KR970062821A - 정렬, 노광방법 및 노광장치 - Google Patents

정렬, 노광방법 및 노광장치 Download PDF

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Abstract

정렬계와 기판을 상대적으로 이동시킬 필요가 없는 고속의 서치 정렬방법을 제공한다. 정렬 마크를 형상이 서로 다른 복수의 요소마크(M1 내지 M4)로 구성한다. 복수의 요소마크(M1 내지 M4)는 정렬계 시야(FD)의 길이(ax,ay)보다 약간 짧은 거리를 두고 배치한다. 정렬 마크를 구성하는 요소마크중 하나라도 정렬계의 시야(FD)에 들어가면, 이 요소마크가 어느 요소마크인가를 식별하고, 그 위치로부터 정렬전체의 위치(MC)를 계측할 수 있다. 따라서, 정렬계의시야보다 더 넓은 범위안에서 정렬 마크가 이동하더라도 1회의 계측으로 위치를 구할 수 있다.

Description

정렬, 노광방법 및 노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 정렬 마크의 구성예를 도시한 도면.

Claims (17)

  1. 형상이 다른 복수의 요소마크의 집합으로 이루어지는 정렬 마크를 가진 기판을 배치하는 단계와 상기 정렬 마크를 검출하는 단계가 포함되어 있는 정렬방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검출 단계가 소정의 시야 길이를 가진 촬상장치에 의하여 행하여지는 정렬방법.
  3. 제2항에 있어서, 복수의 요소마크중 인접하는 요소마크 사이의 거리가 상기 시야 길이보다 더 작은 정렬방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정렬 마크가 9개의 요소마크들로 구성되어 있는 정렬방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 정렬 마크가 9개의 요소마크들로 구성되어 있는 정렬방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판이 패턴이 형성되어 있는 마스크인 정렬방법.
  7. 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 노광방법으로서, 형상이 서로 다른 복수의요소마크의 집합으로 이루어지는 정렬 마크를 가지는 마스크와 형상이 서로 다른 복수의 요소마크의 집합으로 이루어지는 정렬 마크를 가지는 기판중 적어도 하나를 배치하는 단계와 상기 정렬 마크를 검출하는 단계가 포함되어 있는 노광방법.
  8. 제7항에 있어서, 정렬 마크를 검출한 다음에, 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 단계가 더 포함되어 있는 노광방법.
  9. 제7항에 있어서, 검출하는 단계가 소정의 시야길이를 가지는 촬상장치에 의하여 행하여지는 노광방법.
  10. 제9항에 있어서, 복수의 요소마크중 인접하는 요소마크 사이의 거리가 시야 길이보다 더 작은 노광방법.
  11. 제7항에 있어서, 정렬 마크가 9개의 요소마크로 구성되어 있는 노광방법.
  12. 제7항에 있어서, 정렬 마크가 대칭성을 가지는 마크인 노광방법.
  13. 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 노광장치로서, 마스크의 패턴을 기판에 투영하는 투영광학계, 마스크와 기판중 적어도 하나에는 형상이 서로 다른 복수의 요소마크의 집합으로 이루어지는 정렬 마크가 형성되어 있고, 정렬 마크를 소정의 시야 길이에서 검출하는 검출장치가 포함되어 있는 노광장치.
  14. 제13항에 있어서, 마스크를 적치하여 이동시키는 마스크 스테이지가 더 포함되어 있고, 상기 검출장치가 마스크 스테이지의 근방에 배치되어 있는 노광장치.
  15. 제13항에 있어서, 복수의 요소마크중 인접하는 요소마크 사이의 거리가 시야 길이보다 작은 노광장치.
  16. 제13항에 있어서, 정렬 마크가 9개의 요소마크로 구성되이 있는 노광장치.
  17. 제13항에 있어서, 정렬 마크가 대칭성을 가지는 마크인 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030055837A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 한맥전자 (주) 리드프레임인쇄회로기판용 노광기

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2220155A1 (en) * 1995-05-05 1996-11-07 Niels Dybdal A method of aligning images to be scanned and a scanning apparatus for such alignment
US5827629A (en) * 1995-05-11 1998-10-27 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Position detecting method with observation of position detecting marks
JP3169068B2 (ja) * 1997-12-04 2001-05-21 日本電気株式会社 電子線露光方法及び半導体ウエハ
US6638831B1 (en) * 2000-08-31 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method
US6833221B2 (en) * 2001-01-05 2004-12-21 Litel Instruments Method and apparatus for proper ordering of registration data
US6668449B2 (en) * 2001-06-25 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Method of making a semiconductor device having an opening in a solder mask
TW588411B (en) * 2002-02-15 2004-05-21 Nikon Corp Position measuring method, exposure method, and device manufacturing method
JP4276140B2 (ja) * 2004-06-25 2009-06-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡及び寸法校正用試料
US7525671B2 (en) * 2006-04-11 2009-04-28 Micronic Laser Systems Ab Registration method and apparatus therefor
JP4656440B2 (ja) 2007-02-13 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板位置検出装置及びその撮像手段位置調整方法
KR101486423B1 (ko) * 2008-07-04 2015-01-27 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US8361683B2 (en) 2010-04-09 2013-01-29 International Business Machines Corporation Multi-layer chip overlay target and measurement
US8638438B2 (en) * 2011-08-17 2014-01-28 International Business Machines Corporation Self-calibrated alignment and overlay target and measurement
CN102866604A (zh) * 2012-09-17 2013-01-09 上海华力微电子有限公司 一种掩膜板对准标记布局方法
DE102013211403B4 (de) 2013-06-18 2020-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Bestimmen eines Referenzpunktes einer Ausrichtungsmarkierung auf einem Substrat einer photolithographischen Maske
JP6271920B2 (ja) * 2013-09-06 2018-01-31 キヤノン株式会社 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US20210320038A1 (en) * 2020-04-09 2021-10-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
JP2622573B2 (ja) * 1988-01-27 1997-06-18 キヤノン株式会社 マーク検知装置及び方法
JP3109852B2 (ja) * 1991-04-16 2000-11-20 キヤノン株式会社 投影露光装置
US5407763A (en) * 1992-05-28 1995-04-18 Ceridian Corporation Mask alignment mark system
JPH07226357A (ja) * 1993-12-16 1995-08-22 Nikon Corp 位置検出装置
US5573877A (en) * 1994-03-15 1996-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure method and exposure apparatus
JPH08167559A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Nikon Corp アライメント方法及び装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030055837A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 한맥전자 (주) 리드프레임인쇄회로기판용 노광기

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