KR19990038407A - 반도체 마스크구조 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 마스크구조에 관한 것으로, 종래에는 마스크패턴의 폭이 넓은 패턴과 좁은 패턴이 만나는 각진영역에서 노광이 제대로 이루어지지 않아 포토레지스트에 형성되는 패턴의 각진영역이 완만해지는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 마스크에 폭이 넓은 패턴과 좁은 패턴이 소정거리 이격되도록 제작한 후, 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 반도체 마스크구조를 제공하여 마스크패턴의 폭이 넓은 패턴과 좁은 패턴을 소정거리 이격시켜 노광함으로써, 마스크패턴과 포토레지스트패턴의 변형을 최소화하여 노광 및 현상공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 마스크구조

본 발명은 반도체 마스크구조에 관한 것으로, 특히 노광 및 현상공정의 전·후에 발생되는 패턴의 변형을 최소화하여 보다 정확한 포토레지스트 패턴을 형성하기에 적당하도록 한 반도체 마스크구조에 관한 것이다.

종래 반도체 마스크구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도1a는 종래 기술에 의해 제작된 마스크구조의 일예를 보인 도이고, 도1b는 도1a의 마스크구조를 노광 및 현상한 후, 포토레지스트에 형성된 패턴의 일예를 보인 도로서, 이에 도시한 바와같이 포토레지스트(3)에 패턴(4)을 형성하기 위해서는 먼저 마스크(1)에 원하는 패턴(2)을 제작하고, 포토레지스트(3)를 웨이퍼에 코팅한 후, 마스크(1)에 제작된 패턴(2)을 포토레지스트(3)가 코팅된 웨이퍼와 밀착시켜 노광함으로써, 포토레지스트(3)에 패턴(4)을 형성한다.

그러나, 상기한 바와같은 종래의 반도체 마스크구조는 마스크패턴의 폭이 넓은 패턴과 좁은 패턴이 만나는 각진영역에서 노광이 제대로 이루어지지 않아 포토레지스트에 형성되는 패턴의 각진영역이 완만해지는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기한 바와같은 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 마스크에 제작된 패턴과 노광 및 현상공정을 거쳐 포토레지스트에 형성되는 패턴의 변형을 최소화할 수 있는 반도체 마스크구조를 제공하는데 있다.

도1a는 종래 기술에 의해 제작된 마스크구조의 일예를 보인 도.

도1b는 도1a의 마스크구조를 노광 및 현상하여 포토레지스트에 형성된 패턴을 보인 예시도.

도2a는 본 발명에 의한 마스크구조의 일 실시예시도.

도2b는 도2a의 마스크구조를 노광 및 현상하여 포토레지스트에 형성된 패턴을 보인 예시도.

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***

11:마스크 12,13,15:패턴

14:포토레지스트

상기한 바와같은 본 발명의 목적은 마스크에 서로다른 폭을 갖는 패턴이 소정거리 이격되도록 제작함으로써 달성되는 것으로, 본 발명에 의한 반도체 마스크구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도2a는 본 발명에 의한 마스크구조의 일 실시예시도이고, 도2b는 도1a의 마스크구조를 노광 및 현상하여 포토레지스트에 형성된 패턴을 보인 예시도로서, 이에 도시한 바와같이 포토레지스트(14)에 변형이 최소화된 패턴(15)을 형성하기 위해서는 먼저 마스크(11)에 서로다른 폭(D,d)을 갖는 패턴(12,13)이 소정거리(h) 이격되도록 제작하고, 포토레지스트(14)를 웨이퍼에 코팅한 후, 마스크(11)에 제작된 패턴(12,13)을 포토레지스트(14)가 코팅된 웨이퍼와 밀착시켜 노광함으로써, 포토레지스트(14)에 패턴(15)을 형성한다.

이때, 상기 좁은 폭(d)은 노광장비의 임계치수(critical demension)보다 크거나 같고, 서로다른 폭(D,d)의 관계는 D≥1.5×d 이며, 패턴(12,13)의 이격거리(h)는 h≤ ×임계치수의 조건을 만족해야 한다.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 반도체 마스크구조는 마스크패턴의 폭이 넓은 패턴과 좁은 패턴을 소정거리 이격시켜 노광함으로써, 마스크패턴과 포토레지스트패턴의 변형을 최소화하여 노광 및 현상공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 마스크에 서로다른 폭(D,d)을 갖는 패턴(12,13)이 소정거리(h) 이격되도록 제작하는 것을 특징으로 하는 반도체 마스크구조.
2. 제 1항에 있어서, 상기 좁은 폭(d)은 노광장비의 임계치수보다 크거나 같고, 넓은 폭(D)은 좁은 폭(d)에 비해 D≥1.5d 이며, 패턴(12,13)간 이격거리(h)는 h≤ ×임계치수의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 마스크구조.