JP2979625B2 - 縮小投影露光装置の露光条件確認方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は縮小投影露光装置の露光条件確認方法に関す
る。

〔従来の技術〕

従来、縮小投影露光装置の露光条件確認のためには、
第３図に示すような解像度パターンを有するレチクル１
を用い露光量及び焦点距離を段階的に変えて半導体基板
上に設けたレジスト膜の露光を行なう。縮小投影露光装
置の解像力はサブミクロンの領域に達しているため、目
視での確認はできない。このため、光学顕微鏡を用い
て、各露光量，焦点距離に対する解像度をパターンから
読み、どこまで解像しているか感覚的に判断し、（何を
もって解像するのか定量的な判断基準はない）一番解像
していると思われる露光量，焦点距離を最適な露光条件
と判断している。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の縮小投影露光装置の露光条件確認方法では、光
学顕微鏡を用いるという手間がかかるのと、今後縮小投
影露光機の解像力が上がりハーフミクロン領域になった
場合光学顕微鏡では見えなくなり、電子顕微鏡を用いな
ければならなくなり、ますます手間がかかるという問題
がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の縮小投影露光装置の露光条件確認方法は、コ
ンタクトホール・パターン又はライン・アンド・スペー
ス・パターンの寸法及び間隔を順次段階的に変えて設け
た解像度パターンを有するレチクルを用い露光時間及び
焦点距離を変えながら半導体基板上に設けたレジスト膜
を順次露光し、前記レジスト膜を現像して半導体基板上
に光を当て光の反射による色の違いにより最適露光条件
を判定する。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明に用いるレチクルのレイアウト図、第
２図は本発明により露光・現像を行った半導体基板の模
式的平面図である。

第１図に示すように、レチクル１はコンタクトホール
パターン３のサイズを８段階にわたって変えている。こ
のレチクル１を用いて縮小投影露光装置で露光時間及び
焦点距離を段階的に変えながら順次領域を移して半導体
基板上に設けたレジスト膜を露光・現像すると、最適な
露光時間及び焦点距離においては小さなサイズのコンタ
クトホールまで解像することができる。しかし、露光時
間が最適でも焦点距離が最適距離から多少でもずれる
と、最適な焦点距離において解像していたコンタクトホ
ールでも解像できなくなり、その距離が離れるほど解像
できないコンタクトホールのサイズは大きくなる。逆に
焦点距離が最適であっても露光時間が変わると同様とな
る。

第２図に示すように、露光条件を変えて順次露光し、
現像を行なった半導体基板を目視でチェックすると解像
している所としていない所では光の反射のしかたが違う
ので色が違って見える。つまり、光学顕微鏡を用いなく
ても上記方法で露光・現像した半導体基板を目視でチェ
ックするだけで最適露光時間及び焦点位置を簡単に判定
できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、レチクル全面にコンタ
クトホールパターンまたはライン・アンド・スペース
（Line＆Space）・パターンを連続的に配置し、かつ段
階的にサイズを変えたものを用い半導体基板上に露光す
ることにより、光学顕微鏡などを用いなくとも簡単に最
適な露光条件を確認することができるという効果を有す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いるレチクルのレイアウト図、第２
図は本発明により露光・現像を行なった半導体基板の模
式的平面図、第３図は従来の解像度パターンの一例を有
するレチクルのレイアウト図である。 １……レチクル、２……遮光帯、３……コンタクトホー
ル・パターン。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】コンタクトホール・パターン又はライン・
   アンド・スペース・パターンの寸法及び間隔を順次段階
   的に変えて設けた解像度パターンを有するレチクルを用
   い露光時間及び焦点距離を変えながら半導体基板上に設
   けたレジスト膜を順次露光し、前記レジスト膜を現像し
   て半導体基板上に光を当て光の反射による色の違いによ
   り最適露光条件を判定することを特徴とする縮小投影露
   光装置の露光条件確認方法。