KR960002504A - 포토 마스크 및 포토 마스크 제조 에러 측정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 공정의 리소그래피 제조 공정에서 사용되는 포토 마스크(pgoto Mask)의 제조시 발생된 에러를 측정하기 위해 예정된 칩의 가장자리 스크라이브 라인에 측정마크가 구비된 제1마스크와, 예정된 칩의 가장자리 스크라이브 라인에 상기 측정마크와 오버랩되도록 하는 측정마크가 구비된 제2마스크를 사용하여 측정마크용 패턴을 형성하고, 중첩도를 측정하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의해 마스크 제조 에러를 측정하기 위한 공정방법을 도시한 블럭도,
제4도는 (a)는 본 발명에 의해 제조된 제1마스크의 측정 마크를 도시하고, (b)는 본 발명에 의해 제조된 제2마스크의 측정 마크를 도시하고, (c)는 상기 제1마스크와 제2마스크들을 이용하여 감광막을 노광한 것을 도시하고, (d)는 본 발명에 의해 형성된 바깥박스와 안쪽박스를 도시한 도면.
Claims (8)
- 포토 마스크에 있어서, 마스크 제조 에러를 측정하기 위하여 예정된 칩의 가장자리 스크라이브 라인에 측정마크가 구비된 제1마스크와, 예정된 칩의 가장자리 스크라이브 라인에 제1오버랩 측정마크와 오버랩되도록 하는 측정마크가 구비된 제2마스크를 포함하는 포토 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 제1마스크의 측정마크는 변의 길이가 D인 정사각형으로 오픈되는 바깥 박스와 변의 길이가 d'인 정사각형으로 닫혀지는 안쪽 박스가 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 제2마스크의 측정마크는 변의 길이가 D인 정사각형으로 오픈되는 바깥 박스와 변의 길이가 d'인 정사각형으로 닫혀지는 안쪽 박스가 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 변의 길이는 D〉D'〉d'〉d 크기를 갖게 하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
- 포토 마스크의 마스크 제조 에러를 측정하기 위하여 웨이퍼상에 감광막을 도포하는 단계와, 칩의 가장자리 스크라이브 라인에 측정마크가 형성된 제1마스크를 이용하여 감광막을 노광시키는 단계와, 칩의 가장자리 스크라이브 라인에 상기 제1마스크의 측정마크의 위치와 오버랩도도록 측정마크가 구비된 제2마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광 시키는 단계와, 상기 공정으로 노광된 감광막을 현상시켜 오버랩 측정 마크용 감광막 패턴을 형성하여 중첩정확도를 검사하는 단계를 포함하는 포토 마스크제조 에러 측정방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1마스크의 측정마크는 변의 길이가 D인 정사각형으로 오픈되는 바깥 박스와 변의 길이가 d'인 정사각형으로 닫혀지는 안쪽 박스가 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 에러 측정방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제2마스크의 측정마크는 변의 길이가 D인 정사각형으로 오픈되는 바깥 박스와 변의 길이가 d'인 정사각형으로 닫혀지는 안쪽 박스가 구비되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 에러 측정방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 변의 길이는 D〉D'〉d'〉d 크기를 갖게 하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조 에러 측정 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019940014572A KR0146244B1 (ko) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 포토 마스크장치 및 포토 마스크 제조 에러 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| KR0146244B1 KR0146244B1 (ko) | 1998-11-02 |
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ID=19386198
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0146244B1 (ko) |
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1994
- 1994-06-24 KR KR1019940014572A patent/KR0146244B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
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| KR0146244B1 (ko) | 1998-11-02 |
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