JPH10307404A - 製版装置 - Google Patents
製版装置Info
- Publication number
- JPH10307404A JPH10307404A JP9131656A JP13165697A JPH10307404A JP H10307404 A JPH10307404 A JP H10307404A JP 9131656 A JP9131656 A JP 9131656A JP 13165697 A JP13165697 A JP 13165697A JP H10307404 A JPH10307404 A JP H10307404A
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- JP
- Japan
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- photoresist film
- plate making
- pulse
- pulse width
- plate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱効果によって溶融したフォトレジストが孔
の周縁に盛り上がり、銅板から剥離した状態となるなど
の課題があった。 【解決手段】 パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パル
ス２を射出する紫外線パルス射出手段１と、紫外線パル
ス２を銅板５のフォトレジスト膜４に集光して照射し、
当該フォトレジスト膜４を除去して孔６を形成する集光
照射手段３とを備えて構成し、孔６の形状が盛り上がっ
たり爆裂状になったりせず、集光した紫外線パルス２の
スポット形状とほぼ同じ形状の孔６を形成でき、高精度
の製版を行うことができるようにした。
の周縁に盛り上がり、銅板から剥離した状態となるなど
の課題があった。 【解決手段】 パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パル
ス２を射出する紫外線パルス射出手段１と、紫外線パル
ス２を銅板５のフォトレジスト膜４に集光して照射し、
当該フォトレジスト膜４を除去して孔６を形成する集光
照射手段３とを備えて構成し、孔６の形状が盛り上がっ
たり爆裂状になったりせず、集光した紫外線パルス２の
スポット形状とほぼ同じ形状の孔６を形成でき、高精度
の製版を行うことができるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、パルス幅が３０
０ナノ秒（以下、「ｎｓ」と記す）程度の紫外線パルス
を、フォトレジスト膜を有した製版用の版面に集光して
照射することにより、エッジの盛り上がりのないフォト
レジスト膜の除去加工ができ、エッチングによる網点を
高精度に形成できる製版装置に関するものである。
０ナノ秒（以下、「ｎｓ」と記す）程度の紫外線パルス
を、フォトレジスト膜を有した製版用の版面に集光して
照射することにより、エッジの盛り上がりのないフォト
レジスト膜の除去加工ができ、エッチングによる網点を
高精度に形成できる製版装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、製版用の版面に形成されたフ
ォトレジスト膜に可視光パルスやパルス幅の短い紫外線
パルスを集光し照射することで当該フォトレジスト膜を
除去する製版装置が知られている。かかる従来の製版装
置によって得られるフォトレジスト膜の除去加工例を図
示例に基づいて説明する。なお、その除去加工における
条件として、銅板上に塗布されたフォトレジスト膜の厚
さは７マイクロメートル（以下、「μｍ」と記す）であ
り、所定のパルスを集光するための凸レンズは焦点距離
が１０センチメートル（以下、「ｃｍ」と記す）のもの
を使用している。
ォトレジスト膜に可視光パルスやパルス幅の短い紫外線
パルスを集光し照射することで当該フォトレジスト膜を
除去する製版装置が知られている。かかる従来の製版装
置によって得られるフォトレジスト膜の除去加工例を図
示例に基づいて説明する。なお、その除去加工における
条件として、銅板上に塗布されたフォトレジスト膜の厚
さは７マイクロメートル（以下、「μｍ」と記す）であ
り、所定のパルスを集光するための凸レンズは焦点距離
が１０センチメートル（以下、「ｃｍ」と記す）のもの
を使用している。
【０００３】図４は波長が５３２ナノメートル（以下、
「ｎｍ」と記す）でパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧレーザ
ー第２高調波を使用した場合の従来のフォトレジスト膜
の除去パターンを示す写真、図５は波長が５３２ｎｍで
パルス幅が３００ｎｓのレーザーパルスを使用した場合
の従来のフォトレジスト膜の除去パターンを示す写真、
図６は波長が２６６ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧ
レーザー第４高調波を使用した場合の従来のフォトレジ
スト膜の除去パターンを示す写真である。図において、
７はフォトレジスト膜を除去することにより形成された
孔である。
「ｎｍ」と記す）でパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧレーザ
ー第２高調波を使用した場合の従来のフォトレジスト膜
の除去パターンを示す写真、図５は波長が５３２ｎｍで
パルス幅が３００ｎｓのレーザーパルスを使用した場合
の従来のフォトレジスト膜の除去パターンを示す写真、
図６は波長が２６６ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧ
レーザー第４高調波を使用した場合の従来のフォトレジ
スト膜の除去パターンを示す写真である。図において、
７はフォトレジスト膜を除去することにより形成された
孔である。
【０００４】次に動作について説明する。図４に示すよ
うに、波長が５３２ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧ
レーザー第２高調波を使用した場合、すなわち可視光パ
ルスを使用した加工では、光のエネルギーはフォトレジ
スト膜に吸収された後に熱に変わり、当該フォトレジス
ト膜を溶融して気化させる（以下、かかる作用を「熱効
果」と記す）。したがって、除去されるフォトレジスト
膜の領域、すなわち孔７はレーザービームの照射領域よ
りも広くなる。
うに、波長が５３２ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧ
レーザー第２高調波を使用した場合、すなわち可視光パ
ルスを使用した加工では、光のエネルギーはフォトレジ
スト膜に吸収された後に熱に変わり、当該フォトレジス
ト膜を溶融して気化させる（以下、かかる作用を「熱効
果」と記す）。したがって、除去されるフォトレジスト
膜の領域、すなわち孔７はレーザービームの照射領域よ
りも広くなる。
【０００５】また、図５に示すように、波長が５３２ｎ
ｍでパルス幅が３００ｎｓのレーザーパルスを使用した
場合は、熱効果がさらに顕著となり、溶融したフォトレ
ジストが孔７の周縁に盛り上がり、銅板から剥離した状
態となる。
ｍでパルス幅が３００ｎｓのレーザーパルスを使用した
場合は、熱効果がさらに顕著となり、溶融したフォトレ
ジストが孔７の周縁に盛り上がり、銅板から剥離した状
態となる。
【０００６】さらに、図６に示すように、波長が２６６
ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧレーザー第４高調波
を使用した場合、すなわち紫外線を使用した加工では、
フォトンエネルギーでフォトレジストの分子結合を切
り、フォトレジスト膜を瞬間的に気化させるため、熱効
果が少なく、除去されるフォトレジスト膜の領域は、レ
ーザービームの集光スポットとほぼ同じ大きさとなり、
微細なドットが形成できる。しかし、フォトレジストが
短時間で気化するため、孔７は爆裂状に形成され、ま
た、レーザーのピークパワーが大きいためフォトレジス
ト膜下の銅板にまで加工が及び、エッチングによる高精
度のドット形成が困難となる。
ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡＧレーザー第４高調波
を使用した場合、すなわち紫外線を使用した加工では、
フォトンエネルギーでフォトレジストの分子結合を切
り、フォトレジスト膜を瞬間的に気化させるため、熱効
果が少なく、除去されるフォトレジスト膜の領域は、レ
ーザービームの集光スポットとほぼ同じ大きさとなり、
微細なドットが形成できる。しかし、フォトレジストが
短時間で気化するため、孔７は爆裂状に形成され、ま
た、レーザーのピークパワーが大きいためフォトレジス
ト膜下の銅板にまで加工が及び、エッチングによる高精
度のドット形成が困難となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の製版装置は以上
のように構成されているので、可視光パルスを使用した
加工にあっては、パルス幅が１０ｎｓと短い場合あるい
は３００ｎｓと長い場合でも、熱効果によって溶融した
フォトレジストが孔７の周縁に盛り上がり、銅板から剥
離した状態となるなどの課題があった。また、パルス幅
が１０ｎｓと短い紫外線を使用した加工にあっては、孔
７が爆裂状に形成され、エッチングによる高精度のドッ
ト形成が困難となるなどの課題があった。
のように構成されているので、可視光パルスを使用した
加工にあっては、パルス幅が１０ｎｓと短い場合あるい
は３００ｎｓと長い場合でも、熱効果によって溶融した
フォトレジストが孔７の周縁に盛り上がり、銅板から剥
離した状態となるなどの課題があった。また、パルス幅
が１０ｎｓと短い紫外線を使用した加工にあっては、孔
７が爆裂状に形成され、エッチングによる高精度のドッ
ト形成が困難となるなどの課題があった。
【０００８】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、製版用の版面に形成されたフォト
レジスト膜を高精度に除去加工することにより、高精度
の製版を行える製版装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、製版用の版面に形成されたフォト
レジスト膜を高精度に除去加工することにより、高精度
の製版を行える製版装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る製版装置は、パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パル
スを射出する紫外線パルス射出手段と、前記紫外線パル
ス射出手段によって射出された前記紫外線パルスを、フ
ォトレジスト膜を有した製版用の版面に集光して照射
し、当該フォトレジスト膜を除去する集光照射手段とを
備えたものである。
る製版装置は、パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パル
スを射出する紫外線パルス射出手段と、前記紫外線パル
ス射出手段によって射出された前記紫外線パルスを、フ
ォトレジスト膜を有した製版用の版面に集光して照射
し、当該フォトレジスト膜を除去する集光照射手段とを
備えたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による製
版装置の概略構成を示す原理図、図２は波長が２６６ｎ
ｍでパルス幅が３００ｎｓの紫外線を使用した場合のフ
ォトレジスト膜の除去パターンを示す写真、図３は図２
の場合と同様の３発の光パルスを使用した場合のフォト
レジスト膜の除去パターンを示す写真である。図におい
て、１はパルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルス（パ
ルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルス）２を射出する
紫外線パルス射出手段、３は紫外線パルス射出手段１に
よって射出された紫外線パルス２を、フォトレジスト膜
４を有した銅板（製版用の版面）５の任意の位置に集光
して照射し、当該フォトレジスト膜４を除去して孔６を
形成する集光照射手段である。この集光照射手段３は、
例えば、凸レンズにより構成することができるが、その
他の周知・慣用手段によって構成してもよい。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による製
版装置の概略構成を示す原理図、図２は波長が２６６ｎ
ｍでパルス幅が３００ｎｓの紫外線を使用した場合のフ
ォトレジスト膜の除去パターンを示す写真、図３は図２
の場合と同様の３発の光パルスを使用した場合のフォト
レジスト膜の除去パターンを示す写真である。図におい
て、１はパルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルス（パ
ルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルス）２を射出する
紫外線パルス射出手段、３は紫外線パルス射出手段１に
よって射出された紫外線パルス２を、フォトレジスト膜
４を有した銅板（製版用の版面）５の任意の位置に集光
して照射し、当該フォトレジスト膜４を除去して孔６を
形成する集光照射手段である。この集光照射手段３は、
例えば、凸レンズにより構成することができるが、その
他の周知・慣用手段によって構成してもよい。
【００１１】次に動作について説明する。波長が２６６
ｎｍでパルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルス２は、
フォトレジスト膜４の分子を１フォトンで切ることがで
きるため熱効果がなく、気化したフォトレジスト膜４の
ガスが拡散するのに要する時間と同程度のパルス幅３０
０ｎｓで入射する。したがって、図２および図３に示す
ように、フォトレジスト膜４の除去により形成される孔
６の形状が盛り上がったり爆裂状になったりせず、集光
した紫外線パルス２のスポット形状とほぼ同じ形状の孔
６を形成できる。さらに、紫外線パルス２のエネルギー
をフォトレジスト膜４下の銅板５にまで加工が及ばない
ように調節することで、所望のフォトレジスト膜４のみ
を容易かつ高精度に除去できる。
ｎｍでパルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルス２は、
フォトレジスト膜４の分子を１フォトンで切ることがで
きるため熱効果がなく、気化したフォトレジスト膜４の
ガスが拡散するのに要する時間と同程度のパルス幅３０
０ｎｓで入射する。したがって、図２および図３に示す
ように、フォトレジスト膜４の除去により形成される孔
６の形状が盛り上がったり爆裂状になったりせず、集光
した紫外線パルス２のスポット形状とほぼ同じ形状の孔
６を形成できる。さらに、紫外線パルス２のエネルギー
をフォトレジスト膜４下の銅板５にまで加工が及ばない
ように調節することで、所望のフォトレジスト膜４のみ
を容易かつ高精度に除去できる。
【００１２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、パルス幅が長い３００ｎｓ程度の紫外線パルス２を
用いることにより、孔６の形状が盛り上がったり爆裂状
になったりせず、集光した紫外線パルス２のスポット形
状とほぼ同じ形状の孔６を形成できるため、フォトレジ
スト膜４を高精度に除去加工でき、高精度の製版を行う
ことができる効果が得られる。
ば、パルス幅が長い３００ｎｓ程度の紫外線パルス２を
用いることにより、孔６の形状が盛り上がったり爆裂状
になったりせず、集光した紫外線パルス２のスポット形
状とほぼ同じ形状の孔６を形成できるため、フォトレジ
スト膜４を高精度に除去加工でき、高精度の製版を行う
ことができる効果が得られる。
【００１３】なお、上記実施の形態１においては、印刷
用の製版装置に関しフォトレジスト膜４の除去加工につ
いて説明したが、ポリマ材の表面に高精度の微細加工を
行う微細穴あけ加工装置などにも適用できる。
用の製版装置に関しフォトレジスト膜４の除去加工につ
いて説明したが、ポリマ材の表面に高精度の微細加工を
行う微細穴あけ加工装置などにも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルスを射出
する紫外線パルス射出手段と、前記紫外線パルス射出手
段によって射出された前記紫外線パルスを、フォトレジ
スト膜を有した製版用の版面に集光して照射し、当該フ
ォトレジスト膜を除去する集光照射手段とを備えて構成
したので、当該フォトレジスト膜の除去によって形成さ
れる孔の形状が盛り上がったり爆裂状になったりせず、
集光した紫外線パルスのスポット形状とほぼ同じ形状の
孔を形成できるため、フォトレジスト膜を高精度に除去
加工でき、高精度の製版を行うことができる効果があ
る。
れば、パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線パルスを射出
する紫外線パルス射出手段と、前記紫外線パルス射出手
段によって射出された前記紫外線パルスを、フォトレジ
スト膜を有した製版用の版面に集光して照射し、当該フ
ォトレジスト膜を除去する集光照射手段とを備えて構成
したので、当該フォトレジスト膜の除去によって形成さ
れる孔の形状が盛り上がったり爆裂状になったりせず、
集光した紫外線パルスのスポット形状とほぼ同じ形状の
孔を形成できるため、フォトレジスト膜を高精度に除去
加工でき、高精度の製版を行うことができる効果があ
る。
【図１】この発明の実施の形態１による製版装置の概略
構成を示す原理図である。
構成を示す原理図である。
【図２】波長が２６６ｎｍでパルス幅が３００ｎｓの紫
外線を使用した場合のフォトレジスト膜の除去パターン
を示す写真である。
外線を使用した場合のフォトレジスト膜の除去パターン
を示す写真である。
【図３】図２の場合と同様の３発の光パルスを使用した
