JP2979625B2 - 縮小投影露光装置の露光条件確認方法 - Google Patents
縮小投影露光装置の露光条件確認方法Info
- Publication number
- JP2979625B2 JP2979625B2 JP2289704A JP28970490A JP2979625B2 JP 2979625 B2 JP2979625 B2 JP 2979625B2 JP 2289704 A JP2289704 A JP 2289704A JP 28970490 A JP28970490 A JP 28970490A JP 2979625 B2 JP2979625 B2 JP 2979625B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- reduction projection
- semiconductor substrate
- pattern
- checking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は縮小投影露光装置の露光条件確認方法に関す
る。
る。
従来、縮小投影露光装置の露光条件確認のためには、
第3図に示すような解像度パターンを有するレチクル1
を用い露光量及び焦点距離を段階的に変えて半導体基板
上に設けたレジスト膜の露光を行なう。縮小投影露光装
置の解像力はサブミクロンの領域に達しているため、目
視での確認はできない。このため、光学顕微鏡を用い
て、各露光量,焦点距離に対する解像度をパターンから
読み、どこまで解像しているか感覚的に判断し、(何を
もって解像するのか定量的な判断基準はない)一番解像
していると思われる露光量,焦点距離を最適な露光条件
と判断している。
第3図に示すような解像度パターンを有するレチクル1
を用い露光量及び焦点距離を段階的に変えて半導体基板
上に設けたレジスト膜の露光を行なう。縮小投影露光装
置の解像力はサブミクロンの領域に達しているため、目
視での確認はできない。このため、光学顕微鏡を用い
て、各露光量,焦点距離に対する解像度をパターンから
読み、どこまで解像しているか感覚的に判断し、(何を
もって解像するのか定量的な判断基準はない)一番解像
していると思われる露光量,焦点距離を最適な露光条件
と判断している。
従来の縮小投影露光装置の露光条件確認方法では、光
学顕微鏡を用いるという手間がかかるのと、今後縮小投
影露光機の解像力が上がりハーフミクロン領域になった
場合光学顕微鏡では見えなくなり、電子顕微鏡を用いな
ければならなくなり、ますます手間がかかるという問題
がある。
学顕微鏡を用いるという手間がかかるのと、今後縮小投
影露光機の解像力が上がりハーフミクロン領域になった
場合光学顕微鏡では見えなくなり、電子顕微鏡を用いな
ければならなくなり、ますます手間がかかるという問題
がある。
本発明の縮小投影露光装置の露光条件確認方法は、コ
ンタクトホール・パターン又はライン・アンド・スペー
ス・パターンの寸法及び間隔を順次段階的に変えて設け
た解像度パターンを有するレチクルを用い露光時間及び
焦点距離を変えながら半導体基板上に設けたレジスト膜
を順次露光し、前記レジスト膜を現像して半導体基板上
に光を当て光の反射による色の違いにより最適露光条件
を判定する。
ンタクトホール・パターン又はライン・アンド・スペー
ス・パターンの寸法及び間隔を順次段階的に変えて設け
た解像度パターンを有するレチクルを用い露光時間及び
焦点距離を変えながら半導体基板上に設けたレジスト膜
を順次露光し、前記レジスト膜を現像して半導体基板上
に光を当て光の反射による色の違いにより最適露光条件
を判定する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明に用いるレチクルのレイアウト図、第
2図は本発明により露光・現像を行った半導体基板の模
式的平面図である。
2図は本発明により露光・現像を行った半導体基板の模
式的平面図である。
第1図に示すように、レチクル1はコンタクトホール
パターン3のサイズを8段階にわたって変えている。こ
のレチクル1を用いて縮小投影露光装置で露光時間及び
焦点距離を段階的に変えながら順次領域を移して半導体
基板上に設けたレジスト膜を露光・現像すると、最適な
露光時間及び焦点距離においては小さなサイズのコンタ
クトホールまで解像することができる。しかし、露光時
間が最適でも焦点距離が最適距離から多少でもずれる
と、最適な焦点距離において解像していたコンタクトホ
ールでも解像できなくなり、その距離が離れるほど解像
できないコンタクトホールのサイズは大きくなる。逆に
焦点距離が最適であっても露光時間が変わると同様とな
る。
パターン3のサイズを8段階にわたって変えている。こ
のレチクル1を用いて縮小投影露光装置で露光時間及び
焦点距離を段階的に変えながら順次領域を移して半導体
基板上に設けたレジスト膜を露光・現像すると、最適な
露光時間及び焦点距離においては小さなサイズのコンタ
クトホールまで解像することができる。しかし、露光時
間が最適でも焦点距離が最適距離から多少でもずれる
と、最適な焦点距離において解像していたコンタクトホ
ールでも解像できなくなり、その距離が離れるほど解像
できないコンタクトホールのサイズは大きくなる。逆に
焦点距離が最適であっても露光時間が変わると同様とな
る。
第2図に示すように、露光条件を変えて順次露光し、
現像を行なった半導体基板を目視でチェックすると解像
している所としていない所では光の反射のしかたが違う
ので色が違って見える。つまり、光学顕微鏡を用いなく
ても上記方法で露光・現像した半導体基板を目視でチェ
ックするだけで最適露光時間及び焦点位置を簡単に判定
できる。
現像を行なった半導体基板を目視でチェックすると解像
している所としていない所では光の反射のしかたが違う
ので色が違って見える。つまり、光学顕微鏡を用いなく
ても上記方法で露光・現像した半導体基板を目視でチェ
ックするだけで最適露光時間及び焦点位置を簡単に判定
できる。
以上説明したように本発明は、レチクル全面にコンタ
クトホールパターンまたはライン・アンド・スペース
(Line&Space)・パターンを連続的に配置し、かつ段
階的にサイズを変えたものを用い半導体基板上に露光す
ることにより、光学顕微鏡などを用いなくとも簡単に最
適な露光条件を確認することができるという効果を有す
る。
クトホールパターンまたはライン・アンド・スペース
(Line&Space)・パターンを連続的に配置し、かつ段
階的にサイズを変えたものを用い半導体基板上に露光す
ることにより、光学顕微鏡などを用いなくとも簡単に最
適な露光条件を確認することができるという効果を有す
る。
第1図は本発明に用いるレチクルのレイアウト図、第2
図は本発明により露光・現像を行なった半導体基板の模
式的平面図、第3図は従来の解像度パターンの一例を有
するレチクルのレイアウト図である。 1……レチクル、2……遮光帯、3……コンタクトホー
ル・パターン。
図は本発明により露光・現像を行なった半導体基板の模
式的平面図、第3図は従来の解像度パターンの一例を有
するレチクルのレイアウト図である。 1……レチクル、2……遮光帯、3……コンタクトホー
ル・パターン。
Claims (1)
- 【請求項1】コンタクトホール・パターン又はライン・
アンド・スペース・パターンの寸法及び間隔を順次段階
的に変えて設けた解像度パターンを有するレチクルを用
い露光時間及び焦点距離を変えながら半導体基板上に設
けたレジスト膜を順次露光し、前記レジスト膜を現像し
て半導体基板上に光を当て光の反射による色の違いによ
り最適露光条件を判定することを特徴とする縮小投影露
光装置の露光条件確認方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2289704A JP2979625B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 縮小投影露光装置の露光条件確認方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2289704A JP2979625B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 縮小投影露光装置の露光条件確認方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04162511A JPH04162511A (ja) | 1992-06-08 |
JP2979625B2 true JP2979625B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=17746673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2289704A Expired - Lifetime JP2979625B2 (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 | 縮小投影露光装置の露光条件確認方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2979625B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP2289704A patent/JP2979625B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04162511A (ja) | 1992-06-08 |
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