JP2009043865A - 露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レチクルが傾斜した場合であっても、高い解像力を有する露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、レチクル１０１の表面に形成されたパターンをウエハ上に投影する光学系と、レチクル１０１の光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定する測定部と、測定部により測定された傾斜角度に基づいて、ウエハ１３０の位置を調整する調整部と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法に関する。

特許文献１には、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置が記載されている。図１０に示すように、特許文献１に記載された露光装置では、ＸＹステージ１３上にＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃを介して試料台１１が配置され、試料台１１上にウエハホルダ１０を介してウエハＷが保持され、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンが転写される。露光前に、投影光学系ＰＬの像面２２のＸＹステージ１３の走り面１４ａに対する傾斜角Ｉｔｘ、Ｉｔｙを計測しておく。露光時に、ＸＹステージ１３を例えばステップ移動する際には、像面２２の傾斜角とＸＹステージ１３の位置とに基づいてＺ駆動部１２Ａ〜１２Ｃの伸縮量を調整し、ウエハＷ表面のＺ方向の位置、及び傾斜角の補正を行う。そして、露光位置において、不図示のオートフォーカスセンサで検出される残存するデフォーカス量が０になるようにウエハＷ表面の面位置の補正を行う。
投影光学系ＰＬの像面２２の傾斜角を計測する方法として、ウエハホルダ上に平面度の良好なウエハを用意し、露光領域の中央と四隅の計５点についてフォーカス位置を計測し、これらの計測値に基づいて、像面２２の傾斜角Ｉｔｘ、Ｉｔｙ（不図示）を求めている。

特許文献２には、レチクル上に走査方向に対し直交方向に周期的に棒状周期パターンと、走査方向に対し平行に直線上マークを配置して、レチクルの走査方向と、これと直交する方向のレチクル変形量を算出する露光装置が記載されている。この露光装置では、レチクル変形量の検出は、投影露光光学系の軸外に配置された検出器により行われている。また主制御系が、算出されたレチクル変形量に応じて、レチクルステージ駆動部とウエハステージの相対移動速度の変更、及び投影光学系内のレンズエレメント間隔の変更、さらに投影光学系内部圧力制御部を介して鏡筒内の圧力の変更することにより、結像特性の倍率成分が補正される。
特開平１１−３４０１２５号公報 特開２００３−１４２３６５号公報

しかしながら、上記特許文献１および２に記載の技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
特許文献１に記載の露光装置では、レチクルと、レチクルの受け台との間に異物がかみ込み、レチクルが受け台から浮き上がった場合に、ウエハホルダ上に平面度の良好なウエハを用意して像面の傾斜角を測定しておくという煩雑な手順が必要となる。さらに、かみ込んだ異物により、露光動作の進行時やレチクル交換時などにレチクルの形状が変化すると考えられるため、露光やレチクル交換の度に、ウエハホルダ上に平面度の良好なウエハを用意して像面の傾斜角を測定する必要が生じる。そのため、露光処理自体が複雑かつ煩雑になり、容易に高い解像度を得ることが困難であった。
特許文献２に記載の露光装置では、レチクルに棒状周期パターンと直線上マークが配置されている。そのため、レチクルに棒状周期パターンと直線上マークを形成する必要があった。通常用いられるレチクルでは、レチクル変形量が算出できず、優れた解像力を得ることが困難であった。

本発明による露光装置は、レチクルの表面に形成されたパターンをウエハ上に投影する光学系と、前記レチクルの前記光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定する測定部と、前記測定部により測定された前記傾斜角度に基づいて、前記ウエハの位置を調整する調整部と、を備えたことを特徴とする。

この露光装置においては、レチクルの光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を直接測定する測定部により測定された傾斜角度に基づいて、ウエハの位置を調整している。かかる構造の露光装置によれば、レチクルが傾斜していても露光処理を複雑にすることなく高い解像度を有するパターンを容易に得ることできる。

本発明による露光方法は、レチクルの表面に形成されたパターンをウエハ上に投影する工程と、前記レチクルの光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定する工程と、測定された前記傾斜角度に基づいて、前記ウエハの面を前記レチクルの光学系の光軸方向に垂直な面と平行になるように調整する工程と、を含むことを特徴とする。

