JP5045292B2 - 窒化物半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
12 窒化物半導体結晶
13 加工変質層
14 窒化物半導体基板
15 基板表面
Claims (7)
- 異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた窒化物半導体結晶の面内各点での格子面方向[hkil]若しくは[hkl]が互いに平行となるように前記窒化物半導体結晶の少なくとも一方主面に加工変質層を形成し、その後前記加工変質層を含む窒化物半導体結晶を切断して複数の窒化物半導体基板を同時に切り出すことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記切断はワイヤーソーを使用し、平行に一度に複数分割することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記切断される結晶面は、C面(極性面)、A面またはM面(非極性面)、若しくはC面に対して傾斜する半極性面である請求項1又は2に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記格子面方向[hkil]若しくは[hkl]の結晶面内での平行度が1度以内である請求項1乃至3の何れか1項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記窒化物半導体基板から前記加工変質層を取り除く工程を更に備えている請求項1乃至4の何れか1項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記窒化物半導体結晶は窒化ガリウム系結晶である請求項1乃至5に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法により得られた平板状でない窒化物半導体ウエーハであって、面内各点での格子面方向[hkil]若しくは[hkl]が使用面と直交し、かつ、少なくとも端面の一部に加工変質層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体ウエーハ。
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