JP3580311B1

JP3580311B1 - 表裏識別した矩形窒化物半導体基板

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Publication number: JP3580311B1
Application number: JP2003275934A
Authority: JP
Inventors: 雅博中山; 哲也平野
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2003-03-28
Filing date: 2003-07-17
Publication date: 2004-10-20
Anticipated expiration: 2023-07-17
Also published as: EP1463115A2; KR20050113150A; KR20040086083A; TWI274383B; TW200419660A; EP1463115A3; CN1324660C; US20040188804A1; KR100783257B1; KR20050115453A; KR100584057B1; KR100781484B1; JP2004319950A; CN1534735A; US6909165B2

Abstract

【課題】従来のＧａＮウエハは表面が鏡面、裏面が粗面であり、面粗度の違いを肉眼で見て表面裏面を区別していた。それは分かりやすい違いでないし、裏面が荒れているとパーティクルが付く恐れがあり反りも大きくなるしクラック発生・ワレ発生などの恐れもある。面粗度の違いを用いないで窒化物半導体矩形基板の表裏を区別できるようにすること。
【解決手段】表裏を区別するために時計廻りに長短という順に並ぶ切欠きを矩形ＧａＮ基板の二つの隅部に設ける、一つの隅部に角度が５゜〜４０゜をなすような一つの切欠きを設ける、あるいは表面側と裏面側の面取り量を異ならせる、または文字を書いて表裏を区別する。裏面をより平滑にすることができ表面と状態が近似するのでパーティクルの付着が減り、反りも減少し、ワレカケなどの発生も少なくなった。
【選択図】図１

Description

この発明は矩形の窒化物半導体基板であって簡単に表裏の区別が付くようにした工夫に関する。ＧａＮ基板は透明であるから不透明なＳｉウエハやＧａＡｓウエハとは異なった問題がある。裏面に印を付けても表面から見えるし、表面に印を付けても裏面から見える。円形のウエハであれば２種類の長さの異なる弦（ＯＦ、ＩＦ）を側周から切り取ることによって表裏面を表示することができる。しかしＧａＮ基板の成長技術は未だ成熟しておらず、あまり大きい円形ウエハはできていない。円形ウエハの場合、最大でも直径が１インチ〜２インチ程度である。

円形ウエハの作製が難しいので、１辺が１ｃｍ〜２ｃｍ程度の矩形ウエハが作製されることもある。矩形ウエハの場合、既に４辺があるので、表面裏面を表示するために側周に弦を切り取るというわけにはいかない。

ＧａＮ基板の加工は、粗加工（研削）、形状加工、粗研磨、仕上げ研磨、洗浄の工程からなる。現在は、ＳｉＣやダイヤモンドなどの研磨剤で、ＧａＮの表面を鏡面化（面粗度はＲａ≦１ｎｍ）している。裏面は粗い砥石（＃４００〜１０００）で加工している。裏面は粗い砥石でラップした面粗度の大きいスリガラス状になっている。そのように表面と裏面の面粗度が著しく違う。だから肉眼によってＧａＮ基板の表と裏の区別を付けることができる。それで矩形ウエハの場合は表裏面を目で見た粗面鏡面の違いで区別している。光学的な差異で表裏面を区別するので特別の表裏標識を設けていない。

円形ウエハには方位を示す線（ＯＦ）が必要だが矩形ウエハの場合は四辺のいずれかを方位指標に利用できるからＯＦは不要である。表裏標識も方位標識もＧａＮ矩形ウエハの場合はことさらに付けていない。それが現状である。

ＯＦやＩＦなどの弓形切欠きを用いないで表裏を表示するようにした半導体ウエハはいくつか提案されている。

特許文献１はＯＦ、ＩＦによらず、円形Ｓｉウエハの表面と裏面で角度の異なる面取りをして表裏を識別できるようにしている。

特許文献２はＯＦ、ＩＦなどによらず絞ったレーザビームをウエハ上特定方向に延びた線上に照射しドット状溶融穴を形成し、それによって方位と表裏を表示するＳｉ円形ウエハを提案する。

