JPS58162348A - レ−ザ−印刷装置 - Google Patents
レ−ザ−印刷装置Info
- Publication number
- JPS58162348A JPS58162348A JP57046041A JP4604182A JPS58162348A JP S58162348 A JPS58162348 A JP S58162348A JP 57046041 A JP57046041 A JP 57046041A JP 4604182 A JP4604182 A JP 4604182A JP S58162348 A JPS58162348 A JP S58162348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- condensing lens
- mask plate
- printing device
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
- B41J2/442—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレーザー光線Ｃ二より文字、記号その他の所定
パターンを被印刷物Ｃ：刻印するためのレーザー印刷装
置に関する・ 〔発明の技術的背景〕 レーザー印刷装置は、１例えば樹脂封止型半導体装置の
モールド樹脂層表面Ｃ；製品名その他の文字や記号を刻
印する場合に用いられている・Ｍｌ−は従来のレーザー
印刷装置を示す説明図である。同図（−おいて、（１）
は集光レンズである。
パターンを被印刷物Ｃ：刻印するためのレーザー印刷装
置に関する・ 〔発明の技術的背景〕 レーザー印刷装置は、１例えば樹脂封止型半導体装置の
モールド樹脂層表面Ｃ；製品名その他の文字や記号を刻
印する場合に用いられている・Ｍｌ−は従来のレーザー
印刷装置を示す説明図である。同図（−おいて、（１）
は集光レンズである。
レーザー光線２はこの集光レンズｌで集光された後、所
定パターンの透孔１を有する金職マスク板４を通して更
Ｃ：集光レンズ（−示略）を通して印刷すべき物体５の
表面ζ；照射される・こうして、物体５の表面（：は金
属マスク板４に形成された透孔３と同一形状の所定パタ
ーンがレーザー光線２（−よって刻印される。
定パターンの透孔１を有する金職マスク板４を通して更
Ｃ：集光レンズ（−示略）を通して印刷すべき物体５の
表面ζ；照射される・こうして、物体５の表面（：は金
属マスク板４に形成された透孔３と同一形状の所定パタ
ーンがレーザー光線２（−よって刻印される。
上記従来のレーザー印刷装置では、第２１ｋＣ示すよう
ｇニレーザー光線２が金属マスク板４で一部反射され、
この反射レーザー光線２′Ｉ：よって集光レンズｌが艷
損されるという問題があった。第２図中のａおよびｂは
反射レーザー光線２′ｇ二より発生した鰺揖部である０
例えばＣＯ，レーザーによる印刷装置ではゲルマニウ′
ム１００％の集光レンメｌが用いられており、一般Ｉ：
レーザー印刷装置の集光レンズは極めて萬価であるから
、このような高価な集光レンズの焼損は多大な損害をも
たらすことになる。
ｇニレーザー光線２が金属マスク板４で一部反射され、
この反射レーザー光線２′Ｉ：よって集光レンズｌが艷
損されるという問題があった。第２図中のａおよびｂは
反射レーザー光線２′ｇ二より発生した鰺揖部である０
例えばＣＯ，レーザーによる印刷装置ではゲルマニウ′
ム１００％の集光レンメｌが用いられており、一般Ｉ：
レーザー印刷装置の集光レンズは極めて萬価であるから
、このような高価な集光レンズの焼損は多大な損害をも
たらすことになる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので゛、反射レー
ザー光線による集光レンズの４損を防止したレーザー印
刷装置を提供するものである・。
ザー光線による集光レンズの４損を防止したレーザー印
刷装置を提供するものである・。
本発明のレーザー印刷装置は、集光レンズと金属マスク
板との間Ｃ二、該金属マスク板で反射された反射レーザ
ー光１１１Ｌを遮蔽するための遮蔽を設け、該遮蔽板Ｃ
；よって反射レーず一光線５；よる集光レンズの４損を
防止したものである・〔発明の実施例〕 ゛ 第３内は本発明の一実施例鑑：なるレーザー印刷装置な
示す説明図である・−示のようＣ，この実施例では集光
レンズｌと金属マスク４との間５二遮蔽板６が設けられ
ており、それ以外の構成は第１図の従来例と同様である
・この遮蔽板６には透孔ｒが設けられ、レーザー光線２
はこの透孔７の内部−二集光されるようになっている・
上記構成からなるレーザー印刷装置では、金−マスク板
４で反射された反射レーザー光線２Ｉの大部分は遮蔽板
６で遮蔽され、集光レンズｌまで・達しない。従って、
従来のような反射レーザー光ｌによる集光レンズの焼損
を防止することができる。
板との間Ｃ二、該金属マスク板で反射された反射レーザ
ー光１１１Ｌを遮蔽するための遮蔽を設け、該遮蔽板Ｃ
；よって反射レーず一光線５；よる集光レンズの４損を
防止したものである・〔発明の実施例〕 ゛ 第３内は本発明の一実施例鑑：なるレーザー印刷装置な
示す説明図である・−示のようＣ，この実施例では集光
レンズｌと金属マスク４との間５二遮蔽板６が設けられ
ており、それ以外の構成は第１図の従来例と同様である
・この遮蔽板６には透孔ｒが設けられ、レーザー光線２
はこの透孔７の内部−二集光されるようになっている・
上記構成からなるレーザー印刷装置では、金−マスク板
４で反射された反射レーザー光線２Ｉの大部分は遮蔽板
６で遮蔽され、集光レンズｌまで・達しない。従って、
従来のような反射レーザー光ｌによる集光レンズの焼損
を防止することができる。
１４４６は本発明の他の実施例になるレーザー印刷装置
を示す説明図である・内示のよう（：。
を示す説明図である・内示のよう（：。
この実施例では金属マスク板４がレーザー光線２の光軸
に対して垂直でなく、軸斜して設置されている。その他
の構成は総て第３図の実施例と同様である◎この実施例
によれば１反射レーザー光線２′の方向がレーザー光線
２の光軸から大きく外れることになるから１反射レーザ
ー光線２Ｉが集光レンズｌに到達する可能性は更に小さ
くなる。従って、集光レンズＪの焼損を防止する上で第
３図の実施例よりも更に大きな効果が得られる。
に対して垂直でなく、軸斜して設置されている。その他
の構成は総て第３図の実施例と同様である◎この実施例
によれば１反射レーザー光線２′の方向がレーザー光線
２の光軸から大きく外れることになるから１反射レーザ
ー光線２Ｉが集光レンズｌに到達する可能性は更に小さ
くなる。従って、集光レンズＪの焼損を防止する上で第
３図の実施例よりも更に大きな効果が得られる。
以上詳述したよ５ｃ：１本発明のレーザー印剃装に５：
よれば、高価な集・光レンズの焼損を防止してその寿命
を延長できるといった顕著な効果を得ることができる。
よれば、高価な集・光レンズの焼損を防止してその寿命
を延長できるといった顕著な効果を得ることができる。
第１図および第２因は従来のレーザー印刷装置の構成と
その問題点を示す説明因、第３因は本発明の一実施例Ｃ
；なるレーザー印刷装置ｌｌを示す説明囚、第４因は本
発明の他の実施例６：なるレーザー印刷装置を示す説明
図である・１・・・集光レンズ、２・・・レーザー光°
線、２′・・・反射レーザー光線、３・・・透孔、４・
・・金属マスク板。 ５・・・被印刷物、６・・・遮蔽板、１・・・透孔。 出願人代理人 弁理土鈴 江 武彦 ２９
その問題点を示す説明因、第３因は本発明の一実施例Ｃ
；なるレーザー印刷装置ｌｌを示す説明囚、第４因は本
発明の他の実施例６：なるレーザー印刷装置を示す説明
図である・１・・・集光レンズ、２・・・レーザー光°
線、２′・・・反射レーザー光線、３・・・透孔、４・
・・金属マスク板。 ５・・・被印刷物、６・・・遮蔽板、１・・・透孔。 出願人代理人 弁理土鈴 江 武彦 ２９
