KR850006773A - 반도체장치 제조에 사용되는 십자선과 십자선 패턴 검사방법 - Google Patents

반도체장치 제조에 사용되는 십자선과 십자선 패턴 검사방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치 제조에 사용되는 십자선과 십자선 패턴 검사방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 기준패턴의 일실시예가 십자선 패턴으로 인쇄되는 십자선판 표면의 평면도.

Claims (10)

  1. 십자선 기판과, 상기 십자선기판의 표면상의 실제의 패턴영역내에 형성된 십자선 패턴고, 그리고 상기 패턴닝 공정시에 수행되는 축소노출의 해상력제한을 받는 크기를 갖는 것으로 상기 십자선 패턴과 함께 상기 표면상의 상기 실제의 패턴영역내에 형성되는 기준패턴으로 구성되는 것이 특징인 반도체장치 제조에 사용되는 십자선.
  2. 제1항에서, 상기 십자선 기판은 광학적으로 투명하며, 상기 십자선패턴은 광학적으로 불투명하며, 그리고 상기 기준패턴은 십자선 패턴이 존재하지 않는 상기 십자선 기판상의 광학적으로 불투명한 패턴과 상기 십자선 패턴상의 광학적으로 투명한 패턴으로 구성되는 것이 특징인 반도체 장치 제조에 사용되는 십자선.
  3. 제2항에서, 상기 기준패턴은 상기 패턴닝 공정시에 행해지는 축소노출의 해상력 제한을 받는 동일한 형상과 크기를 각각 갖는 다수의 기준패턴 조각들로 구성되며, 그리고 상기 기준패턴 조작들은 가로방향으로 동일한 제1간격과 세로 방향으로 동일한 제2간격으로 상기 표면상에 배열되는 것이 특징인 반도체장치 제조에 사용되는 십자선.
  4. 반도체장치 제조용 패턴닝 공정에 적용되며 또한 십자선기판상에 형성되는 십자선패턴을 검출하기 위한 방법에 있어서, 상기 십자선 패턴과 상기 십자선기판의 표면상의 실제의 패턴 영역내에 기준패턴을 형성하되, 상기 기준패턴은 상기 패턴닝공정시에 행해지는 축소노출의 해상력 제한을 받는 크기를 갖는 단계와, 검출된십자선 패턴신호들과 검출된 기준패턴 신호들을 각각 발생시키기 위한 영사감지장치의 동시성시계를 광학적으로 주사함으로써 각각 상기 십자선 패턴과 상기 기준패턴을 검출하는 단계와, 상기 검출된 기준패턴 신호들을 설계된 기준패턴 데이타로부터 얻은 설계된 기준패턴신호들과 개별적으로 동기화시키는 단계와, 그리고 상기 검출된 십자선 패턴데이타를 고안된 십자선 패턴데이타와 비교하는 단계를 포함하는 것이 특징인 십자선상의 십자선 패턴을 검사하기 위한 방법.
  5. 제4항에서, 상기 십자선 패턴은 상기 패턴닝 공정시에 수행되는 축소노출의 해상력 제한을 받는 동일형상과 크기를 각각 갖는 다수의 십자선 패턴조각들로 구성되며, 그리고, 상기 기준패턴 조각들은 가로방향으로 동일한 제1간격과 세로방향으로 동일한 제2간격으로 상기 표면상에 배열되어 있는 것이 특징인 십자선상의 십자선 패턴을 검사하기 위한 방법.
  6. 제5항에서, 상기 영상감지장치는 배열방향이 상기 주사방향의 대해 수직인 다수의 선형으로 배열된 감시소자들로 구성되며, 그리고 상기 제2 간격은 상기 선형으로 배열된 감지소자들의 동시성시계의 길이보다 작은 것이 특징인 십자선상의 십자선 패턴을 검사하기 위한 방법.
  7. 제4, 5또는 6항에서, 상기 십자선 기판은 광학적으로 투명하며, 상기 십자선 패턴은 광학적으로 불투명하며, 상기 기준패턴은 십자선패턴이 존재하지 않는 상기 십자선 기판상에 광학적으로 불투명 패턴과 상기 십자선 패턴상의 광학적으로 투명패턴으로 구성되는 것이 특징인 십자선상의 십자선패턴을 검사하기 위한 방법.
  8. 패턴닝공정을 적용하는 반도체 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서, 십자선기판을 제공하는 단계와, 상기 십자선기판의 표면상의 실제의 패턴영역내에 십자선 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴닝 공정시에 행해지는 축소노출의 해상력 제한을 받는 크기를 갖는 상기 십자선 패턴과 함께 상기 표면상의 상기 실제의 패턴영역내에 기준패턴을 형성하는 단계와, 상기 기준패턴으로부터 검출된 기준신호들을 검출하고 그리고 상기 검출된 기준신호들을 설계된 기준패턴 데이타로부터 얻는 설계된 기준신호들과 동기화시킴으로서 상기 표면상에 형성된 상기 십자선 패턴을 검출하는 단계와, 그리고 상기 패턴닝 공정시에 광학 축소노출에 의해 상기 반도체장치의 노출된 기판상에 상기 십자선 패턴의 영상을 인쇄하는 단계를 포함하는 것이 특징인 패턴닝 공정을 적용하는 반도체 장치 제조용 방법.
  9. 제8항에서, 상기 노출기판은 반도체 기판으로 구성되는 것이 특징인 패턴닝 공정을 적용하는 반도체 장치 제조용 방법.
  10. 제8항에서, 상기 노출기판은 포토마스크 기판으로 구성되는 것이 특징인 패턴닝 공정을 적용하는 반도체 장치 제조용 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850001358A 1984-03-05 1985-03-05 반도체장치 제조에 사용되는 십자선과 십자선패턴 검사방법 KR900001684B1 (ko)

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