KR960008984A - 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법 - Google Patents
노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960008984A KR960008984A KR1019940019655A KR19940019655A KR960008984A KR 960008984 A KR960008984 A KR 960008984A KR 1019940019655 A KR1019940019655 A KR 1019940019655A KR 19940019655 A KR19940019655 A KR 19940019655A KR 960008984 A KR960008984 A KR 960008984A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- focal length
- exposure process
- wafer
- best focal
- reticle
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 노광공정시 렌즈와 웨이퍼 스테이지와의 최상 촛점 거리 확인 방법에 있어서; 레티클 상에 측정용 패턴(20)을 형성한 후, 상기 레티클을 사용한 노광공정으로 웨이퍼 상에 측정용 패턴을 형성하되, 렌즈와 웨이퍼 스테이지와의 거리 별로 다수의 측정용 패턴을 웨이퍼상에 형성하여, 형성된 패턴을 서로 비교함으로써 최상 촛점 거리를 확인하는 것을 특징으로 하는 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법에 관한 것으로, 레티클상에 특수마크를 형성하고, 렌즈와 웨이퍼 스테이지와의 거리별로 노광을 실시하여 다수의 마크를 웨이퍼 상에 형성한 후, 이 마크를 관찰함으로써 최상의 촛점 거리를 확인하는 것으로, 반도체 제조 공정에서 필수적으로 사용되는 리소그래피 공정의 마진을 확보하여 소자의 특성 및 수율향상을 가져오는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 노광렌즈의 촛점 위치를 나타내는 예시도.
제2도는 노광렌즈의 촛점거리 확인을 위한 레티클 상의 마크형상 평면도.
Claims (1)
- 노광공정시 렌즈와 웨이퍼 스테이지와의 최상 촛점 거리 확인 방법에 있어서; 레티클 상에 측정용 패턴을 형성한 후, 상기 레티클을 사용한 노광공정으로 웨이퍼 상에 측정용 패턴을 형성하되, 렌즈와 웨이퍼 스테이지와의 거리 별로 다수의 측정용 패턴을 웨이퍼상에 형성하여, 형성된 패턴을 서로 비교함으로써 최상 촛점 거리를 확인하는 것을 특징으로 하는 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019655A KR960008984A (ko) | 1994-08-10 | 1994-08-10 | 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019655A KR960008984A (ko) | 1994-08-10 | 1994-08-10 | 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960008984A true KR960008984A (ko) | 1996-03-22 |
Family
ID=66697776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940019655A KR960008984A (ko) | 1994-08-10 | 1994-08-10 | 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960008984A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244453B1 (ko) * | 1997-02-06 | 2000-03-02 | 김영환 | 반도체 웨이퍼의 포커스 패턴 형성구조 |
-
1994
- 1994-08-10 KR KR1019940019655A patent/KR960008984A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244453B1 (ko) * | 1997-02-06 | 2000-03-02 | 김영환 | 반도체 웨이퍼의 포커스 패턴 형성구조 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930020564A (ko) | 반도체 제조 장치의 평가 장치 및 그 평가 방법 | |
| EP1162507A3 (en) | Alignment method, overlay deviation inspection method and photomask | |
| KR950012591A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920005329A (ko) | 반도체소자용 패턴의 형성 또는 시험방법 | |
| KR970062821A (ko) | 정렬, 노광방법 및 노광장치 | |
| EP1128215A3 (en) | Alignment mark set and method of measuring alignment accuracy | |
| KR960008984A (ko) | 노광공정의 최상 촛점 거리 확인 방법 | |
| KR960005756A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법 | |
| KR970049060A (ko) | 다중 노광에 의한 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR960005036B1 (ko) | 노광공정에서의 포카스상태 측정용 패턴 및 포카스상태 측정 방법 | |
| KR900008612A (ko) | 반도체제조공정중 웨이퍼상의 패턴크기를 모니터링하기 위한 테스트패턴 | |
| KR960002585A (ko) | 웨이퍼 레벨링 확인 방법 | |
| KR970012019A (ko) | 노광방법 및 장치 | |
| KR970022580A (ko) | 중첩 정확도와 노광장비의 최적 포커스를 측정하기 위한 측정 마크 | |
| KR970007497A (ko) | 노광 에너지 측정 방법 | |
| KR960002504A (ko) | 포토 마스크 및 포토 마스크 제조 에러 측정방법 | |
| TW361055B (en) | Mark for measurement of accuracy in superposition, method for correcting detect of the mark, photomask having the mark, and manufacture and exposure device for the photomask | |
| KR960002632A (ko) | 레티클 제조 방법 | |
| KR19990018392A (ko) | 반도체소자를 제조하기 위한 노광장치의 초점을 맞추는 방법 | |
| KR960024679A (ko) | 노광촛점 검사용 마스크 | |
| TW331023B (en) | Overlap precision measuring mark, defect modification method, mask with the mark, and fabricating method and exposing method thereof | |
| KR970017957A (ko) | 반도체 장치 제조용 레티클 | |
| KR960042915A (ko) | 레티클(reticle) 및 그를 이용한 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR960032580A (ko) | 레티클(reticle) 및 그를 이용한 반도체장치 제조방법 | |
| KR940015706A (ko) | 반도체 소자의 마스크패턴시 측정마크 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |