JPH0241423B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0241423B2 JPH0241423B2 JP57046041A JP4604182A JPH0241423B2 JP H0241423 B2 JPH0241423 B2 JP H0241423B2 JP 57046041 A JP57046041 A JP 57046041A JP 4604182 A JP4604182 A JP 4604182A JP H0241423 B2 JPH0241423 B2 JP H0241423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- condensing lens
- plate
- laser beam
- reflected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
- B41J2/442—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレーザー光線により文字、記号その他
の所定パターンを被印刷物に刻印するためのレー
ザー印刷装置に関する。
の所定パターンを被印刷物に刻印するためのレー
ザー印刷装置に関する。
レーザー印刷装置は、例えば樹脂封止型半導体
装置のモールド樹脂層表面に製品名その他の文字
や記号を刻印する場合に用いられている。第１図
は従来のレーザー印刷装置を示す説明図である。
同図において、１は集光レンズである。レーザー
光線２はこの集光レンズ１で集光された後、所定
パターンの透孔３を有する金属マスク板４を通し
て更に集光レンズ（図示略）を通して印刷すべき
物体５の表面に照射される。こうして、物体５の
表面には金属マスク板４に形成された透孔３と同
一形状の所定パターンがレーザー光線２によつて
刻印される。
装置のモールド樹脂層表面に製品名その他の文字
や記号を刻印する場合に用いられている。第１図
は従来のレーザー印刷装置を示す説明図である。
同図において、１は集光レンズである。レーザー
光線２はこの集光レンズ１で集光された後、所定
パターンの透孔３を有する金属マスク板４を通し
て更に集光レンズ（図示略）を通して印刷すべき
物体５の表面に照射される。こうして、物体５の
表面には金属マスク板４に形成された透孔３と同
一形状の所定パターンがレーザー光線２によつて
刻印される。
上記従来のレーザー印刷装置では、第２図に示
すようにレーザー光線２が金属マスク板４で一部
反射され、この反射レーザー光線２′によつて集
光レンズ１が焼損されるという問題があつた。第
２図中のａおよびｂは反射レーザー光線２′によ
り発生した焼損部である。例えばCO2レーザーに
よる印刷装置ではゲルマニウム100％の集光レン
ズ１が用いられており、一般にレーザー印刷装置
の集光レンズは極めて高価であるから、このよう
な高価な集光レンズの焼損は多大な損害をもたら
すことになる。
すようにレーザー光線２が金属マスク板４で一部
反射され、この反射レーザー光線２′によつて集
光レンズ１が焼損されるという問題があつた。第
２図中のａおよびｂは反射レーザー光線２′によ
り発生した焼損部である。例えばCO2レーザーに
よる印刷装置ではゲルマニウム100％の集光レン
ズ１が用いられており、一般にレーザー印刷装置
の集光レンズは極めて高価であるから、このよう
な高価な集光レンズの焼損は多大な損害をもたら
すことになる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、反
射レーザー光線による集光レンズの焼損を防止し
たレーザー印刷装置を提供するものである。
射レーザー光線による集光レンズの焼損を防止し
たレーザー印刷装置を提供するものである。
〔発明の概要〕
本発明のレーザー印刷装置は、集光レンズと金
属マスク板との間に、該金属マスク板で反射され
た反射レーザー光線を遮蔽するための遮蔽を設
け、該遮蔽板によつて反射レーザー光線による集
光レンズの焼損を防止したものである。
属マスク板との間に、該金属マスク板で反射され
た反射レーザー光線を遮蔽するための遮蔽を設
け、該遮蔽板によつて反射レーザー光線による集
光レンズの焼損を防止したものである。
第３図は本発明の一実施例になるレーザー印刷
装置を示す説明図である。図示のように、この実
施例では集光レンズ１と金属マスク４との間に遮
蔽板６が設けられており、それ以外の構成は第１
図の従来例と同様である。この遮蔽板６には透孔
７が設けられ、レーザー光線２はこの透孔７の内
部に集光されるようになつている。
装置を示す説明図である。図示のように、この実
施例では集光レンズ１と金属マスク４との間に遮
蔽板６が設けられており、それ以外の構成は第１
図の従来例と同様である。この遮蔽板６には透孔
７が設けられ、レーザー光線２はこの透孔７の内
部に集光されるようになつている。
上記構成からなるレーザー印刷装置では、金属
マスク板４で反射された反射レーザー光線２′の
大部分は遮蔽板６で遮蔽され、集光レンズ１まで
達しない。従つて、従来のような反射レーザー光
２′による集光レンズの焼損を防止することがで
きる。
マスク板４で反射された反射レーザー光線２′の
大部分は遮蔽板６で遮蔽され、集光レンズ１まで
達しない。従つて、従来のような反射レーザー光
２′による集光レンズの焼損を防止することがで
きる。
第４図は本発明の他の実施例になるレーザー印
刷装置を示す説明図である。図示のように、この
実施例では金属マスク板４がレーザー光線２の光
軸に対して垂直でなく、傾斜して設置されてい
る。その他の構成は総て第３図の実施例と同様で
ある。この実施例によれば、反射レーザー光線
２′の方向がレーザー光線２の光軸から大きく外
れることになるから、反射レーザー光線２′が集
光レンズ１に到達する可能性は更に小さくなる。
従つて、集光レンズ１の焼損を防止する上で第３
図の実施例よりも更に大きな効果が得られる。
刷装置を示す説明図である。図示のように、この
実施例では金属マスク板４がレーザー光線２の光
軸に対して垂直でなく、傾斜して設置されてい
る。その他の構成は総て第３図の実施例と同様で
ある。この実施例によれば、反射レーザー光線
２′の方向がレーザー光線２の光軸から大きく外
れることになるから、反射レーザー光線２′が集
光レンズ１に到達する可能性は更に小さくなる。
従つて、集光レンズ１の焼損を防止する上で第３
図の実施例よりも更に大きな効果が得られる。
以上詳述したように、本発明のレーザー印刷装
置によれば、高価な集光レンズの焼損を防止して
その寿命を延長できるといつた顕著な効果を得る
ことができる。
置によれば、高価な集光レンズの焼損を防止して
その寿命を延長できるといつた顕著な効果を得る
ことができる。
第１図および第２図は従来のレーザー印刷装置
の構成とその問題点を示す説明図、第３図は本発
明の一実施例になるレーザー印刷装置を示す説明
図、第４図は本発明の他の実施例になるレーザー
印刷装置を示す説明図である。 １……集光レンズ、２……レーザー光線、２′
……反射レーザー光線、３……透孔、４……金属
マスク板、５……被印刷物、６……遮蔽板、７…
…透孔。
の構成とその問題点を示す説明図、第３図は本発
明の一実施例になるレーザー印刷装置を示す説明
図、第４図は本発明の他の実施例になるレーザー
印刷装置を示す説明図である。 １……集光レンズ、２……レーザー光線、２′
……反射レーザー光線、３……透孔、４……金属
マスク板、５……被印刷物、６……遮蔽板、７…
…透孔。
Claims (1)
- １ レーザー光線を集光レンズにより集光し、こ
れを所定パターンの透孔を有する金属マスク板を
通して被印刷物上に照射することにより該被印刷
物に前記所定パターンを印刷するレーザー印刷装
置において、前記集光レンズと金属マスク板との
間に、この金属マスク板から反射されたレーザー
光線を遮蔽するための遮蔽板を設けたことを特徴
とするレーザー印刷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046041A JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046041A JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162348A JPS58162348A (ja) | 1983-09-27 |
| JPH0241423B2 true JPH0241423B2 (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12735939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57046041A Granted JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162348A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194792A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS6194793A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS61127391A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング方法 |
| JPS62152791A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子部品へのレ−ザ−捺印方法 |
| US8217302B2 (en) * | 2008-06-17 | 2012-07-10 | Electro Scientific Industries, Inc | Reducing back-reflections in laser processing systems |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412234U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-26 | ||
| JPS5416382U (ja) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57046041A patent/JPS58162348A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412234U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-26 | ||
| JPS5416382U (ja) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58162348A (ja) | 1983-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900007062A (ko) | 하전입자 비임 노광법(charged particle beam exposure method) | |
| US20070115471A1 (en) | Wafer, exposure mask, method of detecting mark and method of exposure | |
| US5418093A (en) | Projection exposure method and an optical mask for use in projection exposure | |
| JPH0241423B2 (ja) | ||
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| JP3227842B2 (ja) | Ｌｓｉの製造方法 | |
| KR0167312B1 (ko) | 노광장치 | |
| JPS602956A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| KR950014991A (ko) | 레티클 제조방법(Method of manufacturing reticle) | |
| JPH0430052Y2 (ja) | ||
| JPH05326356A (ja) | レーザ描画装置および方法 | |
| JPS6117145A (ja) | レ−ザマ−キング用マスク | |
| JPS6224220A (ja) | レ−ザマ−キング装置 | |
| KR100448856B1 (ko) | 리소그라피 공정의 노광 방법 | |
| KR200183548Y1 (ko) | 반도체 노광장비의 어퍼츄어 구조 | |
| JPS61158141A (ja) | フオトエツチング装置 | |
| JPH06208220A (ja) | マスクパターンの作成方法 | |
| JPH021106A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR970022524A (ko) | 해프톤 위상 반전 포토 마스크 | |
| JPH0251390B2 (ja) | ||
| KR19980016843A (ko) | 반도체 소자의 마스크 | |
| KR20020094504A (ko) | 웨이퍼 에지 노광 장치 | |
| JPS63146435A (ja) | 半導体パタ−ニング方法 | |
| JPS60235423A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR970067553A (ko) | 반도체 장치의 미세패턴형성방법 |