特許文献３はＯＦ、ＩＦなどを設けずノッチと表裏面の面取りの違いで方位と表裏面を表示するＳｉ円形ウエハを提案している。

特許文献４はＳｉウエハの表裏を明確に区別するために表面裏面を非対称に面取りしたＳｉ円形ウエハを提案する。

特許文献５も表裏の区別のため面取りを非対称にしたＳｉ円形ウエハを提案する。

特許文献６は周辺部を面取りした自立ＧａＮウエハを初めて提案している。

特許文献７は硬くて脆く可視光に対し透明である窒化ガリウムウエハにレーザで文字を書き込む方法を初めて提案している。

特開平２−１４４９０８号「半導体装置の製造方法」

特開昭６０−１６７４２６号「半導体結晶ウエハー」

特開２０００−３３１８９８「ノッチ付半導体ウエハ」

特開昭５８−７１６１６号「半導体装置の製造方法」

特開平８−３１６１１２号「ノッチ付き半導体ウエーハ」

特開２００２−３５６３９８「窒化ガリウムウエハ」

特願２００２−００８１３０「窒化ガリウムウエハおよび窒化ガリウムウエハのマーキング方法」

ＧａＮ単結晶基板は透明であり、現状では、裏面が粗面、表面が鏡面となっているから表裏は肉眼で判別できる。しかしそうすると裏面が粗面であることから問題が生ずる。裏面が粗面だからパーティクルが付き易い。そのパーティクルが表面に回り込んで表面を汚染することがある。それと裏面と表面の面粗度が大きく異なるので平坦度が悪く反りが生じたりする。反りがあるとリソグラフィの誤差が生じ製品の歩留まりも悪い。さらに裏面からクラックが発生したりすることもある。また裏面をヒートシンクやパッケージに接着したとき粗面のために熱伝導性が悪く放熱が不十分ということもある。

それで裏面もより平滑でミラー面に近いものにして欲しいという要望がある。そうすれば裏面にパーティクルが付着するということも少なくなろう。裏面をヒートシンクに付けた場合の熱伝導も良くなり、反りの問題も改善されよう。しかし裏面も鏡面に近付けたとすると表裏の面粗度が接近して肉眼では表裏の区別が付かなくなる。そうすると面粗度の違いによって表裏を区別するというこれまでの識別手段に代わるものが必要となる。

本発明は裏面をより平滑化してもなお表裏を区別できるように表裏標識を設けた単結晶窒化物半導体基板を提供することを第１の目的とする。本発明は裏面を粗面とせずパーティクルが付き難くした単結晶窒化物半導体基板を提供する事を第２の目的とする。本発明は裏面を粗面とせず反りを減らした単結晶窒化物半導体基板を提供することを第３の目的とする。本発明は、裏面を粗面とせず裏面の熱伝導を高めた単結晶窒化物半導体基板を提供することを第４の目的とする。

本発明の矩形窒化物半導体基板は、表裏を区別するために時計廻りに長短という順に並ぶ切欠きを二つの隅部に設ける、または一つの隅部に角度が５゜〜４０゜をなすような一つの切欠きを設ける、あるいは表面側と裏面側の面取り量を異ならせる、または文字を書いて表裏を区別する。以下に、窒化物半導体基板としてＧａＮ矩形ウエハの場合の本発明について概略を説明する。

１．（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１１−２０）を基準面として、基準面の対辺の両側に長切欠きＬと短切欠きＳを、表面を手前に向けたとき時計廻りに長切欠きＬ、短切欠きＳという順に並ぶよう設ける（図１）。四辺全長をＫとして、短切欠き、長切欠きの長さは、Ｋ／４０≦Ｌ≦Ｋ／１２、Ｋ／４０≦Ｓ≦Ｋ／１６とするのが適当である。

２．（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１−１００）を基準面として、基準面の対辺の両側に長切欠きＬと短切欠きＳを、表面を手前に向けたとき時計廻りに長切欠きＬ短切欠きＳという順に並ぶよう設ける（図２）。四辺全長をＫとして、短切欠き、長切欠きの長さは、Ｋ／４０≦Ｌ≦Ｋ／１２、Ｋ／４０≦Ｓ≦Ｋ／１６とするのが適当である。

３．（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１１−２０）を基準面として、基準面の対辺を上に表面を手前に向けたとき、対辺の左側に非基準面と角度Θ（５゜＜Θ＜４０゜）の切欠きを設け表面を手前に向けたとき時計廻りに切欠き分が長、短となるように設ける（図３）。

４．（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１−１００）を基準面として、基準面の対辺を上に表面を手前に向けたとき、対辺の左側に非基準面と角度Θ（５゜＜Θ＜４０゜）の切欠きを設け表面を手前に向けたとき時計廻りに切欠き分が長、短となるように設ける（図４）。

５．（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、表面の縁を短く面取り（ｇ）し、裏面の縁を長く面取りし（ｈ）た（図５）。ｇ＜ｈであればよい。適当な範囲は次のようである。短い面取りの幅はｇ＝１００μｍ〜４００μｍの程度である。長い面取りの幅はｈ＝３００μｍ〜１０００μｍの程度である（図５）。

６．（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、表面の縁を短く彎曲面取り（ｇ）し、裏面の縁を長く彎曲面取りし（ｈ）た（図６）。ｇ＜ｈであればよい。適当な範囲は次のようである。短い面取りの幅はｇ＝１００μｍ〜４００μｍの程度である。長い面取りの幅はｈ＝３００μｍ〜１０００μｍの程度である（図６）。
上記図５、図６の面取り方法は、ＧＣ^＃６００〜^＃８００の固定砥粒の付いた５００ｍｍφのターンテーブルで１００ｒｐｍで回転させながら湿式で研削する。荷重はおよそ３００ｇｆで実施した。

７．（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、表面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を正しい方向にレーザマーキングで記入した（図７）。

８．（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を正しい方向にレーザマーキングで記入した（図８）。

９．（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を逆方向にレーザマーキングで記入した（図９）。

１０．（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、表面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を正しい向きにレーザマーキングで記入した（図１０）。

１１．（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を正しい向きにレーザマーキングで記入した（図１１）。

１２．（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を逆向きにレーザマーキングで記入した（図１２）。

本発明は、矩形ＧａＮ基板の表裏面を区別するために隅部に二つあるいは一つ切欠きを付けたり面取りの深さを変えたり文字を書き込む。それによって表面と裏面を区別できる。従来は粗面、鏡面で表裏を見分けていたが粗面と鏡面の違いは透明なＧａＮ基板の場合あまり分かりやすいものでなかった。本発明の手法の方が面粗度の違いによるものよりも肉眼で表裏の区別をするのが容易になる。また、これらは、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ等の窒化物半導体基板にも同様に適用することができる。

また表裏の区別のために裏面を粗面化せずにすむ。裏面も鏡面に近い仕上げをするので裏面のパーティクルの付着が減少する。裏面にパーティクルが付き易かったのは一つには粗面だったからである。裏面と表面の仕上げ工程にあまり違いがないので反りが減った。反りの原因も面仕上げの違いによるところがあり仕上げにあまり差異がないと反りも少なくなるのである。裏面の凹凸が減りフォトリソグラフィ工程により好都合となる。

従来法のように裏面をラッピングによって粗面化したＧａＮウエハと、本発明による裏面を鏡面（ミラー）化したＧａＮウエハについて、表面パーティクル数、反り（ＴＴＶ）、クラック・ワレ発生率を測定し比較した。その結果を図１３、１４、１５に示す。裏面をミラーにできる本発明は、表面パーティクルを減少させることができ、反りも減らし、ワレ・クラック発生率をも減らすことができることがわかる。

本発明は（０００１）面（Ｃ面）を表面とし四辺を（１１−２０）面（Ａ面）と、（１−１００）面（Ｍ面）とする矩形ＧａＮ基板において、表面側を手前にして時計廻りに長短と並ぶような切欠きを連続する２隅部に設ける。

あるいは傾斜角が５゜〜４０゜の切欠きを隅部の一つに設ける。これらは２隅部の切欠き、あるいは１隅部の切欠きがどう見えるかによって表面であるか裏面であるかを区別する。或いは、面取りの量ｇ、ｈを表面側と裏面側で変えるようにする。面取りを見れば表裏がすぐにわかる。

またはＧａＮ基板に文字を書く。基板に文字を書くことをマーキングと言う。パワーの大きいレーザによって文字をＧａＮ基板に書く事ができる。ＧａＮ基板は透明であるから表面からでも裏面からでも見える。マーキングは、炭酸ガスレーザ（波長１０．６μｍ）を使用し、１パルス当たりのレーザパワー１５〜２０ｍＪで照射し、ドット径１００〜１４０μｍφで印字した。

表面に正方向に文字を書くというようにできる。文字が正立して見えるのが表面である。表面にレーザ加工穴があることでも判別できる。

裏面に正方向に文字を書く事できる。文字が逆方向に見えるのが表面である。レーザ加工穴のない方が裏面だということもできる。

裏面に逆方向に文字を書く（逆文字）こともできる。文字が正立して見えるのが表面である。それぞれの場合について説明する。何れの場合も（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハである。

１．（１１−２０）を基準面として、基準面の対辺の両側に長切欠きＬと短切欠きＳを、表面を手前に向けたとき時計廻りに長切欠きＬ、短切欠きＳという順に並ぶよう設ける（図１）。四辺全長をＫとして、短切欠き、長切欠きの長さは、Ｋ／４０≦Ｌ≦Ｋ／１２、Ｋ／４０≦Ｓ≦Ｋ／１６とするのが適当である。

「基準面」というのは方位を表す面ということである。（０００１）面を表面とするＧａＮウエハには互いに直交するａ（−１１００）、ｂ（−１−１２０）、ｃ（１−１００）、ｄ（１１−２０）という４辺をもつ。さらに隅部を４つもつ。辺ｄ辺ａの突き合わせ隅部イ、辺ａ辺ｂの突き合わせ隅部ロ、辺ｂ辺ｃの突き合わせ隅部ハ、辺ｃ辺ｄの突き合わせ隅部ニである。

ここでは基準辺をｄ（１１−２０）としている。対辺はｂ（−１−１２０）である。対辺の両側の隅部ロ、ハを切り欠いている。ロが長切欠きＬ、ハが短切欠きＳである。表から見て長切欠きＬ、短切欠きＳというように時計廻りに並ぶので、それが表ということがわかる。裏面から見るとロ、ハが左右反転するので、時計廻りに短切欠きＳ、長切欠きＬと並ぶのでそれが裏面だということが分かる。

２．（１−１００）を基準面として、基準面の対辺の両側に長切欠きＬと短切欠きＳを、表面を手前に向けたとき時計廻りに長切欠きＬ、短切欠きＳという順に並ぶよう設ける（図２）。四辺全長をＫとして、短切欠き、長切欠きの長さは、Ｋ／４０≦Ｌ≦Ｋ／１２、Ｋ／４０≦Ｓ≦Ｋ／１６とするのが適当である。
これはｃ（１−１００）が基準面とするので、対辺がａ（−１１００）でありその左右の隅部イ、ロを切り欠き、長切欠きＬ、短切欠きＳとしている。

３．（１１−２０）を基準面として、基準面の対辺を上に表面を手前に向けたとき、対辺の左側に非基準面と角度Θ（５゜＜Θ＜４０゜）の切欠きを設け表面を手前に向けたとき時計廻りに切欠き分が長、短となるように設ける（図３）。
これはｄ（１１−２０）が基準面で、対辺がｂ（−１−１２０）であり、その左側ロに非基準面ａ（−１１００）となす角度Θが５〜４０゜の切欠きを形成している。切欠き長さはケロ、ロフとなり表面から見たとき、時計廻りに長短と並ぶ。

４．（１−１００）を基準面として、基準面の対辺を上に表面を手前に向けたとき、対辺の左側に非基準面と角度Θ（５゜＜Θ＜４０゜）の切欠きを設け表面を手前に向けたとき時計廻りに切欠き分が長、短となるように設ける（図４）。
これはｃ（１−１００）が基準面で、対辺がｂ（−１１００）であり、その左側イに非基準面ｄ（１１−２０）となす角度Θが５〜４０゜の切欠きを形成している。切欠き長さはエイ、イテとなり表面から見たとき、時計廻りに長短と並ぶ。

５．表面の縁を短く面取り（ｇ）し、裏面の縁を長く面取りし（ｈ）た（図５）。ｇ＜ｈであればよい。適当な範囲は次のようである。短い面取りの幅はｇ＝１００μｍ〜４００μｍの程度である。長い面取りの幅はｈ＝３００μｍ〜１０００μｍの程度である（図５）。
これは辺の面取りの長短で表裏を表現している。基準面とは無関係に定義できる。円形Ｓｉウエハでは幾つかの提案がなされている。矩形窒化ガリウムでは先例がない。矩形の４辺全てに非対称面取りをしてもよいが、ある１辺または２辺だけを非対称面取りにしてもよい。

６．表面の縁を短く彎曲面取り（ｇ）し、裏面の縁を長く彎曲面取りし（ｈ）た（図６）。ｇ＜ｈであればよい。適当な範囲は次のようである。短い面取りの幅はｇ＝１００μｍ〜４００μｍの程度である。長い面取りの幅はｈ＝３００μｍ〜１０００μｍの程度である（図６）。
これは面取りを彎曲にしてワレやクラックが発生しにくくしたものである。

７．表面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を正しい方向にレーザマーキングで記入した（図７）。

窒化ガリウムは可視光に対し透明なのでレーザマーキングによく使われるＹＡＧレーザ（１．０６μｍ）では穴が開かない。ＹＡＧの第２高調波（５３０ｎｍ）でも吸収が少なく穴が開かない。前記の特許文献７に述べているように、４００ｎｍ以下の波長のレーザ（たとえばＹＡＧの第３高調波）や５０００ｎｍ以上の波長のレーザ（例えば１０．６μｍの炭酸ガスレーザ）を用いる。

表面側に文字を書くので、文字が正しく見えるのが表面であり、裏返しに見えるのが裏面である。

（１１−２０）面というのは辺イニに沿っており、しかも法線がロイ、ハニに平行な面である。個別面を（ｈｋｍｎ）、個別方向を［ｈｋｍｎ］で表現するが、個別方向［ｈｋｍｎ］は、個別面（ｈｋｍｎ）の外向き法線方向として定義される。面ハニは個別面（１−１００）であり、それに垂直の辺イニは個別方向［１−１００］そのものである。つまり［１−１００］方向は（１１−２０）面に平行なのである。上の文は同じ方位を意味している。

さらに文字が左右反転しているか、いないかで表裏を区別するのだから、文字は左右非対称のものを記入するべきである。
８．裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を正しい方向にレーザマーキングで記入した（図８）。

これは裏面側に文字を書くので、文字が正しく見えるのが裏面であり、裏返しに見えるのが表面である。

９．裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を逆方向にレーザマーキングで記入した（図９）。
これは裏面側に左右逆方向の文字を書くので、文字が正しく見えるのが表面であり、裏返しに見えるのが裏面である。

１０．表面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を正しい向きにレーザマーキングで記入した（図１０）。

１１．裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を正しい向きにレーザマーキングで記入した（図１１）。

１２．裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を逆向きにレーザマーキングで記入した（図１２）。
これは裏面側に左右逆方向の文字を書くので、文字が正しく見えるのが表面であり、裏返しに見えるのが裏面である。

（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１１−２０）を基準面として、基準面の対辺の両側に長切欠きＬと短切欠きＳを、表面を手前に向けたとき時計廻りに長切欠きＬ、短切欠きＳという順に並ぶよう設けた実施形態１にかかるＧａＮウエハ平面図。（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１−１００）を基準面として、基準面の対辺の両側に長切欠きＬと短切欠きＳを、表面を手前に向けたとき時計廻りに長切欠きＬ、短切欠きＳという順に並ぶよう設けた実施形態２にかかるＧａＮウエハ平面図。（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１１−２０）を基準面として、基準面の対辺を上に向け表面を手前に向けたとき、対辺の左側に非基準面と角度Θ（５゜＜Θ＜４０゜）をなすように切欠きを設けた実施形態３にかかるＧａＮウエハ平面図。（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、（１−１００）を基準面として、基準面の対辺を上に向け表面を手前に向けたとき、対辺の左側に非基準面と角度Θ（５゜＜Θ＜４０゜）をなすように切欠きを設けた実施形態４にかかるＧａＮウエハ平面図。（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、表面側の面取りｇより裏面側の面取りｈを大きくすることによって表裏を区別することができるようにした実施形態５にかかるＧａＮウエハ平面図。（０００１）面を持ち（１１−２０）、（１−１００）を辺とするＧａＮ矩形ウエハであって、表面側の彎曲面取りｇより裏面側の彎曲面取りｈを大きくすることによって表裏を区別することができるようにした実施形態６にかかるＧａＮウエハ平面図。（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、表面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を正しい向きに書き込んだＧａＮウエハの平面図。（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を正しい向きに書き込んだ矩形ＧａＮウエハの平面図。（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に文字を逆向きにレーザマーキングで記入したＧａＮウエハの平面図。（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、表面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を正しい向きにレーザマーキングで書き込んだＧａＮウエハの平面図。（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を正しい向きにレーザマーキングで書き込んだ矩形ＧａＮウエハの平面図。（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に文字を逆向きにレーザマーキングで記入した矩形ＧａＮウエハの平面図。従来法によって裏面をラッピングによって粗面化したＧａＮウエハと、本発明による裏面を鏡面（ミラー）化したＧａＮウエハについて、表面パーティクル数を測定し比較したグラフ。従来法によって裏面をラッピングによって粗面化したＧａＮウエハと、本発明による裏面を鏡面（ミラー）化したＧａＮウエハについて、反り（ＴＴＶ）を測定し比較したグラフ。従来法によって裏面をラッピングによって粗面化したＧａＮウエハと、本発明による裏面を鏡面（ミラー）化したＧａＮウエハについて、クラック・ワレ発生率を測定し比較したグラフ。

