KR20010056776A - 노광용 마스크 - Google Patents

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김공환
황영선
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박종섭
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Abstract

본 발명은 포토리소그라피 공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 노광 공정에서 사용되는 노광용 마스크에 관한 것이다. 본 발명의 노광용 마스크는, 투광성 기판과 상기 투광성 기판 상에 형성된 불투광성의 크롬 패턴으로 이루어지며, 수 개의 칩들과 상기 칩들을 구획하는 스크라이브 라인을 포함하는 웨이퍼에 대해서, 인접된 두 개의 칩과 상기 두 개의 칩에 인접된 스크라이브 라인이 1회의 노광 공정에 의해 동시에 노광되도록, 제1 및 제2칩 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 노광용 마스크에 있어서, 상기 스크라이브 라인 영역을 포함한 칩 영역으로부터 이격된 부분에 크롬으로 처리되지 않은 윈도우 패턴이 구비된 것을 특징으로 한다.

Description

노광용 마스크{MASK FOR EXPOSURE}
본 발명은 포토리소그라피 공정에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 노광 공정에서 사용되는 노광용 마스크에 관한 것이다.
포토리소그라피(Photolithography) 공정은 콘택홀 또는 소정 형상의 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 식각 대상물 상에 감광막의 도포, 노광 및 현상 공정을 통해 감광막 패턴을 형성하는 제1단계 공정과, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로하여 식각 대상물을 식각하는 제2단계 공정을 포함한다. 여기서, 상기 노광 공정은 석영 재질의 기판 상에 크롬 재질의 마스크 패턴이 구비된 노광용 마스크를 사용하여 수행되며, 이때, 상기 크롬 패턴은 광 차단 영역을 제공하며, 상기 크롬 패턴이 없는 기판 영역은 광 투과 영역을 제공한다.
도 1은 종래의 노광용 마스크를 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 노광용 마스크(10)는 두 개의 칩과, 이에 인접하는 스크라이브 라인을 한번의 노광 공정(이하, 필드(field)라 칭함)으로 동시에 노광하도록 제작된다. 여기서, 도면부호 1 및 2는 칩 영역을 나타내며, 3은 스크라이브 라인 영역을 나타낸다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 칩 영역(1, 2) 및 스크라이브 라인 영역(3) 내에는 크롬 패턴으로 이루어진 각각의 마스크 패턴이 구비된다.
그러나, 종래의 노광용 마스크를 이용하여 노광 공정을 수행할 경우에는 다음과 같은 문제점이 있다. 전술한 바와 같이, 노광용 마스크는 인접된 두 개의 칩과 스크라이브 라인을 동시에 노광하도록 제작된다. 그런데, 종래의 노광용 마스크를 이용하여 노광 공정을 수행할 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20)의 가장자리에 배치된 칩들에 대해서는 그 노광 공정을 수행할 수 없으며, 이에 따라, 웨이퍼(20)의 가장자리에 배치된 칩에는 반도체 소자를 구현할 수 없다. 즉, 웨이퍼(20)의 가장자리에 배치된 두 개의 칩을 동시에 노광할 경우에는 웨이퍼(20)의 가장자리에 걸치는 필드가 파티클의 소오스로서 작용하는 것에 기인하여, 또 다른 문제가 유발될 수 있기 때문이다. 도 2에서 도면부호 A는 하나의 필드를 나타내며,B는 노광 공정의 수행이 어려운 칩들을 나타낸다. 따라서, 웨이퍼의 가장자리에 배치된 칩들에 대해서는 노광 공정을 수행할 수 없기 때문에, 그에 해당하는 만큼의 생산성의 저하가 초래된다.
한편, 생산성의 저하를 방지하기 위하여, 종래에는 하나의 노광 마스크에 대해서, 하나의 필드로 하나의 칩만을 노광하려는 방법이 시도되고 있으나, 이 방법은 스크라이브 라인 내의 패턴과 노광 장비의 블라인드 정확도(Blind Accuracy)때문에, 실질적으로, 그 적용이 어렵다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 생산성을 향상시킬 수 있는 노광용 마스크를 제공하는데, 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 노광용 마스크를 도시한 도면.
도 2는 종래 노광용 마스크를 이용할 경우에서의 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 노광용 마스크를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 노광용 마스크를 이용한 노광공정을 설명하기 위한 도면.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
21,22 : 칩 영역 23 : 스크라이브 라인 영역
24 : 윈도우 패턴 30 : 노광용 마스크
상기와 같은 목적은, 투광성 기판과 상기 투광성 기판 상에 형성된 불투광성의 크롬 패턴으로 이루어지며, 수 개의 칩들과 상기 칩들을 구획하는 스크라이브 라인을 포함하는 웨이퍼에 대해서, 인접된 두 개의 칩과 상기 두 개의 칩에 인접된 스크라이브 라인이 1회의 노광 공정에 의해 동시에 노광되도록, 제1 및 제2칩 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 노광용 마스크에 있어서, 상기 스크라이브 라인 영역을 포함한 칩 영역으로부터 이격된 부분에 크롬으로 처리되지 않은 윈도우 패턴이 구비된 것을 특징으로 하는 본 발명의 노광용 마스크에 의하여 달성된다.
본 발명에 따르면, 하나의 필드로 하나의 칩 만을 노광 할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 가장자리에 배치된 칩들에 대한 노광 공정을 최대한 수행할 수 있으며, 이에 따라, 생산성의 향상을 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 노광용 마스크를 도시한 평면도이다. 여기서, 도면부호 21 및 22는 칩 영역을 나타내며, 23은 스크라이브 라인 영역을 나타낸다. 그리고, 24는 추가된 윈도우 패턴을 나타낸다.
본 발명의 노광용 마스크(30)는 투광성 기판, 예컨데, 석영 기판, 또는, 유리기판과, 상기 기판 상에 형성된 비투광성의 크롬 패턴으로 이루어지며, 수 개의 칩들과 상기 칩들을 구획하는 스크라이브 라인을 포함하는 웨이퍼에 대해서, 도시된 바와 같이, 상·하, 또는, 좌·우로 인접되게 배치된 두 개의 칩과 상기 두 개의 칩에 인접된 스크라이브 라인이 하나의 필드에 의해 동시에 노광되도록 하는 제1 및 제2칩 영역(21, 22)과 스크라이브 라인 영역(23)을 포함한다. 아울러, 스크라이브 라인 영역(23)을 포함한 칩 영역(21, 22)으로부터 이격된 부분, 즉, 칩 영역의 하부에는 크롬으로 처리되지 않은 오픈 영역, 즉, 윈도우 패턴(24)이 추가로 구비된다.
상기 윈도우 패턴(24)은 추가로 얻고자 하는 칩의 노광시에, 상기 칩에 인접된 스크라이브 라인, 즉, 두 개의 칩들 사이에 배치되는 스크라이브 라인이 함께 노광되는 것에 의해, 상기 스크라이브 라인에 패턴이 형성되는 것이 방지되도록 하기 위하여 구비된 것이다.
상기와 같은 본 발명의 노광용 마스크(30)를 이용한 노광 공정에 대해서 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 4에서, 도면부호 40은 웨이퍼, A는 필드,B는 웨이퍼의 가장자리에 배치되어 하나의 필드로 노광할 수 없는 칩들, C는 추가로 얻게 되는 칩, 그리고, D는 노광되지 않는 칩을 각각 나타낸다.
먼저, 도면에서 상·하에 배치된 두 개의 칩들과 이에 인접된 스크라이브 라인을 상기한 노광용 마스크를 이용하여 하나의 필드(A)로 동시에 노광한다. 그런다음, 하나의 필드(A)로 노광할 수 없을 칩들, 즉, 웨이퍼(40)의 가장자리에 배치된 칩들(B)에 대해서는 노광용 마스크에 구비된 두 개의 칩 영역중, 하나의 칩 영역과 윈도우 패턴은 노광 장치에 구비된 블라인드로 가려주고, 나머지 하나의 영역으로만 하나의 칩, 즉, 도면에서 C의 칩에 대해서만 노광을 수행한다. 이때, 하나의 칩(C)에 대해서만 노광 공정을 수행하더라도, 두 개의 칩(C, D) 사이에 배치된 스크라이브 라인에도 노광이 이루어지며, 이에 따라, 상기 스크라이브 라인 상에 원치 않은 패턴이 형성될 수 있다.
따라서, 추가로 얻고자 하는 칩에 대한 노광 공정을 수행한 후에는, 본 발명의 노광용 마스크에 추가된 윈도우 패턴을 이용하여 노광 공정을 추가로 수행한다. 이때, 노광용 마스크에 구비된 칩 영역은 노광 장비에 구비된 블라인드로 가려주고, 상기 노광용 마스크에 추가된 윈도우 패턴으로만 두 개의 칩 사이의 스크라이브 라인만 재차 노광한다. 이 결과, 상기 스크라이브 라인 상에는 패턴 형성이 이루어지지 않게 되며, 이에 따라, 파티클을 유발하지 않고도, 추가로 칩을 얻을 수 있게 된다.
한편, 두 개의 칩 사이의 스크라이브 라인에 대한 노광시에, 상기 스크라이브 라인 상의 패턴들을 완전히 제거시키기 위해서는, 상기 윈도우 패턴의 세로 폭이 최소한 1,000㎛ 이상이어야 한다. 따라서, 본 발명의 노광용 마스크에 구비되는 윈도우 패턴은 그 세로 폭이 1,000㎛ 이상, 예컨데, 1,000 내지 1,500㎛ 정도로 구비됨이 바람직하다.
이상에서와 같이, 본 발명은 두 개의 칩 및 이에 인접된 스크라이브 라인을 동시에 노광할 수 있는 칩 영역 및 스크라이브 라인 영역 이외에, 윈도우 패턴이 구비된 노광용 마스크를 제공함으로써, 하나의 필드로 노광할 수 없는 웨이퍼의 가장자리에 배치된 칩들을 추가로 노광할 수 있으며, 이 결과로, 생산성을 향상시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (2)

  1. 투광성 기판과 상기 투광성 기판 상에 형성된 불투광성의 크롬 패턴으로 이루어지며, 수 개의 칩들과 상기 칩들을 구획하는 스크라이브 라인을 포함하는 웨이퍼에 대해서, 인접된 두 개의 칩과 상기 두 개의 칩에 인접된 스크라이브 라인이 1회의 노광 공정에 의해 동시에 노광되도록, 제1 및 제2칩 영역과 스크라이브 라인 영역을 포함하는 노광용 마스크에 있어서,
    상기 스크라이브 라인 영역을 포함한 칩 영역으로부터 이격된 부분에 크롬으로 처리되지 않은 윈도우 패턴이 구비된 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 윈도우 패턴의 세로 폭은 1,000 내지 1,500㎛인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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