JP5120285B2 - Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 - Google Patents
Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5120285B2 JP5120285B2 JP2009025009A JP2009025009A JP5120285B2 JP 5120285 B2 JP5120285 B2 JP 5120285B2 JP 2009025009 A JP2009025009 A JP 2009025009A JP 2009025009 A JP2009025009 A JP 2009025009A JP 5120285 B2 JP5120285 B2 JP 5120285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- free
- gan
- crystal
- standing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
α±β=n・θ±sin−1(D/2R)(deg) ここで、nは、定数。
α±β=n・θ±sin-1(D/2R)(deg) ここで、nは、定数。
そのために、まず、本発明者は、基板面内の特定領域における結晶軸の傾きの大きさを調べ、その基板上に成長したエピタキシャル層の表面モフォロジと結晶軸の傾きの大きさとの対応を明らかにした。その結果、結晶軸の傾きの大きさが、0.09°よりも小さくなると、50〜200μm程度の大きさの六角形をした微小な凹凸が多数出現するようになり、エピタキシャル層の表面モフォロジが急激に劣化することを見出した。従って、基板表面には、C面そのもの及びC面から0.09°より小さい角度で傾いた面が現れていないことが必要である。
基板面内の結晶軸の傾きの方向は、X線回折測定により求めることができる。具体的には、結晶を回折面に対して垂直な軸の周りに回転させながら、X線の回折ピークを測定する。すると、結晶軸が傾いている場合、ピーク位置がシフトして観測される。この回折ピークが、結晶のどの方向に対して最も大きくシフトするかを見れば、結晶軸の傾き方向が判別できる。基板面内の複数の点で、結晶軸の傾きを測定すれば、傾きの分布も容易に判別が可能である。
上述した結晶軸の傾きを有するIII−V族窒化物系半導体自立基板は、θ°のオフ角のついた基板を下地基板とし、当該下地基板上にIII−V族窒化物系単結晶の厚膜を成長させた後、このIII−V族窒化物系半導体膜を下地基板から剥離させることにより形成できる。
θ>sin−1(D/2R)+0.09 (deg)・・・・・・・・(1)
反りの生じた自立基板中の結晶軸は、反りの形状を反映する形で、基板中で傾きの分布を持つ。
図1は、裏面が凸になるような反りを生じたGaN自立基板中のC軸の傾きを示すものであり、(a)は平面図、(b)は側面図、(c)は模式図である。図1(a)、(b)より、GaN自立基板1のC軸は、基板面内のどの位置においても反りの曲率の中心方向に向くように傾いて分布しており、その傾きの大きさは基板の中心から離れるに従って、大きくなっている。ここで、GaN自立基板1が球面状に反っているとみなし、自立基板1の直径をD、自立基板1裏面の反りの曲率をRとすると、図1(c)より、自立基板1の最外周部では、結晶軸はsin−1(D/2R)(deg)の傾きを生じる。従って、自立基板1の面内では、必然的に±sin−1(D/2R)(deg)の結晶軸の傾きの面内ばらつきが生じることになる。上述したように、基板の面内で基板表面に垂直な結晶方位がC軸方向から少なくとも0.09°以上傾いているようにするためには、このばらつきの範囲を考慮した上で、考えられる最大のばらつきよりもさらに0.09°以上傾いた基板を作成する必要がある。上記方法で作成するGaN基板は、下地基板のオフと同等かそれ以上のオフ角を持って成長することが分かっているので、このため下地基板のオフ角θ°を、あらかじめ上式(1)の関係を満たすように設定して結晶成長させればよい。
α±β=n・θ±sin−1(D/2R) (deg)・・・・・・・・(2
)の関係を満たすことができるように下地基板のオフ角θ及び自立基板1の直径Dを選択し、自立基板1裏面の反りの曲率Rの値を結晶成長条件で最適化してやれば良い。ここで、nは、GaN基板が下地基板のオフ角に比例したオフ角を持って成長することから決まる定数であり、結晶成長条件に応じて経験的に決めることができる値である。
θ>(1/n)(sin−1(D/2R)+0.09) (deg)・・・・・(3
)となる。この式(3)を用いることにより、より精確に下地基板のオフ角θに必要な数値を計算することが可能になるが、通常、nが1に近い値をとること及び、オフ角θの決定に際し、通常は測定誤差等を考慮して安全サイドでオフ角θを選ぶことから、式(1)を用いることでなんら支障は無い。
以下、図2を参照しつつ、異種基板を用いて本実施形態に係るIII−V族窒化物系半導体の自立基板を製造する方法について説明する。
θ>sin−1(D/2R)+0.09 (deg)・・・・・・・・(4)
図3に、得られるGaN自立基板の一例を示す。このGaN自立基板11では、例えば基板面内の任意の2点での結晶軸のC軸方向からの傾き角α1,α2はいずれも0.09°以上であり、かつばらつきの大きさ|α2−α1|は1°以内とされている。
(VAS法によるGaN自立基板の製造)
図4に示すVAS法による製造工程に基づきGaNの自立基板を製造した。
まず、m軸方向に0.25°のオフを有する市販の直径2インチの単結晶C面サファイア基板21を用意した(工程a)。
2.1mと求められる。この値から、sin−1(D/2R)よりGaN自立基板30の最外周部におけるC軸の傾きを計算すると、約0.6°と求められた。このことから、GaN自立基板30のC軸は、前述のa軸方向に約0.3°傾く分に、面内で±0.6°のばらつきを持つ分を加え、結果として約−0.3°〜0.9°の範囲で分布を持っているものと推定される。
(GaN自立基板にGaN層40を形成)
