KR960039109A - 마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법 - Google Patents

마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법 Download PDF

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KR960039109A
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예한수
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문정환
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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Abstract

본 발명은 마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법에 관한 것으로, 마스크와 스텝퍼를 이용한 반도체 소자 제조에 있어서, 직사각형 형상을 갖는 주변노광패턴이 삽입된 마스크를 스텝퍼에 넣고, 상기 스텝퍼의 축소투영렌즈를 통해 반도체 소자가 형성될 웨이퍼를 노광하되 웨이퍼의 플렛존 부분에서는 상기 마스크의 주패턴 부분과 주변노광패턴 부분이 모두 노광되도록 블레이드를 제어하여 플렛존 부위의 주변 노광이 자동적으로 이루어지도록 하므로써, 별도의 장치나 장비없이 주변 노광공정이 반도체소자 패턴 형성시 동시에 이루어지므로 작업시간이 단축되어 수율을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 제조비용을 절감할 수 있게 된다.

Description

마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조공정에 이용되는 마스크 패턴을 도시한 평면도, 제2도는 제1도에 도시된 마스크를 이용하여 웨이퍼의 주패턴을 노광하는 방법을 도시한 개략도.

Claims (4)

  1. 마스크와 스텝퍼을 이용한 반도체 소자 제조에 있어서, 직사각형 형상을 갖는 주변노광패턴이 삽입된 마스크를 스텝퍼에 넣고, 상기 스텝퍼의 축소투영렌즈를 통해 반도체 소자가 형성될 웨이퍼를 노광하되 웨이퍼의 플렛존 부분에서는 상기 마스크의 주패턴 부분과 주변노광패턴 부분이 모두 노광되도록 블레이드를 제어하여 플렛존 부분의 주변 노광이 자동적으로 이루어지도록 한 것을 특징으로 하는 마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크는 노광시 주변노광패턴은 웨이퍼의 플렛존 방향으로 향하고 그 반대 방향에 주패턴이 놓여지도록 배열됨을 특징으로 하는 마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주변노광패턴은 웨이퍼의 플렛존과 수평선상에 있는 직사각형의 변의 길이 주패턴에 의해 한번에 노광되는 패턴의 크기보다 좌·우측 각각 0.05∼0.1mm 정도 크게 형성되고, 웨이퍼의 플렛존과 수직선상에 있는 직사각형의 변의 길이는 3-5mm로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 주변노광패턴은 노광시 상기 웨이퍼 내에서의 주패턴과 주변노광패턴 사이의 간격이 100-500㎛로 형성됨을 특징으로 하는 마스크와 노광장비를 이용한 반도체 소자의 주변 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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