JPH07273003A - パターン転写装置 - Google Patents
パターン転写装置Info
- Publication number
- JPH07273003A JPH07273003A JP6058500A JP5850094A JPH07273003A JP H07273003 A JPH07273003 A JP H07273003A JP 6058500 A JP6058500 A JP 6058500A JP 5850094 A JP5850094 A JP 5850094A JP H07273003 A JPH07273003 A JP H07273003A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- liquid crystal
- crystal mask
- transfer device
- work
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】レーザ装置２から取り出されるレーザ光１はビ
ーム拡大器３により、液晶マスク４の全面を照射し、マ
ーキングさせるパターン状の偏光方向を有するレーザ光
は、偏光ビームスプリッタ５で反射して、結像レンズ６
に入射し、液晶マスク４でのパターンが感光性樹脂７に
転写される。ここで、感光性樹脂７ではパターンがぼか
されて転写されるため、液晶マスク４において画素と画
素との間に対応する部分にもレーザ光が照射され、マー
キングされる。 【効果】液晶マスクを用いても連続するパターン状にマ
ーキングできるようになった。
ーム拡大器３により、液晶マスク４の全面を照射し、マ
ーキングさせるパターン状の偏光方向を有するレーザ光
は、偏光ビームスプリッタ５で反射して、結像レンズ６
に入射し、液晶マスク４でのパターンが感光性樹脂７に
転写される。ここで、感光性樹脂７ではパターンがぼか
されて転写されるため、液晶マスク４において画素と画
素との間に対応する部分にもレーザ光が照射され、マー
キングされる。 【効果】液晶マスクを用いても連続するパターン状にマ
ーキングできるようになった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶マスクを用いたパタ
ーン転写装置に関する。
ーン転写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ワークに対してマスクの像を結像光学系
により転写させることは一般にパターン転写と呼ばれ
る。
により転写させることは一般にパターン転写と呼ばれ
る。
【０００３】また、光源にレーザを用いるパターン転写
装置はマスク式レーザマーカと呼ばれることがある。な
お、一般に、マスク式レーザマーカでは、おもにＩＣパ
ッケージなどの樹脂を対象にしており、レーザ光が照射
される部分が温度上昇して変色することを利用してマー
キングしていた。
装置はマスク式レーザマーカと呼ばれることがある。な
お、一般に、マスク式レーザマーカでは、おもにＩＣパ
ッケージなどの樹脂を対象にしており、レーザ光が照射
される部分が温度上昇して変色することを利用してマー
キングしていた。
【０００４】また、マスクとして液晶マスクを用いる
と、任意のパターンを瞬時に転写できることが知られて
いる。なお、液晶マスクを用いたマスク式レーザマーカ
には、例えば、特開平2−20799 号公報がある。
と、任意のパターンを瞬時に転写できることが知られて
いる。なお、液晶マスクを用いたマスク式レーザマーカ
には、例えば、特開平2−20799 号公報がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、液晶マスク
を用いてパターン転写させると以下に説明する問題が生
じる。
を用いてパターン転写させると以下に説明する問題が生
じる。
【０００６】すなわち、液晶マスクで形成するパターン
は画素の集合体で構成されるため、結像光学系によりワ
ーク表面にパターン転写される像は、やはり画素の集合
体で構成されてしまい、連続するパターン状にマーキン
グすることが困難であった。特にワークが光化学反応を
引き起こす部材からなり、この光化学反応を利用してマ
ーキングさせる場合、光が照射される部分しか反応しな
いため、従来の装置ではワークに対して連続するパター
ン状にマーキングさせることが困難であった。ただし、
樹脂にマーキングする場合、温度上昇による変色を利用
するため、ワークに対してレーザ光が画素の集合として
照射されても、隣接する画素間では、熱伝導による温度
上昇により変色することもある。
は画素の集合体で構成されるため、結像光学系によりワ
ーク表面にパターン転写される像は、やはり画素の集合
体で構成されてしまい、連続するパターン状にマーキン
グすることが困難であった。特にワークが光化学反応を
引き起こす部材からなり、この光化学反応を利用してマ
ーキングさせる場合、光が照射される部分しか反応しな
いため、従来の装置ではワークに対して連続するパター
ン状にマーキングさせることが困難であった。ただし、
樹脂にマーキングする場合、温度上昇による変色を利用
するため、ワークに対してレーザ光が画素の集合として
照射されても、隣接する画素間では、熱伝導による温度
上昇により変色することもある。
【０００７】本発明の目的は、ワークの材質に依らず、
特にワークが光化学反応を引き起こす部材からなる場合
でも、任意の連続するパターン状にマーキングできる装
置を提供することにある。
特にワークが光化学反応を引き起こす部材からなる場合
でも、任意の連続するパターン状にマーキングできる装
置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、液晶マスクに表示された像を、ワーク表面より前記
結像光学系側、または前記ワーク内部に結像させたもの
である。
に、液晶マスクに表示された像を、ワーク表面より前記
結像光学系側、または前記ワーク内部に結像させたもの
である。
【０００９】
【作用】液晶マスクの像を前述のように結像させると、
その像はワーク表面では結像しない。そのため、液晶マ
スクにおける画素に対応する部分は、ワーク表面ではそ
の境界がぼけたように転写される。それにより、隣接す
る画素と画素との転写されるパターンでは、それぞれの
ぼけた境界部が重なり合うようになるため、画素と画素
との間に対応する部分にも光が照射される。
その像はワーク表面では結像しない。そのため、液晶マ
スクにおける画素に対応する部分は、ワーク表面ではそ
