KR960018774A - 얼라인먼트방법 및 반도체노광방법 - Google Patents

얼라인먼트방법 및 반도체노광방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에는, 제1축소배율을 지닌 제1스테퍼와, 상기 제1축소배율을 지닌 제2스테퍼를 혼용하여 노광공정을 행하는 노광방법 또는 얼라인먼트방법이 개시되어 있다. 쇼트에 관하여 상기 제2스테퍼에 의해 형성된 얼라인먼트마크에 의거해서 상기 제1스테퍼에 의해 구형상얼라인먼트를 행할 때 계측하려는 상기 얼라인먼트의 위치는 상기 제1스테퍼의 1회의 쇼트마다, 쇼트중심에 대해 가변적이다.

Description

얼라인먼트방법 및 반도체노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 얼라인먼트방법에 있어서, 저배율스테퍼의 구형상얼라인먼트계측을 설명하는 개략도.

Claims (12)

  1. 제1축소배율을 지닌 제1스테퍼와, 상기 제1축소배율보다 높은 제2축소배율을 지닌 제2스테퍼를 혼용하여 노광공정을 행하는 얼라인먼트방법에 있어서 : 쇼트에 관하여 상기 제2스테퍼에 의해 형성된 얼라인먼트마크에 의거해서 상기 제1스테퍼에 의해 구형상얼라인먼트를 행할 때 계측하려는 상기 얼라인먼트마크의 위치는 상기 제1스테퍼의 1회의 쇼트마다 쇼트중심에 대해 가변적인 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1스테퍼에 의한 구형상얼라인먼트는, 상기 제2스테퍼에 의해 구형상얼라인먼트를 행할때와 동일한 얼라인먼트마크를 계측하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
  3. 제1축소배율을 지닌 제1스테퍼와, 상기 제1축소배율보다 높은 제2축소배율을 지닌 제2스테퍼를 혼용하여 노광공정을 행하는 얼라인먼트방법에 있어서 : 상기 제1스테퍼에 의해 형성된 얼라인먼트마크에 의거해서 상기 제2스테퍼에 의한 구형상얼라인먼트를 행할 때 계측하려는 상기 얼라인먼트마크의 위치는 상기 제2스테퍼의 1회의 쇼트마다 쇼트중심에 대해 가변적인 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1스테퍼에 의해 형성된 얼라인먼트마크는 상기 제1스테퍼의 쇼트중심에 대해 대칭으로 배치되고, 상기 제2스테퍼에 의한 구형상얼라인먼트에서 사용하는 다른 쇼트에 대한 계측횟수는 상기 대칭으로 배치된 얼라인먼트마크와 동등한 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1스테퍼의 1회의 쇼트의 얼라인먼트마크는 쇼트중심에 대해 계측방향으로 대칭으로 배치되고, 얼라인먼트마크의 계측횟수는 대칭쌍에 대해서 동등한 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
  6. 기판상에 얼라인먼트마크를 형성하고, 제1축소배율을 지니 제1스테퍼와, 상기 제1축소배율보다 높은 제2축소배율을 지닌 제2스테퍼를 혼용하여 노광공정을 행하는 얼라인먼트방법에 있어서; 쇼트의 얼라인먼트마크의 상높이에 의거해서 오프셋을 설정하고, 각 상높이에서의 얼라인먼트마크의 계측횟수에 따라서 상기 설정된 오프셋을 반영하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트방법.
  7. 반도체노광장치에 사용되고, 1회의 쇼트에 관하여 노광되는 복수의 칩패턴을 지닌 레티클에 있어서, 상기 레티클은 각 칩마다 얼라인먼트마크를 구비하는 것으 특징으로 하는 레티클.
  8. 기판의 다른 쇼트영역에 순차노광을 행하는 노광방법에 있어서 : 1회의 쇼트에서 노광되는 복수의 칩패턴과, 상기 칩패턴에 관하여 각각 형성된 얼라인먼트마크를 지닌 레티클을 이용하여 기판에 노광공정을 행하는 스텝과 ; 상기 노광공정에 의해 기판에 전사된 각 칩의 얼라인먼트마크를 이용하여 기판에 얼라인먼트공정을 행하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체노광방법.
  9. 제8항에 있어서, 기판상의 각 쇼트에서는, 쇼트중심에 대한 얼라인먼트마크의 위치에 의해 생기는 위칙계측오차를 미리 계측하고, 상기 오차계측에 의거해서 쇼트중심에 대한 각 얼라인먼트마크 위치의 계측치를 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체노광방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 얼라인먼트공정은 구형상얼라인먼트공정인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 기판의 다른 쇼트영역에 순차노광을 행하는 노광방법에 있어서 : 1회의 쇼트에서 노광되는 복수의 칩패턴과, 상기 칩패턴에 관하여 각각 형성된 얼라인먼트마크를 지닌 레티클을 이용하여 기판에 노광공정을 행하는 스텝과 ; 상기 노광공정에 의해 기판에 전사된 각 칩의 얼라인먼트마크를 이용하여 칩배율오차와 칩회전중 적어도 하나를 계측하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 레티클의 각 칩에는 각 칩주위에 서로 대향하는 위치에 2개의 X방향 검출용 얼라인먼트마크와 2개의 Y방향검출용 얼라인먼트마크가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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