TWI798771B

TWI798771B - 光罩以及內連線結構的製造方法

Info

Publication number: TWI798771B
Application number: TW110127646A
Authority: TW
Inventors: 車行遠; 楊盛華; 李世平
Original assignee: 力晶積成電子製造股份有限公司
Priority date: 2021-07-28
Filing date: 2021-07-28
Publication date: 2023-04-11
Also published as: TW202305872A

Abstract

一種光罩以及內連線結構的製造方法。所述光罩包括透明基板、遮光圖案層以及多個散射條。所述遮光圖案層設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽。所述多個散射條設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上。所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域。

Description

光罩以及內連線結構的製造方法

本發明是有關於一種半導體設備以及半導體製程，且特別是有關於一種光罩以及使用所述光罩的內連線結構的製造方法。

在一般的內連線製程中，在形成導線以及接觸窗(contact)或導通孔(via)時，會分別使用不同的光罩來進行圖案化製程，以形成導線溝槽以及接觸窗或導通孔開口。然而，由於光罩的製造成本相當昂貴，因此導致生產成本無法有效地降低。

本發明提供一種光罩，其包括設置於遮光圖案層的導線溝槽中的多個散射條。

本發明提供一種內連線結構的製造方法，其使用上述的光罩來進行曝光步驟。

本發明的光罩包括透明基板、遮光圖案層以及多個散射條。所述遮光圖案層設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽。所述多個散射條設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上。所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域。

在本發明的光罩的一實施例中，所述遮光圖案層更包括暴露出部分所述透明基板的第二導線溝槽，且所述多個散射條更設置於所述第二導線溝槽中的所述透明基板上。

本發明的內連線結構的製造方法包括以下步驟。提供光罩。所述光罩包括透明基板、遮光圖案層以及多個散射條。所述遮光圖案層設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽。所述多個散射條設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上。所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域。於基底上形成第一光阻層。使用所述光罩，對所述第一光阻層進行第一曝光與顯影製程，以僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分。以所述第一光阻層為罩幕，移除部分所述基底，以形成接觸窗或導通孔開口。移除所述第一光阻層。於所述基底上形成第二光阻層。使用所述光罩，對所述第二光阻層進行第二曝光與顯影製程，以移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分。以所述第二光阻層為罩幕，移除部分所述基底，以形成第一導線溝槽。移除所述第二光阻層。於所述接觸窗或導通孔開口以及所述第一導線溝槽中形成導電層。所述第二曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量大於所述第一曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，所述第一光阻層為正光阻層，且第二光阻層為正光阻層。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，僅移除所述第一光阻層的對應所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將所述第一光阻層的厚度形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽的所述接觸窗或導通孔開口區域之外的區域的部分具有低的曝光解析度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，僅移除所述第一光阻層的對應所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將相鄰的散射條之間的距離形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽的所述接觸窗或導通孔開口區域之外的區域的部分具有低的曝光解析度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，在移除所述第一光阻層之後以及在形成所述第二光阻層之前，更包括於所述接觸窗或導通孔開口中形成保護層。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分的方法包括將所述第二光阻層的厚度形成為：在所述第二曝光與顯影製程中，使得第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分具有高的曝光解析度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，所述第二曝光與顯影製程，包括以下步驟。在所述第二曝光與顯影中的顯影步驟之後，形成了對應於所述多個散射條的位置的多個光阻圖案。移除所述多個光阻圖案。所述光阻圖案的寬度小於所述散射條的寬度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，移除所述多個光阻圖案的方法包括進行雷射灰化處理。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，所述遮光圖案層更包括暴露出部分所述透明基板的第二導線溝槽，所述多個散射條更設置於所述第二導線溝槽中的所述透明基板上，在進行所述第二曝光與顯影製程之後，更移除了所述第二光阻層的對應於所述第二導線溝槽的部分，在以所述第二光阻層為罩幕來移除部分所述基底之後，更形成了第二導線溝槽，且所述導電層更形成於所述第二導線溝槽中。

