JP2003320521A - 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置 - Google Patents
単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置Info
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- JP2003320521A JP2003320521A JP2002129971A JP2002129971A JP2003320521A JP 2003320521 A JP2003320521 A JP 2003320521A JP 2002129971 A JP2002129971 A JP 2002129971A JP 2002129971 A JP2002129971 A JP 2002129971A JP 2003320521 A JP2003320521 A JP 2003320521A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】単結晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによ
る切断加工において、（０００１）面（ｃ面）に平行な
方向に高精度な切断加工を可能にする切断加工法と、そ
の切断装置を提供する。 【解決手段】超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が、単結
晶サファイヤの（０００１）面（ｃ面）に対して平行
で、超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面
（ａ面）に対して平行に設定することにより、（０００
１）面（ｃ面）に平行な方向に高精度な切断加工を可能
にする。ここで、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向、お
よび走行方向は、これら基準面と超砥粒ワイヤソーが完
全に平行な方位から５度以内であることが好ましく、２
度以内であることがより好ましい。また、加工液として
は、水溶性加工液は、早い切断速度が得られ、安定した
切断加工を可能にする。
る切断加工において、（０００１）面（ｃ面）に平行な
方向に高精度な切断加工を可能にする切断加工法と、そ
の切断装置を提供する。 【解決手段】超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が、単結
晶サファイヤの（０００１）面（ｃ面）に対して平行
で、超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面
（ａ面）に対して平行に設定することにより、（０００
１）面（ｃ面）に平行な方向に高精度な切断加工を可能
にする。ここで、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向、お
よび走行方向は、これら基準面と超砥粒ワイヤソーが完
全に平行な方位から５度以内であることが好ましく、２
度以内であることがより好ましい。また、加工液として
は、水溶性加工液は、早い切断速度が得られ、安定した
切断加工を可能にする。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、超砥粒ワイヤソー
で単結晶サファイヤ基板を（０００１）面（ｃ面）と平
行な方向に高精度に切断する方法と、その超砥粒ワイヤ
ソー切断装置に関するものである。
で単結晶サファイヤ基板を（０００１）面（ｃ面）と平
行な方向に高精度に切断する方法と、その超砥粒ワイヤ
ソー切断装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単結晶サファイヤは、α−ＡＬ２Ｏ３の
単結晶であり、優れた物理的特性、熱的特性、電気的特
性、光学的特性を有しているので、耐磨耗部品、耐熱部
品、光学部品、電気・電子部品、半導体部品などに広く
利用されている。単結晶サファイヤの結晶構造は稠密六
方晶系に属し、図２に示す面方位によると、単結晶のｃ
軸に対して直角方向に（０００１）面（ｃ面と称する）
が存在し、このｃ軸に平行な（１１−２０）面（ａ面と
称する）、ｃ軸に対して一定の角度を有する（１−１０
２）面（ｒ面と称する）および（１１−２３）（ｎ面と