符号の説明

ａ（−１１００）辺
ｂ（−１−１２０）辺
ｃ（１−１００）辺
ｄ（１１−２０）辺
Ｌ長切欠き
Ｓ短切欠き
Θ 切欠きが非基準面に対してなす角度
イ辺ｄ、辺ａの突き合わせ隅部
ロ辺ａ、辺ｂの突き合わせ隅部
ハ辺ｂ、辺ｃの突き合わせ隅部
ニ辺ｃ、辺ｄの突き合わせ隅部
ｇ表面側面取り
ｈ裏面側面取り

Claims

（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、（１１−２０）面を基準面として、その対辺の２頂点に長い切欠きと短い切欠きを表面から見て時計廻りに順につけたことを特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
基板四辺の全長をＫとし、長い切欠きの長さをＬ、短い切欠きの長さをＳ（Ｓ＜Ｌ）とするとき、Ｋ／４０≦Ｌ≦Ｋ／１２でありかつＫ／４０≦Ｓ≦Ｋ／１６としたことを特徴とする請求項１に記載の表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、（１−１００）面を基準面として、その対辺の２頂点に長い切欠きと短い切欠きを表面から見て時計廻りに順につけたことを特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
基板四辺の全長をＫとし、長い切欠きの長さをＬ、短い切欠きの長さをＳ（Ｓ＜Ｌ）とするとき、Ｋ／４０≦Ｌ≦Ｋ／１２でありかつＫ／４０≦Ｓ≦Ｋ／１６としたことを特徴とする請求項３に記載の表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、（１１−２０）面を基準面として、表面側において基準面の対辺の左の頂点に、非基準面とのなす角がΘ＝５〜４０度で全周Ｋの１／４０〜１／１６の長さの切欠きを付けた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、（１−１００）面を基準面として、表面側において基準面の対辺の左の頂点に、非基準面とのなす角がΘ＝５〜４０度で全周Ｋの１／４０〜１／１６の長さの切欠きを付けた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、表面と裏面を面取りし、表面の面取りｇを裏面の面取り量ｈにより小さくした事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
表面取り量ｇが１００μｍ〜４００μｍであって、裏面取り量ｈが３００μｍ〜１０００μｍでありかつｇ＜ｈとしたことを特徴とする請求項７に記載の表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、表面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行にレーザマーキングされた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に正文字でレーザマーキングされた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、裏面側に、［１−１００］方向にそって、（１１−２０）面に平行に逆文字でレーザマーキングされた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、表面側に、［１１−２０］方向に沿って、（１−１００）面に平行にレーザマーキングされた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、裏面側に、［１１−２０］方向にそって、（１−１００）面に平行に正文字でレーザマーキングされた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。
（０００１）表面を持ち（１１−２０）面と（１−１００）面を側辺とする矩形であって、両面研磨してあり、裏面側に、［１１−２０］方向に沿って、（１−１００）面に平行に逆文字でレーザマーキングされた事を特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。