JP4964026B2 - 窒化物系半導体レーザ素子の作製方法 - Google Patents
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前記基板が、前記電流通路部と略平行な方向に延びる第一領域と、当該第一領域以外の領域である第二領域と、を備え、該第一領域は転位密度の大きなストライプコア領域であり、前記第二工程が、前記第二主面の前記第二領域上に前記電極を形成するものであり、前記基板の前記第二主面を覆う前記電極を形成する第五工程と、当該第五工程によって前記第一領域上に形成された前記電極の少なくとも一部にレーザ光を照射して、当該電極の少なくとも一部を除去する第六工程と、を備えることを特徴とする。
<<窒化物系半導体レーザ素子の作製方法>>
<ウエハ作製方法>
最初に、作製されるウエハの一例について図1(a)、(b)のウエハの模式図を用いて説明する。図1(a)はウエハの模式的な平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A断面を示した模式的な断面図である。なお、図1(a)、(b)には基板の結晶方位をあわせて示しており、以下の図においても同様に基板の結晶方位をあわせて示すこととする。
次に、得られたウエハ1を劈開及び分割してチップを得るとともに、このチップを用いた窒化物系半導体レーザ素子の作製方法の一例について図4及び図5を用いて説明する。図4は、バー及びチップを示した模式的な平面図であり、バー及びチップの図1(a)と同様の平面について示したものである。また、図5は、窒化物系半導体レーザ素子の模式的な斜視図である。なお、以下では上述したウエハ作製方法の一例によって得られたウエハを用いる場合について説明する。
図5に示すように、窒化物系半導体レーザ素子20は、チップ16がはんだによって接続及び固定(マウント)されるサブマウント23と、サブマウント23と接続するヒートシンク22と、ヒートシンク22がある面に接続するステム21と、ステム21のヒートシンク22が接続するある面とある面の反対側の面とを貫通するとともにステム21と絶縁されるピン24a、24bと、一方のピン24aとチップ16のパッド電極12とを電気的に接続するワイヤ25aと、他方のピン24bとサブマウント23とを電気的に接続するワイヤ26bと、を備えている。
<<実施例>>
以上、本発明における窒化物系半導体レーザ素子の一連の作製方法について説明したが、以下では上述したウエハの作製方法におけるn側電極の形成方法の実施例について、図6及び図7を用いて詳述する。
最初に、n側電極の形成方法の第1実施例について図6を用いて説明する。図6(a)、(b)は、図1(a)の平面図に示したウエハの面と反対側の面を示した平面図である。また、図6(c)は、図6(a)、(b)において示した面と同じ側の面を示す平面図であり、図6(a)、(b)に示すウエハを劈開して得られるバーを示したものである。
次に、n側電極の形成方法の第二実施例について図7を用いて説明する。図7(a)、(b)は、それぞれ第1実施例について示した図6(b)、(c)に相当するものであり、図7(a)は図6(b)と同じ側の面を示したウエハの平面図、図7(b)は図7(a)に示すウエハを劈開して得られるバーの平面図である。
次に、n側電極の形成方法の第3実施例について説明する。この第三実施例は、第1及び第2実施例において除去することとしたn側電極13の一部を、基板にn側電極13を形成する際に既に形成されていないこととするn側電極13の形成方法である。具体的には、第1実施例について示した図6(b)や第2実施例について示した図7(a)のn側電極13が除去される部分に、n側電極13形成時に予めマスクを形成しておき、n側電極13を形成した後にマスクを除去する方法である。
2 基板
2a ストライプコア
2b 他の領域
3 n型クラッド層
4 活性層
4a 井戸層
4b 障壁層
5 光ガイド層
6 キャップ層
7 p型クラッド層
8 コンタクト層
9 p側オーミック電極
10 リッジ部
11 電流ブロック層
12 パッド電極
13 n側電極
14 SiO2層
15 バー
16 チップ
Claims (4)
- 基板の第一主面上に、所定の方向に延びる電流通路部を備えた素子構造を、当該電流通路部が平行となるように複数形成する第一工程と、
当該第一工程の後に、当該複数の素子構造が形成された前記基板の前記第一主面と反対側の第二主面上に、一部を除いて当該第二主面を覆う電極を形成してウエハを得る第二工程と、
当該第二工程の後に、前記ウエハを前記電流通路部と略垂直な方向に分断してバーを得る第三工程と、
当該第三工程の後に、前記バーを前記電流通路部と略平行な方向に分断してチップを得る第四工程と、
を備え、
前記基板が、前記電流通路部と略平行な方向に延びる第一領域と、当該第一領域以外の領域である第二領域と、を備え、該第一領域は転位密度の大きなストライプコア領域であり、
前記第二工程が、
前記第二主面の前記第二領域上に前記電極を形成するものであり、
前記基板の前記第二主面を覆う前記電極を形成する第五工程と、
当該第五工程によって前記第一領域上に形成された前記電極の少なくとも一部にレーザ光を照射して、当該電極の少なくとも一部を除去する第六工程と、
を備えることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。 - 前記第六工程において、前記第一領域と、前記第三工程において分断する線と、の交差した領域近傍にある電極を除去することを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。
- 前記第六工程において、前記第一領域上に形成された前記電極を全て除去することを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。
- 前記ウエハを劈開または分割するための溝をレーザ光を照射して形成する工程を更に備え、該溝を形成する工程と同じ工程において、前記電極の少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項1〜3に記載の窒化物系半導体レーザ素子の作製方法。
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