図7に示すように、参考例1で作製したGaN自立基板30上に、MOVPE法でSiドープGaN層40を2μm成長させた。GaN層40の成長圧力は常圧、成長時の自立基板30の温度は1100℃とした。原料は、III族原料としてTMGを、V族原料としてNH3を、ドーパントとしてモノシランを用いた。キャリアガスは、水素と窒素の混合ガスである。結晶の成長速度は4μm/h、エピ層の目標キャリア濃度は、2×1018cm−3とした。
六角形の凹凸が密集して観察された領域Aの内外で、結晶のC軸の傾きを測定したところ、C軸の傾きの方向に依らず、前記領域Aの内部では、C軸の傾きの大きさが、すべて0.09°よりも小さいことがわかった。一方、前記領域Aの外部では、C軸の傾きの大きさは、すべて0.09°以上であった。
(VAS法によるGaN自立基板の製造)
参考例1と同様に図4に示すVAS法により、GaNの自立基板を製造した。
まず、m軸方向に0.30°のオフを有する市販の直径2インチの単結晶C面サファイア基板21を用意した(工程a)。
(GaN自立基板にGaN層50を形成)
参考例3で作製したGaN基板上30に、MOVPE法でSiドープGaN層50を2μm成長させた。GaN層50の成長圧力は常圧、成長時の基板温度は1100℃とした。原料は、III族原料としてTMGを、V族原料としてNH3を、ドーパントとしてモノシランを用いた。キャリアガスは、水素と窒素の混合ガスである。結晶の成長速度は4μm/h、エピ層の目標キャリア濃度は、2×1018cm−3とした。
(VAS法によるGaN自立基板の製造)
参考例1と同様に図4に示すVAS法により、GaNの自立基板を製造した。
まず、m軸方向に0.66°のオフを有する市販の直径2インチの単結晶C面サファイア基板21を用意した(工程a)。
(GaN自立基板にGaN層50を形成)
実施例1で作製したGaN自立基板30上に、MOVPE法でSiドープGaN層を2μm成長した。GaN層の成長圧力は常圧、成長時の基板温度は1100℃とした。原料は、III族原料としてTMGを、V族原料としてNH3を、ドーパントとしてモノシランを用いた。キャリアガスは、水素と窒素の混合ガスである。結晶の成長速度は4μm/h、エピ層の目標キャリア濃度は、2×1018cm−3とした。
11 GaN自立基板
15 アンドープGaN層
21 サファイア層
22 アンドープGaN層
23 Ti薄膜
24 ボイド形成GaN層
25 穴形成TiN層
26 GaN層
30 GaN自立基板
40 SiドープGaN層
50 SiドープGaN層
60 GaN自立基板
Claims (2)
- θ°のオフ角のついたサファイア基板を下地基板とし、前記下地基板上にIII−V族窒化物系半導体単結晶の厚膜を成長させた後、前記III−V族窒化物系半導体単結晶の厚膜を前記下地基板から剥離させ、低指数面から特定の方向に±β°のばらつきを持ってα°だけ傾いた表面を持つIII−V族窒化物系半導体単結晶の自立基板を製造する方法であって、
前記下地基板は、C面から0.09°以上24°以下の範囲で傾いた表面を有し、
前記剥離後の自立基板の直径をD、自立基板裏面の反りの曲率をRとしたとき、次式の関係を満たすように前記III−V族窒化物系半導体単結晶の厚膜を成長させることを特徴とするIII−V族窒化物系半導体自立基板の製造方法。
α±β=n・θ±sin-1(D/2R)(deg) ここで、nは、定数。 - 少なくとも、特定の方向にθ°だけ傾いた表面を持つサファイアC面基板上に単結晶窒化ガリウム膜を成長させ、その基板上に更に金属膜を堆積する工程と、該金属膜を堆積した基板を水素ガス又は水素化物ガスを含む雰囲気中で熱処理し、窒化ガリウム膜中に空隙を形成する工程と、その上に単結晶窒化ガリウムを堆積する工程と、単結晶窒化ガリウム基板から基板を除去し、低指数面から特定の方向に±β°のばらつきを持ってα°だけ傾いた表面を持つ自立した窒化ガリウム基板を得る工程とを含むIII−V族窒化物系半導体自立基板の製造方法であって、
前記サファイア基板は、C面から0.09°以上24°以下の範囲で傾いた表面を有し、
前記剥離後の窒化ガリウム自立基板の直径をD、窒化ガリウム自立基板裏面の反りの曲率をRとしたとき、次式の関係を満たすように前記単結晶窒化ガリウムを堆積させることを特徴とするIII−V族窒化物系半導体自立基板の製造方法。
α±β=n・θ±sin-1(D/2R)(deg) ここで、nは、定数。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009025009A JP5120285B2 (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009025009A JP5120285B2 (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004174615A Division JP4691911B2 (ja) | 2004-06-11 | 2004-06-11 | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009114061A JP2009114061A (ja) | 2009-05-28 |
JP5120285B2 true JP5120285B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=40781621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009025009A Expired - Fee Related JP5120285B2 (ja) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5120285B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009126727A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN基板の製造方法、GaN基板及び半導体デバイス |
