JP2019053108A - 露光装置及び面位置制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つの実施形態は、面位置の制御精度を向上できる露光装置及び面位置制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一つの実施形態によれば、フォーカス検出系とステージとコントローラとを有する露光装置が提供される。ステージは、基板が載置される。コントローラは、欠けショット領域をフォーカス検出系でフォーカス計測する。欠けショット領域は、一部が基板のパターン形成領域からはみ出したショット領域である。コントローラは、欠けショット領域の計測結果に応じて、欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面のデフォーカス量を求める。コントローラは、複数の平面のデフォーカス量に応じて、複数の平面のうち欠けショット領域を近似する平面を決定する。コントローラは、決定された平面に応じたフォーカス・レベリング値を用いてステージを駆動し、欠けショット領域の面位置を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】一つの実施形態によれば、フォーカス検出系とステージとコントローラとを有する露光装置が提供される。ステージは、基板が載置される。コントローラは、欠けショット領域をフォーカス検出系でフォーカス計測する。欠けショット領域は、一部が基板のパターン形成領域からはみ出したショット領域である。コントローラは、欠けショット領域の計測結果に応じて、欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面のデフォーカス量を求める。コントローラは、複数の平面のデフォーカス量に応じて、複数の平面のうち欠けショット領域を近似する平面を決定する。コントローラは、決定された平面に応じたフォーカス・レベリング値を用いてステージを駆動し、欠けショット領域の面位置を制御する。
【選択図】図1
Description
本実施形態は、露光装置及び面位置制御方法に関する。
露光装置は、基板の表面の高さ方向の位置を計測し、その計測結果に基づいて、光学系と基板の表面との相対的な位置(面位置)を制御する。このとき、面位置の制御精度を向上することが望まれる。
一つの実施形態は、面位置の制御精度を向上できる露光装置及び面位置制御方法を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、フォーカス検出系とステージとコントローラとを有する露光装置が提供される。ステージは、基板が載置される。コントローラは、欠けショット領域をフォーカス検出系でフォーカス計測する。欠けショット領域は、一部が基板のパターン形成領域からはみ出したショット領域である。コントローラは、欠けショット領域の計測結果に応じて、欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面のデフォーカス量を求める。コントローラは、複数の平面のデフォーカス量に応じて、複数の平面のうち欠けショット領域を近似する平面を決定する。コントローラは、決定された平面に応じたフォーカス・レベリング値を用いてステージを駆動し、欠けショット領域の面位置を制御する。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる露光装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
実施形態にかかる露光装置について説明する。露光装置は、半導体デバイスの製造、特にフォトリソグラフィ工程で用いられる。露光装置は、基板の表面の高さ方向の位置を計測し、その計測結果に基づいて、光学系と基板の表面との相対的な位置(面位置)を制御する。すなわち、露光装置では、基板の表面の凹凸をフォーカスセンサで計測し、基板の露光時にデフォーカスを発生させないために基板表面の凹凸に追従するように基板の面位置を制御する。
実施形態にかかる露光装置について説明する。露光装置は、半導体デバイスの製造、特にフォトリソグラフィ工程で用いられる。露光装置は、基板の表面の高さ方向の位置を計測し、その計測結果に基づいて、光学系と基板の表面との相対的な位置(面位置)を制御する。すなわち、露光装置では、基板の表面の凹凸をフォーカスセンサで計測し、基板の露光時にデフォーカスを発生させないために基板表面の凹凸に追従するように基板の面位置を制御する。
図1に示すように、基板WFの面内においてデバイスのパターンが形成されるパターン形成領域PAは、基板WFの中心CP側から外端EPに対して略一定距離dP離れた位置まで確保される。図1は、パターン形成領域PA及び欠けショット領域SAを示す図である。このとき、基板WFのパターン形成領域PA内において、中心CP付近に比べると外端EP付近はフラットでない。全部がパターン形成領域PA内に収まる完全ショット領域(例えば、完全ショット領域CSA)は、概ね、その全体がフラットであるが、一部が基板WFのパターン形成領域PAからはみ出した欠けショット領域SA−1〜SA−n内のパターン形成領域PAは、フラットでない領域を多く含む可能性がある。
例えば、基板WFの中心CP側から外端EPに対して略一定距離dFLT(>dP)離れた位置までの領域が概ねフラットであるため、この領域FLTに限定してフォーカス計測を行い、その計測結果をフォーカス参照領域として基板の面位置を制御することが考えられる。この場合、スキャン露光のスリット方向やスタティック露光の場合、制御される位置が平面であるため、平面からのずれがデフォーカスになり、デフォーカス量が増大しやすい。すなわち、基板WFの外端EP付近の断面形状を見た場合に、傾斜角が徐々に増加する曲面となり得るが、その曲率が場所ごとに異なり得るため、外端EPに対して略一定距離dFLTに対応する領域FLTをフォーカス参照領域として用いて面位置の制御を行うと、デフォーカス量が顕著に増大しやすい場所が存在し、基板WFの面位置の制御精度が低下する可能性がある。
そこで、本実施形態では、露光装置において、予め基板WFの外端EPまでフォーカス計測し、欠けショット領域SAについては、パターン形成領域PAの近似平面を決定し、その近似平面に応じたフォーカス・レベリング値で基板WFの面位置を制御することで、面位置の制御精度向上を図る。
具体的には、図2に示すような露光装置1を用いる。図2は、露光装置1の構成を示す図である。
露光装置1は、例えば、走査型露光装置(スキャナ)である。走査型露光装置は、原版(例えば、マスク)MKと基板(例えば、ウエハ)WFとを走査方向に互いに同期移動しつつ原版MKに描画されたパターンを露光対象となる基板WFに投影露光するための装置である。以下では、投影光学系12の光軸AXにおいて基板WFから遠ざかる方向を+Z方向とする。Z方向に垂直な平面内における原版MKと基板WFとの同期移動方向(走査方向)をY方向とする。Z方向及びY方向に垂直な方向(非走査方向)をX方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸回りの方向をそれぞれθX方向、θY方向、及びθZ方向とする。
露光装置1は、光学系10、原版ステージ2、及び位置制御システム20を有する。光学系10は、照明光学系11及び投影光学系12を有する。位置制御システム20は、基板アライメント検出系(図示せず)、フォーカス検出系30、コントローラ50、及び基板ステージ60を有する。
照明光学系11、原版ステージ2、及び投影光学系12は、光軸AXを中心に配置されている。光軸AXは、光源(図示せず)から基板WFへ露光光の主光線が進む方向を示す軸である。
基板ステージ60は、基板WFを保持する。基板ステージ60は、基板WFを保持しながら、X方向、Y方向、及びZ方向に移動したりθX方向、θY方向、及びθZ方向に回転したりする。θX方向、θY方向、及びθZ方向は、それぞれ、X方向の軸回りの回転方向、Y方向の軸回りの回転方向、Z方向の軸回りの回転方向である。これにより、基板ステージ60は、基板WFの位置決めを行う。また、基板ステージ60は、その上面に基準マーク61が形成されている。
基板ステージ60の+Z方向には、投影光学系12を間にして原版ステージ2が配されている。投影光学系12は、原版MKに入射した光を基板WFへ投影露光し、原版MKに描画されたパターンに応じた像を基板WFに結像する。
原版ステージ2の+Z方向には、照明光学系11が配されている。照明光学系11は、原版MKの照明領域を均等な照度分布の露光光で照明する。その露光光は、原版MKに描画されたパターンで回折され、投影光学系12に入射される。
基板アライメント検出系(図示せず)は、基板WFのX方向及びY方向の位置(面方向位置)を検出するアライメント計測を行う。
フォーカス検出系30は、投射系30a及び受光系30bを有している。投射系30a及び受光系30bは、互いに対向する位置において、それぞれ計測対象(例えば、基板WF)の斜め上方に位置している。投射系30aは、投射部31、絞り32、ハービングガラス33、及びミラー34を有する。受光系30bは、ミラー35、ハービングガラス36、絞り37、及び受光部40を有する。
投射部31から照射された光は、光軸に沿って−Z方向に進んで絞り32の開口32aを通過しハービングガラス33でその光軸が調整された後、ミラー34で反射されて+X方向へ進み基板WF上で所定形状の像(計測点)として結像するとともに反射する。その反射光は、+X方向へ進みミラー35で反射されて、光軸に沿って+Z方向に進んでハービングガラス36でその光軸が調整された後、絞り37の開口37aを通過して受光部40で所定形状の像として再結像する。これにより、フォーカス検出系30は、基板WFのZ方向の位置を検出するフォーカス計測を行う。
コントローラ50は、取得部53、計測制御部51、及び面位置制御部52を有している。
取得部53は、予め基板マップの情報を取得する。基板マップの情報は、例えば、基板WFにおける複数のショット領域の配置位置の情報と基板WFにおけるにおけるパターン形成領域PAに関する情報とを含む。例えば、取得部53には、入力インターフェース(図示せず)を介してユーザから基板マップの情報が入力される。あるいは、例えば、取得部53は、通信インターフェース(図示せず)を介して所定の装置から基板マップの情報を通信回線経由で受ける。取得部53は、取得した基板マップの情報を計測制御部51及び面位置制御部52へ供給する。
計測制御部51は、取得部53から供給された基板マップの情報を予め保持している。計測制御部51は、基板マップの情報に基づいて、フォーカス計測を制御する。計測制御部51は、フォーカス計測時に、基板マップの情報に基づいて受光部40を制御したり、基板マップの情報に基づいて基板ステージ60を制御したりする。
例えば、図1に示すように、基板マップの情報を参照することで、計測対象のショット領域が完全ショット領域(例えば、完全ショット領域CSA)であるのか欠けショット領域SA(SA−1〜SA−nのいずれか)であるのかを把握できる。図2に示す計測制御部51は、計測対象のショット領域が欠けショット領域SAである場合、図3に示すようにフォーカス計測を行うことができる。図3は、計測制御部51の動作を示す図である。計測制御部51は、欠けショット領域SAに対するフォーカス計測として、基板WFの外端EPまでフォーカス計測を行い、図3に示すような高さ情報(Z位置の情報)を得ることができる。計測制御部51は、そのフォーカス計測の計測結果を面位置制御部52へ供給する。
面位置制御部52は、取得部53から供給された基板マップの情報を予め保持している。面位置制御部52は、フォーカス検出系30の受光部40から計測結果(高さ情報)を受ける。面位置制御部52は、フォーカス計測の計測結果に基づいて光学系10がフォーカス誤差なく基板WFへの結像が行えるように光学系10に対する基板WFのZ方向の相対的な位置(面位置)を制御する。
例えば、面位置制御部52は、計測対象のショット領域が欠けショット領域SAである場合、図4〜図8に示す動作を行うことができる。図4〜図8は、面位置制御部52の動作を示す図である。
面位置制御部52は、欠けショット領域SAの計測結果(例えば、図3に示す高さ情報)に応じて、欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面を決める。複数の平面は、欠けショット領域SAに含まれる領域であって互いに異なる複数のフォーカス参照領域に対応する。
具体的には、面位置制御部52は、図4に示すように、欠けショット領域SAがフォーカス参照領域FA1〜FA11とフォーカス非参照領域NFA1〜NFA11とに分割された場合における基板WFの外端EPからのフォーカス非参照領域NFA1〜NFA11の幅Wnf1〜Wnf11の候補を複数決定する。各幅の大小関係は次の通りとなる。
Wnf1=0<Wnf2<Wnf3<Wnf4<Wnf5<Wnf6<Wnf7<Wnf8<Wnf9<Wnf10<Wnf11
Wnf1=0<Wnf2<Wnf3<Wnf4<Wnf5<Wnf6<Wnf7<Wnf8<Wnf9<Wnf10<Wnf11
面位置制御部52は、図5に示すように、複数のフォーカス参照領域FA1〜FA11の候補に対応する複数の平面PL1〜PL11を求める。図5では、フォーカス計測で得られた基板WF表面の高さ情報(図3参照)のうちフォーカス参照領域FA1〜FA11に対応する部分を破線で示し、フォーカス非参照領域NFA1〜NFA11に対応する部分の図示を省略している。すなわち、面位置制御部52は、各フォーカス参照領域FA1〜FA11の候補に対して、図5に破線で示される曲面を近似する平面PL1〜PL11を求める。このとき、面位置制御部52は、露光スリットサイズに合わせて、近似する平面PL1〜PL11を求めることができる。
面位置制御部52は、求められた複数の平面PL1〜PL11について、図6に示すように、欠けショット領域SA内のパターン形成領域PAにおけるデフォーカス量を求める。図6では、デフォーカス量を斜線のハッチングが施された領域の面積で表している。これを定量的にグラフで示すと図7のようになる。図7では、平面の高さと基板WFの表面の高さとの差分を各位置について最大デフォーカス量として示している。
面位置制御部52は、複数の平面PL1〜PL11のデフォーカス量に応じて、複数の平面PL1〜PL11のうち欠けショット領域SAを近似する平面を決定する。例えば、面位置制御部52は、欠けショット領域SA内のパターン形成領域PAにおけるデフォーカス量が適正範囲内に収まる平面(例えば、デフォーカス量が最小である平面)を、欠けショット領域SAを近似する平面に決定する。図7に示す場合、面位置制御部52は、パターン形成領域PAにおける最大デフォーカス量が最小である平面PL3を、欠けショット領域SAを近似する平面として決定できる。