この露光方法においては、露光前に、レチクルの光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定し、測定された傾斜角度に基づいて、ウエハの面の位置を調整している。このため、レチクルが傾斜していても、フォーカスを合わせるためにウエハの交換をすることなく連続処理ができ、高い解像度を有するパターンを容易に得ることが可能となる。

本発明による半導体装置の製造方法は、レチクルの表面に形成されたパターンをウエハ上に投影する光学系と、前記レチクルの前記光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定する測定部と、前記測定部により測定された前記傾斜角度に基づいて、前記ウエハの位置を調整する調整部と、を備えた露光装置を用いてウエハ上にパターンを形成する工程を有することを特徴とする。

この半導体装置の製造方法においては、レチクルが傾斜していても露光処理を複雑にすることなくフォーカスを合わせることができ、高い解像度を有するパターンを形成できる露光装置を用いるため、半導体装置の生産性の向上が可能となる。

なお、本発明でいう各部は、その機能を実現するように形成されていれば良く、例えば、所定の機能を発揮する専用のハードウェア、所定の機能がコンピュータプログラムにより付与されたコンピュータ装置、コンピュータプログラムによりコンピュータ装置に実現された所定の機能、これらの任意の組み合わせ、等として実現することができる。

また、本発明でいう各種の構成要素は、個々に独立した存在である必要もなく、複数の構成要素が１個の部材として形成されていること、１つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等も可能である。

本発明によれば、レチクルが傾斜した場合であっても、容易に優れた解像力が発揮される露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法が実現される。

以下、図面を参照しつつ、本発明による露光装置、露光方法、および半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、本実施の形態では、前後左右上下の方向を規定して説明するが、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定したものであり、本発明を実施する場合の製造時や使用時の方向を限定するものではない。

（第１実施形態）
本発明による露光装置の第１実施形態を図１〜図９を参照して以下に説明する。

露光装置１００の構成について説明する。
図１は、本実施形態における露光装置の断面図である。図１に示すように本実施形態の露光装置１００は、レチクル１０１の表面に形成されたパターンをウエハ１３０上に投影する光学系（図示なし）、測定部として機能する発光素子１１０、受光素子１２０および制御装置１５０、調整部として機能するウエハステージ１３１、レチクル受け台１０２上に設置されたレチクル１０１、および縮小投影レンズ１６０とを有している。
露光装置１００において、光学系から発射された露光光は、レチクル１０１、縮小投影レンズ１６０を通過し、レチクル１０１の表面に形成されたパターンをウエハ１３０（露光対象物）に投影し、ウエハ１３０面上に結像面１４０を形成する。結像面１４０は、ウエハ１３０の表面に形成されたパターンである。なお、図１では、ウエハ１３０、ウエハステージ１３１、および結像面１４０を便宜上、離して示している。

以下、詳細する。
図２は、レチクル受け台１０２上のレチクル１０１を表す平面図（ａ）および（ｃ）と、断面図（ｂ）および（ｄ）である。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、レチクル１０１は、レチクル受け台１０２上に設けられている。レチクル１０１は、平面視において正方形であり、各頂点がレチクル受け台１０２によって支持されている。レチクル１０１は、光学系の光軸方向に垂直な面を有している。レチクル１０１の表面には、パターン１７０が形成されている（図２（ａ））。
また、図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、レチクル１０１とレチクル受け台１０２との間に異物が挟まれている。異物により、レチクル１０１は光学系の光軸方向に垂直な面に対して傾斜している。
以下、本実施形態において「傾斜角度」とは、このようにレチクル１０１が光学系の光軸方向に垂直な面に対して傾斜した角度をいう。また、「異物」とは、例えば、半導体装置を製造する際にウエハ上にパターンを形成する工程におけるレチクル交換時などに、レチクル１０１とレチクル受け台１０２との間に挟み込むものなどをいう。傾斜角度は、異物の大きさや弾性、異物を挟み込んだ位置などによって変化する。

