KR950010013A - 플래인 위치결정 장치 - Google Patents

플래인 위치결정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950010013A
KR950010013A KR1019940023140A KR19940023140A KR950010013A KR 950010013 A KR950010013 A KR 950010013A KR 1019940023140 A KR1019940023140 A KR 1019940023140A KR 19940023140 A KR19940023140 A KR 19940023140A KR 950010013 A KR950010013 A KR 950010013A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plane
substrate
mask
exposure
predetermined
Prior art date
Application number
KR1019940023140A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100358422B1 (ko
Inventor
미야찌 다까시
Original Assignee
오노 시게오
가부시끼가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP22870793A external-priority patent/JP3305448B2/ja
Priority claimed from JP22870893A external-priority patent/JP3303463B2/ja
Application filed by 오노 시게오, 가부시끼가이샤 니콘 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR950010013A publication Critical patent/KR950010013A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100358422B1 publication Critical patent/KR100358422B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026Focusing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034Leveling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 주사 노출장치에서 최 자동촛점 및 오토레벨링을 실행하고자 한다.
직각 또는 아이크형인 슬리트 방사영역에 대한 기판 및 레티클을 동시에 주사함에 의하여 감광성 기판상에서 각각의 주사 영역으로 레티클상의 패턴을 연속하여 노출하는 소위 스텝-주사형 노출장치에서, 자동촛점 메카니즘 및 오토레벨링 메카니즘에 이용하기 적합한 플래인 위치결정 장치에 관한 것이다. 촛점위치(ㅿZ)를 접촉하는 곡선진 표면(50)이 연속한 곡선진 표면에 의하여 나타난다 할지라도 촛점위치는 X,Y방향에서 예정된 거리만큼의 간격에서 샘플화된 이산 데이타이며 따라서, 곡선진 표면(50)은 이산점의 집합체이다. 로우 패스 필터의 특정 주파수 영역으로서 컷 오프 특정 주파수가 특정 주파수(fX)에서±Wx이며 특정 주파수 (fy)에서±Wy인 증폭도 전송 특성ㅣH(jwㅣ을 가지는 필터를 이용한다.
※선택도 제1도

Description

플래인 위치결정 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이용된 본 발명에 따른 플래인 위치결정 장치의 한 실시예에서 전체 투영 노출장치를 도시한 개략도.
제2도는 제1도에 도시한 웨이퍼상에 측정점이 배열되는 것을 설명하기 위하여 도시한 실시도.

Claims (8)