JP5509680B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-06-04 | 三菱化学株式会社 | Iii族窒化物結晶及びその製造方法 |
KR20120036816A (ko) * | 2009-06-01 | 2012-04-18 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법 |
JP5447289B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶およびその製造方法 |
JP7112879B2 (ja) | 2018-05-15 | 2022-08-04 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体積層物の製造方法、膜質検査方法および半導体成長装置の検査方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3788041B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
JP3888374B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2007-02-28 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009025009A patent/JP5120285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009114061A (ja) | 2009-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4691911B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 | |
JP4581490B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びiii−v族窒化物系半導体の製造方法 | |
JP4696935B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びiii−v族窒化物系発光素子 | |
JP6067801B2 (ja) | 高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板 | |
JP4462251B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びiii−v族窒化物系発光素子 | |
JP4741506B2 (ja) | 大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス | |
JP4720125B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにiii−v族窒化物系半導体 | |
JP4380294B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板 | |
JP2009132613A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法、iii−v族窒化物系半導体デバイス、iii−v族窒化物系半導体基板のロット | |
US20070138505A1 (en) | Low defect group III nitride films useful for electronic and optoelectronic devices and methods for making the same | |
EP1577933A2 (en) | Method of manufacturing single-crystal GaN substrate, and single-crystal GaN substrate | |
JP2005101475A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
JP2011119761A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板 | |
US20120003824A1 (en) | Method for manufacturing gallium nitride wafer | |
JP4333466B2 (ja) | 半導体基板の製造方法及び自立基板の製造方法 | |
JP5120285B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板の製造方法 | |
JP2009167057A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
WO2020158571A1 (ja) | 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP5446945B2 (ja) | 窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板の製造方法 | |
JP2005340747A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法、iii−v族窒化物系半導体デバイス、iii−v族窒化物系半導体基板のロット | |
WO2016136552A1 (ja) | C面GaN基板 | |
JP4998407B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板の製造方法 | |
JP2011032112A (ja) | 単結晶体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5120285 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |