KR20000066607A - 레지스트 필링 방지 방법 - Google Patents

레지스트 필링 방지 방법 Download PDF

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KR20000066607A
KR20000066607A KR1019990013840A KR19990013840A KR20000066607A KR 20000066607 A KR20000066607 A KR 20000066607A KR 1019990013840 A KR1019990013840 A KR 1019990013840A KR 19990013840 A KR19990013840 A KR 19990013840A KR 20000066607 A KR20000066607 A KR 20000066607A
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조찬섭
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)를 이용한 포토리소그라피 공정에서 레티클 ID 및 다이 피트 타겟(Die Fit Target)의 주변에서 레지스트가 필링(Peeling)되는 것을 방지하기 위한 레지스트 필링 방지방법에 관한 것이다. 본 발명의 레지스트 필링 방지방법은, 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴을 하부 레이어, 또는, 상부 레이어의 패터닝시에 이용되는 레티클 내에 구비시키거나, 또는, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴의 주변에 사이드로브 현상으로 발생되는 전기장의 위상과 반대의 위상을 만들 수 있는 오파크 링을 구비시키거나, 또는, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴을 통해 투과되는 광의 강도가 최소화되도록, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴을 도트성 콘택홀들로 형성한다.

Description

레지스트 필링 방지방법{METHOD OF PREVENTING RESIST PEELING}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)를 이용한 포토리소그라피 공정에서 레티클 ID 및 다이 피트 타겟(Die Fit Target)의 주변에서 레지스트가 필링(Peeling)되는 것을 방지하기 위한 레지스트 필링 방지방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서, 콘택홀 또는 각종 패턴들은, 통상, 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 통해 형성된다. 이러한 포토리소그라피 공정은, 주지된 바와 같이, 피식각층 상에 레지스트의 도포, 노광 및 현상 공정을 통해 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 식각 마스크로하는 식각 공정을 통해 노출된 피식각층 부분을 식각하여 원하는 형태의 패턴을 형성하는 공정을 말한다.
한편, 상기한 포토리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 공정에서는, 전(前) 공정에서 형성된 레이어(layer)와 현(現) 공정을 통해 형성시키는 레이어간의 정렬을 위해 각 레이어에 오버레이 박스(Overlay Box)를 설치하고 있다. 이러한 오버레이 박스는 일반적으로 다이(die) 사이를 분할하는 스크라이브 라인(scribe line) 내에 설치하게 되며, 상기 오버레이 박스는 전 레이어에 형성시킨 아우터 박스(outer box)와 현 레이어에 형성시키는 인너 박스(inner box)로 구성된다.
상기에서, 아우터 박스 및 인너 박스로 구성되는 오버레이 박스를 형성하기 위하여, 종래에는 노광 공정에서 사용되는 레티클 내에 그 마스크 패턴들을 미리 구비시키고, 이러한 레티클을 이용한 노광 공정과 후속의 현상 공정을 통해 레지스트 패턴을 형성한 다음, 그 형태로 식각 공정을 수행하여 전 레이어에 아우터 박스를 설치한 후, 상기와 마찬가지로 일련의 포토리소그라피 공정을 통해 현 레이어의 특정 부분에 인너 박스를 설치하되, 상기 인너 박스가 전 레이어의 아우터 박스 내에 삽입되도록 설치한다.
한 예로, 폴리2 콘택 레이어의 형성에 대하여 설명하면 다음과 같다.
폴리2 콘택 레이어를 형성하기 위한 노광 공정을 수행시에, 상기 폴리2 콘택 레이어의 오버레이 박스, 바람직하게는, 인너 박스의 마스크 패턴은 이전 공정인 ISO 레이어와 폴리1 레이어를 형성하기 위한 공정에서 각각 형성된 ISO 레이어의 Y축 오버레이 측정용 아우터 박스와, 폴리1 레이어의 X축 오버레이 측정용 아우터 박스 내에 각각 찍히거나, 또는, ISO 레이어와 폴리1 레이어에 의해 형성된 멀티-아우터 박스 내에 찍히게 된다.
이후, 노광 공정이 완료된 웨이퍼에 대하여 현상 공정을 수행한 후, 후속의 식각 공정을 수행하여 이전 레이어에 형성시킨 아우터 박스 내에 폴리2 콘택 레이어의 인너 박스를 형성한다.
한편, 노광 공정에서 사용되는 레티클 내에는 상기한 오버레이 박스 이외에, 영문 및 숫자로 이루어져 상기 오버레이 박스를 식별해주는 레티클 아이디(ID)도 함께 구비시키고 있으며, 이러한 레티클 ID도 오버레이 박스와 마찬가지로 마스크 패턴의 형태로 구비된다.
그러나, 반도체 소자의 고집적화가 진행됨에 따라, 회로 패턴의 최소 선폭도 점점 작아지고 있는데, 이러한 고집적 반도체 소자의 제조에 있어서는, 레지스트 패턴의 형성 과정에서 필링(Peeling)성 레지스트 파티클(Particle)이 발생하게 됨으로써, 후속 공정, 예컨데, 식각 공정의 신뢰성을 저하시키게 된다.
특히, 레티클로서 해상도의 향상과 디오에프(DOF : Depth of Focus) 마진을 향상시키기 위하여 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask : 이하 PSM이라 칭함)를 사용할 경우에는, 상기 PSM 내에 구비되는 오버레이 박스 및 레티클 ID의 주변과 다이 피트 타겟(Die fit target)의 주변에서, 당업자들에게 주지된 바와 같이, 상기 PSM을 사용함으로 인하여 발생되는 사이드로브(Sidelobe) 현상에 의해 레지스트가 떨어져나가는 필링 현상이 발생하게 되고, 이러한 웨이퍼에 대한 현상 공정을 수행한 후에, 상기 웨이퍼를 회전시키면서 초순수(Deionized Water)로 세정하게 되면, 필링된 레지스트 파티클이 토폴로지가 있는 셀 또는 주변 영역에 부착됨으로써, 패턴 불량은 물론, 반도체 소자의 심각한 결함을 초래하게 되는 문제점이 있다.
한편, 종래에는 개구 영역이 넓어 광 에너지가 집중되는 오버레이 박스의 주변에는 오파크 링(Opaque Ring) 처리, 즉, 대상물 주변에 링 형태로 서로 다른 직경을 갖는 수 개의 차광층을 형성해주는 방법으로 PSM을 사용함으로 인하여 발생되는 사이드로브 현상을 방지함으로써, 상기 오버레이 박스의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하고 있는데 반하여, 레티클 ID의 주변 및 다이 피트 타겟의 주변에는 상기한 오파크 링 처리를 행하지 않기 때문에, 이러한 부분에서는 여전히 사이드로브 현상에 기인된 레지스트 파티클이 발생되는 문제점이 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, PSM을 이용한 포토리소그라피 공정에서 오버레이 박스의 주변은 물론, 레티클 ID 및 다이 피트 타겟의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지할 수 있는 레지스트 필링 방지방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
도 1는 본 발명의 제1실시예에 따른 레지스트 필링 방지방법을 설명하기 위한 도면.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레지스트 필링 방지방법을 설명하기 위한 도면.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제3실시예에 따른 레지스트 필링 방지방법을 설명하기 위한 도면.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
20 : ISO 레티클 30 : 폴리1 레티클
40 : 폴리2 콘택 레티클 50 : 폴리2 레티클
80,120 : 레티클 ID 90,190 : 석영 기판
92,192 : 위상 반전층 94 : 오파크 링
100,200 : 위상 반전 마스크 100A,200A : 전기장
100B : 오파크 링 효과로 인한 전기장
100C : 사이드로브 효과로 인한 전기장
110,210 : 광 강도 A∼D : 레티클 ID가 들어갈 수 있는 자리
E : 기존의 레티클 ID가 있던 자리
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 레지스트 필링 방지방법은, 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴은 하부 레이어, 또는, 상부 레이어의 패터닝시에 이용되는 레티클 내에 구비시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 레지스트 필링 방지방법은, 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴의 주변에 사이드로브 현상으로 발생되는 전기장의 위상과 반대의 위상을 만들 수 있는 오파크 링을 구비시키는 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 레지스트 필링 방지방법은, 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서, 상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴은 투과되는 광의 강도가 최소화되도록, 도트성 콘택홀들로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 레티클 ID 및 다이 피트 타겟의 주변을 오파크 링 처리 해주거나, 또는, 상기한 레티클 ID를 도트성 콘택홀들로 형성해주거나, 혹은, PSM의 레티클 ID를 그 이전 레이어의 패터닝 공정에서 미리 형성시켜 줌으로써, 이들의 주변에서 사이드로브 현상에 기인된 레지스트의 필링을 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 레지스트 파티클의 발생 방지 방법을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 레지스트 필링 방지방법을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 각 행은 특정 레이어의 패터닝시에 사용되는 레티클이며, 분할된 각 영역은 하나의 레티클을 의미하며, 레티클 내에 구비된 패턴들은 인너 박스 및 아우터 박스와 레티클 ID, 및, 상기한 패턴들이 들어가게 되는 위치를 의미한다. 또한, 도면부호 A, B, C 및 D는 제1실시예에서 폴리2 콘택 레이어의 레티클 ID가 들어갈 수 있는 자리를 의미하며, E는 기존의 폴리2 콘택 레이어의 레티클 ID가 있던 자리를 의미한다.