  1. 예정된 가변형의 방사형 영역에 대하여 예정된 방향에서 이동패턴으로 형성된 스크를 주사하기 위한 마스크단과 마스크단에 일치하는 예정된 방향에서 감광성 기판을 주사하기 위한 기판단을 포함하고, 기판으로 마스크의 패턴을 연속하여 노출하고, 예정된 기준 플래인에 대하여 기판의 노출 플래인을 배열하는 주사노출장치에 장착된 플래인 위치결정장치에 있어서, 예정된 기준 플래인에 대하여 기판의 노출 플레인의 예정된 적당한 플래인을 배열하기 위한 기판단에 장착된 플래인 위치결정 수단과,기판의 주사방향에 대한 마스크 패턴의 노출영역전에 측정영역에서 다수의 측정점에서 기판의 노출 플래인의 높이를 결정하기 위한 높이 결정수단과: 정보가 가변 방사영역에 따라 변형되는 마스크 패턴의 가변노출영역에서 측정되는, 높이결정수단에 의해 검출된 다수의 측정점의 높이로 부터 기판의 노출 플래인 상의 다수의 높이 정보를 이용함에 의하여 기판의 노출 플래인의 적당한 플래인을 검출하기 위한 적정 플래인 산술수단을 포함하고; 상기 적정 플래인 산술수단에 의해 검출된 적정 플래인 위치결정 수단에 의하여 예정된 기준 플래인에 배열되는 것을 특징으로 하는 플래인 위치 결정장치.
  2. 제1항에 있어서, 적정 플래인 산술수단은 높이 결정수단에 의하여 검출된 다수의 측정점의 높이를 배열함에 의해 형성되며 특정 주파수범위에서 플래인의 형상을 필터링하는 로우 패스특성을 가지는 필터수단을 포함하고, 기판의 노출 플래인의 적정 플래인은 필터수단으로 마스크 패턴의 가변 노출영역에서 측정된 기판의 노출 플래인상의 다수의 높이정보를 필터링한후의 정보로 부터 검출되고;기판의 주사방향과 기판의 주사방향에 대하여 일반적인 비주사 방향에서 필터수단의 증폭 전송특성의 컷오프 특정 주파수는 주사방향에서 마스크 패턴의 노출영역의 폭의 역수와 비주사 방향의 폭에 비례하도록 설정되고;적정 플래인 산술수단에 의하여 검출된 적정 플래인은 플래인 위치결정 수단에 의하여 예정된 기준 플래인으로 할당되는 것을 특징으로 하는 프래인 위치 결정장치.
  3. 제1항에 있어서, 마스크와 기판간의 투영 크기인 β에 대하여 광학 투영 시스템을 제공 할수 있는바, 상기 마스크단은 광학 투영시스템의 축에서 정상인 플래인의 예정된 방향으로 VR의 속도로 주사되며, 상기 기판단은 축에서 정상인 플래인의 예정된 방향의 반대 방향으로 β.VR의 속도로 주사되는 것을 특징으로 하는 플래인 위치 결정장치.
  4. 예정된 가변형의 방사영역에 대한 예정된 방향으로 변환패턴을 형성하는 마스크를 주사하기 위한 마스크단과, 마스크단과 일치하는 예정된 방향으로 감광성 기판을 주사하기 위한 기판단을 포함하고, 기판으로 마시크패턴을 연속 노출하고, 플래인 위치결정 장치는 예정된 기준 플레인에 대하여 기판의 노출 플래인을 배열하기 위한것인, 주사 노출장치상에 장착된 플래인 위치결정장치에 있어서, 기준 플래인에 평행하며 동일 레벨에서 예정된 기준 플레인에 대한 기판의 노출 플래인의 예정된 적정 플래인을 배열할 수 있으며 기판단상에 설치된 기판단용 구동장치와;기판의 주사방향에 대한 마스크의 노출영역전에 측정영역에서의 다수의 측정점에 기판의 노출플래인의 높이를 검출하기 위한 센서와;정보가 가변 방사영역에 따라 변형되는 마스크 패턴의 가변노출영역에서 측정되는, 측정영역에서 다수의 측정점의 높이로부터 기판의 노출 플래인상의 다수의 높이 정보를 이용함에 의하여 기판의 노출 플래인의 적당한 플래인을 검출하기 위한 컴퓨터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래인 위치 결정장치.
  5. 예정된 가변형의 방사형 영역에 대하여 예정된 방향에서 이동패턴으로 형성된 마스크를 주사하기 위한 마스크단과 마스크단에 일치하는 예정된 방향에서 감광성 기판을 주사하기 위한 기판단을 포함하고, 기판으로 마스크의 패턴을 연속하여 노출하고 예정된 기준 플래인에 대하여 기판의 노출 플래인을 배열하는 주사노출장치에 장착된 플래인 위치결정장치에 있어서, 예정된 기준 플래인에 대하여 기판의 노출 플레인의 예정된 적당한 플래인을 배열하기 위한 기판단에 장착된 플래인 위치결정 수단과;상기 마스크 패턴의 노출영역 주변의 측정영역에서 다수의 측정점에서 기판의 노출 플레인의 높이를 결정하기 위한 높이 결정수단과; 적정 플래인 산술수단은 높이 결정수단에 의하여 검출된 다수의 측정점의 높이를 배열함에 의해 형성되며 특정 주파수범위에서 플래인의 형상을 필터링하는 로우 패스 특성을 가지는 필터수단과;필터수단에 의하여 필터링한 후 플래인 형태로부터 상기 마스크 패턴의 노출영역에서 기판의 노출 플래인중 적정 플래인을 검출하기 위한 적정 플래인 산술수단을 포함하고; 기판의 주사방향과 기판의 주사방향에 대하여 일반적인 비주사 방향에서 필터수단의 증폭 전송특성의 컷오프 특정 주파수는 주사방향에서 마스크 패턴의 노출영역의 폭의 역수와 비주사 방향의 폭에 비례하도록 설정되고;적정 플래인 산술수단에 의하여 검출된 적정 플래인은 플래인 위치결정 수단에 의하여 예정된 기준 플래인으로 할당되는 것을 특징으로 하는 플래인 위치 결정장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 필터 수단의 증폭전송 특성의 특정 주파수 성분이 통과하는 영역의 현상이 상기 마스크 패턴의 노출 영역의 형상과 유사한 것을 특징으로 하는 플래인 위치 결정장치.
  7. 마스크의 패턴 플래인과 실제로 접합 플래인 상에 위치한 가변 필드의 개구부를 통해 마스크상에 조사광을 방사하기 위한 조사시스템과;감광성 기판상에 마스크에 형성된 패턴을 투영하기 위한 광학 투영 시스템과;광학 투영시스템의 축에 대하여 실제로 정상적인 방향으로 주사 노출동안 마스크와 기판을 움직이기 위한 가동부재와;마스크의 움직임에 대하여 연동시에 가동 필드 격벽의 개구 폭을 변화하기 위한 구봉부재와;기판의 움직임 방향에 대하여 마스크 패턴의 노출영역전에 영역에서 다수의 측정점을 가지며 다수의 측정점의 각각에서 광학 투영 시스템의 광학축의 방향으로 기판의 표면위치를 검출하는 센서와;주사 노출동안 센서에 의하여 검출된다 점의 가변 필드 격벽의 개구부에 따라 변화하는 마스크 패턴의 노출영역에서 다수 점상에 놓인 기판 표면의 적정 플래인을 산술하기 위한 계산기와; 상 형성 플래인에서 계산된 적정 플래인과 실제로 일치하도록 서로 관련된 광학투영 시스템의 상 형상 플래인과 기판을 움직이기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노출장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 계산기는 적정 플래인 산술수단은 높이 결정수단에 의하여 검출된 다수의 측정점의 높이를 배열함에 의해 형성되며 특정 주파수범위에서 플래인의 형상을 필터링하는 로우 패스특성을 가지는 필터 수단을 포함하고, 기판의 노출 플래인의 적정 풀래인은 필터수단으로 마스크 패턴의 가변 노출영역에서 측정된 기판의 노출 플래인상의 다수의 높이정보를 필터링한후의 정보로부터 검출하는 것을 특징으로 하는 플래인 위치 결정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940023140A 1993-09-14 1994-09-14 플래인위치결정장치,주사형노광장치,주사노광방법및소자제조방법 KR100358422B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93/228708 1993-09-14
JP22870793A JP3305448B2 (ja) 1993-09-14 1993-09-14 面位置設定装置、露光装置、及び露光方法
JP93/228707 1993-09-14
JP22870893A JP3303463B2 (ja) 1993-09-14 1993-09-14 面位置設定装置、及び露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950010013A true KR950010013A (ko) 1995-04-26
KR100358422B1 KR100358422B1 (ko) 2003-01-24

Family

ID=27529832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940023140A KR100358422B1 (ko) 1993-09-14 1994-09-14 플래인위치결정장치,주사형노광장치,주사노광방법및소자제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6400456B1 (ko)
KR (1) KR100358422B1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6559465B1 (en) * 1996-08-02 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method having a detection timing determination
EP1146395B1 (en) * 2000-04-10 2006-06-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured by said method
TW520469B (en) * 2000-04-10 2003-02-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7136159B2 (en) * 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
JP2002334826A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Canon Inc 露光方法、面位置合わせ方法、露光装置及びデバイス製造方法
US6762846B1 (en) * 2002-09-19 2004-07-13 Nanometrics Incorporated Substrate surface profile and stress measurement
TWI295854B (en) * 2002-11-19 2008-04-11 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Method and apparatus for exposing or forming pattern on thin substrate or the like
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
JPWO2005096354A1 (ja) * 2004-03-30 2008-02-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに面形状検出装置
JP2006222312A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Canon Inc ステージ制御装置及びその方法、ステージ装置並びに露光装置
NL1035979A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Spectral filter, lithographic apparatus including such a spectral filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby.
US8098364B2 (en) * 2007-10-19 2012-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exposure apparatus and method for photolithography process
JP2019053108A (ja) 2017-09-13 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 露光装置及び面位置制御方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6134941A (ja) 1984-07-26 1986-02-19 Canon Inc 合焦検知装置
EP0197221B1 (en) 1985-03-15 1989-06-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Device for measuring the position of an object
US4714331A (en) 1985-03-25 1987-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for automatic focusing
US4902900A (en) 1987-12-21 1990-02-20 Nikon Corporation Device for detecting the levelling of the surface of an object
JP2691319B2 (ja) * 1990-11-28 1997-12-17 株式会社ニコン 投影露光装置および走査露光方法
US5473410A (en) 1990-11-28 1995-12-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3158446B2 (ja) 1990-12-13 2001-04-23 株式会社ニコン 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法
JP2830492B2 (ja) 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH0547625A (ja) * 1991-08-09 1993-02-26 Nikon Corp 投影露光装置
JP3391470B2 (ja) 1992-01-17 2003-03-31 株式会社ニコン 投影露光装置、及び投影露光方法
JP3303329B2 (ja) 1992-03-25 2002-07-22 株式会社ニコン 焦点置検出装置、露光装置及び方法
US5502311A (en) 1992-01-17 1996-03-26 Nikon Corporation Method of and apparatus for detecting plane position
JP3374413B2 (ja) 1992-07-20 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法
US5448322A (en) 1993-11-05 1995-09-05 Vision Iii Imaging, Inc. Autostereoscopic imaging apparatus and method using a parallax scanning lens aperture

Also Published As

Publication number Publication date
KR100358422B1 (ko) 2003-01-24
US6400456B1 (en) 2002-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960011563A (ko) 투영 노광 시스템
US20050174574A1 (en) Overlay alignment mark design
US4566795A (en) Alignment apparatus
KR950010013A (ko) 플래인 위치결정 장치
US11650513B2 (en) Apparatus and method for measuring a position of a mark
KR960005918A (ko) 투영광학계의 코마수차검출방법
US5767523A (en) Multiple detector alignment system for photolithography
US4829193A (en) Projection optical apparatus with focusing and alignment of reticle and wafer marks
NL2023669A (en) Apparatus and method for measuring a position of alignment marks
KR970062821A (ko) 정렬, 노광방법 및 노광장치
JPH07270119A (ja) 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置
WO2005004211A1 (ja) フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置
US6344896B1 (en) Method and apparatus for measuring positional shift/distortion by aberration
KR20000071810A (ko) 수차에 기인한 위치상의 이동과 위치 어긋남의 측정 장치및 방법
KR100955120B1 (ko) 상의 계측방법 및 장치, 노광장치, 상의 계측용 기판, 및디바이스의 제조방법
US6535280B1 (en) Phase-shift-moiré focus monitor
KR970077120A (ko) 노광 조건 측정 방법
JPH0629964B2 (ja) マーク検出方法
JP2002289503A (ja) フォーカスモニタ方法及び露光装置
JPH09101116A (ja) 自動焦点合わせ方法及びその装置並びにパターン検出方法及びその装置
JP3106544B2 (ja) 位置検出装置
JP3201473B2 (ja) 最適フォーカス位置測定方法およびフォーカス位置測定用マスク
JPH04107910A (ja) 光露光装置
JPH07240367A (ja) 投影露光装置
JP3336622B2 (ja) 結像特性計測方法及び装置、並びに露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061011

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee