JPS5923512A - 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法 - Google Patents

半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法

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Publication number
JPS5923512A
JPS5923512A JP13217582A JP13217582A JPS5923512A JP S5923512 A JPS5923512 A JP S5923512A JP 13217582 A JP13217582 A JP 13217582A JP 13217582 A JP13217582 A JP 13217582A JP S5923512 A JPS5923512 A JP S5923512A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mark
laser
face
marking
Prior art date
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Pending
Application number
JP13217582A
Other languages
English (en)
Inventor
Ken Ishikawa
憲 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13217582A priority Critical patent/JPS5923512A/ja
Publication of JPS5923512A publication Critical patent/JPS5923512A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体ウェハーのマーキング方法に係シ、特に
半導体の素子形成面を良好に保ったままマーキングする
方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来半導体ウェハー上にロフト番号などをレーザビーム
で蒸発除去しマーキングすることが実用化されている。
また人手でダイヤモンド針などで文字を彫刻することも
行なわれている。しかしこれらのマーキング工程はウェ
ハーの素子形成面に凹凸を形成し易い、即ち文字を書き
込むと文字を形成する溝のまわシに異物が付着したυ、
溝から除去された物質が周囲の平面を形成する表面に付
着し、このウェハーの厚味を実質的に変化させる。
このことはウェハーに微細パターンを高密度で形成する
場合、写真方法などを用いると厚味が文字周囲は実質的
に厚いためウェハーを平面上に設置すると表面に傾きが
生じ一様な露光ができないなどの欠点がある。
したがって、レーザでマーギングをすると、そのあとで
文字の周囲の盛り上９部分をエツチングや研磨で平坦に
仕上げることが必要であった。
〔発明の目的〕
本発明の目的はウェハーのマーキングにおいてマーキン
グ時の周囲の盛り上υなどがあっても半導体の製造工程
において支障の生じない方法を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明は半導体ウェハーの側面にレーザ光を照射して刻
印するもので、刻印のよる凹凸の変化に影響を受けない
ようにしたものである。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例を第１図に示した。（１）はレーず発振
器であシＣＷ励起ＱスイッチＮｄ；ＹＡＧレーザやノー
マルパルス発振のＮｄ；ＹＡＧレーザなどのパルスレー
ザが利用できる。（２）、（４）はレーザビームの反射
鏡でこれらのミラーはお互に直交する方向にレーザビー
ム（Ｌ）を偏向する機能を有するものでミラーの偏角は
電気的に駆動されるガルバメータなどからなる駆動部（
３）、（５）から制御される。レーザビーム（Ｌ）は上
記２枚の反射ｍ（２）　、　（４）でマーキング文字に
応じて偏向、され、そのビームは集光レンズ（６）によ
ってウェハー（力の素子を形成する面（８）でなく、側
面に照射される。この側面にはウェハーの方位を決める
オリエンテーシ冒ンフラット面（９）とこれに続く円弧
面α〔があるがそのいずれでも嵐い、しかし、マーキン
グ後の読み取りを光学的に行う場合−にはオリエンテー
シ曹ンフラット面（９）をマーキングの場所として利用
する方法が好都合である。なお、レーザはＣＯ，レーザ
エキシルレーザ等Ｎｄ；ＹＡＧレーザ以外のものでもよ
い。
〔発明の効果〕
この厚み方向の側面にマーキングすることは次のような
好都合な点がある。
（イ）Ｌ／−ｆビームを照射する場合レーザビームを水
平に照射しできこのため彫刻（蒸発除去）した場合の蒸
発物がウェハーの表面には付着しない。即ち蒸発物はウ
ェハーの上下面と平行な方向でウェハーから遠くはなれ
る方向に飛び出し、ウェハ一方向には飛散しない。この
ため、レーザ照射レンズとウェハーの間ニ吸引装置をつ
ければ大部分除去できる。
（ロ）文字をマーキングする面が素子形成する面（８）
もしくはその裏面でもないので平面上に設置した場合に
表面の高さが、設置台面とウェハーの厚さできまる平行
度が得られ、マーキングの際に生じる盛シ上シなどによ
って作用されない、したがって表面に高密度のパターン
を形成する場合に誤差が生じない。
（ハ）マーキンクのための集光レンズ７＞ｆ　ウェハー
から水平方向にはなれて設けられるので、蒸発物が集光
レンズの方向に落ちることがない。
に）文字を後の工程で読みとる場合に文字の書かれる場
所がウェハー表面では広い面積からマーキング位置を探
すが、オリエンテーシ画ンフラット上に記しである場合
はマーキング位置の探索が容易である。
（へ）マーキングする場所が素子形成するウェハーの場
所から十分能れたところであるので、素子への熱影響が
少ない。したがってパルス幅の広い加工能力の大きなパ
ルスレーザでも利用できる。これによってマーキング文
字太さ。
深さが大きくてき鐵みとυが容易である。
（へ）マーキング位置が側面であるので、読み取シの場
合、半導体ウェハーを反転する必要がない。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示す斜視図である。 （Ｌ）・・・レーザ光　　　　　　（７）・・・半導体
ウェハ（９）・・・オリエンテーシ璽ンフック）　　　
Ｑｌ・・・円弧面代理人　弁理士　則近憲佑　（はが１
名）５２

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハーの側面にレーザ光を照射して刻印するこ
    とを％徴とする半導体ウニノー−のレーザマーキング方
    法。
JP13217582A 1982-07-30 1982-07-30 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法 Pending JPS5923512A (ja)

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JPS5923512A true JPS5923512A (ja) 1984-02-07

Family

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Family Applications (1)

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JP13217582A Pending JPS5923512A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法

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