KR940016560A - 반도체 마스크 패턴 제조방법 - Google Patents
반도체 마스크 패턴 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 마스크 패턴 제조방법에 관한 것으로 노광기를 이용한 마스크 패턴 정렬시 사용되는 기준웨이퍼 정렬마크를 광축중앙, 즉 포토마스크의 중앙에 오도록하여 마스크패턴 형성시 발생하는 포토마스크의 회전에러, 렌즈의 왜곡에러, 필드감소 혹은 증가에러를 방지하여 패턴의 정렬상태를 양호하게 하는 반도체 마스크 패턴 제조방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 의하여 제조된 마스크패턴의 위치를 나타낸 평면도.
Claims (1)
- 광원에서 나온 빛 에너지가 콘덴서렌즈와 리덕션렌즈를 통과하여 웨이퍼상에 마스크패턴이 옮겨지는 노광기를 이용한 반도체 마스크 패턴 제조방법에 있어서, 상기의 공정과정에서 발생가능한 에러를 방지하여 웨이퍼의 정렬상태를 증가시키기 위하여 웨이퍼 정렬마크를 노광기의 광축에서 반경 2mm원내에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 마스크 패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025883A KR940016560A (ko) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 반도체 마스크 패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025883A KR940016560A (ko) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 반도체 마스크 패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016560A true KR940016560A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67215126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920025883A KR940016560A (ko) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 반도체 마스크 패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016560A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338736B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2002-07-18 | 윤종용 | 마스크정렬용마크 |
-
1992
- 1992-12-28 KR KR1019920025883A patent/KR940016560A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338736B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2002-07-18 | 윤종용 | 마스크정렬용마크 |
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