本發明的內連線結構的製造方法包括以下步驟。提供光罩。所述光罩包括透明基板、遮光圖案層以及多個散射條。所述遮光圖案層設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽。所述多個散射條設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上。所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域。於基底上形成第一光阻層。使用所述光罩，對所述第一光阻層進行第一曝光與顯影製程，以僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分。以所述第一光阻層為罩幕，移除部分所述基底，以形成接觸窗或導通孔開口。移除所述第一光阻層。於所述接觸窗或導通孔開口中形成第一導電層。於所述基底上形成第二導電層。於所述第二導電層上形成第二光阻層。使用所述光罩，對所述第二光阻層進行第二曝光與顯影製程，以移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽之外的部分。以所述第二光阻層為罩幕，移除部分所述第二導電層。移除所述第二光阻層。所述第二曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量大於所述第一曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，所述第一光阻層為正光阻層，且第二光阻層為負光阻層。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將所述第一光阻層的厚度形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽中的所述接觸窗或導通孔開口之外的區域的部分具有低的曝光解析度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將相鄰的散射條之間的距離形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽中的所述接觸窗或導通孔開口之外的區域的部分具有低的曝光解析度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽之外的部分的方法包括將所述第二光阻層的厚度形成為：在所述第二曝光與顯影製程中，使得第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分具有高的曝光解析度。

在本發明的內連線結構的製造方法的一實施例中，所述遮光圖案層更包括暴露出部分所述透明基板的第二導線溝槽，所述多個散射條更設置於所述第二導線溝槽中的所述透明基板上，且在進行所述第二曝光與顯影製程之後，保留了所述第二光阻層的對應於所述第二導線溝槽的部分。

綜上所述，本發明的光罩包括設置於遮光圖案層的導線溝槽中的多個散射條。如此一來，在以所述光罩對光阻層進行曝光步驟時，可藉由調整曝光劑量來控制光阻層的對應於其中設置有散射條的區域的部分的曝光程度。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10:光罩

100:透明基板

102:遮光圖案層

102a:第一導線溝槽

102b:第二導線溝槽

104:散射條

200:基底

202:矽基底

204:介電層

204a:接觸窗開口

204b:第一導線溝槽

204c:第二導線溝槽

206:第一光阻層

208:第一曝光與顯影製程

210:保護層

212、404:第二光阻層

212a:光阻圖案

214、406:第二曝光與顯影製程

216:雷射灰化處理

218:導電層

218a、400a:接觸窗

218b、402a:導線

400:第一導電層

402:第二導電層

D:距離

R:接觸窗開口區域

圖1為依照本發明的光罩的上視示意圖。

圖2A至圖2F為依照本發明的第一實施例的內連線結構的製造流程剖面示意圖。

圖3為依照本發明的另一實施例的第二曝光與顯影製程的剖面示意圖。

圖4A至圖4C為依照本發明的第二實施例的內連線結構的製造流程剖面示意圖。

下文列舉實施例並配合附圖來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為了方便理解，在下述說明中相同的元件將以相同的符號標示來說明。

關於文中所使用「包含」、「包括」、「具有」等等用語，均為開放性的用語，也就是指「包含但不限於」。

當以「第一」、「第二」等的用語來說明元件時，僅用於將這些元件彼此區分，並不限制這些元件的順序或重要性。因此，在一些情況下，第一元件亦可稱作第二元件，第二元件亦可稱作第一元件，且此不偏離本發明的範疇。

此外，文中所提到的方向性用語，例如「上」、「下」等，僅是用以參考圖式的方向，並非用來限制本發明。因此，應理解，「上」可與「下」互換使用，且當層或膜等元件放置於另一元件「上」時，所述元件可直接放置於所述另一元件上，或者可存在中間元件。另一方面，當稱元件「直接」放置於另一元件「上」時，則兩者之間不存在中間元件。

圖1為依照本發明的光罩的上視示意圖。利用本發明的光罩，在形成內連線結構的導線與接觸窗或導通孔時可僅使用一道光罩，藉此可有效地節省生產成本。以下將對本發明的光罩作詳細說明。