본발명의 제1실시예에서는, 예컨데, PSM을 이용한 폴리2 콘택 레이어의 형성에 대해서 설명하도록 한다. 본 실시예1에서는 레티클 ID의 주변에서 발생되는 사이드로브 현상을 방지하기 위하여 다음과 같은 방법으로 폴리2 콘택 레이어를 형성한다.
먼저, 폴리2 콘택 레이어의 패터닝시에 사용되는 레티클(이하, 폴리2 콘택 레티클이라 칭함) 내에는 실질적인 마스크 패턴과, 폴리2 콘택 레이어의 인너 박스 형성용 마스크 패턴(이하, 인너 박스라 칭함), 및 아우터 박스 형성용 마스크 패턴(이하, 아우터 박스라 칭함)만을 구비시킨다. 그리고, 예를들어, “280A”와 같이 폴리2 콘택 레이어의 인너 박스를 식별해주는 레티클 ID 형성용 마스크 패턴(이하, 레티클 ID라 칭함)은 하부 레이어인 ISO 레이어 또는 폴리1 레이어의 형성시에 사용되는 레티클(이하, ISO 레티클, 폴리1 레티클이라 칭함) 내에 구비시키며, 아울러, “P2C”와 같이 폴리2 콘택 레이어의 아우터 박스를 식별해주는 레티클 ID는 상부 레이어인 폴리2 레이어의 형성시에 사용되는 폴리2 레이어 형성용 레티클(이하, 폴리2 레티클이라 칭함) 내에 구비시킨다. 여기서, P2C와 같은 폴리2 콘택 레이어의 아우터 박스를 식별해주는 레티클 ID는 ISO 레이어, 또는, 폴리1 레이어를 형성하기 위한 ISO 레티클, 혹은, 폴리1 레티클 내에 구비시킬 수도 있다.
자세하게, 도 1을 참조하여 설명하면, 우선, ISO 레티클(20)을 제작함에 있어서, 상기 ISO 레티클(20) 내에 아우터 박스와, 예를들어, “ISO”와 같이, ISO 레이어의 아우터 박스를 식별해주기 위한 레티클 ID을 구비시키고, 아울러, 폴리2 콘택 레이어의 인너 박스가 형성될 부분에는, 예를들어, “280A”와 같은 폴리2 콘택 레이어의 인너 박스를 식별해주기 위한 레티클 ID를 함께 구비시킨다.
한편, 상기한 레티클 ID, 즉, “280A”를 ISO 레티클(20)에 구비시키지 않을 경우에는, 후속 공정인 폴리1 레이어의 패터닝시에 사용되는 폴리1 레티클(30)에 구비시키는 것도 가능하다. 자세하게, 폴리1 레티클(30)을 제작함에 있어서, 상기 폴리1 레티클(30) 내에 폴리2 콘택 레이어의 인너 박스가 들어갈 폴리1 레이어의 아우터 박스와 “P1”과 같이 폴리1 레티클(30)의 아우터 박스를 식별하기 위한 레티클 ID를 구비시키고, 아울러, ISO 레이어의 아우터 박스에 들어갈 폴리1 인너 박스 및 폴리1 멀티 박스 부분에는 폴리2 콘택 레티클(40)의 레티클 ID인 “280A”를 구비시킨다.
다음으로, PSM으로 제작되는 폴리2 콘택 레티클(40) 내에는 “280A” 및 “P2C”와 같은 레티클 ID는 구비시키지 않으며, 특히, 오버레이 측정용 인너 박스 및 아우터 박스는 오파크 처리를 해준다. 이것은, 상기한 폴리2 콘택 레티클(40)의 레티클 ID를 ISO 레티클(20) 또는 폴리1 레티클(30) 중에서 선택되는 어느 하나에 구비시킨 것에 의해, 하층 레이어에 폴리2 콘택 레이어의 레티클 ID가 이미 형성되어 있기 때문이며, 아울러, 레티클 ID의 주변에서 사이드로브 현상이 발생되는 것을 방지하기 위함이다.
한편, ISO 레티클(20) 및 폴리1 레티클(30) 중에서 선택되는 어느 하나의 레티클에도 폴리2 콘택 레이어의 아우터 박스를 식별해주는 레티클 ID를 구비시키지 않는 경우에는, 도시된 바와 같이, 후속 공정인 폴리2 레이어의 패터닝시에 사용되는 폴리2 레티클(50) 내에 구비시킬 수도 있다. 이 경우, “P2C”와 같은 폴리2 콘택 레이어의 아우터 박스를 식별해주는 레티클 ID는 폴리2 레이어의 인너 박스에 “290A”와 같이 상기 폴리2 레이어의 아우터 박스를 식별해주는 레티클 ID와 함께 구비된다.
도 1에서, 마지막 행은 각 층들이 적층된 경우에서의 오버레이 박스 및 레티클 ID를 도시한 것이다.
상기한 본발명의 제1실시예에서는, PSM으로 제작되는 폴리2 콘택 레티클(40)에는 레티클 ID가 구비되지 않기 때문에, 이러한 폴리2 콘택 레티클을 이용한 패터닝 공정시에 “280A” 및 “P2C”와 같은 레티클 ID는 패터닝되지 않으며, 이에 따라, 종래와 마찬가지로 폴리2 콘택 레이어의 오버레이 박스, 즉, 인너 박스 및 아우터 박스의 주변에만 오파크 링 처리를 해주게 되면, PSM을 사용하는 것에 의해 발생되는 사이드로브 현상으로 인하여, 오버레이 박스 및 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기와 같은 방법을 응용하여 폴리3 콘택 레티클, 또는, 메탈1 레티클을 제작할 경우에도, 사이드로브 현상에 기인된 레지스트의 필링을 방지할 수 있다.
(실시예 2)
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레지스트 필링 방지방법을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에서는 PSM 내에 일종의 콘택홀과 같은 레티클 ID(80)을 구비시킬 때, 이러한 레티클 ID(80)의 주변에 적당한 크기의 오파크 링(94)을 만들어준다.
도 2b는 오파크 링 처리된 PSM(100)과, 상기 PSM(100)에 대한 전기장(100A, 100B, 100C) 및 광 강도(110)를 나타낸 도면이다. 도면에서, 100은 PSM, 90은 석영 기판, 92는 위상 반전층, 94는 오파크 링이다.
도시된 바와 같이, 오파크 링(94)이 형성된 처리된 PSM(100)을 사용하여 노광 공정을 수행할 경우, 광은 광 투과 부분은 물론, 광 차단 부분을 통해서도 일부가 투과된다.
그런데, 광 투과 부분과 인접된 광 차단 부분에는 오파크 링이 형성되어 있기 때문에, 이 부분에서 오파크 링 효과로 인한 전기장(100B)이 발생되며, 이때, 오파크 링 효과로 인한 전기장(100B)은 사이드로브 효과로 인한 전기장(100C)과 반대의 위상을 갖게 된다. 따라서, 서로 다른 위상들간의 소멸 간섭이 일어나기 때문에, 결과적으로, 광 차단 부분에서 광 강도(110)는 없어지게 된다.
그러므로, 이러한 PSM으로 노광 공정을 수행할 경우에, 레티클 ID의 주변에서 사이드로브 현상이 제거되므로, 이러한 사이드로브 현상에 기인된 레지스트 필링은 발생되지 않으며, 결과적으로는, 레지스트 파티클의 발생을 방지할 수 있게 된다.
(실시예 3)
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제3실시예에 따른 레지스트 필링 방지방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 제3실시예에서는 레티클 ID(120)를, 도 3a에 도시된 바와 같이, 단일의 콘택홀로 형성하지 않고, 도트성 콘택홀들로 구비시킨다. 이러한 형태로 레티클 ID를 구비시킬 경우에는 앞선 실시예들과 마찬가지로 레지스트 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 도면부호 120은 레이클 ID, 190은 석영 기판, 192는 위상 반전층, 200은 PSM, 200A는 전기장, 210은 광 강도이다.
자세하게, 도 3b의 좌측부에서와 같이, 단일의 콘택홀로 레티클 ID를 구비시킬 경우에는, 전술한 바와 같이, PSM을 사용하는 것에 기인하여 사이드로브 현상이 발생되고, 이러한 사이드로브 현상에 의해 레지스트의 필링 현상을 유발하게 된다. 그러나, 도 3b의 우측부에서와 같이, 레티클 ID를 도트성 콘택홀들로 구비시킬 경우에는 광 투과 부분을 통해 투과되는 광의 전기장의 세기가 매우 작기 때문에, 그 강도도 작게 된다. 이에 따라, 비록 PSM을 사용하는 것에 기인하여 사이드로브 현상이 발생되더라도, 사이드로브 현상에 의해 발생된 광 강도는 매우 작기 때문에, 이러한 광 강도에 의해서는 레지스트가 필링되지 않게 됨으로써, 레지스트 파티클의 발생을 방지할 수 있게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명은 PSM을 이용한 노광 공정시에 상기 PSM에 구비시키는 레티클 ID를 이전 공정에서 사용되는 레티클에 구비시키는 방법을 이용하거나, 또는, 레티클 ID의 주변에 오파크 링을 더 구비시켜 주거나, 아울러, 레티클 ID를 도트성 콘택홀들로 구비시킴으로써, PSM을 사용함에 기인된 사이드로브 현상을 제거할 수 있기 때문에, 상기 사이드로브 현상으로 인한 레지스트의 필링을 방지할 수 있다.
따라서, 레지스트 파티클로 인한 소자 결함을 방지할 수 있기 때문에, 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (3)

  1. 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서,
    상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴은 하부 레이어, 또는, 상부 레이어의 패터닝시에 이용되는 레티클 내에 구비시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 필링 방지방법.
  2. 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서,
    상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴의 주변에 사이드로브 현상으로 발생되는 전기장의 위상과 반대의 위상을 만들 수 있는 오파크 링을 구비시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 필링 방지방법.
  3. 하부 레이어와의 정렬을 위한 오버레이 박스 형성용 마스크 패턴과, 상기 오버레이 박스를 식별하기 위한 레티클 ID 형성용 마스크 패턴이 구비되는 위상 반전 마스크를 레티클로 사용하는 포토리소그라피 공정시에, 사이드로브 현상으로 인하여 레티클 ID의 주변에서 레지스트가 필링되는 것을 방지하기 위한 방법으로서,
    상기 레티클 ID 형성용 마스크 패턴은 투과되는 광의 강도가 최소화되도록, 도트성 콘택홀들로 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트 필링 방지방법.
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KR1019990013840A KR20000066607A (ko) 1999-04-19 1999-04-19 레지스트 필링 방지 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100818705B1 (ko) * 2005-12-29 2008-04-02 주식회사 하이닉스반도체 칩 영역의 둘레의 프레임 영역에 치밀한 콘택홀 패턴 형성영역을 갖는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법

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KR100818705B1 (ko) * 2005-12-29 2008-04-02 주식회사 하이닉스반도체 칩 영역의 둘레의 프레임 영역에 치밀한 콘택홀 패턴 형성영역을 갖는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법

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