称する）が存在する。
単結晶であり、優れた物理的特性、熱的特性、電気的特
性、光学的特性を有しているので、耐磨耗部品、耐熱部
品、光学部品、電気・電子部品、半導体部品などに広く
利用されている。単結晶サファイヤの結晶構造は稠密六
方晶系に属し、図２に示す面方位によると、単結晶のｃ
軸に対して直角方向に（０００１）面（ｃ面と称する）
が存在し、このｃ軸に平行な（１１−２０）面（ａ面と
称する）、ｃ軸に対して一定の角度を有する（１−１０
２）面（ｒ面と称する）および（１１−２３）（ｎ面と
称する）が存在する。
【０００３】超砥粒ワイヤソーとしては、芯線にダイヤ
モンド砥粒を固着した、固定砥粒方式のダイヤモンドワ
イヤソーが提案された。このダイヤモンドワイヤソー
は、切れ味が極めて良好で、しかもスラリーが不要、水
溶性又は不水溶性の研削液が利用できるため機械とその
周辺の汚れが低減され、作業環境を改善することができ
る特長がある。しかも、数百ｍ若しくは数十Ｋｍ以上の
長尺のダイヤモンドワイヤソーを製作できるので、マル
チで切断加工が可能であり、スラリーを用いるマルチワ
イヤソーと比較して数倍以上の切断速度が得られる特長
がある。固定砥粒方式のダイヤモンドワイヤソーとして
は、特開平８−１２６９５３号公報には、ポリエチレ
ン、ナイロン、ポリエステル等からなる素材、若しくは
これら素材をガラス繊維、炭素繊維で補強した材料を芯
線とし、この芯線の外周にダイヤモンド砥粒を合成樹脂
接着剤又は電着で固着するものが提案されている。ま
た、別のダイヤモンドワイヤソーとしては、特開平９−
１５５６３１号公報には、炭素繊維、アラミド繊維、ア
ルミナ繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、若
しくはシリコン−チタン−炭素−酸素系無機繊維等のモ
ノフィラメント又はマルチフィラメントを芯線とし、こ
の芯線の外周にダイヤモンド砥粒をメッキ又は合成樹脂
バインダーで固着したものが提案されている。
モンド砥粒を固着した、固定砥粒方式のダイヤモンドワ
イヤソーが提案された。このダイヤモンドワイヤソー
は、切れ味が極めて良好で、しかもスラリーが不要、水
溶性又は不水溶性の研削液が利用できるため機械とその
周辺の汚れが低減され、作業環境を改善することができ
る特長がある。しかも、数百ｍ若しくは数十Ｋｍ以上の
長尺のダイヤモンドワイヤソーを製作できるので、マル
チで切断加工が可能であり、スラリーを用いるマルチワ
イヤソーと比較して数倍以上の切断速度が得られる特長
がある。固定砥粒方式のダイヤモンドワイヤソーとして
は、特開平８−１２６９５３号公報には、ポリエチレ
ン、ナイロン、ポリエステル等からなる素材、若しくは
これら素材をガラス繊維、炭素繊維で補強した材料を芯
線とし、この芯線の外周にダイヤモンド砥粒を合成樹脂
接着剤又は電着で固着するものが提案されている。ま
た、別のダイヤモンドワイヤソーとしては、特開平９−
１５５６３１号公報には、炭素繊維、アラミド繊維、ア
ルミナ繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、若
しくはシリコン−チタン−炭素−酸素系無機繊維等のモ
ノフィラメント又はマルチフィラメントを芯線とし、こ
の芯線の外周にダイヤモンド砥粒をメッキ又は合成樹脂
バインダーで固着したものが提案されている。
【０００４】この超砥粒ワイヤソーは、一例として図３
に示される切断装置に用いることができる。超砥粒ワイ
ヤソー切断装置は、多数本の超砥粒ワイヤソーを被加工
物に押しつけて超砥粒ワイヤソーを往復走行させなが
ら、被加工物を一度に多数枚にスライシングする装置で
ある。単結晶サファイヤのみならず、大直径のシリコン
ゴットからのシリコンウエハのスライシングや、フェラ
イト、ネオジウム磁石などの磁性材料の切断加工、光学
ガラスの切断加工に超砥粒ワイヤソー切断装置を用いる
ことが試みられている。具体的には図３に示すように、
メインローラ５と６の外周面には被加工物の切断寸法に
応じて溝が設けられている。超砥粒ワイヤソー１はリー
ル２と９の外周面に巻かれている。一方のリール２から
ガイドローラ３と４を経由して取り出さた超砥粒ワイヤ
ソー１は、メインローラ５と６の溝に順次巻き付けら
れ、ガイドローラ７と８を経由して、他方のリール９に
巻き取られる。超砥粒ワイヤソー１をリール２と９との
間で往復走行させながら、多数本の超砥粒ワイヤソー１
を被加工物１０に押しつけて被加工物１０を一度に多数
枚に切断加工する。このとき、メインローラ５と６の溝
にはノズル１１と１２から研削液が供給される。
に示される切断装置に用いることができる。超砥粒ワイ
ヤソー切断装置は、多数本の超砥粒ワイヤソーを被加工
物に押しつけて超砥粒ワイヤソーを往復走行させなが
ら、被加工物を一度に多数枚にスライシングする装置で
ある。単結晶サファイヤのみならず、大直径のシリコン
ゴットからのシリコンウエハのスライシングや、フェラ
イト、ネオジウム磁石などの磁性材料の切断加工、光学
ガラスの切断加工に超砥粒ワイヤソー切断装置を用いる
ことが試みられている。具体的には図３に示すように、
メインローラ５と６の外周面には被加工物の切断寸法に
応じて溝が設けられている。超砥粒ワイヤソー１はリー
ル２と９の外周面に巻かれている。一方のリール２から
ガイドローラ３と４を経由して取り出さた超砥粒ワイヤ
ソー１は、メインローラ５と６の溝に順次巻き付けら
れ、ガイドローラ７と８を経由して、他方のリール９に
巻き取られる。超砥粒ワイヤソー１をリール２と９との
間で往復走行させながら、多数本の超砥粒ワイヤソー１
を被加工物１０に押しつけて被加工物１０を一度に多数
枚に切断加工する。このとき、メインローラ５と６の溝
にはノズル１１と１２から研削液が供給される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】超砥粒ワイヤソーを用
いて単結晶サファイヤ基板を切断する場合、遊離砥粒方
式のワイヤソーに比べて、被削性の良好な結晶面に沿っ
て切断が進み、切断精度に大きく影響する傾向が見られ
る。例えば、超砥粒ワイヤソーを用いて単結晶サファイ
ヤを（０００１）面（ｃ面）に平行に切断する場合、超
砥粒ワイヤソーの走行方向を結晶面に対して任意な方向
に設定すると（０００１）面（ｃ面）に平行に切断でき
ない問題が発生した。そこで、この発明の目的は、単結
晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによる切断加工に
おいて、（０００１）面（ｃ面）と平行な方向に高精度
な切断加工を可能にする切断加工法と、その切断装置を
提供するものである。
いて単結晶サファイヤ基板を切断する場合、遊離砥粒方
式のワイヤソーに比べて、被削性の良好な結晶面に沿っ
て切断が進み、切断精度に大きく影響する傾向が見られ
る。例えば、超砥粒ワイヤソーを用いて単結晶サファイ
ヤを（０００１）面（ｃ面）に平行に切断する場合、超
砥粒ワイヤソーの走行方向を結晶面に対して任意な方向
に設定すると（０００１）面（ｃ面）に平行に切断でき
ない問題が発生した。そこで、この発明の目的は、単結
晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによる切断加工に
おいて、（０００１）面（ｃ面）と平行な方向に高精度
な切断加工を可能にする切断加工法と、その切断装置を
提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に従った単結晶
サファイヤ基板の切断方法は、超砥粒ワイヤソーによ
る、（０００１）面（ｃ面）を主面とする単結晶サファ
イヤ基板の切断方法であって、超砥粒ワイヤソーの切り
込み方向が（０００１）面（ｃ面）に対して平行で、超
砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面（ａ面）
に対して平行であることを特徴とする単結晶サファイヤ
基板の切断方法である。
サファイヤ基板の切断方法は、超砥粒ワイヤソーによ
る、（０００１）面（ｃ面）を主面とする単結晶サファ
イヤ基板の切断方法であって、超砥粒ワイヤソーの切り
込み方向が（０００１）面（ｃ面）に対して平行で、超
砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面（ａ面）
に対して平行であることを特徴とする単結晶サファイヤ
基板の切断方法である。
【０００７】また、この発明に従った単結晶サファイヤ
基板の切断装置は、単結晶サファイヤの切断に用いる超
砥粒ワイヤソー切断装置であって、上記単結晶サファイ
ヤを保持する手段と、上記単結晶サファイヤの（０００
１）面（ｃ面）を超砥粒ワイヤソーの切り込み方向に対
して平行にセッティングする手段と、上記単結晶サファ
イヤの（１１−２０）（ａ面）を超砥粒ワイヤソーの走
行方向に対して平行にセッティングする手段とを有する