面位置制御部52は、決定された平面に応じたフォーカス・レベリング値を用いて、基板ステージ60を駆動し欠けショット領域SAの面位置(Z位置、θX回転量、θY回転量)を制御する。例えば、面位置制御部52は、図8(a)に示すように、平面PL3のZ位置を露光装置1のベストフォーカス位置近傍に基板ステージ60のZ位置を駆動制御する。そして、面位置制御部52は、図8(b)に示すように、平面PL3がXY方向に沿うように(例えば、露光装置1のベストフォーカス面に一致するように)基板ステージ60のθX回転量及びθY回転量を駆動制御する。図8(b)では、θX回転量=αである場合について例示されている。
次に、欠けショット領域SAに対する露光装置1の動作について図9を用いて説明する。図9は、露光装置1の動作を示すフローチャートである。
露光装置1は、予め基板WFの外端EPまでフォーカス計測を行う(S1)。露光装置1は、基板マップにパターン形成領域を設定し(S2)、フォーカス非参照領域の幅を変化させて、複数のフォーカス参照領域の候補を準備する(S3)。露光装置1は、複数のフォーカス参照領域の候補に対応し、欠けショット領域SAを近似する複数の平面を求める(S4)。露光装置1は、欠けショット領域SAを近似する複数の平面のそれぞれについて、パターン形成領域PAのデフォーカス量を見積もる(S5)。露光装置1は、欠けショット領域SA毎に最小デフォーカス量となる面位置の制御条件を決定し(S6)、露光装置1は、面位置の制御条件に従い基板WFの面位置を制御し露光する(S7)。
以上のように、実施形態では、露光装置1において、予め基板WFの外端EPまでフォーカス計測し、欠けショット領域SAについては、パターン形成領域PAの近似平面を決定し、その近似平面に応じたフォーカス・レベリング値で基板WFの面位置を制御する。この制御は、図1に示すように、複数の欠けショット領域SA−1〜SA−nのそれぞれについて、フォーカス非参照領域NFAの幅を柔軟に変更しそれに応じたフォーカス参照領域FAを用いて行うことができる(図4参照)。これにより、場所ごとに断面形状が異なり得る基板WFの外端EP付近に位置する複数の欠けショット領域SA−1〜SA−nのそれぞれについて、面位置の制御精度をそれぞれ向上できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 露光装置、50 コントローラ、60 基板ステージ。
Claims (6)
- フォーカス検出系と、
基板が載置されるステージと、
一部が前記基板のパターン形成領域からはみ出した欠けショット領域を前記フォーカス検出系でフォーカス計測し、前記欠けショット領域の計測結果に応じて前記欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面のデフォーカス量を求め、前記複数の平面のデフォーカス量に応じて前記複数の平面のうち前記欠けショット領域を近似する平面を決定し、前記決定された平面に応じたフォーカス・レベリング値を用いて前記ステージを駆動し前記欠けショット領域の面位置を制御するコントローラと、
を備えた露光装置。 - 前記欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面は、前記欠けショット領域に含まれる領域であって互いに異なる複数のフォーカス参照領域に対応し、
前記コントローラは、前記複数のフォーカス参照領域のうち面位置の制御に用いるフォーカス参照領域を決定して、前記欠けショット領域を近似する平面を決定する
請求項1に記載の露光装置。 - 前記コントローラは、前記欠けショット領域が前記フォーカス参照領域と前記フォーカス参照領域より前記基板の外周側のフォーカス非参照領域とに分割された場合における前記基板の外縁からの前記フォーカス非参照領域の幅を決定して、前記フォーカス参照領域を決定する
請求項2に記載の露光装置。 - 一部が基板のパターン形成領域からはみ出した欠けショット領域をフォーカス計測することと、
前記欠けショット領域の計測結果に応じて、前記欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面のデフォーカス量を求めることと、
前記複数の平面のデフォーカス量に応じて、前記複数の平面のうち前記欠けショット領域を近似する平面を決定することと、
前記決定された平面に応じたフォーカス・レベリング値で前記欠けショット領域の面位置を制御することと、
を備えた面位置制御方法。 - 前記欠けショット領域を近似する候補となる複数の平面は、前記欠けショット領域に含まれる領域であって互いに異なる複数のフォーカス参照領域に対応し、
前記欠けショット領域を近似する平面を決定することは、前記複数のフォーカス参照領域のうち面位置の制御に用いるフォーカス参照領域を決定することを含む
請求項4に記載の面位置制御方法。 - 前記フォーカス参照領域を決定することは、前記欠けショット領域が前記フォーカス参照領域と前記フォーカス参照領域より前記基板の外周側のフォーカス非参照領域とに分割された場合における前記基板の外縁からの前記フォーカス非参照領域の幅を決定することを含む
請求項5に記載の面位置制御方法。
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