KR20020058592A - 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 스캐터링바로만 된 보조 래티클을 추가로 제작하여 원하는 패턴 래티클과 같이 사용하여 노광함으로써, 스캐터링바의 효과인 분리 패턴 공정의 마진을 향상할 수 있을 뿐만 아니라 래티클 제작상의 결함 문제를 해결할 수 있는 노광 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법은 소정 패턴이 형성된 래티클을 이용하여 상기 소정 패턴으로 웨이퍼를 노광하는 노광 방법에 있어서, 상기 래티클의 상, 하의 어느 일측에 스캐터링바가 형성된 보조 래티클을 소정 간격으로 위치시켜 노광함을 특징으로 한다.

Description

스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법{Exposure Method using scattering bar reticle}

본 발명은 보조 특징 즉, 스캐터링바가 형성된 래티클을 이용하여 웨이퍼를노광하는 노광 방법에 관한 것으로서, 특히 소정 패턴이 형성된 래티클과 별도의 스캐터링바가 형성된 보조 래티클을 이용하여 웨이퍼를 노광하는 노광 방법에 관한 것이다.

일반적으로 DUV(Deep-UV) 서브-파장 이하의 패턴을 형성할 때 독립된 최소 특징 사이즈(minimum feature size)의 라인 혹은 스페이스 패턴의 마진이 가장 취약하게 되며, 변형 조명을 사용하여도 그 효과가 나타나지 않게 된다.

이와 같은 문제점을 개선하기 위해 동일한 래티클에 원래의 패턴 열에 웨이퍼에서는 형성되지 않을 정도의 작은 스캐터링바의 패턴을 삽입되게 형성함으로써 인접 패턴에 의한 근접 효과를 얻을 수 있어 마진이 향상되도록 하고 있으며, 이와 같은 방법의 종래예는 도 1에 도시된 노광 방법이 있다.

즉, 도 1에 도시된 종래의 노광 방법은 원래의 패턴(11) 측면에 웨이퍼에서는 형성되지 않을 정도의 작은 복수 개의 스캐터링바 패턴(12)을 형성한 래티클(10)을 광원의 하측에 배치하고, 그 아래에 렌즈(13) 및 상기 원래의 패턴에 상응하는 웨이퍼상의 노광패턴(15)으로 노광 하고자 하는 웨이퍼(14)를 위치하게 로딩시킨 후 노광하도록 하고 있다.

그러나 종래의 노광 방법은 동일 래티클 상에 노광 하고자 하는 원래의 패턴에 인접하여 최소 특징 크기(minimum feature size)보다 더 작은 크기의 복수 개의 스캐터링바를 형성하여야 하기 때문에 래티클의 제작상의 한계로 결함을 제어할 수 없고, 제작시에 발생한 래티클 결함으로 정상적인 패턴까지 영향을 주어 수율 감소를 초래하는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 발명한 것으로서, 스캐터링바로만 된 보조 래티클을 추가로 제작하여 원하는 패턴 래티클과 같이 사용하여 노광함으로써, 스캐터링바의 효과인 분리 패턴 공정의 마진을 향상할 수 있을 뿐만 아니라 래티클 제작상의 결함 문제를 해결할 수 있는 노광 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법을 나타낸 도면

도 2는 본 발명에 의한 스캐터닝바 래티클을 이용한 노광 방법을 나타낸 도면

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10, 20 : 래티클

11, 21 : 노광 하고자 하는 패턴

12, 23 : 스캐터닝바

13, 24 : 광집속용 렌즈

14, 25 : 웨이퍼

15, 26 : 웨이퍼상의 노광패턴

22 : 보조 래티클

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법은 소정 패턴이 형성된 래티클을 이용하여 상기 소정 패턴으로 웨이퍼를 노광하는 노광 방법에 있어서, 상기 래티클의 상, 하의 어느 일측에 스캐터링바가 형성된 보조 래티클을 소정 간격으로 위치시켜 노광함을 특징으로 한다.

이와 같은 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법은 노광하고자 하는 소정 패턴이 형성된 래티클과 별도로 스캐터링바가 형성된 보조 래티클을 이용하기 때문에 동일 래티클 상에 노광 패턴의 패턴과 스캐터링바를 같이 형성하지 않아도 되기 때문에 스캐터링바의 효과를 얻으면서도 래티클 제작상의 결함 문제를 해소할 수 있다.

이하, 첨부된 도면에 근거하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명을 구현하는 노광 방법을 개략적으로 나타낸 것으로, 광원 아래에 격자상으로 스캐터링바(23)가 형성된 보조 래티클(22)을 배치하고, 상기 보조 래티클(22) 아래에 노광 하고자 하는 패턴(21)이 형성된 래티클(20)을 배치한다.

그리고 상기 래티클(20) 아래에 광집속용 렌즈(24) 및 노광 하고자 하는 웨이퍼(25)를 각각 배치하도록 노광 장치에 로딩한 후 소정의 광원 예로 들며 DUV(Deep-UV)를 이용하여 노광함으로써 상기 웨이퍼(25)상에 래티클(20)에 형성된 노광 하고자 하는 패턴(21)에 상응하는 웨이퍼상의 노광패턴(26)으로 노광된다.

본 발명에서는 상기 보조 래티클(22)은 스캐터링바(23)가 격자상으로 형성되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 어느 일측으로만 스캐터링바(23)가 형성되어도 좋으며, 또한 상기 스캐터링바의 폭과 피치는 웨이퍼(25)상에 패턴이 노광되지 않는 크기로 형성되어야 한다.

이와 같이 스캐터링바가 형성된 별도의 보조 래티클을 사용하는 본 발명의 노광 방법은 종래의 동일 래티클에 형성한 스캐터링바에 의한 효과, 즉 인접 패턴에 의한 근접 효과로 마진을 향상시킨다는 효과를 얻을 수 있음은 물론, 전자빔(E-beam) 라이팅 장비의 해상력보다도 작은 크기로 스캐터링바를 형성하여도 별도의 보조 래티클에 형성하기 때문에 제작상의 결함의 영향을 제거할 수 있어 고집적화된 DRAM등에 사용할 수 있고, 스캐터링바를 가로와 세로의 양방향으로 형성하는 격자형으로 만드는 경우에는 실제 패턴이 양방향이더라도 스캐터링바의 효과를 얻을 수 있는 등의 효과가 있다.

Claims (4)

1. 소정 패턴이 형성된 래티클을 이용하여 상기 소정 패턴으로 웨이퍼를 노광하는 노광 방법에 있어서,

   상기 래티클의 일측에 스캐터링바가 형성된 보조 래티클을 소정 간격으로 위치시켜 노광함을 특징으로 하는 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 보조 래티클은 스캐터링바가 가로와 세로 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 스캐터링바의 폭과 피치는 웨이퍼에서는 노광되어 스캐터링바가 형성되지 않는 크기임을 특징으로 하는 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 래티클의 일측은 래티클의 상측임을 특징으로 하는 스캐터링바 래티클을 이용한 노광 방법.