JPS63146435A - 半導体パタ−ニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＧａＡｍなとの半導体ウェハの裏面に認識用の
パターンを刻印する半導体パターニング方法に関し、特
にレーザ光を利用して半導体ウエノ１裏面の金属薄膜上
にパターニングする方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、ＧａＡｓなどの半導体ウェハの裏面に一様に蒸着
された金属薄膜へのパターニング方法は、そのフローチ
ャートを第３図に示すように、まず表面保護のための保
護膜をウェハ表面に形成したうえ（符号１１の工程）、
次にウェハ裏面に写真製版によりレジストパターンを形
成する（１２の工程〕０このとき、ウェハ表面と裏面の
位置を合わせるために、両面マスクアライナもしくはリ
バースマスクアライナを使用することが多い。次いで、
ウェハ裏面電極の不要部をエツチングにより除去してパ
ターニングした後（１３の工程）、各レジスト、表面保
護膜をそれぞれ除去して（１４・、１５の工程）、パタ
ーンが形成されている。

なお、ウェハ裏面のパターン！＆！繊用のパターンは、
以上のような金属薄膜の有無によって作る方法の他に、
金属薄膜を変質させて光の反射率金車えることによ〕パ
ターンを作る方法もある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、上記した従来の半導体ウェハ裏面にパターニン
グする方法は、写真製版法を用いているので、その工程
数が多くなる。また、裏面にパタ−ユングを施す際には
ウエノ・は薄く研磨されているので、工程が長いとその
途中でウェハ割れが発生しやすく、歩留の低下を招くと
いう問題点があった。

本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、レーザ光を利用して１工程で半導体ウェハ裏面
の電極上に認識用のパターンを刻印できる半導体パター
ニング方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る半導体バターニング方法は、半導体ウェハ
裏面の全面に金属薄膜を設け、このウェハ表面の電極の
存在しない領域から該半導体ウェハの禁止帯幅より小さ
なフォトンエネルギーのレーザ光を照射することにより
、そのウェハ裏面の金属薄膜を融解もしくは蒸発させて
パターンを形成するようにしたものである。

〔作用〕

本発明においては、刻印用プローブとして半導体ウェハ
の禁止帯幅よりも小さいエネルギーのレーザ光を用いる
ため、このレーザ光がウェハを透過してウェハ裏面の金
属に吸収され、そこで変換される熱によりウエハ裏面の
金属が融解もしくは蒸発してパターンが形成されること
となる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明方法の一実施例に供する半導体パターニ
ング装置の模式図である。第１図において、１は波長１
．０６μｍのレーザ光を放射するＹＡＧレーザ発振器、
２はこのレーザ光を任意の位ｔへ導くためのミラー系、
３はレーザ光が後述するウェハ裏面で焦点を結ぶように
絞るためのレンズ系、４はＧａＡｍウェハである。また
、５はこのウェハ４の表面に形成された不透明な金属等
からなる表面電極、６はＧａＡｓウェハ４の裏面全面に
蒸着等により形成された裏面電極、７はウェハ４を移動
させるためのウェハ駆動台であシ、これは駆動系（図示
せず）にて任意に移動可能に構成されている。なお、図
中８はＹＡＧレーザ発振器１より放射されるＹＡＧレー
ザ光を示している。

次に１上記構成の装置を用いてＧ　ａ　Ａ　ｓ　　ウェ
ハ裏面にパターニングする方法を詳述する。ここで、Ｙ
ＡＧレー、ザ発振器１より放射されたレーザ光８は、ミ
ラー系２およびレンズ系３によりＧ　ａ　Ａ　ｓウェハ
４上の任意の位置に所定のスポットサイズに絞られて照
射される。このとき、ＧａＡ＠ウェハ４上の表面電極５
の存在しない領域にレーザ光８を照射するようにする。

しかして、ＹＡＧレーザ発振器１の発振波長は１．０６
μｍでわシ、ウェハ４つまυＧｍＡ＋ｓ基板の禁止帯幅
は約１．４ｅＶ、波長に変換すると約０．９μｍで１７
、ＹＡＧレーザ光８にとってはＧａＡｇウェハ４は透明
となる。従って、表面電極５の存在しないＧａＡｓウェ
ハ４の面上に照射されたＹＡＧレーザ光８は、このウェ
ハ４を透過して、ウェハ裏面上の裏面電極６において吸
収されて熱に変換される。そのため、この熱により裏面
電極６が融解もしくは蒸発して、その裏面電極６に認識
用のパターンを刻印することができる。このとき、その
パターンの位置はウェハ４上の表面に表面’ｆ！ｆｆ１
ｓの存在しない場所であれば、任意の位置に刻むことが
できる。

また、パターンの形状もレーザ光８の掃引波形を変える
ことで、任意の形状にすることができる。

なお、上記実施例ではレーザ光８がウェハ４にほぼ垂直
に入射する場合について示したが、第２図に示すように
、レーザ光８を斜めに入射させてもよいことはいうまで
もない。この場合には、表面電極５のすぐ裏側にも刻印
することができる利点を奏する。なお、図中、同一符号
は同一または相当部分を示している。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、刻印用プローブとして半
導体ウェハの禁止帯幅よりも小さな７オトンエネルギー
のレーザ光を用いて、そのウェハを透過してパターンを
刻印できるので、ウェハ裏面電極への刻印の工程が１工
程で済み、また精度の高いものが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例に供する半導体パターニ
ング装置を示す模式図、第２図は本発明の他の実施例を
示す第１図相当の模式図、第３図は従来例によるパター
ニング方法のフローチャートである。 １・・・−ＹＡＧレーザ発振器、２・・・・ミラー系、
３・・・・レンズ系、４・・・・Ｇ　ｍＡ　ｓウェハ、
５・・・・表面電極、６・・・・裏面電極、７・・・・
ウエノ・駆動台、８・・・・ＹＡＧレーザ光。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハ裏面の全面に金属薄膜を設け、このウェハ
   表面の電極の存在しない領域から該半導体ウェハの禁止
   帯幅より小さなフォトンエネルギーのレーザ光を照射す
   ることにより、そのウェハ裏面の金属薄膜を融解もしく
   は蒸発させてパターンを形成することを特徴とする半導
   体パターニング方法。