場合のフォトレジスト膜の除去パターンを示す写真であ
る。
場合のフォトレジスト膜の除去パターンを示す写真であ
る。
【図４】波長が５３２ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡ
Ｇレーザー第２高調波を使用した場合の従来のフォトレ
ジスト膜の除去パターンを示す写真である。
Ｇレーザー第２高調波を使用した場合の従来のフォトレ
ジスト膜の除去パターンを示す写真である。
【図５】波長が５３２ｎｍでパルス幅が３００ｎｓのレ
ーザーパルスを使用した場合の従来のフォトレジスト膜
の除去パターンを示す写真である。
ーザーパルスを使用した場合の従来のフォトレジスト膜
の除去パターンを示す写真である。
【図６】波長が２６６ｎｍでパルス幅が１０ｎｓのＹＡ
Ｇレーザー第４高調波を使用した場合の従来のフォトレ
ジスト膜の除去パターンを示す写真である。
Ｇレーザー第４高調波を使用した場合の従来のフォトレ
ジスト膜の除去パターンを示す写真である。
１ 紫外線パルス射出手段 ２ 紫外線パルス（パルス幅が３００ｎｓ程度の紫外線
パルス） ３ 集光照射手段 ４ フォトレジスト膜 ５ 銅板（製版用の版面）
パルス） ３ 集光照射手段 ４ フォトレジスト膜 ５ 銅板（製版用の版面）
Claims (1)
- 【請求項１】 パルス幅が３００ナノ秒程度の紫外線パ
ルスを射出する紫外線パルス射出手段と、前記紫外線パ
ルス射出手段によって射出された前記紫外線パルスを、
フォトレジスト膜を有した製版用の版面に集光して照射
し、当該フォトレジスト膜を除去する集光照射手段とを
備えた製版装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9131656A JPH10307404A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 製版装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9131656A JPH10307404A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 製版装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10307404A true JPH10307404A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=15063161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9131656A Pending JPH10307404A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 製版装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10307404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001187440A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版方法 |
| JP2001191475A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-07-17 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版方法 |
| JP2003260771A (ja) * | 2002-12-20 | 2003-09-16 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版工場 |
| JP2003260774A (ja) * | 2002-12-24 | 2003-09-16 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版工場 |
-
1997
- 1997-05-07 JP JP9131656A patent/JPH10307404A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001187440A (ja) * | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版方法 |
| JP2001191475A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-07-17 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版方法 |
| JP2003260771A (ja) * | 2002-12-20 | 2003-09-16 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版工場 |
| JP2003260774A (ja) * | 2002-12-24 | 2003-09-16 | Think Laboratory Co Ltd | グラビア製版工場 |
| JP4530396B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2010-08-25 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版工場 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040420 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051102 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20051104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060404 |