ことを特徴とする超砥粒ワイヤソー切断装置である。
基板の切断装置は、単結晶サファイヤの切断に用いる超
砥粒ワイヤソー切断装置であって、上記単結晶サファイ
ヤを保持する手段と、上記単結晶サファイヤの（０００
１）面（ｃ面）を超砥粒ワイヤソーの切り込み方向に対
して平行にセッティングする手段と、上記単結晶サファ
イヤの（１１−２０）（ａ面）を超砥粒ワイヤソーの走
行方向に対して平行にセッティングする手段とを有する
ことを特徴とする超砥粒ワイヤソー切断装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の単結晶サファイヤ基板
の切断方法の特徴は、超砥粒ワイヤソーによる、（００
０１）面（ｃ面）を主面とする単結晶サファイヤ基板の
切断方法であって、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が
（０００１）面（ｃ面）に対して平行で、超砥粒ワイヤ
ソーの走行方向が（１１−２０）面（ａ面）に対して平
行であることである。ここで、超砥粒ワイヤソーの切り
込み方向は、（０００１）面（ｃ面）に対して平行、お
よび、超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面
（ａ面）に対して平行とは、これら基準面と超砥粒ワイ
ヤソーが完全に平行な方位から５度以内であることが好
ましく、２度以内であることがより好ましい。その切断
方法の概略図が図１である。この場合において、Ｏｒｉ
ｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ面が（１１−２０）（ａ
面）となっており、この基準面と超砥粒ワイヤソーの走
行方向が平行に設定されている。さらに、超砥粒ワイヤ
ソーの切り込み方向が（０００１）面（ｃ面）に対して
平行に設定されて切断加工が行われる。超砥粒ワイヤソ
ーの走行方向を結晶面に対して任意な方向に設定すると
（０００１）面（ｃ面）に対して平行に切断できない原
因としては以下のことが考えられる。例えば、（１１−
２０）面（ａ面）に対して垂直に切り込むと、（１１−
２３）面（ｎ面）や（１−１０２）面（ｒ面）に沿って
超砥粒ワイヤソーが切り込まれるため切断精度が低下す
るものと考えられる 。
の切断方法の特徴は、超砥粒ワイヤソーによる、（００
０１）面（ｃ面）を主面とする単結晶サファイヤ基板の
切断方法であって、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が
（０００１）面（ｃ面）に対して平行で、超砥粒ワイヤ
ソーの走行方向が（１１−２０）面（ａ面）に対して平
行であることである。ここで、超砥粒ワイヤソーの切り
込み方向は、（０００１）面（ｃ面）に対して平行、お
よび、超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面
（ａ面）に対して平行とは、これら基準面と超砥粒ワイ
ヤソーが完全に平行な方位から５度以内であることが好
ましく、２度以内であることがより好ましい。その切断
方法の概略図が図１である。この場合において、Ｏｒｉ
ｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ面が（１１−２０）（ａ
面）となっており、この基準面と超砥粒ワイヤソーの走
行方向が平行に設定されている。さらに、超砥粒ワイヤ
ソーの切り込み方向が（０００１）面（ｃ面）に対して
平行に設定されて切断加工が行われる。超砥粒ワイヤソ
ーの走行方向を結晶面に対して任意な方向に設定すると
（０００１）面（ｃ面）に対して平行に切断できない原
因としては以下のことが考えられる。例えば、（１１−
２０）面（ａ面）に対して垂直に切り込むと、（１１−
２３）面（ｎ面）や（１−１０２）面（ｒ面）に沿って
超砥粒ワイヤソーが切り込まれるため切断精度が低下す
るものと考えられる 。
【０００９】また、この発明の単結晶サファイヤ基板の
切断装置の特徴は、単結晶サファイヤの切断に用いる超
砥粒ワイヤソー切断装置であって、上記単結晶サファイ
ヤを保持する手段と、上記単結晶サファイヤの（０００
１）面（ｃ面）を超砥粒ワイヤソーの切り込み方向に対
して平行にセッティングする手段と、上記単結晶サファ
イヤの（１１−２０）（ａ面）を超砥粒ワイヤソーの走
行方向に対して平行にセッティングする手段とを有する
ことである。切断装置としては、例えば、図３に示され
る切断装置に用いることができる。この超砥粒ワイヤソ
ー切断装置は、多数本の超砥粒ワイヤソーを被加工物に
押しつけて超砥粒ワイヤソーを往復走行させながら、被
加工物を一度に多数枚に切断加工が可能な装置であり、
特に、高能率な切断加工が要求される場合には最も適切
である。また、超砥粒ワイヤソーで単結晶サファイヤ基
板を切断するには、不水溶性加工液よりも、水溶性加工
液を用いるほうが高い切断速度が得られるので適当であ
る。不水溶性加工液を用いると切断速度が低下する原因
としては、不水溶性加工液の優れた潤滑性により、ダイ
ヤモンド砥粒が被加工物（単結晶サファイヤ）の表面を
上滑りするためと考えられる。
切断装置の特徴は、単結晶サファイヤの切断に用いる超
砥粒ワイヤソー切断装置であって、上記単結晶サファイ
ヤを保持する手段と、上記単結晶サファイヤの（０００
１）面（ｃ面）を超砥粒ワイヤソーの切り込み方向に対
して平行にセッティングする手段と、上記単結晶サファ
イヤの（１１−２０）（ａ面）を超砥粒ワイヤソーの走
行方向に対して平行にセッティングする手段とを有する
ことである。切断装置としては、例えば、図３に示され
る切断装置に用いることができる。この超砥粒ワイヤソ
ー切断装置は、多数本の超砥粒ワイヤソーを被加工物に
押しつけて超砥粒ワイヤソーを往復走行させながら、被
加工物を一度に多数枚に切断加工が可能な装置であり、
特に、高能率な切断加工が要求される場合には最も適切
である。また、超砥粒ワイヤソーで単結晶サファイヤ基
板を切断するには、不水溶性加工液よりも、水溶性加工
液を用いるほうが高い切断速度が得られるので適当であ
る。不水溶性加工液を用いると切断速度が低下する原因
としては、不水溶性加工液の優れた潤滑性により、ダイ
ヤモンド砥粒が被加工物（単結晶サファイヤ）の表面を
上滑りするためと考えられる。
【００１０】
【実施例】直径０．１８ｍｍのピアノ線からなる芯線
に、平均砥粒径４２μｍのダイヤモンド砥粒をレジンボ
ンドで固着したダイヤモンドワイヤソーを用いて単結晶
サファイヤの切断実験を行った。以下の切断条件におい
て、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が（０００１）面
に平行で、超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２
０）面に平行の場合（本発明）と、垂直の場合（従来
例）を比較して本発明の効果を確認した。 (切断条件) 被加工物：単結晶サファイヤ 被加工物サイズ：φ５０ｍｍ−Ｌ３０ｍｍ 超砥粒ワイヤソー切断機：東綱機械製作所製 ＴＷＳ−
２６５ メインローラ間隔：５７０ｍｍ 超砥粒ワイヤソー線速度：４００ｍ／ｍｉｎ 超砥粒ワイヤソー走行方向：往復走行 ワーク切り込み速度：０．３ｍｍ／ｍｉｎ 超砥粒ワイヤソーのテンション：３４．３Ｎ 加工液：水溶性加工液 マルチワイヤ本数及びピッチ：２５本、Ｐ＝１．２１ｍ
ｍ 単結晶サファイヤを切断して基板とし、その基板の切断
方向のうねりを測定した。測定片は手前側、中央、奥側
から各３枚(計９枚)をサンプルとした。そのテスト結果
を表１に示す。
に、平均砥粒径４２μｍのダイヤモンド砥粒をレジンボ
ンドで固着したダイヤモンドワイヤソーを用いて単結晶
サファイヤの切断実験を行った。以下の切断条件におい
て、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が（０００１）面
に平行で、超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２
０）面に平行の場合（本発明）と、垂直の場合（従来
例）を比較して本発明の効果を確認した。 (切断条件) 被加工物：単結晶サファイヤ 被加工物サイズ：φ５０ｍｍ−Ｌ３０ｍｍ 超砥粒ワイヤソー切断機：東綱機械製作所製 ＴＷＳ−
２６５ メインローラ間隔：５７０ｍｍ 超砥粒ワイヤソー線速度：４００ｍ／ｍｉｎ 超砥粒ワイヤソー走行方向：往復走行 ワーク切り込み速度：０．３ｍｍ／ｍｉｎ 超砥粒ワイヤソーのテンション：３４．３Ｎ 加工液：水溶性加工液 マルチワイヤ本数及びピッチ：２５本、Ｐ＝１．２１ｍ
ｍ 単結晶サファイヤを切断して基板とし、その基板の切断
方向のうねりを測定した。測定片は手前側、中央、奥側
から各３枚(計９枚)をサンプルとした。そのテスト結果
