JPH0794615A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
- Publication number
- JPH0794615A JPH0794615A JP5234905A JP23490593A JPH0794615A JP H0794615 A JPH0794615 A JP H0794615A JP 5234905 A JP5234905 A JP 5234905A JP 23490593 A JP23490593 A JP 23490593A JP H0794615 A JPH0794615 A JP H0794615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- mark
- laser marking
- wafer
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハの裏面にレーザマークを作製し、
ウエハを裏返さなくとも、その内容が読取れるレーザマ
ーキングを提供すること。 【構成】（１）半導体ウエハの裏面に鏡像としてレーザ
マークを形成し、該半導体ウエハを裏返すことなくその
内容を読取ることを特徴とするレーザマーキング。
（２）特に半導体ウエハが化合物半導体ウエハである
（１）記載のレーザマーキング。
ウエハを裏返さなくとも、その内容が読取れるレーザマ
ーキングを提供すること。 【構成】（１）半導体ウエハの裏面に鏡像としてレーザ
マークを形成し、該半導体ウエハを裏返すことなくその
内容を読取ることを特徴とするレーザマーキング。
（２）特に半導体ウエハが化合物半導体ウエハである
（１）記載のレーザマーキング。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ、特に化
合物半導体ウエハのレーザマーキングに関するものであ
る。
合物半導体ウエハのレーザマーキングに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは、インゴット結晶を薄片
にスライスし、研磨することによって製作される。しか
し、半導体の特性はインゴットによって異なるため、そ
の後のプロセスで管理し易いよう、インゴット結晶から
切出された半導体ウエハには、インゴット番号、ウエハ
番号等をレーザビームでレーザマークを刻印するいわゆ
るレーザマーキングが広く使用されている。
にスライスし、研磨することによって製作される。しか
し、半導体の特性はインゴットによって異なるため、そ
の後のプロセスで管理し易いよう、インゴット結晶から
切出された半導体ウエハには、インゴット番号、ウエハ
番号等をレーザビームでレーザマークを刻印するいわゆ
るレーザマーキングが広く使用されている。
【０００３】従来、一般にレーザマーキングは、半導体
素子を製作する上で邪魔にならないよう、図２に示すよ
うに、ウエハの表面６の端部、特にオリエンテーション
フラット（ＯＦ）５の近傍にレーザマーク４を刻印して
レーザマーキングを製作することが多い。しかしなが
ら、最近はレーザマーキング時にパーティクルが発生し
ウエハが汚染されることや衝撃によりウエハが損傷する
危惧を避けるため、半導体素子を製作するウエハ表面で
なく、ウエハの裏面にレーザマーキングすることを希望
する場合が増えている。
素子を製作する上で邪魔にならないよう、図２に示すよ
うに、ウエハの表面６の端部、特にオリエンテーション
フラット（ＯＦ）５の近傍にレーザマーク４を刻印して
レーザマーキングを製作することが多い。しかしなが
ら、最近はレーザマーキング時にパーティクルが発生し
ウエハが汚染されることや衝撃によりウエハが損傷する
危惧を避けるため、半導体素子を製作するウエハ表面で
なく、ウエハの裏面にレーザマーキングすることを希望
する場合が増えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体ウエハ
の裏面にレーザマーキングを作製した場合には、その内
容を見るのにウエハを裏返す必要があり、非常に作業性
が悪いという欠点がある。
の裏面にレーザマーキングを作製した場合には、その内
容を見るのにウエハを裏返す必要があり、非常に作業性
が悪いという欠点がある。
【０００５】本発明の目的は、従来技術の欠点を解消
し、半導体ウエハを裏返さなくとも、半導体ウエハの裏
面にマークした内容が読取れるレーザマーキングを提供
することにある。
し、半導体ウエハを裏返さなくとも、半導体ウエハの裏
面にマークした内容が読取れるレーザマーキングを提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、（１）半導
体ウエハの裏面に鏡像としてマークを形成し、該半導体
ウエハを裏返すことなくその内容を読取ることを特徴と
するレーザマーキング。
体ウエハの裏面に鏡像としてマークを形成し、該半導体
ウエハを裏返すことなくその内容を読取ることを特徴と
するレーザマーキング。
【０００７】（２）半導体ウエハが化合物半導体ウエハ
である前記（１）に記載のレーザマーキング。
である前記（１）に記載のレーザマーキング。
【０００８】によって達成される。
【０００９】前記鏡像とは、鏡等反射板に写して見た場
合に正規の姿になる像（例えば文字）を意味する。
