KR970067741A - 반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인 방법 Download PDF

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pattern defects
dummy shot
shot
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한승식
김홍기
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김광호
삼성전자 주식회사
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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

사진 식각 공저에서는 빛을 노광할 경우 프랫 존에 1샷 노광하여 더미 샷을 형성시킨후 이 더미 샷의 유/무로 패턴이 불량인지 아닌지를 확인한다.
이와 같은 방법은 작업자의 피로를 줄일 뿐만 아니라 단시간에 여러장의 웨이퍼를 확인할 수 있기 때문에 신뢰성 향상에 도움이 된다.

Description

반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인을 나타낸 단면도.

Claims (2)

  1. 감광막(PR)이 형성된 반도체 웨이퍼의 상부면에 빛을 노광하여 패턴을 형성하는 단계와, 빛이 노광된 부분을 제거하는 현상 단계와 헌상후 패턴이 형성되었는지를 확인하는 단계로 이루어진 패턴 불량 확인 방법에 있어서, 상기 노광 단계에서 플랫 존의 영역에 노광하여 더미 샷을 형성하여 상기 더미 샷의 유/무로 패턴의 형성을 확인하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플랫존 영역에 노광되어 형성된 상기 더미 샷은 공정에서 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인 방법.
KR1019960007080A 1996-03-16 1996-03-16 반도체 웨이퍼의 패턴 불량 확인 방법 KR970067741A (ko)

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