を表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１から明らかなように、超砥粒ワイヤソ
ーの走行方向を（１１−２０）面に平行方向にすること
により、切断精度が向上することが判明した。また、上
記と同一の切断条件で、加工液が切断速度に及ぼす影響
を調査した結果を表２に示す。
ーの走行方向を（１１−２０）面に平行方向にすること
により、切断精度が向上することが判明した。また、上
記と同一の切断条件で、加工液が切断速度に及ぼす影響
を調査した結果を表２に示す。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２から明らかなように、水溶性加工液を
用いたほうが切断速度が速いことがわかる。不水溶性加
工液を用いた場合は、切断加工を開始して間もなく、切
断速度が著しく低下し、切断加工の続行が不可能になっ
た。
用いたほうが切断速度が速いことがわかる。不水溶性加
工液を用いた場合は、切断加工を開始して間もなく、切
断速度が著しく低下し、切断加工の続行が不可能になっ
た。
【００１５】
【発明の効果】超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が（０
００１）面（ｃ面）に対して平行で、超砥粒ワイヤソー
の走行方向が（１１−２０）面（ａ面）に対して平行で
あるように設定することによって、（０００１）面（ｃ
面）を主面とする単結晶サファイヤ基板を高精度に切断
加工することができる。
００１）面（ｃ面）に対して平行で、超砥粒ワイヤソー
の走行方向が（１１−２０）面（ａ面）に対して平行で
あるように設定することによって、（０００１）面（ｃ
面）を主面とする単結晶サファイヤ基板を高精度に切断
加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】単結晶サファイヤの結晶面を示す概略図であ
る。
る。
【図２】単結晶サファイヤの切断方法を示す概略図であ
る。
る。
【図３】超砥粒ワイヤソー切断装置を示す概略図であ
る。
る。
１ 超砥粒ワイヤソー
２，９ リール
３，４，７，８， ガイドローラ
５，６ メインローラ
１０ 被加工物
１１，１２ ノズル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ３０Ｂ 29/20 Ｃ３０Ｂ 29/20
33/00 33/00
Claims (2)
- 【請求項１】超砥粒ワイヤソーによる、（０００１）面
（ｃ面）を主面とする単結晶サファイヤ基板の切断方法
であって、 超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が（０００１）面（ｃ
面）に対して平行で、 超砥粒ワイヤソーの走行方向が（１１−２０）面（ａ
面）に対して平行であることを特徴とする単結晶サファ
イヤ基板の切断方法。 - 【請求項２】単結晶サファイヤ基板の切断に用いる超砥
粒ワイヤソー切断装置であって、 上記単結晶サファイヤを保持する手段と、 上記単結晶サファイヤの（０００１）面（ｃ面）を超砥
粒ワイヤソーの切り込み方向に対して平行にセッティン
グする手段と、 上記単結晶サファイヤの（１１−２０）（ａ面）を超砥
粒ワイヤソーの走行方向に対して平行にセッティングす
る手段とを有することを特徴とする超砥粒ワイヤソー切
断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002129971A JP3979578B2 (ja) | 2002-05-01 | 2002-05-01 | 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002129971A JP3979578B2 (ja) | 2002-05-01 | 2002-05-01 | 単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003320521A true JP2003320521A (ja) | 2003-11-11 |
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ID=29543214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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