図３に示すように、レチクル１０１のＸＹ平面は、頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとする正方形である。各辺に対して、発光素子１１０および受光素子１２０が対になるようにそれぞれ配置されている。すなわち、レチクル１０１のＸＹ平面上の辺ＡＤを挟むようにして発光素子１１０ａおよび受光素子１２０ａが配置され、辺ＡＢを挟むようにして発光素子１１０ｂおよび受光素子１２０ｂが配置され、辺ＤＣを挟むようにして発光素子１１０ｃおよび受光素子１２０ｃが配置され、辺ＢＣを挟むようにして発光素子１１０ｄおよび受光素子１２０ｄが配置されている。
発光素子１１０は、レチクル１０１の任意の点に対して測定光を発光する。受光素子１２０は、この測定光がレチクル１０１の任意の点で反射した反射光を受信する。また受光素子１２０は、可動式でもよい。これにより、レチクル１０１の傾斜角度に応じて、受光素子１２０が移動して反射光が受信される。

発光素子１１０および受光素子１２０には、制御装置１５０が繋がれている（図１）。
制御装置１５０は、受光素子１２０からの信号に基づき、受光素子１２０が受信したレチクル１０１が傾斜する前の反射光と、受光素子１２０が受信したレチクル１０１が傾斜した時の反射光とから、レチクル１０１の傾斜角度を測定する。
このように、発光素子１１０、受光素子１２０および制御装置１５０は、レチクル１０１のそれぞれの辺における傾斜角度を測定する測定部として機能する。

また、制御装置１５０は、受光素子１２０が受信したレチクル１０１が傾斜する前の反射光を予め記憶しておく記憶部が組み込まれている。これにより、受光素子１２０からの信号に基づき自動的に傾斜角度が測定できる。また、制御装置１５０は、算出部が組み込まれている。算出部は、測定されたレチクル１０１の傾斜角度から、レチクル１０１の各頂点における浮き量を算出することができる。算出された浮き量に基づいてウエハステージ１３１の動作を制御し、ウエハ１３０の傾斜角度が調整できる。これにより、ウエハ１３０の位置調整の自動化ができる。なお、「浮き量」の説明については後述する。

さらに、制御装置１５０には、ウエハステージ１３１が接続されている。レチクル１０１の傾斜角度は、制御装置１５０からウエハステージ１３１に伝えられ、伝えられた傾斜角度に基づきウエハステージ１３１内の調整部が、ウエハ１３０の位置を調整する。

ウエハステージ１３１上にはウエハ１３０が配置され、ウエハ１３０上には結像面１４０が形成されている。ウエハステージ１３１には、調整部が組み込まれている。
調整部は、測定部により測定された傾斜角度に基づいて、ウエハ１３０の面をレチクル１０１の光学系の光軸方向に垂直な面と平行になるように調整する機能を有する。これにより、レチクル１０１が傾斜した場合であっても、ウエハ１３０の面上に形成されるパターン（結像面１４０）のフォーカスを合わせることができる。
なお、本実施形態において「位置の調整」とは、面調整と角度調整のいずれか一方、または両方を含む調整を意味する。面調整は、３軸方向に移動可能な調整をいい、角度調整は、軸の周りを回転移動する調整をいう。本実施形態における露光装置１００では、ウエハ１３０の位置の調整は、光軸のまわりを回転移動する角度調整による場合について説明する。

図４は、頂点Ｃ付近で異物が挟まった露光装置１００のレチクル１０１について説明する概念図であり、レチクル１０１の位置をＸＹＺ軸を用いて示している。レチクル１０１のＸＹ平面は、一辺の長さをＬとする正方形である。異物を挟む前のレチクル１０１のＸＹ平面の各頂点をそれぞれ、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとし、異物が挟まったことにより傾斜したレチクル１０１のＸＹ平面の各頂点をそれぞれ、Ａ'，Ｂ'，Ｃ'，Ｄ'とする。レチクル１０１のＸＹ平面の頂点Ｃ付近で異物を挟み、頂点Ａを支点として、頂点Ｂ，Ｃ，Ｄが浮き上がっている。辺Ａ'Ｄ'は、辺ＡＤがＸ軸方向に対して角度α傾斜した辺である。辺Ａ'Ｂ'は、辺ＡＢがＹ軸方向に対して角度β傾斜した辺である。辺Ｄ'Ｃ'は、辺ＤＣが点Ｄ'のＹ軸方向から角度γ傾斜した辺である。辺Ｂ'Ｃ'は、辺ＢＣが点Ｂ'のＸ軸方向から角度η傾斜した辺である。

図５を参照して、図４に示すように浮き上がったレチクル１０１のＸＹ平面の各頂点Ｂ，Ｃ，Ｄの浮き量を説明する。
なお、本実施形態において、「浮き量」とは、レチクル１０１の各頂点のＺ軸方向に対する変化量である。すなわち、頂点Ａ'，Ｂ'，Ｃ'，Ｄ'と、頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤのそれぞれのＺ軸方向の差である。図５に示すように、頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの浮き量はそれぞれ、ｊ１，ｊ４，ｊ３，ｊ２で表される。頂点Ａは支点であるためＡ＝Ａ'となり、浮き量ｊ１はゼロである。

次に、傾斜角度の測定方法、および浮き量の算出方法について説明する。
図３に示すように、レチクル１０１の頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの近傍にそれぞれ、点ｅ，ｆ，ｇ，ｈが示されている。本実施形態において「近傍」とは、発光素子１１０が、点ｅ，ｆ，ｇ，ｈに発光した場合と、頂点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに発光した場合とを比較した場合、レチクル１０１の傾斜角度を測定する際に生じる誤差がほとんどない状態をいう。点ｅ，ｆ，ｇ，ｈの位置は、適宜調整できる。発光素子１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄはそれぞれ、点ｅ、ｅ、ｈ、ｆに対して測定光を発光し、受光素子１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ，１２０ｄがそれぞれその反射光を受信する。発光素子１１０は、レチクル１０１が傾斜した場合であっても、点ｅ、ｅ、ｈ、ｆに対して測定光を発光することができ、受光素子１２０はその反射光を受信することができる。

まず、角度αは以下のようにして測定される。
図３および図６に示すように、発光素子１１０ａと受光素子１２０ａは、Ｘ軸と平行に配置されている。発光素子１１０ａがレチクル１０１の点ｅに対して測定光を発光し、そこで反射した反射光を受光素子１２０ａが受信している。
図６では、発光素子１１０ａがレチクル１０１上の点ｅで反射した反射光について、レチクル１０１が傾斜する前（水平時）に反射した反射光を実線で、傾斜したレチクル１０１の点ｅで反射した反射光を破線で示している。水平時の反射光と傾斜したレチクル１０１の反射光とが比較され、傾斜角度αが測定される。なお、図６では示されていないが、発光素子１１０ａはレチクル１０１が傾斜した場合であっても、レチクル１０１上の点ｅに対して測定光を発光することができる。
つづけて、浮き量ｊ２は、以下のようにして算出される。
図８は、図５に示すような浮き量の算出方法について説明するための概念図である。上述のようにして測定された傾斜角度αに対して、浮き量ｊ２は、幾何学的、および近似的に下記の式（１）により求めることができる。
ｊ２≒Ｌ×ｓｉｎα （１）
このようにして、傾斜角度αが測定され、浮き量ｊ２が算出される。

角度βは以下のようにして測定される。
図３に示すように、発光素子１１０ｂと受光素子１２０ｂは、Ｙ軸と平行に配置されている。上述同様に、発光素子１１０ｂがレチクル１０１の点ｅに対して測定光を発光し、そこで反射した反射光を受光素子１２０ｂが受信している。上述同様に、水平時の反射光と傾斜したレチクル１０１の反射光とが比較され、傾斜角度βが測定される。
つづけて、浮き量ｊ４は、以下のようにして算出される。
図８は、図５に示すような浮き量の算出方法について説明するための概念図である。上述のようにして測定された傾斜角度βに対して、浮き量ｊ４は、幾何学的、および近似的に下記の式（２）により求めることができる。
ｊ４≒Ｌ×ｓｉｎβ （２）
このようにして、傾斜角度βが測定され、浮き量ｊ４が算出される。

次に、角度γは以下のようにして測定される。
図３および図７に示すように、発光素子１１０ｃと受光素子１２０ｃは、Ｙ軸と平行に配置されている。同様に、発光素子１１０ｃがレチクル１０１の点ｈに対して測定光を発光し、そこで反射した反射光を受光素子１２０ｃが受信している。
図７では、発光素子１１０ｃがレチクル１０１上の点ｈで反射した反射光について、レチクル１０１が傾斜する前（水平時）に反射した反射光を実線で、傾斜したレチクル１０１の点ｈで反射した反射光を破線で示している。水平時の反射光と傾斜したレチクル１０１の反射光とが比較され、傾斜角度γが測定される。なお、図７では示されていないが、発光素子１１０ｃはレチクル１０１が傾斜した場合であっても、レチクル１０１上の点ｈに対して測定光を発光することができる。
つづけて、浮き量ｊ３は、以下のようにして算出される。
図９は、図５に示すような浮き量の算出方法について説明するための概念図である。上述のようにして測定された傾斜角度γに対して、浮き量ｊ３は、幾何学的、および近似的に下記の式（３）により求めることができる。
ｊ３≒ｊ２＋Ｌ×ｓｉｎγ＝Ｌ×（ｓｉｎα＋ｓｉｎγ） （３）
このようにして、傾斜角度γが測定され、浮き量ｊ３が算出される。

角度ηは以下のようにして測定される。
図３に示すように、発光素子１１０ｄと受光素子１２０ｄは、Ｘ軸と平行に配置されている。上述同様に、発光素子１１０ｄがレチクル１０１の点ｆに対して測定光を発光し、そこで反射した反射光を受光素子１２０ｄが受信している。水平時の反射光と傾斜したレチクル１０１の反射光とが比較され、傾斜角度ηが測定される。
つづけて、浮き量ｊ３は、以下のようにして算出される。
図９は、図５に示すような浮き量の算出方法について説明するための概念図である。上述のようにして測定された傾斜角度ηに対して、浮き量ｊ３は、幾何学的、および近似的に下記の式（４）により求めることができる。
ｊ３≒ｊ４＋Ｌ×ｓｉｎη＝Ｌ×（ｓｉｎβ＋ｓｉｎη） （４）
このようにして、傾斜角度ηが測定され、浮き量ｊ３が算出される。

ここで、ｊ３は、式（３）からも、式（４）からも算出される。また実際には、計測誤差によりわずかに差があると考えられるので、複数回測定して求めたｊ３（式（３）使用）、ｊ３（式（４）使用）を平均する等の統計処理で、最終的なｊ３を決定するのが好ましい。
以上のようにして、レチクル１０１の光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度が測定される。いいかえると、露光装置１００におけるレチクル１０１のＸＹ平面の傾斜角度が、ｊ２、ｊ４、ｊ３、及びｊ１（＝０）により規定されたことになる。露光装置１００は、このｊ２、ｊ４、ｊ３、及びｊ１（＝０）により規定された傾斜角度に基づき、露光装置１００のウエハステージ１３１を傾け、ウエハ１３０および結像面１４０の位置を調整し、ウエハ１３０の面とレチクル１０１の光学系の光軸方向に垂直な面とが平行になる。これによって、レチクル１０１が傾斜した場合であっても、結像面１４０でのフォーカスのずれが低減できる。すなわち、投影露光した際のウエハ１３０上でのフォーカスのずれを、ショット面全域で低減することができる。

露光装置１００による露光方法は、レチクル１０１の表面に形成されたパターン１７０をウエハ１３０上に投影する工程と、レチクル１０１の光学系の光軸方向に対する傾斜角度を測定する工程と、測定された前記傾斜角度に基づいて、ウエハ１３０の面をレチクル１０１の光学系の光軸方向に垂直な面と平行になるように調整する工程と、を含む。
光学系から発射された露光光は、レチクル１０１、縮小投影レンズ１６０を通過し、レチクル１０１の表面に形成されたパターン１７０をウエハ１３０（露光対象物）上に投影する。投影には公知の方法を用いることができる。また、傾斜角度を測定する工程、および調整する工程は、上述のようにして行われる。

露光装置１００の効果について説明する。
露光装置１００は、レチクル１０１とレチクル受け台１０２との間に異物を挟み込み、レチクル１０１が傾いた場合において、レチクル１０１の傾斜角度を直接測定している。そして、測定された傾斜角度に基づいてウエハステージ１３１の動作を制御し、ウエハ１３０の位置を調整するため、ウエハ１３０上でのフォーカスを合わせられる。このため、レチクルの種類によらず通常用いられるレチクルを使用した場合でも、容易にウエハ１３０上でのフォーカス合わせができ、高い解像度のパターンを得ることが可能となる。また、平坦度の良好なウエハを用いるといった煩雑な作業を必要としないため、連続処理で（インラインで）実行できる。すなわち、生産性と効果を勘案したうえで、ショット毎、または、いくつかのショット毎、またはレチクルセット毎に、傾斜角度の測定および浮き量の算出を行うことにより、ショット面全域でフォーカスの合った結像面１４０をウエハ１３０表面に形成することが連続処理で（インラインで）可能となる。