Claims (1)
- レーザー光線を集光レンズ（：より集光し、これを所定
パターンの透孔な有する金属マスク板を通して被印刷物
上に照射することにより該被印刷物ｉ二前記所定パター
ンを印刷するレーザー印刷装置において、前記集光レン
ズと金属マスク板との間砿：、この金属マスク板から反
射されたレーザー光線を３１１廠するための遮蔽板を設
けたことを特徴とするレーザー印刷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046041A JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046041A JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162348A true JPS58162348A (ja) | 1983-09-27 |
| JPH0241423B2 JPH0241423B2 (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12735939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57046041A Granted JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162348A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194793A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS6194792A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS61127391A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング方法 |
| JPS62152791A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子部品へのレ−ザ−捺印方法 |
| JP2011524259A (ja) * | 2008-06-17 | 2011-09-01 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザ加工システムにおける後方反射の低減法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412234U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-26 | ||
| JPS5416382U (ja) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57046041A patent/JPS58162348A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412234U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-26 | ||
| JPS5416382U (ja) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194793A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS6194792A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPH0251390B2 (ja) * | 1984-10-15 | 1990-11-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS61127391A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング方法 |
| JPS62152791A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子部品へのレ−ザ−捺印方法 |
| JP2011524259A (ja) * | 2008-06-17 | 2011-09-01 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザ加工システムにおける後方反射の低減法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241423B2 (ja) | 1990-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0471792A (ja) | マーキング方法 | |
| JPS58162348A (ja) | レ−ザ−印刷装置 | |
| US20070115471A1 (en) | Wafer, exposure mask, method of detecting mark and method of exposure | |
| US6210841B1 (en) | Approach to increase the resolution of dense line/space patterns for 0.18 micron and below design rules using attenuating phase shifting masks | |
| KR950015591A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| TW516098B (en) | Light source generation apparatus and exposure method of contact hole | |
| JPS602956A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JP2001035776A (ja) | 半導体装置の製造方法及びレチクル | |
| JPS58159327A (ja) | ウエ−ハアラインメントマ−クの保存方法 | |
| JP3227842B2 (ja) | Ｌｓｉの製造方法 | |
| JPH0251390B2 (ja) | ||
| KR0161831B1 (ko) | 레이저마킹장치 | |
| JPH0824218B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPS60211941A (ja) | 露光方法 | |
| JPS62126634A (ja) | 半導体ウエハの位置合せマ−ク | |
| JPS59123231A (ja) | 自動マスク合せ装置 | |
| JP2000174020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100448856B1 (ko) | 리소그라피 공정의 노광 방법 | |
| JPH06208220A (ja) | マスクパターンの作成方法 | |
| KR960019481A (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
| KR19990055142A (ko) | 공정 마진 개선을 위한 포토마스크 | |
| KR950004486A (ko) | 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 | |
| KR970022524A (ko) | 해프톤 위상 반전 포토 마스크 | |
| KR940016560A (ko) | 반도체 마스크 패턴 제조방법 | |
| JPS61158141A (ja) | フオトエツチング装置 |