KR950027968A - 포토마스크 및 포토마스크 노광 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼(4)의 패턴 불량 유무 확인이 가능한 포토마스크(1)에 있어서, 소자를 형성하는 다이패턴 영역(2); 상기 다이패턴 영역(2)을 벗어난 인접 지역에 형성하되 감광막 현상시 육안으로 식별할 수 있는 크기를 갖는 디파인(define)확인용 패턴(3)을 포함하여 이루어지는 포토마스크 및 포토마스크 노광방법에 관한 것으로, 샘플검사에서 발견하지 못했던 패턴 불량을 다음 공정의 작업자가 작업을 시작하기전 발견하여 재 작업을 수행함으로써 반도체 소자의 수율 증가 및 공정의 신뢰도를 확보할 수 있는 효과가 있다.

Description

포토마스크 및 포토마스크 노광 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도 및 제4도는 제1도의 포토마스크를 사용하여 웨이퍼를 노광시키는 작용 상태도.

Claims (3)

1. 웨이퍼(4)의 패턴 불량 유무 확인이 가능한 포토마스크(1)에 있어서 소자를 형성하는 다이패턴 영역(2); 상기 다이패턴 영역(2)을 벗어난 인접 지역에 형성하되 감광막 현상시 육안으로 식별할 수 있는 크기를 갖는 디파인(define)확인용 패턴(3)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 디파인(define)확인용 패턴(3)은 직경이 3내지 10㎜의 원형인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
3. 웨이퍼(4)의 패턴 불량 유무 확인이 가능한 포토마스크(1) 노광 방법에 있어서, 상기 웨이퍼(4)상의 특정지역을 제외한 전 지역은 다이패턴 영역(2)만을 노광시키는 단계; 웨이퍼(4)의 플래트 존(6)에 인접한 마지막 다이노출시 포토 마스크(1)상의 다이패턴 영역(2)을 벗어난 인접 지역에 형성되어 감광막 현상시 육안으로 식별할 수 있는 크기를 갖는 디파인(define)확인용 패턴(3)을 함께 노광하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 노광 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.