の境界がぼけたように転写される。それにより、隣接す
る画素と画素との転写されるパターンでは、それぞれの
ぼけた境界部が重なり合うようになるため、画素と画素
との間に対応する部分にも光が照射される。
【００１０】特に、部材が光化学反応を伴う場合、その
ぼかされる境界部に照射される光が弱くなってしまい、
部材をほとんど温度上昇させなくなる。しかし、ある一
定時間以上照射させて、光量を積算させていけば反応す
るため、液晶マスクで画素と画素との間に対応する部分
もマーキングさせることができる。
ぼかされる境界部に照射される光が弱くなってしまい、
部材をほとんど温度上昇させなくなる。しかし、ある一
定時間以上照射させて、光量を積算させていけば反応す
るため、液晶マスクで画素と画素との間に対応する部分
もマーキングさせることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１２】図１は、本発明の一実施例であるパターン
転写装置の説明図である。
転写装置の説明図である。
【００１３】図１に示されたパターン転写装置１００は
光化学反応を引き起こす部材の一種である感光性樹脂に
対して連続するパターン状にマーキングさせる装置であ
る。パターン転写装置１００では、その光源として、紫
外のレーザ光１を発生できるレーザ装置２が用いられて
いる。レーザ光１は、ここではＹＡＧレーザの第３高調
波であり、連続波になっている。また、液晶マスク４を
利用できるように直線偏光になっている。ＹＡＧレーザ
の第３高調波は波長が３５５ｎｍの紫外光であり、これ
は感光性樹脂を感光させることができる。
光化学反応を引き起こす部材の一種である感光性樹脂に
対して連続するパターン状にマーキングさせる装置であ
る。パターン転写装置１００では、その光源として、紫
外のレーザ光１を発生できるレーザ装置２が用いられて
いる。レーザ光１は、ここではＹＡＧレーザの第３高調
波であり、連続波になっている。また、液晶マスク４を
利用できるように直線偏光になっている。ＹＡＧレーザ
の第３高調波は波長が３５５ｎｍの紫外光であり、これ
は感光性樹脂を感光させることができる。
【００１４】レーザ光１はビーム拡大器３により、ビー
ム径が拡大され、液晶マスク４の全面が一度に照射され
る。液晶マスク４を通過し、マーキングさせるパターン
状の偏光方向を有するレーザ光は、偏光ビームスプリッ
タ５で反射して、結像レンズ６を通り、ワークとしての
感光性樹脂７に照射される。すなわち、結像レンズ６に
より、液晶マスク４でのパターンが感光性樹脂７に転写
されるようになっている。
ム径が拡大され、液晶マスク４の全面が一度に照射され
る。液晶マスク４を通過し、マーキングさせるパターン
状の偏光方向を有するレーザ光は、偏光ビームスプリッ
タ５で反射して、結像レンズ６を通り、ワークとしての
感光性樹脂７に照射される。すなわち、結像レンズ６に
より、液晶マスク４でのパターンが感光性樹脂７に転写
されるようになっている。
【００１５】本実施例では、ワークである感光性樹脂７
の表面より下側数mmの位置（すなわち、感光性樹脂７の
内部）に、液晶マスク４で形成されたパターンが結像さ
れる。その結果、感光性樹脂７の表面では、このパター
ンがぼけて転写されるため、パターンを構成する各画素
の境界部をぼかすことになる。したがって、液晶マスク
４において画素と画素との間に対応する部分にもレーザ
光が照射され、この部分もマーキングされることにな
る。なお、感光性樹脂では、照射される紫外光が微量で
も、一定時間以上照射させれば十分感光させることがで
きるため、ぼかしによる微量の紫外光でもマーキングさ
れる。
の表面より下側数mmの位置（すなわち、感光性樹脂７の
内部）に、液晶マスク４で形成されたパターンが結像さ
れる。その結果、感光性樹脂７の表面では、このパター
ンがぼけて転写されるため、パターンを構成する各画素
の境界部をぼかすことになる。したがって、液晶マスク
４において画素と画素との間に対応する部分にもレーザ
光が照射され、この部分もマーキングされることにな
る。なお、感光性樹脂では、照射される紫外光が微量で
も、一定時間以上照射させれば十分感光させることがで
きるため、ぼかしによる微量の紫外光でもマーキングさ
れる。
【００１６】したがって、液晶マスク４で形成したパタ
ーンと、感光性樹脂７に転写されるパターンは、それぞ
れ図２、及び図３に示したようになる。液晶マスク４で
形成したＡというパターンは、図２のように画素の集合
体からなる。これに対して、感光性樹脂７に対してパタ
ーンがぼかされて転写されると、図３のように、連続す
るパターンで構成される文字Ａがマーキングされる。
ーンと、感光性樹脂７に転写されるパターンは、それぞ
れ図２、及び図３に示したようになる。液晶マスク４で
形成したＡというパターンは、図２のように画素の集合
体からなる。これに対して、感光性樹脂７に対してパタ
ーンがぼかされて転写されると、図３のように、連続す
るパターンで構成される文字Ａがマーキングされる。
【００１７】なお、本実施例では、液晶マスク４として
ＴＮ液晶を使用しているが、光散乱型液晶を用いること
もでき、その場合、レーザ光は非偏光でよく、偏光ビー
ムスプリッタ５は不要となる。
ＴＮ液晶を使用しているが、光散乱型液晶を用いること
もでき、その場合、レーザ光は非偏光でよく、偏光ビー
ムスプリッタ５は不要となる。
【００１８】また、本実施例でワークとして用いられて
いる感光性樹脂７は、紫外光が照射される部分しか感光
しないため、従来の液晶マスク式を用いたパターン転写
装置では連続するパターン状にマーキングすることは困
難であったが、本発明により可能になった。
いる感光性樹脂７は、紫外光が照射される部分しか感光
しないため、従来の液晶マスク式を用いたパターン転写
装置では連続するパターン状にマーキングすることは困
難であったが、本発明により可能になった。
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上で説明した構成となってい
るため、ワークに対して連続した任意のパターン状にマ
ーキングすることができる。
るため、ワークに対して連続した任意のパターン状にマ
ーキングすることができる。
【００２０】また、本発明では、ワークとして温度上昇
などの熱的効果を伴わず、光化学反応を利用してパター
ン転写する場合に効果がある。特に、ワークとしての感
光性樹脂を用いて、これに回路パターンなどを転写する
ことで電子回路を製作する場合に、従来の装置を用いる
と、電子回路の回路パターンが画素の集合から構成され
てしまい、回路として機能しないことがあったが、本発
明によりこの問題が解決された。
などの熱的効果を伴わず、光化学反応を利用してパター
ン転写する場合に効果がある。特に、ワークとしての感
光性樹脂を用いて、これに回路パターンなどを転写する
ことで電子回路を製作する場合に、従来の装置を用いる
と、電子回路の回路パターンが画素の集合から構成され
てしまい、回路として機能しないことがあったが、本発
明によりこの問題が解決された。
【図１】本発明のパターン転写装置の説明図。
【図２】パターン転写装置における液晶マスクにおいて
形成されたパターンを示す説明図。
形成されたパターンを示す説明図。
【図３】パターン転写装置における感光性樹脂に照射さ
れるレーザ光のパターンを示す説明図。
れるレーザ光のパターンを示す説明図。
１…レーザ光、２…レーザ装置、３…ビーム拡大器、４
…液晶マスク、５…偏光ビームスプリッタ、６…結像レ
ンズ、７…感光性樹脂、１００…パターン転写装置。
…液晶マスク、５…偏光ビームスプリッタ、６…結像レ
ンズ、７…感光性樹脂、１００…パターン転写装置。
Claims (2)
- 【請求項１】液晶マスクと結像光学系を含み、前記液晶
マスクに表示された像を、ワーク表面より前記結像光学
系側、または、前記ワーク内部に結像させることを特徴
とするパターン転写装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記ワークが光化学反
応を引き起こす部材からなるパターン転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6058500A JPH07273003A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | パターン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6058500A JPH07273003A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | パターン転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273003A true JPH07273003A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13086152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6058500A Pending JPH07273003A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | パターン転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273003A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231618A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置 |
| JP2004279873A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法及びパターン形成装置 |
| KR100793359B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2008-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치, 레이저 열 전사 장치 및 이를 사용한ｏｌｅｄ 어레이 기판의 제조방법 |
| CN105204297A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-30 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 倾斜扫描式光刻机在步进式曝光时的二维拼接处理方法 |
| JP2017501431A (ja) * | 2013-10-30 | 2017-01-12 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 基板上にパターン化された構造を形成するための方法およびシステム |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP6058500A patent/JPH07273003A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231618A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置 |
| JP2004279873A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光方法及びパターン形成装置 |
| KR100793359B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2008-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치, 레이저 열 전사 장치 및 이를 사용한ｏｌｅｄ 어레이 기판의 제조방법 |
| JP2017501431A (ja) * | 2013-10-30 | 2017-01-12 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 基板上にパターン化された構造を形成するための方法およびシステム |
| US10338473B2 (en) | 2013-10-30 | 2019-07-02 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and system for forming a patterned structure on a substrate |
| CN105204297A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-30 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 倾斜扫描式光刻机在步进式曝光时的二维拼接处理方法 |
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