KR960035154A - 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 및 이를 이용한 주변노광방법 - Google Patents
반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 및 이를 이용한 주변노광방법 Download PDFInfo
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- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 및 이를 이용한 주변노광방법에 관한 것으로, 종래의 주변노광장치는 단순히 웨이퍼의 가장 자리만을 감지하여 일정한 각도로 노광을 조사하기 떼문에 허용되는 오차가 통상 ±1㎜ 정도로 크게 발생되는 문제가 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 주기적으로 장비의 상태를 점검해주어야 하고, 작업완료된 웨이퍼의 확인작업이 이루어져야 하는 등 작업이 번거로와지는 어려움이 있었는바, 빛이 투과되는 투명유리기판(10)에 노광되지 않는 웨이퍼(1)에 해당되는 부위만큼 빛을 투과시키지 않는 크롬(11)이 형성된 주변노광용 마스크와, 이러한 마스크를 사용한 웨이퍼의 주변노광방법인 본 발명을 제공하여 마스크상에 설정된 주변노광폭의 변동량이 ±5㎛ 이내로 감소되어 주변노광폭을 안정적으로 유지관리할 수 있게 되고, 노광전 자동정렬을 실시하므로 주변노광되는 웨이퍼의 가장자리에 대한 위치의 변동크기가 ±1㎛ 이내로 유지되어 웨이퍼 가장자리 상태에 의한 주변노광위치 즉, 폭의 변동이 없어지도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도의 (가)(나)는 자동정렬용 패턴이 형성된 주변노광용 마스크 및 웨이퍼 각각의 평면도.
Claims (3)
- 웨이퍼 상의 소자형성영역에 해당되어 빛을 차단시킴으로써 웨이퍼 상의 포토레지스트를 잔류시키는 광차단부와, 상기 웨이퍼 상의 소장형성영역 이외의 영역으로서 빛을 통과시켜 웨이퍼 상의 포토레지스트를 제거하도록 하는 광통과부로 구성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 광차단부에는 웨이퍼와의 정렬을 위해서 자동 정렬용 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크.
- 반도체 웨이퍼를 지지하는 지지수단을 구비하며, 상기 웨이퍼 상의 포토레지스트를 이격시키기 위해 상기 웨이퍼 주변부의 포토레지스트를 제거하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상의 소자형성영역에 상응하는 부분은 광차단물질로 구성되고, 그 이외 영역에 상응하는 부분은 광투과물질로 구성되는 주변노광용 마스크를 사용함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 주변노광방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950005482A KR0186077B1 (ko) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 및 이를 이용한 주변노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950005482A KR0186077B1 (ko) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 및 이를 이용한 주변노광방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035154A true KR960035154A (ko) | 1996-10-24 |
| KR0186077B1 KR0186077B1 (ko) | 1999-04-01 |
Family
ID=19409906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950005482A KR0186077B1 (ko) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 및 이를 이용한 주변노광방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0186077B1 (ko) |
-
1995
- 1995-03-16 KR KR1019950005482A patent/KR0186077B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0186077B1 (ko) | 1999-04-01 |
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