合に正規の姿になる像（例えば文字）を意味する。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図１を用いて以下に説明す
る。ただし、本発明は以下の説明によって制限されるも
のではない。
る。ただし、本発明は以下の説明によって制限されるも
のではない。
【００１１】図１に示すように、半導体ウエハ裏面３の
ＯＦ５の近傍に鏡像としてレーザマーク１を作製する。
該レーザマーク１を読取る際には、鏡等反射板の上の半
導体ウエハをもって行き、反射板に半導体ウエハの裏面
の文字を映すことによって容易に読取ることができる。
ＯＦ５の近傍に鏡像としてレーザマーク１を作製する。
該レーザマーク１を読取る際には、鏡等反射板の上の半
導体ウエハをもって行き、反射板に半導体ウエハの裏面
の文字を映すことによって容易に読取ることができる。
【００１２】従って、簡単な反射板を備えた設備を用意
するだけで半導体ウエハのレーザマークを読取ることが
できる。
するだけで半導体ウエハのレーザマークを読取ることが
できる。
【００１３】
【発明の効果】上記説明より明らかなように、本発明に
より、半導体ウエハを裏返さなくとも、その内容が読取
れるレーザマークを半導体ウエハの裏面に作製すること
が可能になったため、今まで、レーザマーキング時にパ
ーティクルが発生しウエハが汚染されることや衝撃によ
りウエハが損傷する危惧が少ないという長所があるにも
係わらず、レーザマークを読取るのに裏返す必要がある
という作業性の悪化のため採用されなかった半導体ウエ
ハ裏面レーザマーキングが広く受入れられるようにな
る。
より、半導体ウエハを裏返さなくとも、その内容が読取
れるレーザマークを半導体ウエハの裏面に作製すること
が可能になったため、今まで、レーザマーキング時にパ
ーティクルが発生しウエハが汚染されることや衝撃によ
りウエハが損傷する危惧が少ないという長所があるにも
係わらず、レーザマークを読取るのに裏返す必要がある
という作業性の悪化のため採用されなかった半導体ウエ
ハ裏面レーザマーキングが広く受入れられるようにな
る。
【図１】本発明のレーザマーキングを形成した半導体ウ
エハ裏面の一例を示す正面図である。
エハ裏面の一例を示す正面図である。
【図２】従来の表面にレーザマーキングを形成した半導
体ウエハの典型例を示す正面図である。
体ウエハの典型例を示す正面図である。
１ レーザマーク ２ オリエンテーションフラット ３ 半導体ウエハ裏面 ４ レーザマーク ５ オリエンテーションフラット ６ 半導体ウエハ表面
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハの裏面に鏡像としてマークを
形成し、該半導体ウエハを裏返すことなくその内容を読
取ることを特徴とするレーザマーキング。 - 【請求項２】半導体ウエハが化合物半導体ウエハである
請求項１記載のレーザマーキング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234905A JPH0794615A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234905A JPH0794615A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794615A true JPH0794615A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16978140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5234905A Pending JPH0794615A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030008464A (ko) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼 |
| KR100783257B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2007-12-06 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 표리 식별한 직사각형 질화물 반도체 기판 |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP5234905A patent/JPH0794615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030008464A (ko) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼 |
| KR100783257B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2007-12-06 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 표리 식별한 직사각형 질화물 반도체 기판 |
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