b와 같은 습식식각 방식을 통해 기준 절단선(150)을 형성한 후에는, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 기준 절단선(150)을 따라, 기계적인 방법을 통해, 기판(110, 120)을 절단함으로써, 그 벽개면에 거울면(140)을 형성한다. 즉, 기판의 절단면이 곧 거울면(140)을 형성하게 되며, 이는 주면이 아닌 a-면 또는 m-면의 결정방향과 일치하는 결정면을 가지기 때문에, 그 표면의 거칠기가 거의 없다고 할 수 있다.

계속해서, 절단된 반도체 레이저 다이오드의 공진폭(L)과 동일한 폭을 갖도록 일정간격 마다에 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면(140)을 형성하려는 방향과 평행한 방향으로 절단하여, 거울면(140)을 형성한다.

한편, 레이저 다이오드 구조물()이 형성된 GaN 기판()의 최외곽에 절단 기준선(150')을 형성하는 것도 가능하며, 상기 절단 기준선(150')으로부터 반도체 레이저 다이오드의 공진폭(L) 만큼 이격하며, GaN 기판(120)을 절단할 수 있다.

이어서, 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면(140) 방향과 수직한 방향으로 절단하는 공정을 수행하여, 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드(100a ~ 100e)를 형성한다.

상기한 바와 같이 본 발명은, a-면 또는 m-면이 주면으로 형성된 GaN 기판을 이용한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, c-면과 a-면(m-면)의 습식식각 속도의 차이를 이용하며, 주면이 아닌 a-면 또는 m-의 결정면을 벽개면으로 형성함으로써, 상기 벽개면으로 형성되는 반도체 레이저 다이오드의 거울면의 거칠기를 감소시킨다.

이와 같이, 거울면의 거칠기가 감소함에 따라, 광추출면의 수율향상, 작동전류 감소 및 광효율 향상을 꾀할 수 있게 된다.

또한, 본 발명은, 비극성면에 발광소자(레이저 다이오드)를 형성하기 때문에, 종래 내부 전기장의 발생에 따른 문제를 해결하고, 발광효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.

본 발명의 기본 개념은, 앞서 설명한 바와 같이, a-면 또는 m-면이 주면으로 형성된 GaN 기판의 습식식각을 통해 주면이 아닌 a-면 또는 m-면과 c-면의 결정면과 일치하는 기준면을 형성하는 것으로, 상기 기준선은 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성에만 적용되는 것이 아니라, 결정학적인 표면을 갖는 GaN 기판을 형성할 수 있을 것이다.

즉, a-면 또는 m-면을 주면으로 하는 GaN 기판에 있어서, 그 주면을 마스킹 한 후, 이를 식각액에 적용함으로써, 결정학적인 표면을 갖는 기판을 제작할 수 있을 것이다.

이와 같이, 결정학적 표면을 갖는 GaN 기판은, 소자제조시 소자패턴을 정확한 결정학적 방향에 맞추어 만들수 있기에 고품질의 벽개면을 얻을수 있어서 작동전류값을 감소시킬 수 있으며, 미세한 간격의 소자와 소자 사이를 절개하여 벽개면을 형성할 경우 정확한 위치에 절개선을 만들 수 있어서 전체 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 잇점을 제공한다.

따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

도 1a ~ 도 1e는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조방법을 나타낸 공정 수순도.

도 2a 및 도 2b는 도 1c의 A영역(절단 기준선)을 확대하여 나타낸 도면.

도 3a ~ 도 3b는 본 발명에 따른 GaN 기판의 식각원리를 설명한 도면.

도 4a ~ 도 4c는 GaN 기판의 습식식각 전과 습식식각 후의 모습을 각각 나타낸 SEM 사진.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100a ~ 100e : 반도체 레이저 다이오드 110 : r-면 사파이어 기판

120 : a-면 또는 m-면 GaN 기판 130 : 반도체 레이저 구조물

140 : 거울면(벽개면) 150 : 절단 기준선

160 : 마스크

Claims

a-면 또는 m-면을 주면으로 하는 GaN 기판을 준비하는 단계;

상기 GaN 기판의 주면을 마스킹 하는 단계; 및

상기 마스킹된 GaN 기판을 식각액에 적용하여, a-면 및 m-면 중 상기 주면과 다른 결정면을 따라 결정학적인 표면을 형성하는 단계;

를 포함하여 이루어지는 소자 형성용 기판의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 식각액은, 수산화칼륨(KOH)을 사용하는 것을 특징으로 하는 소자 형성용 기판의 제조방법.
a-면 또는 m-면을 주면으로 하는 GaN 기판을 준비하는 단계;

상기 GaN 기판의 주면을 마스킹 하는 단계;

상기 마스킹된 GaN 기판을 식각액에 적용하여, a-면 및 m-면 중 상기 주면과 다른 결정면을 따라 결정학적인 표면을 형성하는 단계;

상기 GaN 기판 상에 복수의 레이저 다이오드 구조물을 형성하는 단계;

상기 GaN 기판을 식각하여 상기 a-면과 m-면 중 상기 주면과 다른 결정면을 따라 그루브(groove) 형태를 갖는 절단 기준선을 형성하는 단계; 및

상기 절단 기준선을 따라 절단하여, 상기 a-면과 m-면 중 상기 주면과 다른 결정면과 일치하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하는 단계;

를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
제3항에 있어서,

상기 a-면과 m-면 중 어느 하나가 주면으로 형성된 GaN층이 형성된 GaN 기판을 준비하는 단계는,

r-면 사파이어 기판을 준비하는 단계; 및

상기 r-면 사파이어 기판 상에 a-면과 m-면 중 어느 하나가 주면으로 형성된 GaN 층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
제3항에 있어서,

상기 절단 기준선을 형성하는 단계는,

절단 기준선을 형성하고자 하는 영역이 노출되도록, 레이저 다이오드 구조물이 형성된 GaN 기판 상에 마스크를 적용하는 단계; 및

습식식각에 의해 상기 마스크를 통해 노출된 GaN 기판이 c-면<0001>의 결정면을 따라 식각되는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
제5항에 있어서,

상기 습식식각은, 수산화칼륨(KOH) 식각액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
제3항에 있어서,

상기 절단 기준선은 GaN 기판의 두께를 일부만 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
제3항에 있어서,

상기 절단 기준선은 GaN 기판의 두께를 모두 제거하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.