また、このような露光装置１００を用いてウエハ１３０上にパターンを形成して半導体装置を製造することができる。ウエハ１３０上にパターンを形成する工程以外は、公知の方法を用いることができる。これにより、生産性の高い半導体装置の製造方法が可能となる。

本発明による露光装置および露光方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
例えば、上記実施形態においては、レチクル１０１が正方形である場合について説明したが、これに限られない。たとえば、レチクル１０１は、長方形、多角形、円形でもよい。また、発光素子１１０および受光素子１２０が４対の場合について説明したが、これに限られず、５対以上でもよい。

また、上記実施形態においては、レチクル１０１が頂点Ｃ付近で異物を挟み込んだ場合について説明したが、異物を挟み込む頂点の場所や数はこれに限られない。また、実施形態においては、頂点Ａが支点となった場合について説明したが、４点の頂点すべてが浮き上がる場合でも、頂点ＡおよびＢが支点となり、頂点ＣおよびＤが浮き上がる場合でもよい。同様に、支点の位置、浮き上がる頂点の数、および位置はこれに限られない。レチクル１０１がどこに異物を挟み込んでも、同様の原理でレチクル１０１の傾斜角度および浮き量を求めることができるように、発光素子１１０と受光素子１２０の数、設置場所は適宜設定することができる。

本実施形態における露光装置を示す断面図である。 本実施形態における露光装置のレチクル受け台上のレチクルを表す平面図（ａ）および（ｃ）と、断面図（ｂ）および（ｄ）である。 本実施形態における露光装置のレチクル受け台上のレチクルを表す平面図である。 本実施形態における露光装置のレチクルを説明する概念図である。 本実施形態における露光装置のレチクルを説明する概念図である。 本実施形態における露光装置のレチクルの傾斜角度の測定方法を説明する概念図である。 本実施形態における露光装置のレチクルの傾斜角度の測定方法を説明する概念図である。 本実施形態における露光装置のレチクルの浮き量の算出方法を説明する概念図である。 本実施形態における露光装置のレチクルの浮き量の算出方法を説明する概念図である。 従来の露光装置を示す断面図である。

符号の説明

１００ 露光装置
１０１ レチクル
１０２ レチクル受け台
１１０ 発光素子
１２０ 受光素子
１３０ ウエハ
１３１ ウエハステージ
１４０ 結像面
１５０ 制御装置
１６０ 縮小投影レンズ
１７０ パターン

Claims (7)

1. レチクルの表面に形成されたパターンをウエハ上に投影する光学系と、
   前記レチクルの前記光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定する測定部と、
   前記測定部により測定された前記傾斜角度に基づいて、前記ウエハの位置を調整する調整部と、
   を備えたことを特徴とする露光装置。
2. 請求項１に記載の露光装置において、
   前記調整部は、
   前記測定部により測定された前記傾斜角度に基づいて、前記ウエハの面を前記レチクルの前記光学系の光軸方向に垂直な面と平行になるように調整することを特徴とする露光装置。
3. 請求項１または２に記載の露光装置において、
   前記測定部は、前記レチクルに対して測定光を発光する発光素子と、前記測定光が前記レチクルで反射した反射光を受信する受光素子と、
   を備えたことを特徴とする露光装置。
4. 請求項３に記載の露光装置において、
   前記受光素子は、可動式であることを特徴とする露光装置。
5. 請求項１乃至４いずれかに記載の露光装置において、
   前記測定部により測定された前記傾斜角度を記憶する記憶部をさらに備えたことを特徴とする露光装置。
6. レチクルの表面に形成されたパターンをウエハ上に投影する工程と、
   前記レチクルの光学系の光軸方向に垂直な面に対する傾斜角度を測定する工程と、
   測定された前記傾斜角度に基づいて、前記ウエハの面を前記レチクルの光学系の光軸方向に垂直な面と平行になるように調整する工程と、
   を含むことを特徴とする露光方法。
7. 請求項１乃至５いずれかに記載の露光装置を用いてウエハ上にパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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