KR0144082B1 - 레티클 및 그 레티클을 사용한 가림막 세팅 방법 - Google Patents

레티클 및 그 레티클을 사용한 가림막 세팅 방법

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KR0144082B1 KR1019940006957A KR19940006957A KR0144082B1 KR 0144082 B1 KR0144082 B1 KR 0144082B1 KR 1019940006957 A KR1019940006957 A KR 1019940006957A KR 19940006957 A KR19940006957 A KR 19940006957A KR 0144082 B1 KR0144082 B1 KR 0144082B1
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Abstract

본 발명은 스테퍼의 가림막 세팅을 측정하기 위한 레티클에 있어서, 스테퍼의 가림막에 의해 형성되는 감광막 패턴(5)의 형태와 비교할 수 있도록 상기 감광막 패턴(5)의 형태와 동일한 모양을 가지되, 동일 중심을 가지는 다수의 선형 패턴(21, 22, 23)을 구비하는 것을 특징으로 하며, 종래와 같이 가림막 세팅 측정용 패턴의 버니어를 일일이 측정할 필요 없이, 웨이퍼 상에 형성된 패턴 모양 만으로 가림막 세팅 측정을 쉽고, 정확하게 측정할 수 있는 효과가 있는 레티클 및 그 레티클을 사용한 가림막 세팅 방법에 관한 것이다.

Description

레티클 및 그 레티클을 사용한 가림막 세팅 방법
제 1 도는 종래 가림막 세팅 측정용 레티클의 평면도,
제 2 도는 본 발명의 일실시예에 따른 가림막 세팅 측정용 레티클의 평면도,
제 3a 도 내지 제 3c 도는 본 발명의 일실시예에 따른 가림막 세팅 측정용 레티클의 사용예를 도시한 일 예시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 석영기판 2,21,22,23 : 크롬막
3 : 가림막 세팅 측정용 버니어(vernier)
4 : 웨이퍼 5 : 가림막 패턴
21' : 가림막 세팅 측정용 패턴
본 발명은 가림막 세팅 정확도(Blind setting accuracy)및 에러를 측정하기 위한 레티클(Reticle) 및 그 레티클을 사용한 가림막 세팅 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 노광방법 중 감광막에 마스크가 접촉되는 접촉인쇄(contact printing)는 몇 번의 계속적 사용 후에는 마스크가 훼손되는 결점이 있었다. 이 문제를 피하기 위하여 투영인쇄(projection printing)가 주로 사용되어 왔으며, 이 방법에 쓰이는 마스크는 시료와 접촉되지 않기 대문에 마스크의 열화현상이 없이 반복적으로 쓸 수 있다. 여기서, 상기 투영시스템에서 마스크는 개별적인 회로의 배열을 포함하거나 또는 마스크가 이 배열의 한 부분만에 대한 것일 수도 있으며, 후자의 경우 마스크의 패턴은 축소되고, 웨이퍼 상에 초점이 맞추어지며, 스테퍼(stepper)를 이용한 정밀한 전진-반복(step-and-repeat) 공정에 의하여 상기 웨이퍼 상에 배열이 구성된다. 이때, 이러한 마스크를 레티클(reticle)이라 하며 레티클을 투과하는 노광빛을 가려야할 소정영역에는 가림막을 주로 사용했다. 이때, 가림막이 웨이퍼 상에 형성된 패턴과 정확하게 세팅되었는지를 측정하는 가림막 세팅 측정용 레티클이 별도로 요구되어 왔다.
제 1 도는 종래의 가림막 세팅 측정용 레티클의 평면도로서, 이를 참조하여 종래기술을 설명한다.
종래에는 제 1 도에 도시된 바와 같이 석영기판(1) 상에 정방형 형태의 선형 크롬막(2) 패턴을 다수 형성하되, 각변에 가림막 세팅 측정용 버니어(3)를 두개 내지 세개씩 형성한다. 이때, 상기 크롬막(2) 패턴의 각변 길이는 각각 5㎜, 10㎜, 15㎜ 등이 되도록 한다.
그러나, 상기 종래의 가림막 세팅 측정용 레티클을 이용한 가림막 세팅의 정확도 측정시, 웨이퍼 상에 형성된 모든 가림막 세팅 측정용 버니어를 측정해야만 하는 문제점을 초래해 왔었다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 종래의 가림막 세팅 측정용 레티클의 장점을 그대로 유지하면서, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 모양만으로 가림막 세팅 정확도를 용이하게 측정할 수 있는 레티클 및 그 레티클을 사용한 가림막 세팅 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 스테퍼의 가림막 세팅을 측정하기 위한 레티클에 있어서, 스테퍼의 가림막에 의해 형성되는 감광막 패턴의 형태와 비교할 수 있도록 상기 감광막 패턴의 형태와 동일한 모양을 가지되, 동일 중심을 가지는 다수의 선형 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 스테퍼의 가림막 세팅 방법에 있어서, 상기 스테퍼의 가림막에 의해 형성되는 웨이퍼 상의 제 1 감광막 패턴 및 레티클의 선형 패턴에 의해 형성되는 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계 ; 및 상기 제 1 감광막 패턴과 상기 제 2 감광막 패턴을 비교하여 상기 스테퍼의 가림막 세팅 정확도를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제 2 도 내지 제 3c 도를 참조하여 본 발명에 따른 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 2 도는 본 발명의 일실시예에 따른 가림막 세팅 측정용 레티클의 평면도이다.
본 발명의 레티클은 제 2 도에 도시된 바와 같이 석영기판(1) 상에 일정한 선폭을 가지는 크롬막(21,22,23) 패턴을 중심이 같도록 세개 구비한다. 이때, 크롬막(21,22,23)은 가림막에 의해 웨이퍼 상에 형성되는 감광막 패턴과 그 모양이 동일한 정방형의 선형 패턴으로서, 이러한 크롬막(21,22,23) 패턴의 선폭은 스테퍼의 가림막 세팅 정확도 및 해당 소자에서의 가림막 세팅 요구에 따라 10㎛ 내지 200㎛ 크기로 이루어진다.
여기서, 상기 크롬막(21,22,23) 패턴은 스테퍼의 최대 익스포저 필드(exposure field)의 크기 및 소자 패턴 사이즈에 따라 다르나 본 일실시예에서는 각변이 5㎜ 크기인 제 1 크롬막(21) 패턴, 10㎜ 크기인 제 2 크롬막(22) 패턴, 15㎜ 크기인 크롬막(23) 패턴으로 이루어진다.
상기 가림막 세팅 측정용 레티클을 이용한 가림막 세팅 정확도 측정의 일예로, 각변이 5㎜ 크기인 가림막 세팅시, 각변의 길이가 5㎜ 인 가림막에 의해 형성되는 웨이퍼(4) 상의 정방형 패턴(5)(이하 가림막 패턴이라 칭함)과, 상기 가림막 세팅 측정용 레티클에 의해 형성되는 웨이퍼(4) 상의 패턴(21',22')(이하 가림막 세팅 측정용 패턴이라 칭함)을 형성한 다음, 가림막 패턴 및 가림막 세팅 측정용 패턴을 비교하여 스테퍼의 가림막 세팅 정확도를 측정한다.
참고적으로, 가림막 패턴(5) 및 가림막 세팅 측정용 패턴(21',22')은 웨이퍼(4) 표면에 감광막을 도포하고, 가림막 및 가림막 세팅 측정용 레티클을 스테퍼에 세팅한 다음, 노광공정, 현상공정을 수행하여 형성한 감광막 패턴이다.
제 3a 도 내지 제 3c 도는 이러한 가림막 세팅 측정용 레티클의 사용하여 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 일 예시도로서, 제 3a 도에 도시된 바와 같이 가림막 패턴(5) 보다 가림막 세팅 측정용 패턴(21')이 작게 형성되면 가림막 세팅이 부족한 경우를 뜻한다.
제 3b 도에 도시된 바와 같이 가림막 패턴(5)과 가림막 세팅 측정용 패턴(21')이 일치하면, 가림막 세팅이 정확하게 된 경우로서, 버니어의 측정없이 패턴의 모양만으로도 작업자가 용이하게 알 수 있다.
또한, 제 3c 도에 도시된 바와 같이 레티클의 정방형 크롬막 패턴(21,22,23)을 모두 가리게 되어 웨이퍼(4) 상에 가림막 패턴(5) 만 형성되면, 이는 가림막 세팅이 너무 과다하게 되었다는 것을 뜻한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은, 종래와 같이 가림막 세팅 측정용 버니어를 일일이 측정할 필요없이, 웨이퍼 상에 형성된 패턴 모양만으로 가림막 세팅 측정을 쉽고, 정확하게 측정할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 스테퍼의 가림막 세팅을 측정하기 위한 레티클에 있어서, 스테퍼의 가림막에 의해 형성되는 감광막 패턴의 형태와 비교할 수 있도록 상기 감광막 패턴의 형태와 동일한 모양을 가지되, 동일 중심을 가지는 다수의 선형 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 선형 패턴은, 정방형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 선형 패턴의 선폭은, 10㎛ 내지 200㎛ 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레티클.
  4. 스테퍼의 가림막 세팅 방법에 있어서, 상기 스테퍼의 가림막에 의해 형성되는 웨이퍼 상의 제 1 감광막 패턴 및 레티클의 선형 패턴에 의해 형성되는 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계 ; 및 상기 제 1 감광막 패턴과 상기 제 2 감광막 패턴을 비교하여 상기 스테퍼의 가림막 세팅 정확도를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가림막 세팅 방법.
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