參照圖1，本實施例的光罩10包括透明基板100、遮光圖案層102以及多個散射條104。在本實施例中，透明基板100可為玻璃基板、高分子材料基板或其他合適的透明基板。遮光圖案層102設置於透明基板100上。在使用光罩10進行曝光步驟時，遮光圖案層102可阻擋光線穿透透明基板100。在本實施例中，遮光圖案層102包括暴露出部分透明基板100的第一導線溝槽102a。第一導線溝槽102a為用以在待圖案化層中形成導線圖案的區域。在本實施例中，遮光圖案層102包括多個彼此平行排列的導線溝槽，但本發明不限於此。在其他實施例中，可視實際需求來設置導線溝槽。

多個散射條104設置於第一導線溝槽102a中的透明基板100上。在本實施例中，這些散射條104在第一導線溝槽102a的延伸方向上彼此平行地設置並彼此間隔開一個距離D，且散射條104的延伸方向與第一導線溝槽102a的延伸方向垂直，但本發明不限於此。在使用光罩10所進行的曝光步驟期間，取決於曝光劑量及/或距離D，對應於其中設置有這些散射條104的區域的光阻層可能因散射效應而無法完全地發生光啟始反應，使光阻於顯影時保留下來。此外，藉由曝光劑量及/或距離D的調整，也可以使對應於其中設置有這些散射條104的區域的光阻層於顯影時完全移除。此外，在本實施例中，這些散射條104並未設置於整個第一導線溝槽102a中。詳細地說，在本實施例中，第一導線溝槽102a包括用以在待圖案化層中形成接觸窗或導通孔圖案的區域，且這些散射條104暴露出所述區域。如圖1所示，在第一導線溝槽102a中，這些散射條104暴露出接觸窗或導通孔開口區域R。也就是說，在本實施例中，遮光圖案層102包括用以在待圖案化層中形成導線圖案的第一導線溝槽102a，且第一導線溝槽102a包括用以在待圖案化層中形成接觸窗或導通孔圖案的接觸窗或導通孔開口區域R。

此外，視實際需求，遮光圖案層102可選擇性地包括暴露出部分透明基板100的第二導線溝槽102b，且散射條104設置於第二導線溝槽102b中的透明基板100上。如同在第一導線溝槽102a中，這些散射條104在第二導線溝槽102b的延伸方向上彼此平行地設置並彼此間隔開一個距離D，且散射條104的延伸方向與第二導線溝槽102b的延伸方向垂直，但本發明不限於此。與第一導線溝槽102a不同，在第二導線溝槽102b中，這些散射條104設置於整個第二導線溝槽102b中。也就是說，第二導線溝槽102b不包括接觸窗或導通孔開口區域R。

以下將以光罩10為例來對本發明的內連線結構的製造方法進行說明。

圖2A至圖2F為依照本發明的第一實施例的內連線結構的製造流程剖面示意圖。在本實施例中，使用光罩10來進行曝光步驟，且基於圖1中的A-A剖線方向來對本實施例的內連線結構的製造方法進行說明。

首先，同時參照圖1與圖2A，提供待圖案化的基底200。在本實施例中，基底200包括矽基底202以及介電層204。基底200上已形成有各種半導體元件，且介電層204形成於矽基底202上以覆蓋這些半導體元件。為使附圖清晰且便於說明，並未繪示出上述的各種半導體元件。此外，在後續製程中，內連線結構的導線與接觸窗形成於介電層204中，且導線可經由接觸窗而與上述的各種半導體電性連接。接著，於基底200上形成第一光阻層206。在本實施例中，第一光阻層206為正光阻層。

然後，同時參照圖1與圖2B，使用光罩10，對第一光阻層206進行第一曝光與顯影製程208，以僅移除第一光阻層206的對應於接觸窗開口區域R的部分。詳細地說，在光罩10中，由於散射條104設置於第一導線溝槽102a中，因此經由曝光劑量的調整及/或距離D的設計，可使第一光阻層206的對應於其中設置有這些散射條104的區域的部分可因光的散射效應而在曝光步驟中無法完全地發生光啟始反應。如此一來，在顯影步驟中，第一光阻層206的對應於接觸窗開口區域R的部分被移除，而第一光阻層206的被遮光圖案層102覆蓋的部分以及無法完全地發生光啟始反應的部分則被保留下來。在本實施例中，第一光阻層206的無法完全地發生光啟始反應的部分對應於第一導線溝槽102a中的接觸窗開口區域R以外的區域以及對應於第二導線溝槽102b的區域。

在一實施例中，可將第一光阻層206的厚度形成為在所第一曝光與顯影製程208中，使得第一光阻層206的對應於第一導線溝槽102a的接觸窗開口區域R之外的區域的部分具有低的曝光解析度。例如，可將第一光阻層206形成為具有相對大的厚度。如此一來，在顯影步驟中，可確保第一光阻層206的被遮光圖案層102覆蓋的部分以及無法完全地發生光啟始反應的部分被保留下來，而第一光阻層206的對應於接觸窗開口區域R的部分可被移除。

在另一實施例中，可將相鄰的散射條104之間的距離D形成為在第一曝光與顯影製程208中，使得第一光阻層206的對應於第一導線溝槽102a的接觸窗開口區域R之外的區域的部分具有低的曝光解析度。如此一來，在顯影步驟中，可確保第一光阻層206的被遮光圖案層102覆蓋的部分以及無法完全地發生光啟始反應的部分被保留下來，而第一光阻層206的對應於接觸窗開口區域R的部分可被移除。

接著，同時參照圖1與圖2C，以所述第一光阻層206為罩幕，進行蝕刻製程來移除部分介電層204，以形成接觸窗開口 204a。如此一來，接觸窗開口204a的位置對應於光罩10中的接觸窗開口區域R的位置。接觸窗開口204a暴露出形成於矽基底202上的半導體元件的待連接區域。然後，移除第一光阻層206。接著，選擇性地於接觸窗開口204a中形成保護層210。保護層210的形成方法例如是先於介電層204上形成保護材料層並填滿接觸窗開口204a，然後移除接觸窗開口204a外的保護材料層。在一實施例中，保護材料層可為有機平坦化層(organic planarization layer，OPL)，但本發明不限於此。之後，於介電層204上形成第二光阻層212。在本實施例中，第二光阻層212為正光阻層。

然後，同時參照圖1與圖2D，使用光罩10，對第二光阻層212進行第二曝光與顯影製程214，以移除第二光阻層212的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b的部分。詳細地說，在第二曝光與顯影製程214期間，曝光步驟的曝光劑量大於第一曝光與顯影製程208中的曝光步驟的曝光劑量，使得第二光阻層212的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b中設置有散射條104的區域的部分能夠完全地發生光啟始反應。如此一來，在顯影步驟中，第二光阻層212的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b的部分被移除，而第二光阻層212的被遮光圖案層102覆蓋的部分則被保留下來。

在一實施例中，可將第二光阻層212的厚度形成為在第二曝光與顯影製程214中，使得第二光阻層212的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b的部分具有高的曝光解析度。例如，可將第二光阻層212形成為具有相對小的厚度。如此一來，在顯影步驟中，可確保第二光阻層212的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b的部分被移除。

在另一實施例中，如圖3所示，在第二曝光與顯影製程214期間，第二光阻層212的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b中設置有散射條104的區域的部分未能完全地發生光啟始反應。因此，在顯影步驟之後，形成了對應於散射條104的位置的多個光阻圖案212a，且光阻圖案212a的寬度小於散射條104的寬度。因此，可進行雷射灰化處理216，以移除光阻圖案212a。

接著，同時參照圖1與圖2E，以第二光阻層212為罩幕，進行蝕刻製程來移除部分介電層204，以形成第一導線溝槽204b與第二導線溝槽204c。然後，移除第二光阻層212。

之後，同時參照圖1與圖2F，移除保護層210。然後，於接觸窗開口204a、第一導線溝槽204b以及第二導線溝槽204c中形成導電層218。位於接觸窗開口204a中的導電層218形成為接觸窗218a，而位於第一導線溝槽204b以及第二導線溝槽204c中的導電層218則形成為導線218b。如此一來，完成了本實施例的內連線結構。

圖4A至圖4C為依照本發明的第二實施例的內連線結構的製造流程剖面示意圖。在本實施例中，與第一實施例相同的元件將以相同的元件符號表示，且不再對其進行說明。

首先，同時參照圖1與圖4A，進行圖2C所述的步驟，以形成接觸窗開口204a。然後，移除第一光阻層206。接著，於接觸窗開口204a中形成第一導電層400，以於接觸窗開口204a中形成接觸窗400a。第一導電層400的形成方法例如是先於介電層204上形成導電材料層並填滿接觸窗開口204a，然後移除接觸窗開口204a外的導電材料層。接著，於介電層204上形成第二導電層402。之後，於第二導電層402上形成第二光阻層404。在本實施例中，第二光阻層404為負光阻層。

然後，同時參照圖1與圖4B，使用光罩10，對第二光阻層404進行第二曝光與顯影製程406，以移除第二光阻層404的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b之外的部分。詳細地說，在第二曝光與顯影製程406期間，曝光步驟的曝光劑量大於第一曝光與顯影製程208中的曝光步驟的曝光劑量，使得第二光阻層404的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b中設置有散射條104的區域的部分能夠完全地發生光啟始反應。如此一來，在顯影步驟中，第二光阻層404的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b的部分可被保留下來，而第二光阻層404的被遮光圖案層102覆蓋的部分則被移除。

在一實施例中，可將第二光阻層404的厚度形成為在第二曝光與顯影製程406中，使得第二光阻層404的對應於第一導線溝槽102a與第二導線溝槽102b的部分具有高的曝光解析度。例如，可將第二光阻層404形成為具有相對小的厚度。如此一來，在顯影步驟中，可確保第二光阻層404的對應於第一導線溝槽102a 與第二導線溝槽102b的部分被保留下來。

之後，同時參照圖1與圖4C，以第二光阻層404為罩幕，進行蝕刻製程來移除部分第二導電層402，以形成導線402a。然後，移除第二光阻層404。如此一來，完成了本實施例的內連線結構。

在上述實施例中，使用本發明的光罩來形成內連線結構的導線以及接觸窗，但本發明不限於此。在其他實施例中，可使用本發明的光罩來形成內連線結構的導線以及導通孔，且其製程步驟與上述實施例所述相同，於此不再另行說明。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為準。

10：光罩 100：透明基板 102：遮光圖案層 102a：第一導線溝槽 102b：第二導線溝槽 104：散射條 D：距離 R：接觸窗或導通孔開口區域

Claims

一種光罩，包括：透明基板；遮光圖案層，設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽；以及多個散射條，設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上，其中所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域。
如請求項1所述的光罩，其中所述遮光圖案層更包括暴露出部分所述透明基板的第二導線溝槽，且所述多個散射條更設置於所述第二導線溝槽中的所述透明基板上。
一種內連線結構的製造方法，包括：提供光罩，所述光罩包括：透明基板；遮光圖案層，設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽；以及多個散射條，設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上，其中所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域；於基底上形成第一光阻層；使用所述光罩，對所述第一光阻層進行第一曝光與顯影製程，以僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分；以所述第一光阻層為罩幕，移除部分所述基底，以形成接觸窗或導通孔開口；移除所述第一光阻層；於所述基底上形成第二光阻層；使用所述光罩，對所述第二光阻層進行第二曝光與顯影製程，以移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分；以所述第二光阻層為罩幕，移除部分所述基底，以形成第一導線溝槽；移除所述第二光阻層；以及於所述接觸窗或導通孔開口以及所述第一導線溝槽中形成導電層，其中所述第二曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量大於所述第一曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量。
如請求項3所述的內連線結構的製造方法，其中所述第一光阻層為正光阻層，且第二光阻層為正光阻層。
如請求項4所述的內連線結構的製造方法，其中僅移除所述第一光阻層的對應所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將所述第一光阻層的厚度形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽的所述接觸窗或導通孔開口區域之外的區域的部分具有低的曝光解析度。
如請求項4所述的內連線結構的製造方法，其中僅移除所述第一光阻層的對應所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將相鄰的散射條之間的距離形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽的所述接觸窗或導通孔開口區域之外的區域的部分具有低的曝光解析度。
如請求項3所述的內連線結構的製造方法，其中在移除所述第一光阻層之後以及在形成所述第二光阻層之前，更包括於所述接觸窗或導通孔開口中形成保護層。
如請求項3所述的內連線結構的製造方法，其中移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分的方法包括將所述第二光阻層的厚度形成為：在所述第二曝光與顯影製程中，使得第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分具有高的曝光解析度。
如請求項3所述的內連線結構的製造方法，其中所述第二曝光與顯影製程，包括：在所述第二曝光與顯影中的顯影步驟之後，形成了對應於所述多個散射條的位置的多個光阻圖案；以及移除所述多個光阻圖案，其中所述光阻圖案的寬度小於所述散射條的寬度。
如請求項9所述的內連線結構的製造方法，其中移除所述多個光阻圖案的方法包括進行雷射灰化處理。
如請求項3所述的內連線結構的製造方法，其中：所述遮光圖案層更包括暴露出部分所述透明基板的第二導線溝槽，所述多個散射條更設置於所述第二導線溝槽中的所述透明基板上，在進行所述第二曝光與顯影製程之後，更移除了所述第二光阻層的對應於所述第二導線溝槽的部分，在以所述第二光阻層為罩幕來移除部分所述基底之後，更形成了第二導線溝槽，且所述導電層更形成於所述第二導線溝槽中。
一種內連線結構的製造方法，包括：提供光罩，所述光罩包括：透明基板；遮光圖案層，設置於所述透明基板上，且包括暴露出部分所述透明基板的第一導線溝槽；以及多個散射條，設置於所述第一導線溝槽中的所述透明基板上，其中所述多個散射條暴露出所述第一導線溝槽的接觸窗或導通孔開口區域；於基底上形成第一光阻層；使用所述光罩，對所述第一光阻層進行第一曝光與顯影製程，以僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分；以所述第一光阻層為罩幕，移除部分所述基底，以形成接觸窗或導通孔開口；移除所述第一光阻層；於所述接觸窗或導通孔開口中形成第一導電層；於所述基底上形成第二導電層；於所述第二導電層上形成第二光阻層；使用所述光罩，對所述第二光阻層進行第二曝光與顯影製程，以移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽之外的部分；以所述第二光阻層為罩幕，移除部分所述第二導電層；以及移除所述第二光阻層，其中所述第二曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量大於所述第一曝光與顯影製程中的曝光步驟的曝光劑量。
如請求項12所述的內連線結構的製造方法，其中所述第一光阻層為正光阻層，且第二光阻層為負光阻層。
如請求項13所述的內連線結構的製造方法，其中僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將所述第一光阻層的厚度形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽中的所述接觸窗或導通孔開口之外的區域的部分具有低的曝光解析度。
如請求項13所述的內連線結構的製造方法，其中僅移除所述第一光阻層的對應於所述接觸窗或導通孔開口區域的部分的方法包括將相鄰的散射條之間的距離形成為：在所述第一曝光與顯影製程中，使得第一光阻層的對應於所述第一導線溝槽中的所述接觸窗或導通孔開口之外的區域的部分具有低的曝光解析度。
如請求項12所述的內連線結構的製造方法，其中移除所述第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽之外的部分的方法包括將所述第二光阻層的厚度形成為：在所述第二曝光與顯影製程中，使得第二光阻層的對應於所述第一導線溝槽的部分具有高的曝光解析度。
如請求項12所述的內連線結構的製造方法，其中：所述遮光圖案層更包括暴露出部分所述透明基板的第二導線溝槽，所述多個散射條更設置於所述第二導線溝槽中的所述透明基板上，且在進行所述第二曝光與顯影製程之後，保留了所述第二光阻層的對應於所述第二導線溝槽的部分。