KR960035767A - 반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법 - Google Patents

반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960035767A
KR960035767A KR1019950006330A KR19950006330A KR960035767A KR 960035767 A KR960035767 A KR 960035767A KR 1019950006330 A KR1019950006330 A KR 1019950006330A KR 19950006330 A KR19950006330 A KR 19950006330A KR 960035767 A KR960035767 A KR 960035767A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
semiconductor device
measurement mark
measuring
silicide film
Prior art date
Application number
KR1019950006330A
Other languages
English (en)
Inventor
임창문
김상훈
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950006330A priority Critical patent/KR960035767A/ko
Publication of KR960035767A publication Critical patent/KR960035767A/ko

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자의 중첩정밀도 측정방법에 관한것으로서, 실리레이션 공정을 진행하는 반도체소자의 제조 공정중 노광장치의 오프셋을 보정하기 위하여 감광막을 선택 노광한 후, 실리레이션 공정을 진행하여 감광막의 측정마크로 예정되어 있는 부분상에 실리레이션막을 형성하고, 상기 감광막과 실리레이션 막 간의 굴절율차 및 토폴로지 차에 따라 레이저 스캐터링 검사 장치를 사용하여 상기 측정마크가 되는 실리레이션막의 위치를 측정하여 측정마크의 중심 위치를 계산하여 노광장비의 오프셋을 보상하였으므로, 실리레이션 공정에서 실리레이션막을 마스크로하는 플라스마 에칭 공정전에 노광장비의 중첩정밀도를 측정할 수 있어 장비의 사용 효율 및 공정수율이 증가된다.

Description

반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 표면노광 공정 후의 중첩정밀도 측정 방법을 설명하기 위한 개략도, 제3도는 본 발명에 따른 중첩정밀도 측정장치를 설명하기 위한 개략도, 제4도는 제3도의 장치를 이용하여 측정된 측정마크의 데이타 그래프.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에서 스크라이브 라인으로 예정되어 있는 부분상에 감광막을 도포하는 공정과, 상기 감강막의 측정마크로 예정되어 있는 부분 상측에 실리레이션막을 형성하는 공정과, 상기 측정마크인 실리레이션막의 위치를 측정하여 노광장비의 오프셋을 보상하는 공정을 구비하는 반도체소자의 중첩정밀도 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막이 G라인, i라인, 원자외선, 전자빈, X선용 감광막으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 감광막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 측정마크가 되는 실리레이션막을 전체적으로 L자형으로 배치된 다수개의 정사각형 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 중첩정밀도 측정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 측정마크를 박스-인-박스형이나 버어니어 형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 중첩정밀도 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950006330A 1995-03-24 1995-03-24 반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법 KR960035767A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006330A KR960035767A (ko) 1995-03-24 1995-03-24 반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006330A KR960035767A (ko) 1995-03-24 1995-03-24 반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960035767A true KR960035767A (ko) 1996-10-24

Family

ID=66552741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950006330A KR960035767A (ko) 1995-03-24 1995-03-24 반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960035767A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7016184B1 (en) 2002-09-27 2006-03-21 Casio Computer Co., Ltd. Electronic device and cover member thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7016184B1 (en) 2002-09-27 2006-03-21 Casio Computer Co., Ltd. Electronic device and cover member thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6498640B1 (en) Method to measure alignment using latent image grating structures
US7368208B1 (en) Measuring phase errors on phase shift masks
US6262435B1 (en) Etch bias distribution across semiconductor wafer
US8245161B1 (en) Verification of computer simulation of photolithographic process
KR950027969A (ko) 포토마스크(photomask) 제작방법
CN102043343B (zh) 测量曝光机聚焦点的方法
US6727989B1 (en) Enhanced overlay measurement marks for overlay alignment and exposure tool condition control
US6330355B1 (en) Frame layout to monitor overlay performance of chip composed of multi-exposure images
US6800403B2 (en) Techniques to characterize iso-dense effects for microdevice manufacture
KR960035767A (ko) 반도체 소자의 중첩 정밀도 측정방법
US5928820A (en) Method for measuring pattern line width during manufacture of a semiconductor device
JPS6350852B2 (ko)
Ueno et al. Novel at-design-rule via-to-metal overlay metrology for 193-nm lithography
KR0172287B1 (ko) 중첩 정확도와 노광장비의 포커스를 동시에 측정하기 위한 측정마크를 이용한 중첩 정확도 및 노광장비의 포커스 측정 방법
US6753963B1 (en) Method of calibration of magnification of optical devices
JP2000306793A (ja) 重ね合わせ精度測定方法。
KR100278919B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR20030059377A (ko) 정렬 마크로 이용 가능한 중첩도 측정 패턴 형성방법
SU1046804A1 (ru) Способ контрол точности совмещени при микролитографии
KR0144083B1 (ko) 노광기 해상도 측정용 포토마스크
KR960011463B1 (ko) 노광기의 촛점 및 평행도 측정 방법
KR100349106B1 (ko) 반도체 미세 패턴 변위 측정 방법
KR20000031429A (ko) 반도체 노광장치의 마스크 패턴 및 그의 패턴 쉬프트 평가 방법
KR960024686A (ko) 중첩오차 측정마크 마스크 및 중첩오차 측정마크 형성방법
KR20000040107A (ko) 반도체 소자의 오버레이 측정패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination